JP4380648B2 - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶装置及び電子機器に関するものである。

液晶装置の一形態として、液晶層に基板面方向の電界を作用させて液晶分子の配向制御を行う方式（以下、横電界方式と称する。）のものが知られており、前記電界を生じさせる電極の形態によりＩＰＳ（In-Plane Switching）方式、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式等と呼ばれるものが知られている。また最近では、横電界方式による広視野角化を目的として、半透過反射型の液晶装置に横電界方式を適用することが提案されている（例えば特許文献１参照）。
特開２００３−３４４８３７号公報

特許文献１に記載の液晶装置では、反射表示領域の液晶層厚と透過表示領域の液晶層厚とを互いに異ならせた、マルチギャップ方式の液晶装置について、その透過表示領域、あるいは透過表示領域と反射表示領域の双方について横電界方式を採用している。半透過反射型の液晶装置においては、透過表示領域と反射表示領域とで表示光が液晶層を透過する回数が異なるため、適切な表示を得るために前記両領域の液晶層のリタデーションを調整する必要があり、上記マルチギャップ方式を採用すれば、簡便な工程により比較的容易に液晶層のリタデーション調整を行うことが可能である。しかしながら、横電界方式の液晶装置においては、液晶層厚の変化に伴って閾値電圧（駆動電圧）が変化するため、マルチギャップ構造を採用することで反射表示と透過表示の双方で良好な表示を得るのが困難になるという問題が生じる。

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、横電界方式を採用した半透過反射型の液晶装置であって、反射表示と透過表示の双方で高画質かつ広視野角の表示を得ることができ、また簡便な工程で低コストに製造可能な構成を具備した液晶装置を提供することを目的としている。

本発明は、上記課題を解決するために、液晶層を挟持して対向配置された第１基板と第２基板とを備え、前記第１基板の前記液晶層側には第１電極と第２電極が備えられ、前記第１電極と前記第２電極間に生じる電界によって前記液晶層が駆動されるとともに、１つのサブ画素領域に反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とが設けられた半透過反射型の液晶装置であって、前記液晶層の液晶分子の初期配向状態は、前記サブ画素領域内で一様な方向の配向とされており、前記サブ画素領域の前記反射表示領域と前記透過表示領域の前記液晶層の厚さを均一とし、前記透過表示領域において前記第１電極と前記第２電極間に生じる前記電界の主方向が、前記反射表示領域において前記第１電極と前記第２電極間に生じる前記電界の主方向と異なる方向に設定され、前記第１電極が、複数本の帯状電極を備えており、前記複数本の帯状電極が、前記透過表示領域及び反射表示領域のそれぞれの領域内で略平行に配置され、前記透過表示領域内の前記帯状電極は平面視屈曲形状を成し、前記反射表示領域内の前記帯状電極は略直線状に設けられている液晶装置を提供する。
このように透過表示領域における前記電界と、反射表示領域における前記電界とを、互いに異なる方向に形成することで、透過表示領域における電圧印加時の液晶の配向状態と、透過表示領域における電圧印加時の液晶の配向状態とを異ならせることができる。そうすると、液晶層が自身を透過する光に対して付与する位相差を、透過表示領域と反射表示領域とで異ならせることができるので、液晶層厚を変更することなく前記光路差に起因する表示光の偏光状態の差異を解消することができる。また、帯状電極を屈曲形状にすることで、表示の色付きを解消できる一方で、電極の形状が複雑になりサブ画素の開口率を確保しにくくなる。また、表示の色付きについては、透過表示では目立ちやすく、反射表示では目立ちにくいため、屈曲形状の帯状電極を透過表示領域にのみ設けるようにすることで、表示品質の向上と、表示の明るさの確保とを両立することができる。したがって本発明によれば、マルチギャップ構造を用いることなく透過表示と反射表示の双方で良好な表示を得ることができ、高画質、広視野角の表示を得られ、また簡便な工程で安価に製造可能な半透過反射型の液晶装置を実現することができる。

なお、本明細書において、例えばカラー液晶表示装置がＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３個のサブ画素で１個の画素を構成するような場合に対応し、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」と称する。また、前記サブ画素領域内に設けられた「反射表示領域」は、当該液晶表示装置の表示面側から入射する光を利用した表示が可能な領域をいい、「透過表示領域」は、当該液晶表示装置の背面側（前記表示面と反対側）から入射する光を利用した表示が可能な領域をいう。

また本発明は、液晶層を挟持して対向配置された第１基板と第２基板とを備え、前記第１基板の前記液晶層側には第１電極と第２電極が備えられ、前記第１電極と前記第２電極間に生じる電界によって前記液晶層が駆動されるとともに、１つのサブ画素領域に反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とが設けられた半透過反射型の液晶装置であって、前記液晶層の液晶分子の初期配向状態は、前記サブ画素領域内で一様な方向の配向とされており、前記第１電極と前記第２電極との間に生じた前記電界の作用による液晶分子の最大回転角度が、前記透過表示領域と前記反射表示領域とで異なる角度とされたことを特徴とする液晶装置を提供する。
かかる構成とした場合にも、透過表示領域において液晶層を透過する光に対して付与される位相差と、反射表示領域において液晶層を透過する光に付与される位相差とを異ならせることができるので、透過表示と反射表示との表示光の偏光状態の差異を解消することができ、透過表示と反射表示の双方で良好な表示を得られる液晶装置を、マルチギャップ構造を用いることなく実現することができる。

本発明の液晶装置では、前記透過表示領域における前記最大回転角度が、前記反射表示領域における前記最大回転角度より大きいことが好ましい。反射表示では液晶層を２回透過した光を表示光に用いるため、液晶層により透過光に付与される位相差が大きくなるので、本構成のように反射表示領域における液晶分子の最大回転角度を透過表示領域における前記最大回転角度より小さく規制することで、透過表示における表示光の偏光状態との差異を小さくしやすくなる。また、透過表示領域において前記回転角度を抑制する必要が無くなるので、透過表示において良好なコントラストを得やすくなる。

