JP5247188B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

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本発明は、半透過型液晶表示装置に関し、特に透過領域と反射領域とを備えた横電界方式の半透過型液晶表示装置に関する。
液晶表示装置の一形態として、同一基板平面に形成された2つの電極間で電界を印加して液晶分子の配向制御を行う方式(以下、「横電界方式」と称する)のものが知られている。この横電界方式のものとしては、液晶に電界を印加する電極の形態によりIPS(In-Plane Switching)方式、FFS(Fringe Field Switching)方式等と呼ばれるものが知られている。また最近では、横電界方式による広視野角化を目的として、半透過反射型の液晶表示装置に横電界方式を適用することが提案されている(例えば特許文献1参照)。
特開2003−344837号公報
ところで、携帯電話器等の携帯情報端末では、明るさが異なる種々の環境下で使用されることから、半透過反射型液晶表示装置がその表示部として用いられている。このうち横電界により液晶を駆動する方式の半透過反射型液晶表示装置において水平電界を発生させる透明電極に電極連結部を備えたいわゆる櫛型の電極構成のものにおいては、その電極連結部となる電極端において、リバースツイストドメインが発生する。このリバースツイストドメインが発生すると、電界が乱れるため、液晶の駆動制御が不安定になり、コントラストの低下を招く。このリバースツイストドメインの発生原理を図10A及び図10Bを用いて説明する。
図10AはFFSモードの液晶表示装置の上電極における1個のスリット状開口の端部部分の電圧無印加時の模式拡大平面図であり、図10Bは電圧印加時の模式拡大平面図である。図11A〜図11Eはそれぞれスリット状開口の境界の方向とラビング方向Yとのなす角度φの関係を示す図である。
このFFSモードの液晶表示装置の上電極91には、スリット状開口92が例えば斜め方向に傾いて形成されている。このスリット状開口92の底部には絶縁膜が存在しており、更にこの絶縁膜の下部には下電極が存在している。ここで、配向膜に対するラビング方向を図10AにおけるY方向とすると、電圧無印加時には液晶分子93aはラビング方向Yに配列している。この状態で上電極91と下電極との間に駆動電圧が印加されると、図10Bに示したように、上電極91と下電極との間に、スリット状開口92の境界に垂直な方向に電界Eが生じ、この電界Eに対応して液晶分子93aが例えば所定角度θだけ水平回転する。
電界Eの方向は、スリット状開口92の長辺94a側及び94b側ではそれぞれ同一方向であるが、スリット状開口92の端部95側では、スリット状開口92の一方の長辺側94a側から他方の長辺94b側にかけて連続的に180°変化している。そのため、スリット状開口92の端部95側においては、上電極91と下電極との間に駆動電圧が印加された際、液晶分子の配向方向が右方向にも左方向にも回転し得る異常配向領域が存在する。
すなわち、図11Aに示すように、配向膜のラビング方向をYとし、上電極91のスリット状開口92の長手方向をZとし、ZからYへ向かう鋭角部分の角度方向を正とすると、スリット状開口92の位置Aでは、スリット状開口92の境界の方向とラビング方向Yとのなす鋭角部分の角度φは正(φ>0°)となる。また、図11Bに示したスリット状開口92の位置Bでは、スリット状開口92の境界の方向とラビング方向Yとが平行となり、φ=0°となる。更に、図11Cに示したスリット状開口92の位置Cでは、スリット状開口92の位置Cからラビング方向Yへ向かう鋭角部分の角度φは、図11Aに示した位置Aの場合とは逆方向になるので、φは負(φ<0°)となる。同様に、図11Dに示したスリット状開口92の位置Dではφ=±90°となり、更に、図11Dに示したスリット状開口92の位置Eでは、スリット状開口92の境界の方向とラビング方向Yとの間の鋭角部分の角度φは、図11Aに示した位置Aと同じ方向であるので、正(φ>0°)となる。
