JP5245925B2 - Electronic component and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic component on which semiconductor elements are mounted on a circuit board, and which effectively absorbs stress to be applied from the circuit board to the semiconductor elements while maintaining contact connection between the circuit board and the semiconductor elements, and to provide a method of manufacturing the same. <P>SOLUTION: The electronic component includes: a circuit board 30 in which connecting electrodes 32 are formed on one surface side; semiconductor elements 10 electrically formed on the circuit board 30 and connected to the connecting electrodes 32 via protruding shaped terminals 22 having elasticity; and an insulative filler which is filled between the circuit board 30 and the semiconductor elements 10, is solid at ordinary temperatures, and performs phase-change to a liquid state or a gelatinous state by application of heat. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、回路基板上に半導体素子を搭載した電子部品及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an electronic component in which a semiconductor element is mounted on a circuit board and a manufacturing method thereof.

電子部品の高密度実装化への要求が年々強くなっている現在、ベアチップ実装方式が注目されている。また、ベアチップ実装における接続方式は、ワイヤボンディング法によるフェイスアップ実装から、半導体素子の電極上に形成した突起状端子を回路基板に直接接続するフェイスダウン実装へと変化してきている。フェイスダウン実装は、ワイヤボンディングに比べて接続端子間の距離を短くできることから、多端子での接続を容易に実現できるとともに、大容量の信号を高速で伝達できるなど電気的な特性に優れた接続方式である。   Currently, the demand for high-density mounting of electronic components is increasing year by year, and the bare chip mounting method is attracting attention. Further, the connection method in the bare chip mounting has been changed from the face-up mounting by the wire bonding method to the face-down mounting in which the protruding terminals formed on the electrodes of the semiconductor element are directly connected to the circuit board. Face-down mounting can shorten the distance between connection terminals compared to wire bonding, so connection with multiple terminals can be easily realized, and connections with excellent electrical characteristics such as high-capacity signals can be transmitted at high speed. It is a method.

フェイスダウン実装では、半導体素子上に形成した突起状端子を用いて回路基板に接続した後、半導体素子と回路基板との間にアンダーフィル接着材を充填し、突起電極に加わる応力を分散させる方法が一般的に採用されている。   In face-down mounting, after connecting to a circuit board using a protruding terminal formed on a semiconductor element, an underfill adhesive is filled between the semiconductor element and the circuit board to disperse the stress applied to the protruding electrode. Is generally adopted.

特開２００７−３１１７００号公報JP 2007-311700 A 特開２００８−２０５２７３号公報JP 2008-205273 A

上述したように、半導体素子は、アンダーフィル接着剤を介して回路基板上に搭載されており、半導体素子と回路基板との間の熱膨張差は、歪み、反りなどを引き起こす原因となる。特に近年では、高機能化、高密度化、低コスト化の流れの中で、回路基板内の銅配線密度が高まっている。銅の熱膨張係数は１７ｐｐｍ／℃と高い故に、回路基板の熱膨張係数も、半導体素子の４ｐｐｍ／℃に比べて拡大する傾向にある。   As described above, the semiconductor element is mounted on the circuit board via the underfill adhesive, and the thermal expansion difference between the semiconductor element and the circuit board causes distortion, warpage, and the like. Particularly in recent years, the density of copper wiring in circuit boards has increased in the trend of higher functionality, higher density, and lower costs. Since the thermal expansion coefficient of copper is as high as 17 ppm / ° C., the thermal expansion coefficient of the circuit board also tends to be larger than that of the semiconductor element of 4 ppm / ° C.

このような状況は、接点接続の維持が困難になることのみならず、実稼働環境において多大なストレスを引き起こし、半導体素子の割れ、接合部の破壊などの劣化を招く虞があり、信頼性を十分に満足させることが困難であった。   Such a situation not only makes it difficult to maintain the contact connection, but also causes great stress in the actual operating environment, which may lead to deterioration such as cracking of the semiconductor element and destruction of the joint, and reliability is improved. It was difficult to fully satisfy.

本発明の目的は、回路基板と半導体素子との間の接点接続を維持しつつ回路基板から半導体素子へ加わる応力を効果的に緩和することができる電子部品及びその製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an electronic component that can effectively relieve stress applied from a circuit board to a semiconductor element while maintaining contact connection between the circuit board and the semiconductor element, and a method for manufacturing the same. .

実施形態の一観点によれば、一方の面側に接続電極が形成された回路基板と、前記回路基板上に形成され、弾力性を有する突起状端子を介して前記接続電極に電気的に接続された半導体素子と、前記回路基板と前記半導体素子との間に充填され、常温で液状である絶縁性の充填材と、前記半導体素子の周囲に設けられ、前記半導体素子を前記回路基板に固定する接着部材とを有する電子部品が提供される。 According to one aspect of the embodiment, a circuit board having a connection electrode formed on one surface side, and electrically connected to the connection electrode through a protruding terminal formed on the circuit board and having elasticity The semiconductor element, an insulating filler that is filled between the circuit board and the semiconductor element and is liquid at room temperature, and is provided around the semiconductor element, and fixes the semiconductor element to the circuit board An electronic component having an adhesive member is provided.

また、実施形態の他の観点によれば、弾力性を有する突起状端子が形成された半導体素子を、一方の面側に接続電極が形成された回路基板上に、前記突起状端子と前記接続電極とが接続されるように搭載する工程と、常温で液状である絶縁性の充填材を、前記回路基板と前記半導体素子との間に充填する工程と、前記回路基板と前記半導体素子との間に前記充填材を充填した後、前記半導体素子の周囲に接着部材を形成し、前記半導体素子を前記接着部材により前記回路基板に固定する工程とを有する電子部品の製造方法が提供される。 According to another aspect of the embodiment, a semiconductor element on which a protruding terminal having elasticity is formed is connected to the protruding terminal and the connection on a circuit board on which a connection electrode is formed on one surface side. A step of mounting so as to be connected to an electrode, a step of filling an insulating filler that is liquid at room temperature between the circuit board and the semiconductor element, and the circuit board and the semiconductor element. There is provided a method of manufacturing an electronic component including the steps of: forming an adhesive member around the semiconductor element after filling the filler in between, and fixing the semiconductor element to the circuit board by the adhesive member .