本発明の液晶装置では
前記第２電極が、複数本の帯状電極を備えており、前記第１電極の帯状電極と第２電極の帯状電極とが、前記透過表示領域及び反射表示領域のそれぞれの領域内で略平行に配置されている構成とすることができる。すなわち、本発明の液晶装置は、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の電極形態を採用することができる。

本発明の液晶装置では、前記第１電極が、複数本の帯状電極を備えるとともに、絶縁膜
を介して平面略ベタ状の前記第２電極上に形成されている構成とすることもできる。すなわち、本発明の液晶装置は、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式の電極形態を採用することもできる。半透過反射型の液晶装置の場合、サブ画素領域内に反射層を設ける必要があるが、ＩＰＳ方式の液晶装置で第１電極及び第２電極が設けられている基板に前記反射層を設けると、通常は金属膜により形成される反射層の影響で、第１電極と第２電極との間に形成される電界に歪みを生じる可能性がある。これに対してＦＦＳ方式では、第２電極がベタ状の導電膜であるため、第１電極及び第２電極が設けられた基板に反射層を設けたとしても、前記電界に影響することはない。したがって、ＦＦＳ方式の場合には、第１電極及び第２電極が設けられた基板を、液晶装置の背面側（表示面と反対側）に配置することができ、第１電極ないし第２電極に接続される金属配線等に外光が反射して視認性を低下させるのを良好に防止でき、簡素な構成で視認性に優れる液晶装置を得られるという利点がある。

本発明の液晶装置では、前記透過表示領域における前記帯状電極の延在方向と、前記反射表示領域における前記帯状電極の延在方向とが、互いに異なる方向である構成とすることができる。この構成によれば、透過表示領域における前記電界の方向と、反射表示領域における前記電界の方向とを、容易に異ならせることができる。また電極形状のみで実現できるため、簡便な工程で安価に製造できるという利点も得られる。

本発明の液晶装置では、前記帯状電極が、前記透過表示領域又は反射表示領域の平面領域内で平面視屈曲形状を成して互いに平行に配置されており、前記各帯状電極の屈曲部が、前記透過表示領域内又は反射表示領域内で前記液晶層の初期配向方向に沿って配列されている構成とすることもできる。平面視屈曲形状の帯状電極を互いに平行に配列した電極形態とすることで、容易にサブ画素領域内に複数の液晶ドメインを形成することができるので、液晶装置に対する視角を変えたときの表示の色付きを効果的に防止することができる。

本発明の液晶装置では、前記透過表示領域に、前記平面視屈曲形状を成す前記帯状電極が設けられ、前記反射表示領域には、略直線状の前記帯状電極が設けられていることが好ましい。前記帯状電極を屈曲形状にすると、表示の色付きを解消できる一方で、電極の形状が複雑になりサブ画素の開口率を確保しにくくなる。また、表示の色付きについては、透過表示では目立ちやすく、反射表示では目立ちにくいということもあるため、前記屈曲形状の帯状電極を透過表示領域にのみ設けるようにすれば、表示品質の向上と、表示の明るさの確保とを両立することができる。

次に、本発明の電子機器は、先に記載の本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、高画質、広視野角の反射表示及び透過表示が可能な表示部を具備した電子機器が提供される。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態に係る液晶装置について図面を参照して説明する。本実施形態の液晶装置は、液晶に対して基板面方向の電界（横電界）を作用させ、配向を制御することにより画像表示を行う横電界方式のうち、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式と呼ばれる方式を採用した液晶装置である。
なお、各実施形態で参照する図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示している。

本実施形態の液晶装置は、基板上にカラーフィルタを具備したカラー液晶装置であり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素で１個の画素を構成するものとなっている。したがって表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」と称する。また、一組（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のサブ画素から構成される表示領域を「画素領域」と称する。

図１は、本実施形態の液晶装置を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域の回路構成図である。図２（ａ）は液晶装置１００の任意の１サブ画素領域における平面構成図であり、図２（ｂ）は、液晶装置１００を構成する各光学素子の光学軸の配置関係を示す説明図である。図３は図２（ａ）のＡ−Ａ'線に沿う部分断面構成図である。

図１に示すように、液晶装置１００の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極９と画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、データ線駆動回路１０１から延びるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線駆動回路１０１は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎをデータ線６ａを介して各画素に供給する。前記画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。

また、ＴＦＴ３０のゲートには、走査線駆動回路１０２から延びる走査線３ａが電気的に接続されており、走査線駆動回路１０２から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加されるようになっている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極９に書き込まれるようになっている。

画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と液晶を介して対向する共通電極との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付与されている。蓄積容量７０はＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。

次に、図２及び図３を参照して液晶装置１００の詳細な構成について説明する。まず、液晶装置１００は、図３に示すようにＴＦＴアレイ基板（第１基板）１０と対向基板（第２基板）２０との間に液晶層５０を挟持した構成を備えており、液晶層５０は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向する領域の縁端に沿って設けられた図示略のシール材によって基板１０，２０間に封止されている。対向基板２０の背面側（図示下面側）には、導光板９１と反射板９２とを具備したバックライト（照明装置）９０が設けられている。

図２に示すように、液晶装置１００のサブ画素領域には、Ｙ軸方向に延びるデータ線６ａと、Ｘ軸方向に延びる走査線３ａ及び容量線３ｂとが平面視略格子状に配線されており、これらデータ線６ａ、走査線３ａ、及び容量線３ｂに囲まれる平面視略矩形状の領域に、平面視略櫛歯状を成してＹ軸方向に延びる画素電極（第１電極）９と、この画素電極９と噛み合う平面視略櫛歯状を成してＹ軸方向に延びる共通電極（第２電極）１９とが形成されている。サブ画素領域の図示左上の角部には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを所定間隔で離間させて液晶層厚（セルギャップ）を一定に保持するための柱状スペーサ４０が立設されている。

サブ画素領域には、当該サブ画素領域とほぼ同一の平面形状を有するカラーフィルタ２２が設けられている。また、画素電極９及び共通電極１９の延在領域の概略下半分の平面領域（Ｙ軸方向に二分した領域のうち−Ｙ側の領域）を占める反射層２９が設けられている。反射層２９は、アルミニウムや銀などの光反射性の金属膜をパターン形成したものである。図２に示すように、画素電極９及び共通電極１９に囲まれた平面領域のうち、反射層２９とが平面的に重なる平面領域が当該サブ画素領域の反射表示領域Ｒであり、残る領域が透過表示領域Ｔである。反射層２９としては、その表面に凹凸を形成して光散乱性を付与したものを用いることが好ましく、かかる構成とすることで反射表示における視認性を向上させることができる。