そのため、スリット状開口92の端部95側においては、図11Bに示した位置Bと図11Dに示した位置Dとの間が、上電極91と下電極との間に駆動電圧が印加された際、液晶分子の配向方向が右方向にも左方向にも回転し得る異常配向領域となる。このようなスリット状開口92の端部95側に生じる異常配向領域はリバースツイストドメインと称されている。従来のFFSモードの液晶表示装置では、リバースツイストドメインは正常な画像表示ができないため、このリバースツイストドメインを遮光部材で遮光するようにしている。しかしながら、リバースツイストドメインを遮光部材で遮光すると、開口率の損失が生じる。
発明者等は、このようなリバースツイストドメインを遮光しなくてもすむ構成について種々検討を重ねた。その結果、このようなリバースツイストドメインを反射領域として利用すると、バックライトからの光が前記リバースツイストドメインを透過することができないため、観察者の目に入らないことを見出し、本発明を完成するに至ったのである。
すなわち、本発明は、横電界方式の液晶表示装置において、リバースツイストドメインの発生する部分を遮光せず、反射領域として有効に活用することによって、開口率の損失を生じることがなく、明るい表示が可能な横電界方式の半透過型液晶表示装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持した第1基板及び第2基板を有し、前記第1基板の前記液晶側には、表示領域にマトリクス状に互いに絶縁された状態で配置された複数の走査線及び信号線と、前記複数の走査線及び信号線の交差部近傍に設けられたスイッチング素子と、複数のサブ画素と、を備え、前記サブ画素毎に反射表示を行う反射領域と透過表示を行う透過領域とが設けられた半透過液晶表示装置であって、前記サブ画素毎に第1電極と該第1電極の表面に絶縁膜を介して積層された第2電極が形成されており、前記第1電極は前記透過領域と前記反射領域の両領域に跨って配置されており、前記第2電極は、互いに平行に延びる複数のスリット状開口と、複数の前記スリット状開口の延びる方向の少なくとも一方の端を互いに連結するように連続して形成された電極連結部と、該電極連結部から延在して前記スリット状開口を形成している枝部とを有し、リバースツイストドメインによる異常配向が生じる前記電極連結部前記反射領域の中のみであって前記信号線に沿って前記透過領域から離れた位置に形成され、前記枝部が前記走査線に沿って平行又は前記走査線と予め定めた一定角度傾いて形成されている。
本発明の液晶表示装置においては、第2電極の電極連結部が、反射領域の中の透過領域から離れた位置に配置されることになるので、バックライトからの光は反射領域に配置された反射板によって遮光されるため、リバースツイストドメイン領域が観察されなくなる。しかも、反射領域はコントラストが弱いため、反射表示時にはリバースツイストドメインは目立たなくなる。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、電極連結部に生ずるリバースツイストドメインによる異常配向が透過領域に生じることがなく、しかも、電極連結部を含む領域を反射領域として利用しているので、開口率の損失を生じることがなく、明るい表示が可能な液晶表示装置が得られる。
本発明の液晶表示装置によれば、反射領域の形成箇所及び面積を任意に決定できるため、所望の透過領域対反射領域比を達成することができ、色々な表示特性を備えた液晶表示装置が得られる。
また、本発明の液晶表示装置においては、前記反射領域は、偏光反射板を備えていることが好ましい。
反射領域を偏光反射板とすると、外光の反射機能と偏光機能とを同時達成でき、しかも、偏光反射板は反射率が高いため、構成が簡単で明るい表示が可能な半透過型液晶表示装置となる。なお、このような偏光反射板としては、例えばワイヤーグリッド型偏光板を使用し得る。
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示装置を例示するものであって、本発明をこの液晶表示装置に特定することを意図するものではなく特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものにも等しく適応し得るものである。また、この明細書における説明のために用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示されているものではない。
