JP5216633B2 - バックグラウンドめっきを抑制する方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体におけるバックグラウンドめっき（ｂａｃｋｇｒｏｕｎｄ ｐｌａｔｉｎｇ）を抑制する方法に関する。より詳細には、本発明は酸化剤を使用して、半導体におけるバックグラウンドめっきを抑制する方法に関する。

加工対象物（ｗｏｒｋｐｉｅｃｅ）のめっきが望まれない領域上をめっきすることが時にはバックグランドめっきと称される。このバックグラウンドめっきはしばしば、例えば、めっきされた高精度電気部品の製造におけるような選択的なめっきが望まれる加工対象物の機能または美観を損なう。そのようなバックグラウンドめっきは、加工対象物における電気的短絡および加工対象物が使用される電気装置の機能障害をもたらしうる。さらに、バックグラウンドめっきはめっき物質の損失にもなる。そのような損失はプロセスおよび最終生成物のコストを増大させる。めっきされる特定の金属が、金、銀、白金またはパラジウムのような貴金属である場合には、増大するコストはかなり大きいものであり得る。バックグラウンドめっきの領域からの金属回収が望まれかつ現実的である状況においてさえ、それでもやはり、金属回収は最終生成物を製造するプロセス全体の複雑さおよびコストを追加する。

選択的めっきの多くの従来方法は複数の工程を必要とする。例えば、めっきが望まれない加工対象物の領域を覆うために固体マスクが使用される場合には、そのマスクが加工対象物に適用され、次いで加工対象物が選択的にめっきされ、そのマスクが剥離される。しかし、マスクの製造、適用および加工対象物からのマスクの剥離に関連するコストおよび複雑さが存在する。さらに、固体マスクは加工対象物への適用および加工対象物からの剥離が必ずしも容易であるわけではなくまたは必ずしも可能であるわけではない。これは、マスクされることが望まれる加工対象物の領域に到達するのが困難であるかまたは到達できない場所においてあてはまる。このような加工対象物の例は、導電体物質または半導体物質を覆う誘電層における傷（ｆｌａｗｓ）、割れ目またはピンホールがバックグラウンドめっきの部位にある光起電力素子である。このような欠陥は小さく、その部位に適用するマスクは現実的ではない。さらに、その欠陥は、その顕微鏡的サイズのためにしばしば肉眼で見えず、金属がめっきされ、得られた物品が商業的使用に不適切であるとする後まで、作業者は通常その欠陥に気づかない。

太陽電池のような光起電力素子は、しばしば単一大型ＰＮ接合を形成する半導体ウェハを含む。その接合に入射する太陽光などの電磁放射線は、素子中に電気的キャリアを生じさせ、電流を発生させ、これは集められて外部回路に運ばれなければならない。発生した電流は入射放射線にほぼ比例する。ＰＮ接合の２つの面とオーム接触にある金属パターンは電流を集める。このような金属パターンは、発生した電流の抵抗損失を最小化するための低い抵抗経路を提供することを必要とする。入射放射エネルギーを妨げる、すなわち、電流発生目的についてのエネルギー損失である表面積を最小化するために、金属パターンはその物理的広がりが特に素子の前面上で限定されなければならない。典型的には、前面金属パターンは非常に高導電性の物質の幅の狭いストリップを含む。その導電性物質の幅の狭いストリップの間にはドープ半導体物質、例えばドープシリコンを覆う薄い誘電体物質がある。誘電層は５μｍ〜２０μｍの範囲であってよい。この誘電層は太陽電池の反射防止層として機能することができる。このような誘電性物質の例は二酸化ケイ素および窒化ケイ素である。

光起電力素子の製造の間で、その素子の金属パターンを形成する前に、誘電層がドープ半導体物質上に形成される。誘電層の形成は任意の従来の方法によって、例えば、化学蒸着または物理蒸着によってなされうる。誘電層が堆積されたら、従来の画像形成方法によりパターンが形成され、それを導電性にする従来の方法を用いて金属がそのパターンに堆積される。そのパターンを金属化する間、誘電層における欠陥のために、望まれないバックグラウンドめっきが起こる場合があり、結果として商業的使用に適さない物品が製造される場合がある。上述のような欠陥は典型的には金属化の後まで気付かれない。