画素電極９は、データ線６ａ及び容量線３ｂに沿って延びる概略Ｌ形の基端部９ａと、この基端部９ａから分岐されて−Ｘ方向に延びる複数本（図示では３本）の帯状電極９ｃと、斜め方向（−Ｘ／＋Ｙ方向）に延びる複数本の帯状電極９ｄと、容量線３ｂ近傍の基端部９ａから−Ｙ側に延出されたコンタクト部９ｂとを備えて構成されている。画素電極９は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料をパターン形成してなる電極部材である。

共通電極１９は、走査線３ａと平面的に重なる位置に形成されてＸ軸方向に延在する本線部１９ａと、本線部１９ａから延出されてサブ画素領域の辺端部に沿うＹ軸方向に延在する基端部１９ｂと、基端部１９ｂから＋Ｘ側に延出された２本の帯状電極１９ｃ及び３本の帯状電極１９ｄとを備えて構成されている。２本の帯状電極１９ｃは、前記画素電極９の帯状電極９ｃと交互に配置され、これらの帯状電極９ｃと平行に延びている。一方、３本の帯状電極１９ｄは、図示斜め方向に延びる前記帯状電極９ｄと交互に配置され、これらの帯状電極９ｄと平行に延びている。共通電極１９も、ＩＴＯ等の透明導電材料を用いて形成されている。
なお、画素電極９及び共通電極１９は、上記透明導電材料のほか、クロム等の金属材料を用いて形成することもできる。

図２に示すように、本実施形態の液晶装置のサブ画素領域では、画素電極９及び共通電極１９を構成する帯状電極９ｃ、９ｄ、１９ｃ、１９ｄの延在方向が、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとで異なる方向となっている。すなわち、透過表示領域Ｔに配置された帯状電極９ｃ、１９ｃが、Ｘ軸方向に平行に延びて形成される一方、反射表示領域Ｒに配置された帯状電極９ｄ、１９ｄは、帯状電極９ｃ、１９ｃと交差する方向（斜め方向）に延びて形成されている。

図２に示すサブ画素領域では、Ｘ軸方向に延びる５本の帯状電極９ｃ、９ｄと、これらの帯状電極９ｃ、９ｄの間に配置された５本の帯状電極１９ｃ、１９ｄとの間に電圧を印加し、それにより生じるＸＹ面方向（基板平面方向）の電界（横電界）により液晶を駆動するようになっている。さらに、画素電極９及び共通電極１９が上述した構成とされているので、電圧印加時には透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒのそれぞれに異なる方向の横電界が形成されるようになっている。

ＴＦＴ３０は、Ｘ軸方向に延びるデータ線６ａと、Ｙ軸方向に延びる走査線３ａとの交差部近傍に設けられており、走査線３ａの平面領域内に部分的に形成された島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層３５と、半導体層３５と一部平面的に重なって形成されたソース電極６ｂ、及びドレイン電極３２とを備えている。走査線３ａは半導体層３５と平面的に重なる位置でＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。

ＴＦＴ３０のソース電極６ｂは、データ線６ａから分岐されて半導体層３５に延びる平面視略逆Ｌ形の配線である。ドレイン電極３２は、その−Ｙ側の端部においてサブ画素領域辺端に沿って延びる接続配線３１ａと電気的に接続されており、当該接続配線３１ａを介して、サブ画素領域の反対側の端縁部に形成された容量電極３１と電気的に接続されている。容量電極３１は、容量線３ｂと平面的に重なって形成された平面視略矩形状の導電部材であり、容量電極３１上に画素電極９のコンタクト部９ｂが平面的に重なって配置され、同位置に設けられた画素コンタクトホール４５を介して容量電極３１と画素電極９とが電気的に接続されている。また、容量電極３１と容量線３ｂとが平面的に重なる領域に、これら容量電極３１及び容量線３ｂを電極とする蓄積容量７０が形成されている。

次に、図３に示す断面構造をみると、互いに対向して配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が挟持されている。ＴＦＴアレイ基板１０の外面側（液晶層５０と反対側）には、位相差板１６と偏光板１４とが順に積層されており、対向基板２０の外面側には、偏光板２４が配設されている。位相差板１６は、透過光に対して略１／２波長の位相差を付与するλ／２位相差板である。位相差板１６を設けることで、反射表示及び透過表示の表示特性を例えばノーマリブラックに揃えることができるので、デバイス構造や信号処理構成に特別な構成を採用することなく広視野角特性を得ることができる。

ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体１０Ａを基体としてなり、基板本体１０Ａの内面側（液晶層５０側）には、アルミニウムや銀等の金属膜からなる反射層２９がサブ画素領域内で部分的に形成されている。反射層２９を覆って、酸化シリコン等の透明絶縁材料からなる第１層間絶縁膜１２が形成されている。第１層間絶縁膜１２上に、走査線３ａ及び容量線３ｂが形成されており、走査線３ａ及び容量線３ｂを覆って、酸化シリコン等の透明絶縁材料からなるゲート絶縁膜１１が形成されている。

ゲート絶縁膜１１上に、アモルファスシリコンの半導体層３５が形成されており、半導体層３５に一部乗り上げるようにしてソース電極６ｂと、ドレイン電極３２とが設けられており、これらソース電極６ｂ及びドレイン電極３２と同層の容量線３ｂと対向する位置に容量電極３１が形成されている。ドレイン電極３２は、図２に示したように、接続配線３１ａ及び容量電極３１と一体に形成されている。半導体層３５は、ゲート絶縁膜１１を介して走査線３ａと対向しており、当該対向領域で走査線３ａがＴＦＴ３０のゲート電極を構成している。容量電極３１はこれに対向する容量線３ｂとともに、ゲート絶縁膜１１をその誘電体膜とする蓄積容量７０を形成している。