図1は、第1の実施形態の半透過型液晶表示装置の1サブ画素分の平面図である。図2は図1のII−II線に沿った模式断面図である。図3は図1のIII−III線に沿った模式断面図である。図4は第1の実施形態の半透過型液晶表示装置の動作原理の説明図である。図5は第1の変形例の半透過型液晶表示装置の1サブ画素分の平面図である。図6は第2の変形例の半透過型液晶表示装置の1サブ画素分の平面図である。図7は第3の変形例の半透過型液晶表示装置の1サブ画素分の平面図である。図8は第4の変形例の半透過型液晶表示装置の1サブ画素分の平面図である。図9は第5の変形例の半透過型液晶表示装置の1サブ画素分の平面図である。
[第1の実施形態]
第1実施形態に係る半透過型液晶表示装置について図1〜図4を参照して説明する。この第1の実施形態の液晶表示装置10Aは、本発明の第1基板に対応するアレイ基板ARと、本発明の第二基板に対応するカラーフィルタ基板CFとを備えている。アレイ基板ARは、ガラス基板等の第1の透明基板11の表示領域の表面にマトリクス状に複数の走査線12及び信号線13が互いにゲート絶縁膜14で絶縁された状態で交差するように形成されている。更に、表示領域には、それぞれ独立して駆動される複数のサブ画素が形成されていると共に、サブ画素毎にスイッチング素子として例えばTFTが形成されている。また、表示領域の周縁部にはコモン配線(図示省略)が形成されている。更に、TFTを含む第1の透明基板11の表面全体に亘って例えば窒化ケイ素層ないし酸化ケイ素層からなるパッシベーション膜15が被覆されている。
そして、パッシベーション膜15の表面には有機材料からなる平坦化膜16が形成されており、平坦化膜16及びパッシベーション膜15にはTFTのドレイン電極Dに対応する位置にコンタクトホール17が形成されている。そして、平坦化膜16の表面には、それぞれの画素領域に一部がITOないしIZO等の透明導電性材料からなる本発明の第1電極に対応する下電極18形成されており、この下電極18はコンタクトホール17を経てTFTのドレイン電極Dに電気的に接続されている。従って、第1の実施形態の液晶表示装置10Aでは、下電極18は画素電極として機能する。そして、この下電極18の一部分と平坦化膜16の間には偏光反射板22が形成されており、この偏光反射板22が形成されていない下電極18の部分が透過領域を形成し、偏光反射板22が形成されている部分が反射領域10bを形成する。なお、この偏光反射板22の構成については後述する。
更に、下電極18が形成された第1の透明基板11の表面全体に亘って窒化ケイ素層ないし酸化ケイ素層からなる絶縁膜19が形成されている。この絶縁膜19の表面には、それぞれの画素に互いに平行に伸びる複数のスリット状開口20を有する本発明の第2電極に対応する上電極21が形成されている。この上電極21はITOないしIZO等の透明導電性材料で形成されており、表示領域の周縁部で図示しないコモン配線に電気的に接続されている。従って、第1の実施形態の液晶表示装置10Aでは、上電極21は対向電極として機能する。なお、下電極18及び上電極21のうち、どちらをTFTのドレイン電極Dと接続するか及びどちらをコモン配線と接続するかは任意である。そして、上電極21の表面及びスリット状開口20内には第1の配向膜24が形成されている。
また、カラーフィルタ基板CFは、図2及び図3に示したように、ガラス基板等の第2の透明基板25の表面に、アレイ基板ARの走査線12、信号線13、コンタクトホール17及びTFTに対応する位置を被覆するように遮光膜26が形成されている。更に、遮光膜26で囲まれた第2の透明基板25の表面には、所定の色のカラーフィルタ層27が形成されている。また、遮光膜26及びカラーフィルタ層27の表面を被覆するようにオーバーコート層28が形成されている。そして、オーバーコート層28の表面には第2の配向膜29が形成されている。このカラーフィルタ基板CFの配向膜とアレイ基板ARの配向膜のラビング方向は、平面視で同一方向であるが、上電極21に形成されるスリット状開口20に対して5°〜10°程度傾いているようになされる。
そして、組立時には、アレイ基板ARの下電極18及び上電極21とカラーフィルタ基板CFのカラーフィルタ層26とが互いに対向するように、アレイ基板ARとカラーフィルタ基板CFが対向され、その間に液晶30が封入される。更に、アレイ基板ARの外側に第1の偏光板31及びバックライト装置(図示省略)が配置され、カラーフィルタ基板CFの外側に第2の偏光板32が配置されて第1の実施形態の半透過型液晶表示装置10Aが完成される。
