JP5249915B2 - 薬液処理装置および薬液処理方法 - Google Patents
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Description
また、前記薬液吐出ノズルは、前記回転軸の中に設けられ、鉛直に延びるノズル孔を有し、前記複数の吐出口は、前記ノズル孔に接続されている構成とすることができる。
また、少なくとも一つの前記高温薬液が基板裏面に当たる位置が、前記高温薬液が当たった後の基板裏面での前記高温薬液の広がりにより、前記高温薬液が基板裏面の中心に届くような位置とすることができる。
まず、第1の実施形態について説明する。
図1は本発明の第1の実施形態に係る薬液処理装置の概略構成を示す断面図である。ここでは、基板として半導体ウエハ(以下単にウエハと記す)を用い、その裏面に形成された膜を高温薬液でエッチング除去する場合について説明する。
図5はこのようなウエハ裏面の膜をエッチング除去する際の動作を説明するための模式図である。
ここでは、フッ酸(HF)によりウエハW裏面のSiN膜をエッチングした例について説明する。
次に、第2の実施形態について説明する。
図7は本発明の第2の実施形態に係る薬液処理装置の概略構成を示す断面図である。本実施形態では、第1の実施形態と同様にウエハW裏面のエッチングを実施すると同時に、ウエハW表面(デバイス形成面)のエッチングも行う表裏面処理装置であり、図1の薬液処理装置と同じものには同じ符号を付して説明を省略する。
2;ベースプレート
3;スピンチャック
4;回転機構
5;薬液吐出ノズル
6、6′;薬液供給機構
7;排液カップ
8;表面薬液吐出ノズル
11;回転プレート
12;回転軸
13;保持ピン
14;モータ
18;ノズル孔
18a、18b、18c;吐出口
19;ウエハ支持部
19a;ウエハ支持ピン
21;シリンダ機構
22、41;薬液配管
23、42;高温薬液タンク
28;排液配管
30;制御部
31;コントローラ
32;ユーザーインターフェース
33;記憶部
W;半導体ウエハ(基板)
Claims (10)
- 基板に形成された膜を高温薬液によるエッチングにより除去する薬液処理装置であって、
基板を裏面を下側にして水平にした状態で回転可能に保持する基板保持機構と、
前記保持機構を鉛直に延びる中空の回転軸を介して回転させる回転機構と、
下方から上方に向けて高温薬液を吐出して基板裏面に前記高温薬液を供給する薬液吐出ノズルと、
前記薬液吐出ノズルに前記高温薬液を供給する薬液供給機構と
を具備し、
前記薬液吐出ノズルは、前記高温薬液を吐出し、基板裏面の中心以外の、互いに基板裏面の中心からの距離が異なる位置に前記高温薬液を当てる複数の吐出口を有し、
前記複数の吐出口は、これらから吐出された前記高温薬液の基板裏面に当たる位置が、前記高温薬液が当たった後に基板裏面で前記高温薬液が広がった際に、基板裏面の熱履歴が面内で均一になる位置になるように設けられていることを特徴とする薬液処理装置。 - 前記複数の吐出口のうちの一つの吐出口から前記高温薬液が吐出され、基板裏面に当たって広がった際に温度が下がり始める位置に、他の吐出口からの前記高温薬液が当たるようにすることを特徴とする請求項1に記載の薬液処理装置。
- 前記薬液吐出ノズルは、前記回転軸の中に設けられ、鉛直に延びるノズル孔を有し、前記複数の吐出口は、前記ノズル孔に接続されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の薬液処理装置。
- 前記複数の吐出口のうちの少なくとも一つの吐出口は、そこから吐出された前記高温薬液の基板裏面に当たる位置が、前記高温薬液が当たった後の基板裏面での前記高温薬液の広がりにより、前記高温薬液が基板裏面の中心に届くような位置になるように設けられていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の薬液処理装置。
- 前記薬液吐出ノズルは、その上端部が基板支持部となっており、昇降可能に設けられ、前記基板支持部に前記複数の吐出口が形成されており、前記薬液吐出ノズルを上昇させた搬送位置で前記支持部に対する基板の授受が行われ、かつ処理中には下降位置に位置され、処理後に上昇して基板を前記搬送位置に上昇させることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の薬液処理装置。
- 前記基板保持部に保持された基板の上方にスキャン可能に設けられ、基板表面に前記高温薬液を吐出する表面薬液吐出ノズルと、前記表面薬液吐出ノズルに前記高温薬液を供給する表面薬液供給機構とをさらに具備し、基板の表面および裏面に前記高温薬液を供給してエッチング処理を行うことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の薬液処理装置。
- 基板に形成された膜を高温薬液によるエッチングにより除去する薬液処理方法であって、
基板を裏面を下側にして水平にした状態で保持する工程と、
その状態の基板を回転させつつ、下方から上方に向けて高温薬液を吐出して基板裏面に高温薬液を供給する工程とを有し、
前記高温薬液を供給する際に、基板裏面の中心以外の、互いに基板裏面の中心からの距離が異なる複数の位置に前記高温薬液を当て、
前記高温薬液が基板裏面に当たる前記複数の位置を、前記高温薬液が当たった後に基板裏面で前記高温薬液が広がった際に、基板裏面の熱履歴が面内で均一になる位置とすることを特徴とする薬液処理方法。 - 前記基板裏面の一つの位置に前記高温薬液が当たって広がった際に温度が下がり始める位置が、前記高温薬液が当たる他の位置になるようにすることを特徴とする請求項7に記載の薬液処理方法。
- 少なくとも一つの前記高温薬液が基板裏面に当たる位置が、前記高温薬液が当たった後の基板裏面での前記高温薬液の広がりにより、前記高温薬液が基板裏面の中心に届くような位置であることを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の薬液処理方法。
- 基板裏面に前記高温薬液を供給する際に、基板表面に前記高温薬液をスキャンさせながら吐出させる工程をさらに有することを特徴とする請求項7から請求項9のいずれか1項に記載の薬液処理方法。
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