半導体層３５、ソース電極６ｂ、ドレイン電極３２、及び容量電極３１を覆って、酸化シリコン等からなる第２層間絶縁膜１３が形成されており、第２層間絶縁膜１３上に、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極９及び共通電極１９が形成されている。第２層間絶縁膜１３を貫通して容量電極３１に達する画素コンタクトホール４５が形成されており、この画素コンタクトホール４５内に画素電極９のコンタクト部９ｂが一部埋設されることで、画素電極９と容量電極３１とが電気的に接続されている。透過表示領域Ｔ及び反射表示領域Ｒには、帯状電極９ｃ、９ｄと、帯状電極１９ｃ、１９ｄとが交互に配置されており、共通電極１９の本線部１９ａは、半導体層３５、ソース電極６ｂ、及びドレイン電極３２と第２層間絶縁膜１３を介して対向する位置に形成されている。画素電極９及び共通電極１９を覆ってポリイミド等の配向膜１８が形成されている。

一方、対向基板２０の内面側（液晶層５０側）には、カラーフィルタ２２が設けられており、カラーフィルタ２２上にポリイミド等の配向膜２８が積層されている。カラーフィルタ２２は、サブ画素領域内で色度の異なる２種類の領域に区画されている構成とすることが好ましい。具体例を挙げると、透過表示領域Ｔの平面領域に対応して第１の色材領域が設けられ、反射表示領域Ｒの平面領域に対応して第２の色材領域が設けられており、第１の色材領域の色度が、第２の色材領域の色度より大きいものとされている構成を採用できる。このような構成とすることで、カラーフィルタ２２を表示光が１回のみ透過する透過表示領域Ｔと、２回透過する反射表示領域Ｒとの間で表示光の色度が異なるのを防止でき、反射表示と透過表示の見映えを揃えて表示品質を向上させることができる。

また、カラーフィルタ２２上には、さらに透明樹脂材料等からなる平坦化膜を積層することが好ましい。これにより対向基板２０表面を平坦化して液晶層５０の厚さを均一化することができ、サブ画素領域内で駆動電圧が不均一になりコントラストが低下するのを防止することができる。

本実施形態の液晶装置における各光学軸の配置は、図２（ｂ）に示すようなものとなっており、ＴＦＴアレイ基板１０側の偏光板１４の透過軸１５３がＸ軸方向に平行に配置され、対向基板２０側の偏光板２４の透過軸１５５は、偏光板１４の透過軸１５３と直交する方向（Ｙ軸方向）に配置されている。また、配向膜１８，２８には平面視で一様な同一方向にラビング処理されることで配向方向が付与されており、初期配向状態（電極間に電界が生じていない状態）での液晶層の液晶分子の配向方向を規定している。その方向は、図２（ｂ）に示すラビング方向１５１であり、本実施形態の場合、ラビング方向１５１はＸ軸方向に対して約２０°の角度を成している。ラビング方向１５１としては任意の方向を選択することができるが、画素電極９と共通電極１９との間に形成される横電界の主方向と交差する方向（一致しない方向）とする。本実施形態では、透過表示領域Ｔにおける横電界の方向１５８は、Ｙ軸方向に平行であり、反射表示領域Ｒにおける横電界の方向１５７は、透過表示領域の横電界方向１５８とラビング方向１５１との中間に位置している。

なお、上記ラビング方向１５１と横電界方向１５７，１５８との関係は、液晶層５０のリタデーションや偏光板１４，２４の光学軸配置に応じて適宜変更することができ、図２（ｂ）に示すものには限定されない。本実施形態において、反射表示領域Ｒにおける横電界方向１５７とラビング方向１５１との成す角度が２０°〜６０°の範囲であれば、透過表示領域Ｔにおける横電界方向１５８とラビング方向１５１との成す角度は６０°〜８５°の範囲に設定される。

上記構成を具備した液晶装置１００は、ＩＰＳ方式の液晶装置であり、ＴＦＴ３０を介して画素電極９に画像信号（電圧）を印加することで、画素電極９と共通電極１９との間に基板面方向（平面視では図２Ｘ軸方向）の電界を生じさせ、かかる電界によって液晶を駆動し、各サブ画素ごとの透過率／反射率を変化させて画像表示を行うものとなっている。

ここで図４及び図５は、本実施形態の液晶装置１００の動作説明図である。図４（ａ）は、画素電極９に電圧を印加しない状態（非選択状態）における液晶分子５１の配向状態を示すサブ画素領域の概略平面図であり、図４（ｂ）は、画素電極９に電圧を印加した状態（選択状態）における液晶分子５１の配向状態を示すサブ画素領域の概略平面図である。また図５（ａ）、図５（ｂ）は、それぞれ透過表示領域Ｔ及び反射表示領域Ｒにおける液晶分子５１の動作説明図である。

図４（ａ）に示すように、画素電極９に電圧を印加しない状態では、液晶層５０を構成する液晶分子５１は、基板１０，２０間でラビング方向１５１に沿ってほぼ水平に配向した状態となっている。先に記載のように液晶層５０を挟持して対向する配向膜１８，２８は平面視で同一方向にラビング処理されているので、液晶分子５１は基板間で一方向に水平配向している。そして、かかる配向状態の液晶層５０に対して画素電極９及び共通電極１９を介して電界を作用させると、図４（ｂ）に示すように、透過表示領域Ｔでは帯状電極９ｃ、１９ｃの幅方向（Ｙ軸方向）に沿う電界ＥＦｔが作用し、Ｙ軸方向に沿って液晶分子５１が配向する。一方、反射表示領域Ｒでは、帯状電極９ｄ、１９ｄの延在方向が透過表示領域Ｔの帯状電極９ｃ、１９ｃとは異なる方向であるため、透過表示領域Ｔとは異なる方向の電界ＥＦｒが形成され、液晶分子５１はその方向に沿って配向する。つまり、透過表示領域Ｔでは、電界ＥＦｔの方向とラビング方向１５１とが比較的大きな角度を成しているため、図５（ａ）に示すように、電圧印加時に液晶分子５１が大きく回転する。これに対して、反射表示領域Ｒでは、電界ＥＦｒの方向とラビング方向１５１とが透過表示領域Ｔに比して小さくなっているため、図５（ｂ）に示すように、電圧印加時の液晶分子５１の回転角も小さくなる。