なお、第1の実施形態の半透過型液晶表示装置10Aで使用した偏光反射板22は、ワイヤーグリッド形偏光板として周知のものである。この偏光反射板22は、アルミニウム等の光反射性の金属膜を主体とし構成されており、金属膜には所定のピッチでストライプ状をなす複数の微細なスリットが互いに平行に同一幅で形成されている。これらのスリットの幅は30nm〜300nm程度であり、複数のスリットが所定ピッチで形成された結果線状とされた金属膜の線幅は30nm〜300nm程度である。この偏光反射板22は、その上面側から光が入射するとスリットの長さ方向に平行な偏光成分は反射光として反射され、スリットの幅方向に平行な偏光成分は透過光として透過される。すなわち、偏光反射板22は、スリットの延在方向に平行な反射軸と、この反射軸と直交する方向の透過軸とを有するものである。
ここで、第1の実施形態の半透過型液晶表示装置10Aの動作を図4を用いて説明する。液晶表示装置10Aにおいて、バックライトBLから射出された光は、第1の偏光板31を透過することで第1の偏光板31の透過軸31aに平行な直線偏光に変換されて下電極18に入射し、下電極18の透過領域10aを透過して液晶30に入射する。そして、半透過型液晶表示装置10Aがオン状態(上電極21と下電極18との間に駆動電圧が印加された状態)であれば、上記入射光は液晶30により所定の位相差(λ/2)を付与され、第2の偏光板32の透過軸32aと平行な直線偏光に変換される。これにより第2の偏光板32を透過した光が表示光として視認され、このサブ画素は明表示となる。
一方、液晶30がオフ状態(上記駆動電圧が印加されていない状態)であれば、入射光はその偏光状態を維持したまま第2の偏光板32に達し、この入射光と平行な吸収軸(透過軸32aと直交する光学軸)を有する第2の偏光板32に吸収され、このサブ画素は、暗表示となる。なお、第1の偏光板31を透過して偏光反射板22に入射した光は、この直線偏光と平行な反射軸を有する偏光反射板22によって反射されるので、液晶30に入射することなくバックライトBL側へ戻される。このようにして、1サブ画素内における明表示と暗表示とが液晶30のオン・オフによりなされる。
次に、図4の左側の反射領域10bの動作について説明する。反射領域10bでは、第2の偏光板32の上方(外側)から入射した光は、第2の偏光板32を透過することで第2の偏光板32の透過軸32aに平行な直線偏光に変換されて液晶30に入射する。このとき半透過型液晶表示装置10Aがオン状態であれば、外部からの入射光は、液晶30により所定の位相差(λ/2)を付与されて偏光反射板22に入射する。一方、偏光反射板22は、第2の偏光板32の透過軸32aと平行な透過軸22aと、それに直交する反射軸を有しているので、オン状態の液晶30を透過して偏光反射板22に入射した光は、その偏光状態を保持したまま反射される。再度液晶30に入射した反射光は、液晶30の作用により入射時の偏光状態(第2の偏光板32の透過軸と平行な直線偏光)に戻されて第2の偏光板32に入射する。これにより第2の偏光板32を透過した反射光が表示光として視認され、このサブ画素は明表示となる。
一方、液晶30がオフ状態であれば、第2の偏光板32から液晶30に入射した光は、その偏光状態を維持したまま偏光反射板22に入射し、この光と平行な透過軸22aを有する偏光反射板22を透過する。そして、この光と平行な吸収軸を有する第1の偏光板31によって吸収され、このサブ画素は暗表示となる。このようにして、反射領域10bでも1サブ画素内における明表示と暗表示とが液晶30のオン/オフによりなされる。
なお、偏光反射板22に換えて金属製の反射板や半透過偏光反射板を用いることも考えられるが、金属反射膜を用いた場合、反射表示において液晶30のオン/オフに関わらず、明表示となり正常な表示が行えないし、また半透過偏光反射板を表示領域全体に設けた場合、透過表示において設定される直線偏光の透過率に応じてコントラストが設定されることになり、偏光反射板22を用いた場合と比するとコントラストは低くなる。
この偏光反射板22は、図1に示したように、1サブ画素分の一方の信号線13側に沿って形成されている。そして上電極21は、透過領域10aから最も離間している信号線13に沿って偏光反射板22に重複するように形成された電極連結部21aと、この電極連結部21aから反射領域10bを経て透過領域10aに延在する複数の枝部21bとから形成されている。このような構成とすると、リバースツイストドメインとなる上電極21の電極連結部21aとスリット状開口20との境界部が反射領域10bに形成されていることになる。