また、実施形態の更に他の観点によれば、一方の面側に接続電極が形成された回路基板上、又は弾力性を有する突起状端子が形成された半導体素子上に、常温で液状である絶縁性の充填材を塗布する工程と、前記突起状端子と前記接続電極とが接続され、前記回路基板と前記半導体素子との間に前記充填材が充填されるように、前記回路基板上に前記半導体素子を搭載する工程と、前記回路基板上に前記半導体素子を搭載した後、前記半導体素子の周囲に接着部材を形成し、前記半導体素子を前記接着部材により前記回路基板に固定する工程とを有する電子部品の製造方法が提供される。 Further, according to still another aspect of the embodiment, the liquid crystal is liquid at room temperature on a circuit board having a connection electrode formed on one surface side or on a semiconductor element having a protruding terminal having elasticity. A step of applying an insulating filler; and the protruding terminals and the connection electrodes are connected, and the filler is filled between the circuit board and the semiconductor element. Mounting the semiconductor element, mounting the semiconductor element on the circuit board, forming an adhesive member around the semiconductor element, and fixing the semiconductor element to the circuit board with the adhesive member; A method of manufacturing an electronic component having the above is provided.

開示の電子部品及びその製造方法によれば、半導体素子と回路基板との間に、半導体素子の発熱時や回路基板のはんだ接合時の温度において液状或いはゲル状となる充填材を充填するので、半導体素子と回路基板との間の熱膨張差に起因する応力を緩和することができる。また、半導体素子の発熱時や回路基板のはんだ接合時には、充填材による突起状端子の拘束が緩むため、カーボンナノチューブなどの突起状端子の弾力性を阻害することはない。これにより、半導体素子と回路基板との間の熱膨張差による歪みや反りが生じた場合にも、半導体素子と回路基板との間の接点接続を維持することができる。   According to the disclosed electronic component and the manufacturing method thereof, between the semiconductor element and the circuit board is filled with a filler that becomes liquid or gel at a temperature at the time of heat generation of the semiconductor element or soldering of the circuit board. The stress caused by the difference in thermal expansion between the semiconductor element and the circuit board can be relaxed. Further, when the semiconductor element generates heat or when the circuit board is soldered, since the restraint of the protruding terminal by the filler is loosened, the elasticity of the protruding terminal such as the carbon nanotube is not hindered. As a result, even when distortion or warpage occurs due to a difference in thermal expansion between the semiconductor element and the circuit board, the contact connection between the semiconductor element and the circuit board can be maintained.

図１は、第１実施形態による電子部品の構造を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the electronic component according to the first embodiment. 図２は、第１実施形態による電子部品の製造方法を示す工程断面図（その１）である。FIG. 2 is a process cross-sectional view (part 1) illustrating the method of manufacturing the electronic component according to the first embodiment. 図３は、第１実施形態による電子部品の製造方法を示す工程断面図（その２）である。FIG. 3 is a process cross-sectional view (part 2) illustrating the method of manufacturing the electronic component according to the first embodiment. 図４は、第１実施形態による電子部品の製造方法を示す工程断面図（その３）である。FIG. 4 is a process cross-sectional view (part 3) illustrating the method of manufacturing the electronic component according to the first embodiment. 図５は、第２実施形態による電子部品の製造方法を示す工程断面図（その１）である。FIG. 5 is a process cross-sectional view (part 1) illustrating the method for manufacturing an electronic component according to the second embodiment. 図６は、第２実施形態による電子部品の製造方法を示す工程断面図（その２）である。FIG. 6 is a process cross-sectional view (part 2) illustrating the method for manufacturing the electronic component according to the second embodiment. 図７は、第１実施形態の変形例による電子部品の構造を示す概略断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing the structure of an electronic component according to a modification of the first embodiment.

［第１実施形態］
第１実施形態による電子部品及びその製造方法について図１乃至図４を用いて説明する。 [First Embodiment]
The electronic component and the manufacturing method thereof according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.

図１は、本実施形態による電子部品の構造を示す概略断面図である。図２乃至図４は、本実施形態による電子部品の製造方法を示す工程断面図である。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the electronic component according to the present embodiment. 2 to 4 are process cross-sectional views illustrating the method of manufacturing the electronic component according to the present embodiment.

はじめに、本実施形態による電子部品の構造について図１を用いて説明する。   First, the structure of the electronic component according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

回路基板３０の一方の面側には、所定の配線パターン（図示せず）と、半導体素子との間で電気的接続を行うための接続電極３２が形成されている。回路基板３０の他方の面側には、回路基板３０を図示しない他の基板（例えば、プリント基板）に電気的に接続するためのはんだバンプ３４が形成されている。   On one surface side of the circuit board 30, a connection electrode 32 is formed for electrical connection between a predetermined wiring pattern (not shown) and a semiconductor element. On the other surface side of the circuit board 30, solder bumps 34 for electrically connecting the circuit board 30 to another board (not shown) (for example, a printed board) are formed.

回路基板３０の一方の面上には、半導体素子１０が搭載されている。半導体素子１０は、半導体素子１０の外周部に設けられた接着剤２６により、回路基板３０に接着されている。また、半導体素子１０は、半導体素子１０の表面に対して垂直な方向に配向したカーボンナノチューブの束によって形成された突起状端子２２により、回路基板３０の接続電極３２に電気的に接続されている。回路基板３０と半導体素子との間には、充填材２４が充填されている。   The semiconductor element 10 is mounted on one surface of the circuit board 30. The semiconductor element 10 is bonded to the circuit board 30 with an adhesive 26 provided on the outer periphery of the semiconductor element 10. In addition, the semiconductor element 10 is electrically connected to the connection electrode 32 of the circuit board 30 by a protruding terminal 22 formed by a bundle of carbon nanotubes oriented in a direction perpendicular to the surface of the semiconductor element 10. . A filler 24 is filled between the circuit board 30 and the semiconductor element.

半導体素子１０上には、枠体３６によって回路基板３０に固定されたヒートスプレッダ３８が形成されており、半導体素子１０が封止されている。   On the semiconductor element 10, a heat spreader 38 fixed to the circuit board 30 by the frame 36 is formed, and the semiconductor element 10 is sealed.

こうして、回路基板３０上に半導体素子１０がフェイスダウン実装された本実施形態の電子部品が形成されている。   Thus, the electronic component of the present embodiment in which the semiconductor element 10 is mounted face-down on the circuit board 30 is formed.

本実施形態による電子部品では、充填材２４を、少なくとも半導体素子１０の発熱時や回路基板３０のはんだ接合時の温度において液状或いはゲル状である絶縁材料により形成している。ゲル状とは、固体と液体とが混在する状態である。   In the electronic component according to the present embodiment, the filler 24 is formed of an insulating material that is liquid or gel at least when the semiconductor element 10 generates heat or when the circuit board 30 is soldered. The gel state is a state in which a solid and a liquid are mixed.