液晶装置１００は、このような液晶分子５１の配向状態の差異に基づく複屈折性を利用して明暗表示を行うようになっており、さらに透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで電圧印加時の液晶分子５１の動作を異ならせることで、それぞれの領域で適切な透過率／反射率を得られるようにしている。

次に、上記構成を具備した液晶装置１００の表示動作について図６を参照して具体的に説明する。図６は、液晶装置１００の動作説明図である。同図には、反射表示における動作説明図（図示左側）と、透過表示における動作説明図（図示右側）とが示されている。図６に示す矢印は、液晶装置１００に入射する光、及び液晶装置１００中を進行する光の偏光状態を平面的に示したものである。なお、当該矢印の図示について、図６左右方向が図２のＸ軸方向に対応し、上下方向が図２のＹ軸方向に対応する。

まず、図６右側の透過表示（透過モード）について説明する。
液晶装置１００において、バックライト９０から射出された光は、偏光板１４を透過することで偏光板１４の透過軸１５３に平行な直線偏光に変換されて位相差板１６に入射する。位相差板１６は、自身を透過する光に１／２波長の位相差を付与する、いわゆるλ／２位相差板であるから、偏光板１４を透過した前記直線偏光は、それと直交する直線偏光に変換されて位相差板１６から射出されて液晶層５０に入射する。
そして、液晶層５０がオフ状態（非選択状態）であれば、上記直線偏光は、入射時と同一の偏光状態で液晶層５０から射出される。この直線偏光が、平行な透過軸１５５を有する偏光板２４を透過して表示光として視認され、当該サブ画素が明表示となる。

一方、液晶層５０がオン状態（選択状態）であれば、入射光は液晶層５０により所定の位相差（λ／２）を付与され、入射時の偏光方向から９０°回転した直線偏光に変換されて液晶層５０から射出される。そして、この直線偏光と直交する透過軸１５５を有する偏光板２４に吸収され、当該サブ画素は暗表示となる。

次に、図６左側の反射表示について説明する。
反射表示において、偏光板２４の上方（外側）から入射した光は、偏光板２４を透過することで偏光板１４の透過軸１５５に平行な直線偏光に変換されて液晶層５０に入射する。このとき液晶層５０がオフ状態であれば、前記直線偏光は、同一の偏光状態で液晶層５０から射出されて反射層２９に達する。そして、反射層２９で反射された光は、再び液晶層５０を透過して偏光板２４に戻る。この直線偏光は、偏光板２４の透過軸１５５と平行な直線偏光であるから、偏光板２４を透過して視認され、当該サブ画素は明表示となる。

一方、液晶層５０がオン状態であれば、液晶層５０に入射した直線偏光は、液晶層５０により所定の位相差（λ／４）を付与されて右回りの円偏光に変換されて反射層２９に到達する。この右回りの円偏光が反射層２９で反射されると、偏光板２４側から見た回転方向が反転するので、反射層２９から液晶層５０に入射する光は左回りの円偏光となっている。その後、前記左回りの円偏光は、液晶層５０の作用により入射時の偏光方向と直交する偏光方向の直線偏光に変換されて偏光板２４に到達する。そして、偏光板２４に到達した直線偏光は、その偏光方向と直交する透過軸１５５を有する偏光板２４により吸収され、当該サブ画素は暗表示となる。

このように本実施形態の液晶装置１００では、先に記載の画素電極９及び共通電極１９を具備したことで、画素電極９に電圧を印加した状態（選択状態）において液晶層５０を透過する光に付与される位相差を、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで異ならせることができるようになっている。これにより、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの光路差に起因する透過表示と反射表示との表示品質の差異を無くすことができ、透過表示と反射表示の双方で高画質の表示を得られるようになっている。

半透過反射型の液晶装置では、反射表示領域Ｒから射出される表示光は液晶層５０を２回透過した光であり、透過表示領域Ｔから射出される表示光は液晶層５０を１回のみ透過した光である。そのため、反射表示領域において液晶層５０により透過光に付与される位相差が透過表示領域Ｔにおいて付与される位相差の概略２倍であり、これにより反射表示と透過表示とで透過率／反射率の差異が大きくなって表示品質が低下することが問題となる。かかる問題を解決する手段として、透過表示領域と反射表示領域とで液晶層厚を異ならせたマルチギャップ構造を採用することが知られている。
しかしながら、横電界方式の液晶装置では液晶層厚によって駆動電圧が大きく変化するため、マルチギャップ構造を適用したとしても、反射表示領域と透過表示領域との駆動電圧差に起因する表示品質の低下が避けられず、高品位な半透過反射表示を得ることは困難である。

これに対して、本実施形態の液晶装置１００は、サブ画素領域内の画素電極９及び共通電極１９について上記構成を採用したことで、マルチギャップ構造を用いることなく高コントラストの反射表示及び透過表示を得られるものとなっており、簡素な構成で高画質の半透過反射型液晶装置を構成することができる。さらにマルチギャップ構造が不要であることから、本実施形態の液晶装置１００は、簡便な工程で容易かつ低コストに製造可能である。

また、サブ画素領域内の液晶層厚が一定であるため、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで駆動電圧に差が生じることもなく、反射表示と透過表示とで表示状態が異なってしまうことはない。さらに、サブ画素領域内にマルチギャップ構造を形成した場合、液晶層厚が異なる領域の境界に液晶層厚が連続的に変化する領域が形成されるため、かかる境界領域で液晶分子の配向が乱れて光漏れを生じるという問題があるが、本実施形態の液晶装置１００ではこのような問題は生じず、高コントラストの表示を得ることができる。

なお、本実施形態では、画素電極９及び共通電極１９の帯状電極９ｃ、９ｄ、１９ｃ、１９ｄの延在方向を透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで異ならせることにより、透過表示領域Ｔにおける横電界方向と反射表示領域Ｒにおける横電界方向とを異ならせているが、本発明の技術範囲はかかる構成に限定されるものではなく、上記作用効果を奏するものとして他の構成を採用することもできる。例えば、上記帯状電極９ｃ、９ｄ、１９ｃ、１９ｄの延在方向を透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで異ならせるのではなく、配向膜１８，２８のラビング方向を、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで異なる方向とした構成であってもよい。このようにすれば、液晶分子の初期配向方向を透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで異ならせることができるので、電圧印加時の液晶分子の挙動を透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで異ならせることができ、上記実施形態と同様の作用効果を得ることができる。