割れ目、傷またはピンホールのような欠陥は半導体のドープエミッタ層を露出させ、バックグラウンドめっきのための部位として機能させ、これにより、望まれる選択的なめっきが損なわれる。このような欠陥は、誘電層の脆さおよび薄さのために、製造プロセルの１以上の工程および半導体の取り扱いの間に起こると考えられる。その欠陥は、その多くが顕微鏡的サイズであるように小さいので、そのバックグラウンドめっき問題に取り組むために従来の固体マスクを適用することは実際的ではない。よって、半導体におけるバックグラウンドめっきを解決する、マスクを使用しない方法についての必要性が存在している。

米国特許第４，２１７，１８３号は、集積回路および回路板において使用されるウェハチップの金属化におけるカソードのような、電気的導体の表面上でのバックグラウンドめっきを最小化する、マスクを使用しない方法を開示する。このカソードは金属、光導電体、または絶縁体および導体の複合構造物であってよい。この特許は、カソードとアノードとをニッケルまたは銅電解質中に配置し、めっきが望まれるカソードの選択された領域にアルゴンレーザーを用いるようなエネルギービームを、その電解質を通して焦点を合わせ、そしてカソードとアノードとの間に電位を設けることを開示する。この特許は、バックグラウンドめっきを最小化するための、マスクを使用しない方法を開示するが、そのような方法は半導体の誘電層における欠陥によって引き起こされるバックグラウンドめっきに取り組むには依然として適していない場合がある。概して、この欠陥は肉眼で観察可能ではない。

従って、その欠陥を回避しようと試みるエネルギーのビームの選択的な適用は実際的ではない。さらに、エネルギーのビームを向かわせるパターンが、誘電物質を除いた加工対象物上に形成されたとしても、そのビームからの充分なエネルギーが、そのパターンの周辺の誘電層における顕微鏡的サイズの欠陥に重なる場合があり、その結果有害なバックグラウンドめっきを生じさせる場合がある。

米国特許第４，２１７，１８３号明細書

従って、半導体の誘電体欠陥においてバックグラウンドめっきを抑制する方法についての産業界における必要性が存在している。

方法は、導電母線（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｂｕｓｂａｒｓ）および集電（ｃｕｒｒｅｎｔ ｃｏｌｌｅｃｔｉｎｇ）ラインのための導電パターンと、半導体の前面上の導電パターン間を覆う誘電層とを含む半導体であって、当該誘電層が１以上の欠陥を有する半導体を提供し；当該１以上の欠陥を有する誘電層が１種以上の酸化剤と少なくとも接触し；並びに、当該導電パターン上に金属層を選択的に堆積させることを含む。

誘電層上のバックグラウンドめっきは結果として商業的に受け入れられない製品を生じさせる。残念なことに、誘電層におけるそのような欠陥は、それらが顕微鏡的サイズなので、典型的には肉眼で観察することができず、よって、多くの従来方法、例えばマスキングは実際的にこの問題を解決するものではない。さらに、マスキングでない多くの従来方法も顕微鏡的サイズの欠陥のために充分に好適でない場合がある。作業者は、典型的には、誘電層上のバックグラウンドめっきが容易に観察可能である金属化の後までその欠陥に気づかない。残念なことに、誘電層から望まれないめっきを除去する商業的に実際的な方法はなく、得られる生成物は商業的使用に適していない。

導電パターンの金属化の前に、少なくとも誘電層に１種以上の酸化剤を適用することは、望まれないバックグラウンドめっきを抑制し、結果として商業的に実現可能な製品を生じさせる。酸化剤は気体状または液体形態で適用されることができ、欠陥部位のみに適用される必要はなく、誘電層全体に適用されてもよい。よって、作業者は欠陥の位置または半導体がそのような欠陥を有していることに気づいている必要はなく、製造プロセスにおけるすべての半導体を処理する方法を使用することができ、これにより、商業的に受け入れられうる半導体を提供するための迅速でかつ効果的な方法を提供する。

図１は本発明の光起電力素子を説明する。 図２は本発明に従った、光起電力素子上に金属被覆を提供する概略図である。 図３は金属化の前に９０分間オゾンで処理された太陽電池パネルと、金属化の前に処理されなかった太陽電池パネルとを比較した写真である。