充填材２４として、半導体素子１０の発熱時や回路基板３０のはんだ接合時の温度において液状或いはゲル状である材料を用いているのは、加熱された際に回路基板３０と半導体素子１０との間の物理的拘束を緩めて熱による応力を低減するためである。   The filler 24 is made of a material that is liquid or gel at the temperature when the semiconductor element 10 generates heat or at the time of soldering the circuit board 30, because the circuit board 30 and the semiconductor element 10 are heated when heated. This is to reduce the stress caused by heat by loosening the physical constraints between them.

充填材２４は、常温では固体であり、半導体素子１０の発熱時や回路基板３０のはんだ接合時の温度では液状或いはゲル状となる相変化絶縁材料であってもよい。常温で固体の充填材２４を用いることにより、電子部品製造の際に良好なハンドリング性を維持することができる。   The filler 24 may be a phase change insulating material that is solid at room temperature and is in a liquid or gel state at the time of heat generation of the semiconductor element 10 or soldering of the circuit board 30. By using the filler 24 that is solid at room temperature, it is possible to maintain good handling properties when manufacturing electronic components.

相変化絶縁材料としては、例えば、半導体素子１０の発熱時や回路基板３０のはんだ接合時の温度では液状或いはゲル状となる熱可塑性樹脂を適用することができる。このような熱可塑性樹脂としては、例えば、パラフィン系樹脂が挙げられる。パラフィン系樹脂とは、炭素原子の数が２０以上のアルカン（一般式がＣｎＨ２ｎ＋２で表される鎖式飽和炭化水素）である。例えば、直鎖型の分子構造をもつノルマルアルカン（ノルマルパラフィン）、分岐（枝分かれ）をもつイソアルカン（イソパラフィン）、環状のシクロアルカン（シクロパラフィン）等を適用することができる。パラフィン系樹脂は、電気的に優れた絶縁体であり、電気抵抗はおよそ１０１７Ωと高く、信頼性も非常に高い。パラフィン系樹脂の融点は、約４５℃〜７０℃である。パラフィン系樹脂以外の熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレン（融点：約１１０℃）、ポリプロピレン（融点：約１３０℃）、ポリオレフィン（融点：約１００℃）等の熱可塑性樹脂が挙げられる。 As the phase change insulating material, for example, a thermoplastic resin that is in a liquid state or a gel state at a temperature when the semiconductor element 10 generates heat or when the circuit board 30 is soldered can be used. Examples of such a thermoplastic resin include paraffinic resins. The paraffinic resin is an alkane having 20 or more carbon atoms (chain saturated hydrocarbon represented by a general formula of C n H 2n + 2 ). For example, a normal alkane (normal paraffin) having a linear molecular structure, a branched (branched) isoalkane (isoparaffin), a cyclic cycloalkane (cycloparaffin), or the like can be applied. Paraffinic resin is an electrically excellent insulator, and its electrical resistance is as high as about 10 17 Ω and its reliability is very high. The melting point of the paraffinic resin is about 45 ° C to 70 ° C. Examples of the thermoplastic resin other than the paraffinic resin include thermoplastic resins such as polyethylene (melting point: about 110 ° C.), polypropylene (melting point: about 130 ° C.), and polyolefin (melting point: about 100 ° C.).

本明細書において常温とは、半導体素子１０が発熱していないときの温度であり、特に限定されるものではないが、４０℃程度未満の温度である。換言すると、半導体素子１０の発熱時の温度とは、４０℃程度以上の温度である。   In this specification, the normal temperature is a temperature when the semiconductor element 10 is not generating heat, and is not particularly limited, but is a temperature of less than about 40 ° C. In other words, the temperature when the semiconductor element 10 generates heat is a temperature of about 40 ° C. or higher.

はんだ接合時の温度とは、はんだバンプ３４を溶解するために必要な温度であり、適用するはんだ材料の融点以上の温度である。はんだ材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、Ｓｎ−３ｗｔ％Ａｇ−０．５ｗｔ％Ｃｕ（融点：約２１７℃）、Ｓｎ−９Ｚｎ（融点：約１９９℃）、Ｓｎ−３７Ｐｂ（融点：約１８３℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ（融点：約２２１℃）等が挙げられる。   The temperature at the time of soldering is a temperature necessary for melting the solder bumps 34 and is a temperature equal to or higher than the melting point of the applied solder material. Although it does not specifically limit as a solder material, For example, Sn-3 wt% Ag-0.5 wt% Cu (melting point: about 217 degreeC), Sn-9Zn (melting point: about 199 degreeC), Sn-37Pb ( Melting point: about 183 ° C.), Sn-3.5Ag (melting point: about 221 ° C.), and the like.

充填層２４には、常温でも液状やゲル状の絶縁材料を適用してもよい。常温でも液状やゲル状の絶縁材料としては、例えば、ポリアルファオレフィン油や、エステル系油などの油を適用することができる。   A liquid or gel-like insulating material may be applied to the filling layer 24 even at room temperature. As a liquid or gel-like insulating material even at normal temperature, for example, oil such as polyalphaolefin oil or ester oil can be applied.

なお、回路基板３０と半導体素子１０との間の物理的拘束を緩める手段としては、回路基板３０と半導体素子１０との間を空洞にすることも考えられる。しかしながら、回路基板３０と半導体素子１０との間を空洞にすると、吸湿などによって電極部が腐食するなどの信頼性低下を引き起こす虞がある。回路基板３０と半導体素子１０との間に充填材２４を充填することにより、回路基板３０と半導体素子１０との間に水分などが入り込むことを防止することができ、電極部の腐食等を防止することができる。すなわち、充填材２４は、電極部を封止する効果を有する。   As a means for loosening the physical constraint between the circuit board 30 and the semiconductor element 10, it is conceivable to make a space between the circuit board 30 and the semiconductor element 10. However, if the space between the circuit board 30 and the semiconductor element 10 is made hollow, there is a risk of causing a decrease in reliability such as corrosion of the electrode part due to moisture absorption or the like. By filling the filler 24 between the circuit board 30 and the semiconductor element 10, it is possible to prevent moisture and the like from entering between the circuit board 30 and the semiconductor element 10, and to prevent corrosion of the electrode portion. can do. That is, the filler 24 has an effect of sealing the electrode part.

