JP5241080B2 - Nandフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 - Google Patents
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Description
200 行デコーダ
300 ビットライン選択及びバイアスブロック
400 ページバッファブロック
500 制御ロジックブロック
600 ページバッファデコーダブロック
Claims (16)
- NANDフラッシュメモリ装置のマルチビットプログラム方法において、
LSBデータをメモリセルにプログラムする段階と、
キャッシュレジスタにMSBデータを貯蔵し、その後に前記キャッシュレジスタの前記MSBデータをメインレジスタにダンプし、
前記メモリセルから読み出したLSBデータをキャッシュレジスタに貯蔵する段階と、
メインレジスタに貯蔵されたMSBデータを前記メモリセルにプログラムする段階と、
第1状態及び第2状態より高いスレッショルドレベルを有する第3状態を検証する第1検証動作の間前記メモリセルから読み出したデータを前記メインレジスタに貯蔵し、前記第1検証動作の結果がパスであれば、前記メインレジスタのデータがプログラム動作を禁止する状態にされる段階と、
第1状態、第2状態及び第3状態より高いスレッショルドレベルを有する第4状態を検証する第2検証動作の間前記メモリセルから読み出したデータを前記キャッシュレジスタに貯蔵し、前記第2検証動作の結果がパスであれば、前記キャッシュレジスタ内のデータが変更され、フェイルであれば、前記キャッシュレジスタ内のデータは変更されない段階と、
前記キャッシュレジスタ内のデータを前記メインレジスタに伝達する段階とを含み、
前記メモリセルから読み出した前記LSBデータを前記キャッシュレジスタに貯蔵する際に、前記キャッシュレジスタを初期化せず、前記キャッシュレジスタ内のデータを前記メインレジスタに伝達する際に、前記第2検証動作の結果がフェイルであれば、前記メインレジスタのデータがプログラム動作を許可する状態にされ、
前記第1状態は’11’であり、前記第2状態は’10’であり、前記第3状態は’00’であり、前記第4状態は’01’である
ことを特徴とするプログラム方法。 - 前記第1状態は’11’であり、前記第2状態は’10’であり、前記第3状態は’00’であり、前記第4状態は’01’である
ことを特徴とする請求項1に記載のプログラム方法。 - 前記メインレジスタは前記キャッシュレジスタの変更されたデータによってプログラム動作を禁止するように設定される
ことを特徴とする請求項2に記載のプログラム方法。 - 前記‘01’検証動作を実行した結果、前記メモリセルのスレッショルド電圧が‘00’検証電圧より高く、‘01’検証電圧より低ければ、前記キャッシュレジスタのデータは維持される
ことを特徴とする請求項2に記載のプログラム方法。 - 前記メインレジスタは前記キャッシュレジスタのデータに応じてプログラム動作を実行するように設定される
ことを特徴とする請求項4に記載のプログラム方法。 - 前記LSBデータを前記メモリセルにプログラムした後に、
前記キャッシュレジスタをリセットする段階と、
前記キャッシュレジスタに前記MSBデータをロードする段階と、
前記メインレジスタをリセットする段階と、
前記キャッシュレジスタのMSBデータを前記メインレジスタに伝達する段階とをさらに含む
ことを特徴とする請求項2に記載のプログラム方法。 - 前記キャッシュレジスタのMSBデータを前記メインレジスタに伝達した後に、
前記キャッシュレジスタを初期化せず、前記メモリセルからLSBデータを読み出す
ことを特徴とする請求項6に記載のプログラム方法。 - 前記LSBデータをプログラムする段階は、
前記キャッシュレジスタをリセットする段階、
前記キャッシュレジスタに前記LSBデータをロードする段階と、
前記メインレジスタをリセットする段階と、
前記キャッシュレジスタのLSBデータを前記メインレジスタにダンプする段階と、
前記メインレジスタのLSBデータに応じてLSBプログラム動作を行う段階とを含む
ことを特徴とする請求項2に記載のプログラム方法。 - 前記LSBプログラム動作を行った後に、
前記第1検証動作の電圧より低い第3検証電圧を印加して、第3検証動作を実行する段階をさらに含む
ことを特徴とする請求項8に記載のプログラム方法。 - 前記第3検証動作は‘10’検証動作である
ことを特徴とする請求項9に記載のプログラム方法。 - 前記‘10’検証動作を実行した結果、前記メモリセルが‘10’状態にあれば、前記メインレジスタはプログラム動作を禁止するように設定される
ことを特徴とする請求項10に記載のプログラム方法。 - マルチビットデータを貯蔵するメモリセルと、
前記メモリセルにプログラムされるデータを貯蔵するメインレジスタと、
外部から入力されたデータを貯蔵するキャッシュレジスタと、
初期読み出し動作の時に前記メモリセルから読み出したデータが前記キャッシュレジスタに貯蔵されるようにし、第1検証動作の時に前記メモリセルから読み出したデータが前記メインレジスタに貯蔵されるようにし、そして第2検証動作の時に前記メモリセルから読み出したデータが前記キャッシュレジスタに貯蔵されるようにするセンス回路と、
前記キャッシュレジスタのデータを前記メインレジスタに伝達するダンプ回路とを含み、
前記キャッシュレジスタに前記MSBデータを貯蔵し、その後に前記キャッシュレジスタの前記MSBデータを前記メインレジスタにダンプし、前記メモリセルから読み出した前記LSBデータを前記キャッシュレジスタに貯蔵する際に、前記キャッシュレジスタを初期化せず、前記第1検証動作は、第1状態及び第2状態より高いスレッショルドレベルを有する第3状態を検証する動作であり、前記第2検証動作は第1状態、第2状態及び第3状態より高いスレッショルドレベルを有する第4状態を検証する動作であり、前記第1検証動作の結果がパスであれば、前記メインレジスタのデータがプログラム動作を禁止する状態にされ、前記第2検証動作の結果がパスであれば、前記キャッシュレジスタ内のデータが変更され、フェイルであれば、前記キャッシュレジスタ内のデータは変更されず、前記キャッシュレジスタ内のデータを前記メインレジスタに伝達する際に、前記第2検証動作の結果がフェイルであれば、前記メインレジスタのデータがプログラム動作を許可する状態にされ、
前記第1状態は’11’であり、前記第2状態は’10’であり、前記第3状態は’00’であり、前記第4状態は’01’である
ことを特徴とするNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記第1状態は’11’であり、前記第2状態は’10’であり、前記第3状態は’00’であり、前記第4状態は’01’である
ことを特徴とする請求項12に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記‘01’検証動作を実行した結果、前記メモリセルが‘01’状態にあれば、前記メインレジスタはプログラム動作を禁止するように設定される
ことを特徴とする請求項13に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記‘01’検証動作を実行した結果、前記メモリセルのスレッショルド電圧が‘00’検証電圧より高く、‘01’検証電圧より低ければ、前記メインレジスタはプログラム動作を実行するように設定される