本明細書において使用される用語「めっき」は、金属層の堆積をいい、文脈が示すように、例えば、電気めっきまたは無電解めっきによる金属層の堆積をいう。「堆積」および「めっき」は本明細書全体において交換可能に使用される。用語「選択的に堆積する」とは、バックグラウンドめっきの抑制を伴って基体上で、所望の特定の領域において金属の堆積が起こることを意味する。文脈が明らかに別のものを示していない限りは、次の略語は次の意味を有する：℃＝摂氏度；ｇ＝グラム；ｍＬ＝ミリリットル；Ｌ＝リットル；Ａ＝アンペア；ｄｍ＝デシメートル；μｍ＝マイクロメートル；ｎｍ＝ナノメートル；ｍｉｎ．＝分；ｓｅｃ．＝秒；ＵＶ＝紫外；ｓｌｐｍ＝標準リットル／分；ｌｐｍ＝リットル／分；ｔｏｒｒ＝１ｍｍＨｇ＝１３３．３２２３６８パスカル；ｐｐｍ＝百万分の１；およびＩＳＳＧ＝その場での（ｉｎ ｓｉｔｕ）水蒸気発生。すべてのパーセンテージおよび比率は、他に示されない限りは、重量基準である。すべての範囲は、包括的で任意の順で組み合わせ可能であるが、ただし数値範囲が合計１００％になるとの制約があることが明らかな場合を除く。

１種以上の酸化剤を少なくとも誘電層に適用することによる、半導体の誘電層上のバックグラウンドめっきを抑制する方法は、太陽電池をはじめとする広範囲の光起電力素子で使用されうる。このような光起電力素子は典型的には半導体基体、例えば半導体ウェハを用いて生産される。ある実施形態においては、太陽電池は単結晶または多結晶または非晶質シリコンウェハから構成される。別の実施形態においては、太陽電池は多結晶シリコンウェハから構成される。下記の記載はシリコンウェハに関するものであるが、他の好適な半導体ウェハ、例えば、ガリウム−ヒ素、シリコン−ゲルマニウム、およびゲルマニウムも使用されうる。シリコンウェハが使用される場合には、それらは典型的にはｐ型ベースドーピングを有する。

ウェハは円形、正方形または矩形の形であってよく、または何らかの他の好適な形状であってよい。そのようなウェハは様々な直径を有していてよい。例えば、円形ウェハは１５０ｎｍ、２００ｎｍ、３００ｎｍ、４００ｎｍまたはそれより大きい直径を有していてもよい。

ウェハの背面は金属化される。背面全体が金属被覆されることができ、または背面の一部分が金属被覆されることができ、例えば、グリッドを形成できる。そのような背面の金属化は様々な技術によってもたらされることができ、ウェハの前面の金属化の前になされることができ、またはウェハの前面の金属化と同時になされることができる。ある実施形態においては、金属被覆は銀含有ペースト、アルミニウム含有ペーストまたは銀およびアルミニウム含有ペーストのような導電ペーストの形態で背面に適用される。そのような導電ペーストは典型的にはガラスマトリックスおよび有機バインダーに埋め込まれた導電性粒子を含む。導電ペーストはスクリーン印刷などの様々な技術によってウェハに適用されうる。ペーストが適用された後で、有機バインダーを除くためにそれは焼成される。アルミニウムを含む導電ペーストが使用される場合には、アルミニウムはウェハの背面に部分的に拡散するか、または銀も含むペーストにおいて使用される場合には、銀との合金になりうる。そのようなアルミニウム含有ペーストの使用は抵抗接触（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｃｏｎｔａｃｔ）を向上させることができ、かつ「ｐ＋」ドープ領域を提供することができる。アルミニウムまたはホウ素をあらかじめ適用し、その後に相互拡散させることにより、重度にドープされた「ｐ＋」型領域も生成されうる。ある実施形態においては、背面金属被覆の適用前に、アルミニウム含有ペーストが背面に適用され、焼成されうる。場合によっては、焼成されたアルミニウム含有ペーストからの残留物は、背面金属被覆の適用前に除去されうる。別の実施形態においては、シード層がウェハの背面上に堆積されることができ、無電解めっきまたは電解めっきによってこのシード層上に金属被覆が堆積されうる。ウェハの背面上でのシード層上のこのような金属堆積は、本発明を用いたウェハの前面上での金属の堆積と同時に行われることができる。

反射を低減させる向上された光入射形状を表面に形成するために、ウェハの前面は場合によっては、結晶配向テクスチャーエッチングにかけられうる。半導体接合を生じさせるために、ウェハの前面でリン拡散（ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）またはイオン注入が起こりｎドープ領域を生じさせ、ＰＮ接合を有するウェハをもたらす。ｎドープ領域はエミッタ層と称されうる。

誘電層はウェハの前面またはエミッタ層に加えられる。そのような誘電層は不動態化層および反射防止層の両方として役立ちうる。好適な誘電層には、限定されるものではないが、酸化ケイ素層、例えば、ＳｉＯ_ｘ、窒化ケイ素層、例えば、Ｓｉ_３Ｎ_４、酸化ケイ素と窒化ケイ素層の組み合わせ、並びに酸化ケイ素層および／または窒化ケイ素層と酸化チタン層、例えばＴｉＯ_ｘとの組み合わせが挙げられる。前述の式においては、ｘは酸素原子の数である。このような誘電層は多くの技術によって、例えば、様々な蒸着方法、例えば、化学蒸着および物理蒸着によって堆積されうる。