このようにリバースツイストドメインが発生する領域を反射領域10bに配置することによって、バックライトからの光は反射領域10bに配置された偏光反射板22によって遮光されるため、リバースツイストドメイン領域が観察されなくなる。
しかも、反射領域10bはコントラストが弱いため、反射表示時にはリバースツイストドメインは目立たなくなる。また、上電極21の電極連結部21aが、透過領域10aから離間した位置の反射領域10bに形成されているので、電極連結部21a近傍に生ずるリバースツイストドメインによる異常配向が透過領域10aにおいて視認される可能性がさらに低減される。
従って、第1の実施形態の半透過型液晶表示装置10Aによれば、透過領域10aを利用して表示するときはコントラストが高く、良好な表示画質が得られるようになり、しかも、電極連結部21aを含む領域を反射領域10bとして利用しているので、開口率の損失を生じることがなく、明るい表示が可能な横電界方式の半透過型液晶表示装置10Aが得られる。なお、上記第1の実施形態の半透過型液晶表示装置10Aでは、上電極21の枝部21aが透過領域10aから離間している位置に形成された例を示したが、枝部21aが透過領域10aのみに形成されているようにしてもよい。
[変形例]
上記第1の実施形態の半透過型液晶表示装置10Aでは、上電極21の枝部21aが走査線12に沿って伸びているが、走査線12に対して傾いて形成された例を示した。しかしながら、本発明の半透過型液晶表示装置においては、上電極21の構成として横電界方式の液晶表示装置で採用されている種々の構成を取ることができる。このような本発明で使用し得る上電極21の変形例の構成を図5〜図8を用いて説明する。ただし、図5〜図8に示す変形例の構成は、第1の実施形態の半透過型液晶表示装置10Aのものと上電極21及び偏光反射板22の構成が相違する以外は実質的に同様の構成を備えているので、上電極21及び偏光反射板22以外の構成部分、例えば走査線、信号線、TFT等についての図示は省略する。
図5は第1の変形例の半透過型液晶表示装置10Bの1サブ画素分の上電極21及び偏光反射板22の構成を示す平面図である。この第1の変形例の半透過型液晶表示装置10Bでは、上電極21の電極連結部21a及び偏光反射板22が一方の信号線に沿って形成されている点では第1の実施形態の半透過型液晶表示装置10Aの場合と同様である。ただ、枝部21bを反射領域10bを経て走査線に沿って平行に透過領域10aにまで延在させた点で第1の実施形態の半透過型液晶表示装置10Aと構成が相違している。この第1の変形例の半透過型液晶表示装置10Bにおいても、第1の実施形態の半透過型液晶表示装置10Aと同様の効果を奏する。
図6は第2の変形例の半透過型液晶表示装置10Cの1サブ画素分の上電極21及び偏光反射板22の構成を示す平面図である。この第2の変形例の半透過型液晶表示装置10Cでは、上電極21の電極連結部21a及び偏光反射板22は一方の走査線に沿って形成されており、枝部21bは反射領域10を経て信号線に沿って平行に透過領域にまで延在させたものである。この第2の変形例の半透過型液晶表示装置10Cにおいても、第1の実施形態の半透過型液晶表示装置10Aと同様の効果を奏する。
図7は第3の変形例の半透過型液晶表示装置10Dの1サブ画素分の上電極21及び偏光反射板22の構成を示す平面図である。この第3の変形例の半透過型液晶表示装置10Dでは、上電極21の電極連結部21aは一方の信号線13に沿って形成されているが、偏光反射板22は、一方の信号線に沿うと共に、一方の走査線に沿っても形成されており、実質的にL字状とされている。そして、枝部21bを反射領域10bを経て走査線に沿って平行に透過領域10bにまで延在させたものである。この第3の変形例の半透過型液晶表示装置10Dにおいても、第1の実施形態の半透過型液晶表示装置10Aと同様の効果を奏する。この第3の変形例は、特に反射表示が多用される用途に有効である。