ことを特徴とする請求項13に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記メインレジスタは前記キャッシュレジスタのデータに応じてプログラム動作を実行するように設定される
ことを特徴とする請求項15に記載のNANDフラッシュメモリ装置。
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KR100923821B1 (ko) * | 2007-12-24 | 2009-10-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 장치의 페이지 버퍼 및 그 프로그램 방법 |
KR101513714B1 (ko) * | 2008-07-09 | 2015-04-21 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
US8031517B2 (en) * | 2008-07-30 | 2011-10-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device, memory system having the same, and programming method of a memory cell |
KR101049663B1 (ko) * | 2009-06-08 | 2011-07-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 페이지 버퍼 회로와 이를 구비한 불휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법 |
TWI451420B (zh) * | 2010-01-20 | 2014-09-01 | Macronix Int Co Ltd | 具有記憶體程式化放電電路之積體電路裝置及其方法 |
KR20110119406A (ko) * | 2010-04-27 | 2011-11-02 | 삼성전자주식회사 | 동작 모드 전환기능을 갖는 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 동작 모드 전환방법 |
KR101734204B1 (ko) * | 2010-06-01 | 2017-05-12 | 삼성전자주식회사 | 프로그램 시퀀서를 포함하는 플래시 메모리 장치 및 시스템, 그리고 그것의 프로그램 방법 |
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US9007841B1 (en) | 2013-10-24 | 2015-04-14 | Western Digital Technologies, Inc. | Programming scheme for improved voltage distribution in solid-state memory |
KR102290448B1 (ko) * | 2014-09-04 | 2021-08-19 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 및 불휘발성 메모리의 동작 방법 |
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KR102238296B1 (ko) * | 2015-06-12 | 2021-04-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 |
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Family Cites Families (15)
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JP3476952B2 (ja) * | 1994-03-15 | 2003-12-10 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
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US5903495A (en) * | 1996-03-18 | 1999-05-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and memory system |
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US5862074A (en) | 1996-10-04 | 1999-01-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit memory devices having reconfigurable nonvolatile multi-bit memory cells therein and methods of operating same |
JP3905990B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2007-04-18 | 株式会社東芝 | 記憶装置とその記憶方法 |
JP2001093288A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
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US6456528B1 (en) * | 2001-09-17 | 2002-09-24 | Sandisk Corporation | Selective operation of a multi-state non-volatile memory system in a binary mode |
US6967872B2 (en) * | 2001-12-18 | 2005-11-22 | Sandisk Corporation | Method and system for programming and inhibiting multi-level, non-volatile memory cells |
KR100575336B1 (ko) * | 2004-04-20 | 2006-05-02 | 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이. | 듀얼 레지스터를 갖는 페이지 버퍼, 이를 구비한 반도체메모리 장치 및 그의 프로그램 방법 |
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KR100624300B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2006-09-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 프로그램 시간을 감소시키는 플래시 메모리 장치의프로그램 동작 제어 방법 |
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