接着剤２６は、充填材２４が液状或いはゲル状に変化したときに、充填材２４が流れ出すのを防止する封止構造体であるとともに、位置ずれすることなく半導体素子１０を回路基板３０上に固定するためのものである。   The adhesive 26 is a sealing structure that prevents the filler 24 from flowing out when the filler 24 changes to a liquid or gel state, and the semiconductor element 10 is placed on the circuit board 30 without being displaced. It is for fixing.

接着剤２６は、特に限定されるものではないが、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂を適用することができる。このとき、ＵＶ硬化機能を有する接着剤と組み合わせると更によい。エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではないが、ビスフェノールＡ型エポキシ、ビスフェノールＦ型エポキシ、ナフタレン型エポキシなどを適用することができる。アクリル系樹脂としては、特に限定されるものではないが、アクリル酸と誘導体を主成分とする接着剤や、ジアクリレートと過酸化物からなる樹脂などを適用することができる。ＵＶ硬化樹脂とする場合には、アクリルモノマーと光重合開始剤を用いることで実現することができる。   The adhesive 26 is not particularly limited, but an epoxy resin or an acrylic resin can be applied. At this time, it is better to combine with an adhesive having a UV curing function. Although it does not specifically limit as an epoxy resin, Bisphenol A type epoxy, bisphenol F type epoxy, naphthalene type epoxy, etc. are applicable. Although it does not specifically limit as acrylic resin, The adhesive agent which has acrylic acid and a derivative as a main component, resin which consists of diacrylate and a peroxide, etc. are applicable. In the case of using a UV curable resin, it can be realized by using an acrylic monomer and a photopolymerization initiator.

半導体素子１０と回路基板３０との間に上述のような充填材２４を形成することにより、半導体素子１０の発熱時や回路基板３０のはんだ接合時の温度において、充填材２４が液状或いはゲル状となり、カーボンナノチューブにより形成された突起状端子２２は、充填材２４による拘束から解放される。   By forming the filler 24 as described above between the semiconductor element 10 and the circuit board 30, the filler 24 is in a liquid or gel state at the temperature when the semiconductor element 10 generates heat or when the circuit board 30 is soldered. Thus, the protruding terminals 22 formed of the carbon nanotubes are released from restraint by the filler 24.

カーボンナノチューブは、弾力性を有する導電部材であり、充填材２４による拘束が解かれることにより、弾力性を発現できるようになる。これにより、半導体素子１０と回路基板３０との間の熱膨張差による歪みや反りが生じた場合にも、これらの間に加わる応力を突起状端子２２で緩和することができ、半導体素子１０と回路基板３０との間の接点接続を維持することができる。かかる観点から、液状或いはゲル状のときの充填材２４は、カーボンナノチューブにより形成された突起状端子２２の弾力性を阻害しない程度の粘性であることが望ましい。上述の充填材２４は、このような条件を満たすものである。   The carbon nanotube is a conductive member having elasticity, and the elasticity of the carbon nanotube can be expressed by releasing the restriction by the filler 24. Thereby, even when distortion or warping due to a difference in thermal expansion between the semiconductor element 10 and the circuit board 30 occurs, the stress applied between them can be relaxed by the protruding terminals 22, A contact connection with the circuit board 30 can be maintained. From this point of view, it is desirable that the filler 24 in a liquid or gel form has a viscosity that does not hinder the elasticity of the protruding terminals 22 formed of carbon nanotubes. The filler 24 described above satisfies such conditions.

次に、本実施形態による電子部品の製造方法について図２乃至図４を用いて説明する。   Next, the method for manufacturing the electronic component according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

半導体素子１０は、特に限定されるものではないが、例えば図２（ａ）に示すように、基板１２と、その最上層に形成されたパッド電極１４と、基板１２及びパッド電極１４の上に形成されたパッシベーション膜１６とを有している。基板１２には、多数のトランジスタその他の素子や多層配線層（図示せず）が形成されている。パッシベーション膜１６には、パッド電極１４を露出する開口部が形成されている。   The semiconductor element 10 is not particularly limited. For example, as shown in FIG. 2A, the semiconductor element 10 is formed on a substrate 12, a pad electrode 14 formed on the uppermost layer, and the substrate 12 and the pad electrode 14. And the formed passivation film 16. A large number of transistors and other elements and a multilayer wiring layer (not shown) are formed on the substrate 12. In the passivation film 16, an opening for exposing the pad electrode 14 is formed.

この半導体素子１０のパッド電極１４上に、例えばリフトオフ法により、例えば膜厚５ｎｍのＡｌ（アルミニウム）膜１８と、例えば膜厚２ｎｍのＦｅ（鉄）膜２０とを選択的に形成する（図２（ｂ））。Ａｌ膜１８及びＦｅ膜２０は、例えばスパッタ法により堆積することができる。   For example, an Al (aluminum) film 18 having a thickness of 5 nm and an Fe (iron) film 20 having a thickness of 2 nm, for example, are selectively formed on the pad electrode 14 of the semiconductor element 10 by, for example, a lift-off method (FIG. 2). (B)). The Al film 18 and the Fe film 20 can be deposited by sputtering, for example.

次いで、Ｆｅ膜２０を触媒として、Ｆｅ膜２０上に、例えばＣＶＤ法により、カーボンナノチューブを成長し、カーボンナノチューブの束の突起状端子２２を形成する（図２（ｃ））。カーボンナノチューブの成長は、例えば、原料ガスとしてアセチレン、メタン等の炭化水素系ガス、エタノール、メタノール等のアルコール系原料を用い、例えば１００Ｐａの圧力において、３００〜７００℃、例えば６００℃の成長温度で成長することができる。カーボンナノチューブの長さは、成長時間によって任意に制御することができ、ここでは、例えば１００μｍとする。   Next, using the Fe film 20 as a catalyst, carbon nanotubes are grown on the Fe film 20 by, for example, a CVD method to form protruding terminals 22 of a bundle of carbon nanotubes (FIG. 2C). The growth of the carbon nanotubes is performed using, for example, a hydrocarbon gas such as acetylene and methane as a source gas, and an alcohol source such as ethanol and methanol at a growth temperature of 300 to 700 ° C., for example, 600 ° C. at a pressure of 100 Pa, for example. Can grow. The length of the carbon nanotube can be arbitrarily controlled according to the growth time, and is, for example, 100 μm here.