また、上記実施形態において、反射層２９の対向基板２０側に、位相差層を設けることもできる。このような構成とすることで、反射表示領域Ｒにおける透過光にのみ所望の位相差を付与することができるので、液晶装置の光学設計の自由度を向上させることができる。

（第２実施形態）
次に、図７から図９を参照して本発明の第２実施形態について説明する。
図７（ａ）は、本実施形態の液晶装置２００の任意の１サブ画素領域を示す平面構成図であり、図７（ｂ）は、（ａ）図における各光学軸の配置を示す説明図である。図８及び図９は、本実施形態の液晶装置２００における動作を説明する図であって、図８はサブ画素領域の概略平面図であり、図９は、液晶分子の挙動を示す説明図である。

なお、本実施形態の液晶装置２００の基本構成は先の第１実施形態と同様であり、図７（ａ）、（ｂ）はそれぞれ第１実施形態における図２（ａ）、（ｂ）に相当する図であり、図８、図９は、それぞれ第１実施形態における図４、図５に相当する図である。また、図７（ａ）に示すＢ−Ｂ’線に沿う断面構造が、図３に示した第１実施形態の液晶装置の断面構造とほぼ同様のものとなる。
したがって本実施形態で参照する各図において、図１から図６に示した第１実施形態の液晶装置１００と共通の構成要素には同一の符号を付すこととし、以下ではそれら共通構成要素の説明は省略する。

図７（ａ）に示すように、本実施形態の液晶装置２００のサブ画素領域には、画素電極（第１電極）９と、共通電極１９（第２電極）とが設けられているが、本実施形態の場合、画素電極９が、２本の平面視屈曲形状の帯状電極９ｅと、３本の直線状の帯状電極９ｆとを有しており、共通電極１９が、３本の平面視屈曲形状の帯状電極１９ｅと、２本の直線状の帯状電極１９ｆとを有している点で第１実施形態と異なっている。

そして、上記屈曲形状の帯状電極９ｅ、１９ｅは、透過表示領域Ｔ内に配置されるとともに、互いに平行な状態で交互に配置されている。一方、直線形状の帯状電極９ｆ、１９ｆは、反射表示領域Ｒ内に配置されるとともに、互いに平行な状態で交互に配置されている。
また、上記屈曲形状の帯状電極９ｅ、９ｆについては、その屈曲部９ｈ、１９ｈがドット領域内で同一直線上に配置されており、さらにこれらの屈曲部９ｈ、１９ｈを結ぶ直線は、ラビング方向１５１と平行な直線である。

図７（ｂ）に示す光学軸の配置をみると、偏光板１４，２４の透過軸１５３，１５５が、それぞれＸ軸方向、Ｙ軸方向に平行に配置されているのは第１実施形態と共通であるが、配向膜のラビング方向１５１は、図２（ｂ）に示したラビング方向に対して略９０°回転した方向となっている。さらに、反射表示領域Ｒの横電界方向１５７は、Ｙ軸方向に平行である。また、本実施形態では、透過表示領域Ｔに配された帯状電極９ｅ、１９ｅがいずれも屈曲形状であるため、透過表示領域Ｔには電圧印加時に２方向の電界（横電界）が形成される。透過表示領域Ｔの横電界の２方向のうち、一方の横電界方向１５８はＸＹ軸のほぼ中間の方向であり、他方の横電界方向は、反射表示領域Ｒの横電界方向１５７と一致する方向である。

上記構成を具備した本実施形態の液晶装置２００は、画素電極９に電圧を印加しない状態（非選択状態）では、図８（ａ）に示すように、ラビング方向１５１に沿って液晶分子５１が一様に配向した状態となっている。そして、画素電極９に電圧を印加して選択状態とすると、図８（ｂ）に示すように、帯状電極９ｅ、９ｆ、１９ｅ、１９ｆの配置に応じた横電界が発生し、液晶分子５１を駆動する。透過表示領域Ｔにおいては、帯状電極９ｅ、１９ｅがいずれも屈曲形状となっているので、同領域内には、横電界ＥＦｔ１、ＥＦｔ２の２方向の電界が形成され、これらの横電界に沿って液晶分子５１が配向する結果、透過表示領域Ｔ内に２つの液晶ドメインが区画形成される。一方、反射表示領域Ｒでは、帯状電極９ｆ、１９ｆは直線状であるから、横電界ＥＦｒは帯状電極９ｆ、１９ｆの延在方向と直交する１方向にのみ形成される。そして、この横電界ＥＦｒに沿って液晶分子５１が配向する。

このように本実施形態の液晶装置２００では、電圧印加時の液晶分子５１の挙動を透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで異ならせることができるので、透過表示領域Ｔにおける液晶層５０のリタデーションと、反射表示領域Ｒにおけるリタデーションとを異ならせることができ、これにより先の第１実施形態と同様に、マルチギャップ構造を用いることなく反射表示と透過表示との表示の差異を無くし、高画質の表示を得ることができるものとなっている。

さらに本実施形態では、透過表示領域Ｔについて屈曲形状の帯状電極９ｅ、１９ｅを用いており、さらに帯状電極９ｅ、１９ｅの屈曲部９ｈ、１９ｈがラビング方向１５１と平行になるように配置されているので、画素電極９に電圧を印加すると、透過表示領域Ｔの液晶分子５１は、図９（ａ）に示すように、初期配向方向（ラビング方向）に対して対称に回転して配向する。これにより、視角を変えたときに表示が色付くのを防止することができ、表示品質を高めることができるようになっている。

上記屈曲形状の帯状電極は、反射表示領域Ｒについても適用することが可能であるが、表示の色付きは透過表示では目立ちやすく、反射表示では目立ちにくいこと、及び、帯状電極を屈曲形状とすることにより色付きを防止できる反面、サブ画素領域のスペースを有効に利用するのが難しく、開口率を確保しにくくなることから、本実施形態のように透過表示領域Ｔの帯状電極についてのみ屈曲形状を採用することが好ましい。