図8は第4の変形例の半透過型液晶表示装置10Eの1サブ画素分の上電極21及び偏光反射板22の構成を示す平面図である。この第4の変形例の半透過型液晶表示装置10Eでは、上電極21の電極連結部21aは一方の走査線に沿って形成されているが、偏光反射板22は、一方の信号線に沿うとともに、一方の走査線に沿っても形成されており、実質的にL字状とされている。そして、枝部21bを反射領域10bを経て信号線に沿って平行に透過領域10bにまで延在させたものである。この第4の変形例の半透過型液晶表示装置10Eにおいても、第1の実施形態の半透過型液晶表示装置10Aと同様の効果を奏する。この第4の変形例は、特に反射表示が多用される用途に有効である。
図9は第5の変形例の半透過型液晶表示装置10Fの1サブ画素分の上電極21及び偏光反射板22の構成を示す平面図である。この第4の変形例の半透過型液晶表示装置10Fでは、上電極21の電極連結部21a及び偏光反射板22は1サブ画素の両方の走査線に沿って2箇所に形成されており、そして、枝部21bを反射領域10bを経て信号線に沿って平行に透過領域10bにまで両方の電極連結部21aから延在させて透過領域10aで一体としたものである。この第4の変形例の半透過型液晶表示装置10Fにおいても、第1の実施形態の半透過型液晶表示置10Aと同様の効果を奏する。この第5の変形例も、特に反射表示が多用される用途に有効である。
第1の実施形態の半透過型液晶表示装置の1サブ画素分の平面図である。 図1のII線に沿った模式断面図である。 図1のIII−III線に沿った模式断面図である。 第1の実施形態の半透過型液晶表示装置の動作原理の説明図である。 第1の変形例の半透過型液晶表示装置の1サブ画素分の平面図である。 第2の変形例の半透過型液晶表示装置の1サブ画素分の平面図である。 第3の変形例の半透過型液晶表示装置の1サブ画素分の平面図である。 第4の変形例の半透過型液晶表示装置の1サブ画素分の平面図である。 第5の変形例の半透過型液晶表示装置の1サブ画素分の平面図である。 図10AはFFSモードの液晶表示装置の上電極における1個のスリット状開口の端部部分の電圧無印加時の模式拡大平面図であり、図10Bは電圧印加時の模式拡大平面図である。 図11A〜図11Eはそれぞれスリット状開口の境界の方向とラビング方向Yとのなす角度φの関係を示す図である。
符号の説明
10A〜10F:半透過型液晶表示装置 10a:透過領域 10b:反射領域 11:第1の透明基板 12:走査線 13:信号線 :14:ゲート絶縁膜 15:パッシベーション膜 16:平坦化膜 17:コンタクトホール 18:下電極 :19:絶縁膜 20:スリット状開口 21:上電極 21a:電極連結部 21b:枝部 22:偏光反射板 24:第1の配向膜 25:第2の透明基板 26:遮光膜 27:カラーフィルタ層 28:オーバーコート層 29:第2の配向膜 30:液晶 31:第1の偏光板 32:第2の偏光板

Claims (2)

  1. 液晶を挟持した第1基板及び第2基板を有し、
    前記第1基板の前記液晶側には、
    表示領域にマトリクス状に互いに絶縁された状態で配置された複数の走査線及び信号線と、
    前記複数の走査線及び信号線の交差部近傍に設けられたスイッチング素子と、
    複数のサブ画素と、を備え、
    前記サブ画素毎に反射表示を行う反射領域と透過表示を行う透過領域とが設けられた半透過液晶表示装置であって、
    前記サブ画素毎に第1電極と該第1電極の表面に絶縁膜を介して積層された第2電極が形成されており、
    前記第1電極は前記透過領域と前記反射領域の両領域に跨って配置されており、
    前記第2電極は、互いに平行に延びる複数のスリット状開口と、複数の前記スリット状開口の延びる方向の少なくとも一方の端を互いに連結するように連続して形成された電極連結部と、該電極連結部から延在して前記スリット状開口を形成している枝部とを有し、リバースツイストドメインによる異常配向が生じる前記電極連結部前記反射領域の中のみであって前記信号線に沿って前記透過領域から離れた位置に形成され、前記枝部が前記走査線に沿って平行又は前記走査線と予め定めた一定角度傾いて形成されている液晶表示装置。
  2. 前記反射領域は、偏光反射板を備えている請求項1に記載の液晶表示装置。
JP2008060596A 2008-03-11 2008-03-11 液晶表示装置 Active JP5247188B2 (ja)

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