或いは、半導体素子１０のパッド電極１４上にカーボンナノチューブの束を転写することにより、カーボンナノチューブの束の突起状端子２２を形成するようにしてもよい。例えば、まず、半導体素子１０のパッド電極１４上に、予め、はんだ或いは導電性微粒子を含む接着剤を形成しておく。次いで、別の基板（例えばシリコン基板）上に成長したカーボンナノチューブを、半導体素子１０のパッド電極１４上に押し当て、前記はんだ或いは接着剤によってパッド電極１４上に固定する。この後、基板を取り外すことにより、カーボンナノチューブの束をパッド電極１４上に転写することができる。   Alternatively, the protruding terminals 22 of the carbon nanotube bundle may be formed by transferring the carbon nanotube bundle onto the pad electrode 14 of the semiconductor element 10. For example, first, an adhesive containing solder or conductive fine particles is formed on the pad electrode 14 of the semiconductor element 10 in advance. Next, carbon nanotubes grown on another substrate (for example, a silicon substrate) are pressed onto the pad electrode 14 of the semiconductor element 10 and fixed onto the pad electrode 14 with the solder or adhesive. Thereafter, the bundle of carbon nanotubes can be transferred onto the pad electrode 14 by removing the substrate.

なお、上記の例では、カーボンナノチューブの成長に用いる触媒金属としてＦｅ膜２０を用いたが、他の材料を触媒として用いてもよい。例えば、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）等の遷移金属を含んだ触媒からなる膜を用いてもよい。また、これらの触媒は、薄膜状にしてもよいし、微粒子状にしてもよい。また、ゼオライト等の担持材料中に触媒を含ませてもよいし、触媒となる金属元素を含んだフェリチン等のタンパク質の自己組織的配列を活用してもよい。   In the above example, the Fe film 20 is used as the catalyst metal used for the growth of the carbon nanotubes, but other materials may be used as the catalyst. For example, a film made of a catalyst containing a transition metal such as Ni (nickel) or Co (cobalt) may be used. These catalysts may be in the form of a thin film or fine particles. Further, a catalyst may be contained in a support material such as zeolite, or a self-organized arrangement of proteins such as ferritin containing a metal element serving as a catalyst may be utilized.

こうして、半導体素子１０のパッド電極１４上に、カーボンナノチューブの束の突起状端子２２を形成する。   Thus, the protruding terminals 22 of the bundle of carbon nanotubes are formed on the pad electrode 14 of the semiconductor element 10.

一方、半導体素子１０を搭載する回路基板３０には、半導体素子１０の突起状端子２２を接続するための接続電極３２が形成されている。また、半導体素子１０を搭載する領域の周辺には、ヒートスプレッダを固定するための枠体３６が設けられている。   On the other hand, a connection electrode 32 for connecting the protruding terminals 22 of the semiconductor element 10 is formed on the circuit board 30 on which the semiconductor element 10 is mounted. Further, a frame 36 for fixing the heat spreader is provided around the area where the semiconductor element 10 is mounted.

この回路基板３０上に、突起状端子２２を形成した半導体素子１０を、半導体素子１０の突起状端子２２と回路基板３０の接続電極３２とが向き合うように位置合わせする（図３（ａ）〜図３（ｂ））。   The semiconductor element 10 on which the protruding terminals 22 are formed on the circuit board 30 is aligned so that the protruding terminals 22 of the semiconductor element 10 and the connection electrodes 32 of the circuit board 30 face each other (FIG. 3A to FIG. 3). FIG. 3 (b)).

次いで、例えば約３０ＭＰａの荷重で半導体素子１０を回路基板３０に押さえつけながら、半導体素子１０と回路基板３０との隙間に充填材２４を充填する（図３（ｃ））。充填材２４として、少なくとも半導体素子１０の発熱時や回路基板３０のはんだ接合時の温度において液状或いはゲル状となる上述の相変化絶縁材料を適用する。   Next, the filler 24 is filled into the gap between the semiconductor element 10 and the circuit board 30 while pressing the semiconductor element 10 against the circuit board 30 with a load of about 30 MPa, for example (FIG. 3C). As the filler 24, the above-described phase change insulating material that is in a liquid state or a gel state at least when the semiconductor element 10 generates heat or when the circuit board 30 is soldered is applied.

充填材２４として、例えばパラフィン系樹脂（Ｃ２０Ｈ４２（融点：約４５℃）、Ｃ２２Ｈ４６（融点：約５０℃）等）を用いる場合、充填材２４及び回路基板３０の温度を例えば８０℃とした状態で、半導体素子１０と回路基板３０との隙間に充填する。加熱温度は、充填材２４が液状又はゲル状となる温度とする。その後、温度を常温に戻し、充填材２４を硬化させる。 When using, for example, a paraffinic resin (C 20 H 42 (melting point: about 45 ° C.), C 22 H 46 (melting point: about 50 ° C.), etc.) as the filler 24, the temperature of the filler 24 and the circuit board 30 is set to, for example, In the state of 80 ° C., the gap between the semiconductor element 10 and the circuit board 30 is filled. The heating temperature is a temperature at which the filler 24 becomes liquid or gel. Thereafter, the temperature is returned to room temperature, and the filler 24 is cured.

充填材２４として、例えばポリアルファオレフィン油やエステル系油を用いる場合、ポリアルファオレフィン油或いはエステル系油及び回路基板３０の温度を例えば８０℃とした状態で、半導体素子１０と回路基板３０との隙間に充填する。なお、充填材２４を充填する際は、必ずしも昇温する必要はないが、良好な充填性を得るためには昇温することが望ましい。   For example, when polyalphaolefin oil or ester oil is used as the filler 24, the temperature of the polyalphaolefin oil or ester oil and the circuit board 30 is, for example, 80 ° C., and the semiconductor element 10 and the circuit board 30 Fill the gap. When filling the filler 24, it is not always necessary to raise the temperature, but it is desirable to raise the temperature in order to obtain good filling properties.

次いで、半導体素子１０の周囲に接着剤２６を塗布し、硬化させることにより、半導体素子１０を回路基板３０上に固定する（図４（ａ））。充填材２４として常温でも液体の絶縁材料を用いる場合には、半導体素子１０に加重を加えた状態で接着剤を塗布し、硬化させる。なお、接着剤２６は、必ずしも半導体素子１０の側面だけに形成する必要はない。   Next, the adhesive 26 is applied around the semiconductor element 10 and cured to fix the semiconductor element 10 on the circuit board 30 (FIG. 4A). When a liquid insulating material is used as the filler 24 even at room temperature, an adhesive is applied to the semiconductor element 10 in a state where a load is applied, and is cured. Note that the adhesive 26 is not necessarily formed only on the side surface of the semiconductor element 10.