（第３実施形態）
次に、図１０及び図１１を参照して本発明の第３実施形態について説明する。
図１０（ａ）は、本実施形態の液晶装置３００の任意の１サブ画素領域を示す平面構成図であり、図１０（ｂ）は同液晶装置の光学軸配置を示す説明図である。図１１は、図８のＤ−Ｄ’線に沿う断面構成図である。

本実施形態の液晶装置３００は、液晶に対して概略基板平面方向の電界（横電界）を作用させ、配向を制御することにより画像表示を行う横電界方式のうち、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式と呼ばれる方式を採用した液晶装置である。なお、本実施形態の液晶装置３００の回路構成、及び全体構成は先の第１実施形態の液晶装置１００と同様であり、本実施形態で参照する各図において、図１から図６に示した第１実施形態の液晶装置１００と共通の構成要素には同一の符号を付すこととし、以下ではそれら共通構成要素の説明は省略する。

図１０（ａ）に示すように、液晶装置３００のサブ画素領域には、平面視略櫛歯状を成すＹ軸方向に長手の画素電極（第１電極）３９と、画素電極３９と平面的に重なって配置された平面略ベタ状の共通電極（第２電極）４９とが設けられている。また、Ｘ軸方向に延びるデータ線６ａと、Ｙ軸方向に延びる走査線３ａと、走査線３ａに隣接して走査線３ａと平行に延びる容量線３ｂとが形成されている。サブ画素領域の図示左上の角部には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを所定間隔で離間した状態に保持するための柱状スペーサ４０が立設されている。

共通電極４９は、サブ画素領域内で透明共通電極４９ｔと反射共通電極４９ｒとに区画されており、画像表示領域全体では、Ｘ軸方向に延びる透明共通電極４９ｔと反射共通電極４９ｒとがＹ軸方向に関して交互に配列された構成である。そして、図示のサブ画素領域のうち、反射共通電極４９ｒの形成された領域が反射表示領域Ｒであり、残る光透過領域（透明共通電極４９ｔの形成領域）が透過表示領域Ｔとなっている。

本実施形態の場合、透明共通電極４９ｔはＩＴＯ等の透明導電材料からなる導電膜であり、反射共通電極４９ｒは、アルミニウムや銀等の光反射性の金属膜からなる反射層である。なお、共通電極４９は、本実施形態のように透明共通電極４９ｔと反射共通電極４９ｒとが平面的に区画されている構成のほか、反射共通電極４９ｒを覆うように透明共通電極４９ｔが形成されている構成も採用でき、この場合は透明共通電極４９ｔはＴＦＴアレイ基板上で平面ベタ状に形成できる。

画素電極３９は、平面視略逆Ｌ形の基端部３９ａと、基端部３９ａと電気的に接続されてサブ画素領域内に延在する４本の帯状電極３９ｃと、５本の帯状電極３９ｄと、コンタクト部３９ｂとを有している。前記帯状電極のうち、４本の帯状電極３９ｃはＸ軸方向に延びる直線状を成しており、透過表示領域Ｔに配置されている。一方、５本の帯状電極３９ｄは図示右下がりの斜め方向に延びる直線状を成しており、反射表示領域Ｒに配置されている。帯状電極３９ｄのうち図示右側（＋Ｘ側）に配置された２本の帯状電極３９ｄは、反射共通電極４９ｒと透明共通電極４９ｔとの境界部に沿って延びる帯状電極３９ｃから延出されている。

上記のように、本実施形態の液晶装置３００についても、画素電極３９の帯状電極３９ｃ、３９ｄの延在方向が、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで異なるものとなっており、画素電極３９への電圧印加により共通電極４９との間に略基板平面方向の電界（横電界）を発生させたときに、透過表示領域Ｔにおける横電界の方向と、反射表示領域Ｒにおける横電界の方向とを互いに異ならせることができる。

データ線６ａと走査線３ａとの交差部の近傍にＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は走査線３ａの平面領域内に部分的に形成されたアモルファスシリコンからなる半導体層３５と、半導体層３５と一部平面的に重なって形成されたソース電極６ｂ、及びドレイン電極１３２とを備えている。走査線３ａは半導体層３５と平面的に重なる位置でＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。

ＴＦＴ３０のソース電極６ｂは、データ線６ａから分岐されて半導体層３５に延びる平面視略Ｌ形に形成されており、ドレイン電極１３２は、−Ｙ側に延びて平面視略矩形状の容量電極１３１と電気的に接続されている。容量電極１３１上には、画素電極３９のコンタクト部３９ｂがサブ画素領域中央側から進出して配置されており、両者が平面的に重なる位置に設けられた画素コンタクトホール４５を介して容量電極１３１と画素電極３９とが電気的に接続されている。また容量電極１３１は、容量線３ｂの平面領域内に配置されており、当該位置に、厚さ方向で対向する容量電極１３１と容量線３ｂとを電極とする蓄積容量７０が形成されている。

図１１に示す断面構造をみると、互いに対向して配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が挟持されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、基板本体１０Ａを基体としてなり、基板本体１０Ａの内面側（液晶層５０側）には、走査線３ａ及び容量線３ｂが形成されており、走査線３ａ及び容量線３ｂを覆ってゲート絶縁膜１１が形成されている。

ゲート絶縁膜１１上に、アモルファスシリコンの半導体層３５が形成されており、半導体層３５に一部乗り上げるようにしてソース電極６ｂと、ドレイン電極１３２とが設けられている。ドレイン電極１３２の図示右側には容量電極１３１が一体に形成されている。半導体層３５は、ゲート絶縁膜１１を介して走査線３ａと対向配置されており、当該対向領域において走査線３ａがＴＦＴ３０のゲート電極を構成するようになっている。容量電極１３１は、ゲート絶縁膜１１を介して容量線３ｂに対向配置されており、容量電極１３１と容量線３ｂとが対向する領域に、ゲート絶縁膜１１を誘電体膜とする蓄積容量７０が形成されている。