接着剤２６として熱硬化性の接着剤を用いる場合には、加熱処理により、接着剤を硬化させる。熱硬化性の接着剤としては、例えば、サンスター技研株式会社製の「９９１Ｄ」が挙げられる。この接着剤２６では、例えば、８０℃１０分間の加熱処理を行う。   When a thermosetting adhesive is used as the adhesive 26, the adhesive is cured by heat treatment. Examples of the thermosetting adhesive include “991D” manufactured by Sunstar Giken Co., Ltd. For example, the adhesive 26 is subjected to a heat treatment at 80 ° C. for 10 minutes.

接着剤２６として紫外線硬化性の接着剤を用いる場合には、例えば、紫外線照射により仮接着を行った後に加熱処理を行い、接着剤２６を硬化させる。紫外線照射により仮接着を行うことにより、接着剤２６を硬化させる熱処理の際に液状化或いはゲル状化した充填材２４が流れ出る等の不具合を防止することができる。紫外線硬化性の接着剤としては、例えば、ナミックス株式会社製の「ＸＶ６８４１−２０９」が挙げられる。この接着剤２６では、例えば、１８００ｍｊ／ｃｍ２の強度で紫外線を照射して仮接着した後、１２０℃１時間の加熱処理を行う。 In the case where an ultraviolet curable adhesive is used as the adhesive 26, for example, the adhesive 26 is cured by performing a heat treatment after performing temporary adhesion by ultraviolet irradiation. By performing temporary adhesion by ultraviolet irradiation, it is possible to prevent problems such as the liquefied or gelled filler 24 flowing out during the heat treatment for curing the adhesive 26. Examples of the ultraviolet curable adhesive include “XV6841-209” manufactured by NAMICS CORPORATION. For example, the adhesive 26 is temporarily bonded by being irradiated with ultraviolet rays at an intensity of 1800 mj / cm 2 , and then heat-treated at 120 ° C. for 1 hour.

半導体素子１０に加重を加えた状態で、充填材２４を硬化し或いは回路基板３０上に接着することにより、カーボンナノチューブにより形成された突起状端子２２は、付勢力を与えられた状態で半導体素子１０と回路基板３０との間に固定される。   In a state where a load is applied to the semiconductor element 10, the filler 24 is cured or bonded onto the circuit board 30, so that the protruding terminals 22 formed of carbon nanotubes are applied with an urging force. 10 and the circuit board 30.

次いで、例えば接着剤やネジ止めにより、枠体３６にヒートスプレッダ３８を接合する（図４（ｂ））。この際、半導体素子１０の背面がヒートスプレッダ３８に密着するようにする。半導体素子１０とヒートスプレッダ３８との間には、接触熱抵抗を低減するために接着剤や金属シートなどのサーマルインターフェースマテリアル（図示せず）を形成してもよい。   Next, the heat spreader 38 is joined to the frame 36 by, for example, an adhesive or screwing (FIG. 4B). At this time, the back surface of the semiconductor element 10 is brought into close contact with the heat spreader 38. A thermal interface material (not shown) such as an adhesive or a metal sheet may be formed between the semiconductor element 10 and the heat spreader 38 in order to reduce contact thermal resistance.

次いで、回路基板３０の裏面側に、はんだバンプ３４を形成する（図４（ｃ））。   Next, solder bumps 34 are formed on the back side of the circuit board 30 (FIG. 4C).

はんだバンプ３４を形成する際、或いははんだバンプ３４を介して回路基板３０を他の基板上に実装する際に、本実施形態による電子部品は、はんだの融解温度以上の温度に曝される。しかしながら、この熱によって充填材２４は液状或いはゲル状となり、カーボンナノチューブにより形成された突起状端子２２は、充填材２４による拘束から解放される。   When forming the solder bumps 34 or mounting the circuit board 30 on another substrate via the solder bumps 34, the electronic component according to the present embodiment is exposed to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the solder. However, due to this heat, the filler 24 becomes liquid or gel, and the protruding terminals 22 formed of the carbon nanotubes are released from restraint by the filler 24.

これにより、半導体素子１０と回路基板３０との間の熱膨張差による歪みや反りが生じた場合にも、カーボンナノチューブに加えられた付勢力やカーボンナノチューブの弾力性によって、半導体素子１０と回路基板３０との間の接点接続を維持することができる。   Thereby, even when distortion or warpage due to a difference in thermal expansion between the semiconductor element 10 and the circuit board 30 occurs, the semiconductor element 10 and the circuit board are caused by the biasing force applied to the carbon nanotubes and the elasticity of the carbon nanotubes. A contact connection between 30 can be maintained.

このように、本実施形態によれば、半導体素子と回路基板との間に、半導体素子の発熱時や回路基板のはんだ接合時の温度において液状或いはゲル状となる充填材を充填するので、半導体素子と回路基板との間の熱膨張差に起因する応力を緩和することができる。また、半導体素子の発熱時や回路基板のはんだ接合時には、充填材による突起状端子の拘束が緩むため、カーボンナノチューブなどの突起状端子の弾力性を阻害することはない。これにより、半導体素子と回路基板との間の熱膨張差による歪みや反りが生じた場合にも、半導体素子と回路基板との間の接点接続を維持することができる。   As described above, according to the present embodiment, the semiconductor element and the circuit board are filled with the filler that becomes liquid or gel at the temperature when the semiconductor element generates heat or when the circuit board is soldered. The stress caused by the difference in thermal expansion between the element and the circuit board can be relaxed. Further, when the semiconductor element generates heat or when the circuit board is soldered, since the restraint of the protruding terminal by the filler is loosened, the elasticity of the protruding terminal such as the carbon nanotube is not hindered. As a result, even when distortion or warpage occurs due to a difference in thermal expansion between the semiconductor element and the circuit board, the contact connection between the semiconductor element and the circuit board can be maintained.

［第２実施形態］
第２実施形態による電子部品の製造方法について図５及び図６を用いて説明する。なお、図１乃至図４に示す第１実施形態による電子部品及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し又は簡潔にする。 [Second Embodiment]
A method for manufacturing an electronic component according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. Components similar to those of the electronic component and the manufacturing method thereof according to the first embodiment shown in FIGS. 1 to 4 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted or simplified.

図５及び図６は、本実施形態による電子部品の製造方法を示す工程断面図である。   5 and 6 are process cross-sectional views illustrating the method for manufacturing the electronic component according to the present embodiment.

本実施形態では、第１実施形態による電子部品の他の製造方法を説明する。   In the present embodiment, another method for manufacturing the electronic component according to the first embodiment will be described.

まず、回路基板３０の半導体素子１０搭載領域に、充填材２４を塗布する（図５（ａ））。充填材２４は、第１実施形態と同様であり、少なくとも半導体素子１０の発熱時や回路基板３０のはんだ接合時の温度において液状或いはゲル状である絶縁材料である。   First, the filler 24 is applied to the semiconductor element 10 mounting region of the circuit board 30 (FIG. 5A). The filler 24 is the same as in the first embodiment, and is an insulating material that is liquid or gel at least at the temperature when the semiconductor element 10 generates heat or when the circuit board 30 is soldered.

充填材２４として、例えばパラフィン樹脂（Ｃ２０Ｈ４２（融点：約４５℃）、Ｃ２２Ｈ４６（融点：約５０℃）等）を用いる場合、パラフィン樹脂及び回路基板３０の温度を例えば８０℃とした状態で、回路基板３０上に塗布する。加熱温度は、充填材２４が液状又はゲル状となる温度とする。 When using, for example, paraffin resin (C 20 H 42 (melting point: about 45 ° C.), C 22 H 46 (melting point: about 50 ° C.), etc.) as the filler 24, the temperature of the paraffin resin and the circuit board 30 is, for example, 80 ° C. In this state, it is applied on the circuit board 30. The heating temperature is a temperature at which the filler 24 becomes liquid or gel.

充填材２４として、例えばポリアルファオレフィン油を用いる場合、ポリアルファオレフィン油及び回路基板３０の温度を例えば８０℃とした状態で、回路基板３０上に塗布する。なお、充填材２４を充填する際は、必ずしも昇温する必要はないが、良好な充填性を得るためには昇温することが望ましい。   For example, when polyalphaolefin oil is used as the filler 24, the polyalphaolefin oil and the circuit board 30 are applied onto the circuit board 30 in a state where the temperature of the circuit board 30 is 80 ° C., for example. When filling the filler 24, it is not always necessary to raise the temperature, but it is desirable to raise the temperature in order to obtain good filling properties.

次いで、充填材２４が液状或いはゲル状になる温度において、回路基板３０上に、突起状端子２２を形成した半導体素子１０を、半導体素子１０の突起状端子２２と回路基板３０の接続電極３２とが向き合うように位置合わせする。そして、例えば約３０ＭＰａの荷重で半導体素子１０を回路基板３０に押さえつける。これにより、突起状端子２２と接続電極３２が接続され、半導体素子１０と回路基板３０との隙間には充填材２４が充填される（図５（ｂ）〜図５（ｃ））。充填材２４として相変化絶縁材料を用いた場合には、温度を常温に戻し、充填材２４を硬化させる。   Next, at a temperature at which the filler 24 becomes liquid or gel, the semiconductor element 10 having the protruding terminals 22 formed on the circuit board 30 is connected to the protruding terminals 22 of the semiconductor element 10 and the connection electrodes 32 of the circuit board 30. Align so that they face each other. Then, for example, the semiconductor element 10 is pressed against the circuit board 30 with a load of about 30 MPa. Thereby, the protruding terminal 22 and the connection electrode 32 are connected, and the filler 24 is filled in the gap between the semiconductor element 10 and the circuit board 30 (FIGS. 5B to 5C). When a phase change insulating material is used as the filler 24, the temperature is returned to room temperature and the filler 24 is cured.

次いで、半導体素子１０の周囲に接着剤２６を塗布し、硬化させることにより、半導体素子１０を回路基板３０上に固定する（図６（ａ））。充填材２４として常温でも液体の絶縁材料を用いる場合には、半導体素子１０に加重を加えた状態で接着剤を塗布し、硬化させる。   Next, the adhesive 26 is applied around the semiconductor element 10 and cured to fix the semiconductor element 10 on the circuit board 30 (FIG. 6A). When a liquid insulating material is used as the filler 24 even at room temperature, an adhesive is applied to the semiconductor element 10 in a state where a load is applied, and is cured.

半導体素子１０に加重を加えた状態で、充填材２４を硬化し或いは回路基板３０上に接着することにより、カーボンナノチューブにより形成された突起状端子２２は、付勢力を与えられた状態で半導体素子１０と回路基板３０との間に固定される。   In a state where a load is applied to the semiconductor element 10, the filler 24 is cured or bonded onto the circuit board 30, so that the protruding terminals 22 formed of carbon nanotubes are applied with an urging force. 10 and the circuit board 30.

次いで、例えば接着剤やネジ止めにより、枠体３６にヒートスプレッダ３８を接合する（図６（ｂ））。   Next, the heat spreader 38 is joined to the frame 36 by, for example, an adhesive or screwing (FIG. 6B).

次いで、回路基板３０の裏面側に、はんだバンプ３４を形成する（図６（ｃ））。   Next, solder bumps 34 are formed on the back side of the circuit board 30 (FIG. 6C).

はんだバンプ３４を形成する際、或いははんだバンプ３４を介して回路基板３０を他の基板上に実装する際に、本実施形態による電子部品は、はんだの融解温度以上の温度に曝される。しかしながら、この熱によって充填材２４は液状或いはゲル状となり、カーボンナノチューブにより形成された突起状端子２２は、充填材２４による拘束から解放される。   When forming the solder bumps 34 or mounting the circuit board 30 on another substrate via the solder bumps 34, the electronic component according to the present embodiment is exposed to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the solder. However, due to this heat, the filler 24 becomes liquid or gel, and the protruding terminals 22 formed of the carbon nanotubes are released from restraint by the filler 24.

これにより、半導体素子１０と回路基板３０との間の熱膨張差による歪みや反りが生じた場合にも、カーボンナノチューブに加えられた付勢力やカーボンナノチューブの弾力性によって、半導体素子１０と回路基板３０との間の接点接続を維持することができる。   Thereby, even when distortion or warpage due to a difference in thermal expansion between the semiconductor element 10 and the circuit board 30 occurs, the semiconductor element 10 and the circuit board are caused by the biasing force applied to the carbon nanotubes and the elasticity of the carbon nanotubes. A contact connection between 30 can be maintained.

［変形実施形態］
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。 [Modified Embodiment]
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible.