半導体層３５、ソース電極６ｂ、ドレイン電極１３２、及び容量電極１３１を覆って、第１層間絶縁膜１２が形成されており、第１層間絶縁膜１２上に、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる透明共通電極４９ｔと、アルミニウム等の反射性の金属膜を主体としてなる反射共通電極（反射層）４９ｒとからなる共通電極４９が形成されている。

共通電極４９を覆って酸化シリコン等からなる第２層間絶縁膜１３が形成されており、第２層間絶縁膜１３上にＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極３９が形成されている。第１層間絶縁膜１２及び第２層間絶縁膜１３を貫通して容量電極１３１に達する画素コンタクトホール４５が形成されており、この画素コンタクトホール４５内に画素電極３９のコンタクト部３９ｂが一部埋設されることで、画素電極３９と容量電極１３１とが電気的に接続されている。上記画素コンタクトホール４５の形成領域に対応して共通電極４９（透明共通電極４９ｔ）にも開口部が設けられており、共通電極４９と画素電極３９とが接触しないようになっている。画素電極３９及び第２層間絶縁膜１３上の領域を覆って配向膜１８が形成されている。
なお、本実施形態の液晶装置３００においても、先の実施形態の液晶装置１００と同様に、反射表示領域Ｒに対応して位相差層を設けることができる。かかる位相差層は、反射共通電極４９ｒと対向基板２０の基板本体２０Ａとの間であれば任意の配線層に設けることができ、例えば反射共通電極４９ｒの表面や、画素電極３９と第２層間絶縁膜１３との間に設けることができる。

図１０（ｂ）に示す光学軸の配置をみると、偏光板１４，２４の透過軸１５３，１５５が、それぞれＸ軸方向、Ｙ軸方向に平行に配置されており、配向膜のラビング方向１５１、反射表示領域の横電界方向１５７、及び透過表示領域Ｔの横電界方向１５８も、図２（ｂ）に示した第１実施形態と共通である。

上記構成を具備した液晶装置３００の動作は、図４から図６を参照して説明した第１実施形態と同様であり、したがって同等の作用効果を得られるものとなっている。すなわち、透過表示と反射表示との表示光の光路差に起因する表示品質の差異を、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで横電界の形成方向を異ならせ、もって液晶分子の配向状態を前記両領域で異ならせることで低減し、マルチギャップ構造を用いることなく反射表示と透過表示の双方で良好な表示を得られる液晶装置を実現している。

本実施形態の液晶装置３００はＦＦＳ方式の液晶装置であり、画素電極３９の端縁と共通電極４９との間に形成される電界により液晶を駆動するものであるため、反射層である反射共通電極４９ｒをＴＦＴアレイ基板１０側に設けても、液晶層５０に作用する横電界に影響することが無い。したがって、ＴＦＴアレイ基板１０をバックライト９０側（観察者から見て背面側）に配置することができるので、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される走査線３ａやデータ線６ａ、容量線３ｂ等の金属配線に対して外光が入射するのを防止でき、これらの金属配線で外光が乱反射して表示の視認性を低下させるのを防止することができる。
なお、本実施形態においては、共通電極を一つのサブ画素領域ごとにパターニングして形成した構成としているが、複数のサブ画素領域、あるいは（全てのサブ画素領域で構成された）表示領域にわたって広く形成された構成であっても表示が可能である。

（電子機器）
図１２は、本発明に係る液晶装置を表示部に備えた電子機器の一例である携帯電話の斜視構成図であり、この携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
上記実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、高輝度、高コントラスト、広視野角の透過表示及び反射表示が可能である。

第１実施形態の液晶装置の回路構成図。 同、サブ画素領域の平面構成図。 図２のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図。 第１実施形態の液晶装置の動作説明図。 第１実施形態の液晶装置の動作説明図。 第１実施形態の液晶装置の動作説明図。 第２実施形態に係るサブ画素領域の平面構成図。 第２実施形態の液晶装置の動作説明図。 第２実施形態の液晶装置の動作説明図。 第３実施形態に係るサブ画素領域の平面構成図。 図１０のＤ−Ｄ’線に沿う断面構成図。 電子機器の一例を示す斜視構成図。

符号の説明

１００，２００，３００ 液晶装置、９ 画素電極、１９ 共通電極、９ｃ〜９ｆ 帯状電極、１９ｃ〜１９ｆ 帯状電極、３９ 画素電極、４９ 共通電極、３９ｃ，３９ｄ 帯状電極、Ｒ 反射表示領域、Ｔ 透過表示領域、５０ 液晶層、５１ 液晶分子。

Claims (5)

1. 液晶層を挟持して対向配置された第１基板と第２基板とを備え、前記第１基板の前記液晶層側には第１電極と第２電極が備えられ、前記第１電極と前記第２電極間に生じる電界によって前記液晶層が駆動されるとともに、１つのサブ画素領域に反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とが設けられた半透過反射型の液晶装置であって、
   前記液晶層の液晶分子の初期配向状態は、前記サブ画素領域内で一様な方向の配向とされており、
   前記サブ画素領域の前記反射表示領域と前記透過表示領域の前記液晶層の厚さを均一とし、
   前記透過表示領域において前記第１電極と前記第２電極間に生じる前記電界の主方向が、前記反射表示領域において前記第１電極と前記第２電極間に生じる前記電界の主方向と異なる方向に設定され、
   前記第１電極が、複数本の帯状電極を備えており、
   前記複数本の帯状電極が、前記透過表示領域及び反射表示領域のそれぞれの領域内で略平行に配置され、
   前記透過表示領域内の前記帯状電極は平面視屈曲形状を成し、前記反射表示領域内の前記帯状電極は略直線状に設けられていることを特徴とする液晶装置。
2. 前記第２電極が、複数本の帯状電極を備えており、
   前記第１電極の帯状電極と第２電極の帯状電極とが、前記透過表示領域及び反射表示領域のそれぞれの領域内で略平行に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記第１電極が、絶縁膜を介して平面略ベタ状の前記第２電極上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
4. 前記透過表示領域における前記帯状電極の延在方向と、前記反射表示領域における前記帯状電極の延在方向とが、互いに異なる方向であることを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶装置。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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