例えば、上記実施形態では、半導体素子１０を回路基板３０に接着剤２６で固定したが、接着剤２６は、必ずしも形成する必要はない。半導体素子１０の裏面側にヒートスプレッダ３８を配置する場合には、ヒートスプレッダ３８によって半導体素子１０を固定することができる。したがって、例えば、加熱の際に充填材２４が流れ出す虞がないような場合には、必ずしも接着剤２６を形成する必要はない。ヒートスプレッダ３８の代わりに他の封止構造体を設けるようにしてもよい。   For example, in the above embodiment, the semiconductor element 10 is fixed to the circuit board 30 with the adhesive 26, but the adhesive 26 is not necessarily formed. When the heat spreader 38 is disposed on the back side of the semiconductor element 10, the semiconductor element 10 can be fixed by the heat spreader 38. Therefore, for example, when there is no possibility that the filler 24 flows out during heating, it is not always necessary to form the adhesive 26. Instead of the heat spreader 38, another sealing structure may be provided.

また、上記実施形態では、半導体素子１０の裏面側にヒートスプレッダ３８を設けたが、例えば半導体素子１０からの発熱が少なく放熱の必要性がないような場合には、例えば図７に示すように、ヒートスプレッダ３８は必ずしも設ける必要はない。   Moreover, in the said embodiment, although the heat spreader 38 was provided in the back surface side of the semiconductor element 10, when there is little heat_generation | fever from the semiconductor element 10 and there is no necessity of heat dissipation, for example, as shown in FIG. The heat spreader 38 is not necessarily provided.

また、上記第２実施形態では、充填材２４を回路基板３０の半導体素子１０搭載領域に塗布した後、半導体素子１０を回路基板３０上に搭載したが、充填材２４を半導体素子１０上に塗布した後、半導体素子１０を回路基板３０上に搭載するようにしてもよい。   In the second embodiment, the filler 24 is applied to the semiconductor element 10 mounting region of the circuit board 30 and then the semiconductor element 10 is mounted on the circuit board 30. However, the filler 24 is applied to the semiconductor element 10. After that, the semiconductor element 10 may be mounted on the circuit board 30.

また、上記実施形態では、はんだバンプ３４を有する回路基板３０を示したが、回路基板３０は、必ずしもはんだバンプ３４を有する必要はない。   In the above embodiment, the circuit board 30 having the solder bumps 34 is shown. However, the circuit board 30 is not necessarily required to have the solder bumps 34.

また、上記実施形態では、突起状端子２２をカーボンナノチューブにより形成したが、突起状端子２２は、これに限定されるものではない。弾力性を有する導電性部材としては、例えば、カーボンナノチューブ以外の他の炭素元素の線状構造体が挙げられる。炭素元素の線状構造体としては、カーボンナノチューブのほか、カーボンナノワイヤ、カーボンロッド、カーボンファイバが挙げられる。これら線状構造体は、サイズが異なるほかは、カーボンナノチューブと同様である。   Moreover, in the said embodiment, although the protruding terminal 22 was formed with the carbon nanotube, the protruding terminal 22 is not limited to this. Examples of the conductive member having elasticity include linear structures of carbon elements other than carbon nanotubes. Examples of the carbon element linear structure include carbon nanowires, carbon rods, and carbon fibers in addition to carbon nanotubes. These linear structures are the same as the carbon nanotubes except that their sizes are different.

１０…半導体素子
１２…基板
１４，３２…パッド電極
１６…パッシベーション膜
１８…Ａｌ膜
２０…Ｆｅ膜
２２…突起状端子
２４…充填材
２６…接着剤
３０…回路基板
３４…はんだバンプ
３６…枠体
３８…ヒートスプレッダ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Semiconductor element 12 ... Board | substrate 14, 32 ... Pad electrode 16 ... Passivation film 18 ... Al film 20 ... Fe film 22 ... Projection terminal 24 ... Filler 26 ... Adhesive 30 ... Circuit board 34 ... Solder bump 36 ... Frame 38 ... Heat spreader

Claims (3)

一方の面側に接続電極が形成された回路基板と、
前記回路基板上に形成され、弾力性を有する突起状端子を介して前記接続電極に電気的に接続された半導体素子と、
前記回路基板と前記半導体素子との間に充填され、常温で液状である絶縁性の充填材と、
前記半導体素子の周囲に設けられ、前記半導体素子を前記回路基板に固定する接着部材と
を有することを特徴とする電子部品。 A circuit board having connection electrodes formed on one surface side;
A semiconductor element formed on the circuit board and electrically connected to the connection electrode via a protruding terminal having elasticity;
An insulating filler that is filled between the circuit board and the semiconductor element and is liquid at room temperature ;
An electronic component comprising an adhesive member provided around the semiconductor element and fixing the semiconductor element to the circuit board . 弾力性を有する突起状端子が形成された半導体素子を、一方の面側に接続電極が形成された回路基板上に、前記突起状端子と前記接続電極とが接続されるように搭載する工程と、
常温で液状である絶縁性の充填材を、前記回路基板と前記半導体素子との間に充填する工程と、
前記回路基板と前記半導体素子との間に前記充填材を充填した後、前記半導体素子の周囲に接着部材を形成し、前記半導体素子を前記接着部材により前記回路基板に固定する工程と
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。 Mounting a semiconductor element on which a protruding terminal having elasticity is formed on a circuit board having a connection electrode formed on one side so that the protruding terminal and the connection electrode are connected; ,
Filling an insulating filler that is liquid at room temperature between the circuit board and the semiconductor element ;
After filling the filler between the circuit board and the semiconductor element, forming an adhesive member around the semiconductor element, and fixing the semiconductor element to the circuit board by the adhesive member. A method of manufacturing an electronic component characterized by the above. 一方の面側に接続電極が形成された回路基板上、又は弾力性を有する突起状端子が形成された半導体素子上に、常温で液状である絶縁性の充填材を塗布する工程と、
前記突起状端子と前記接続電極とが接続され、前記回路基板と前記半導体素子との間に前記充填材が充填されるように、前記回路基板上に前記半導体素子を搭載する工程と、
前記回路基板上に前記半導体素子を搭載した後、前記半導体素子の周囲に接着部材を形成し、前記半導体素子を前記接着部材により前記回路基板に固定する工程と
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。 A step of applying an insulating filler that is liquid at room temperature on a circuit board in which a connection electrode is formed on one surface side, or on a semiconductor element in which a protruding terminal having elasticity is formed;
Mounting the semiconductor element on the circuit board so that the protruding terminal and the connection electrode are connected and the filler is filled between the circuit board and the semiconductor element ;
An electronic component comprising: mounting the semiconductor element on the circuit board; forming an adhesive member around the semiconductor element; and fixing the semiconductor element to the circuit board with the adhesive member. Manufacturing method.
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