ウェハの前面は、典型的には金属化パターンを含む。例えば、ウェハの前面は集電ラインおよび電流母線（ｃｕｒｒｅｎｔ ｂｕｓｂａｒｓ）から構成されうる。集電ラインは典型的には母線を横断し、かつ典型的には電流母線と比較して、相対的に微細な構造（すなわち、寸法）を有する。

ある実施形態においては、ウェハの前面は導電ペーストを用いて金属化されることができ、この導電ペーストはウェハの背面で使用される何らかの導電ペーストと同じであってもよいし、異なっていてもよい。ウェハの前面を金属化するのに使用される導電ペーストは、典型的にはアルミニウムを含まない。ウェハの背面および前面で使用される導電ペーストの焼成は１つの操作でまたは別の操作で行われてもよい。ペーストの焼成に使用される温度は、使用されるその特定のペースト、誘電（または反射防止）層の厚さ、その他の要因に依存する。そのような温度の選択は充分に当業者の能力の範囲内にある。焼成プロセスは酸素含有雰囲気、不活性雰囲気、還元性雰囲気、またはこれらの任意の組み合わせ中で行われうる。例えば、焼成はほとんど酸素を含まない雰囲気中で第１の温度で、次いで、不活性雰囲気下または還元性雰囲気下で第２の温度、ただし、この第２の温度は第１の温度よりも高い、で行われうる。

焼成プロセスに続いて、ウェハは場合によっては酸緩衝溶液、例えば、フッ化水素酸緩衝溶液と接触させられ、焼成手順の間に生じる酸化物を除去することができる。このような接触はその溶液をウェハ上に噴霧することにより、またはウェハをそのような溶液中に浸漬することにより、または任意の他の好適な手段によりなされうる。

別の実施形態においては、ウェハの前面またはエミッタ層は反射防止層、例えば、窒化ケイ素で被覆される。次いで、溝パターンが前面上に画定される。その溝パターンは反射防止（または誘電）層を貫通して、ウェハの半導体ボディに到達する。その溝は１〜２５μｍの深さでウェハの半導体ボディーに到達できる。より深いまたはより浅い溝の深さが使用されてもよい。溝パターンを形成するために様々なプロセスが使用されてよく、例えば、これに限定されるものではないが、レーザーアブレーション、機械的手段およびリソグラフィックプロセスを挙げることができ、これらのすべては当業者に周知である。このような機械的手段には、ソーイング（ｓａｗｉｎｇ）およびスクラッチングが挙げられる。典型的なフォトリソグラフィックプロセスには、画像形成可能物質（ｉｍａｇｅａｂｌｅ ｍａｔｅｒｉａｌ）をウェハの表面上に堆積させ、その画像形成可能物質を溝形成のためにパターン形成し、その溝パターンをウェハに移し、その溝パターンに金属層を堆積し、画像形成可能物質を除去することを含む。ある実施形態においては、溝パターンに金属層を堆積する工程の前に、画像形成可能物質は除去される。別の実施形態においては、溝パターンに金属層を堆積する工程の後に、画像形成可能物質は除去される。金属堆積工程の間に画像形成可能物質が存在する場合に、このような画像形成可能物質は典型的には、金属堆積工程の間に使用される放射線の波長で吸収する染料、例えば、コントラスト染料（ｃｏｎｔｒａｓｔ ｄｙｅ）を避ける。めっき工程の間に存在する画像形成可能物質は、典型的にはめっき工程の間に使用される放射線の波長に対して透明な染料を含む。

画像形成可能物質が液体である場合には、そのような物質は任意の好適な技術により、例えば、これに限定されないが、スピンコーティング、ドクターブレーディング、カーテンコーティングおよびローラーコーティングによりウェハの表面上に堆積されうる。画像形成可能物質がドライフィルムである場合には、そのような物質は積層化によってウェハの表面上に配置されうる。

マスクを通る化学線に画像形成可能物質を露光させることによって、画像形成可能物質はパターン形成される。化学線の選択は、選択される特定の画像形成可能物質に依存するであろう。化学線の好適な波長には、これに限定されないが、５００ｎｍ〜２００ｎｍ未満、例えば、４３０ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、および１９３ｎｍ、並びに、極紫外線（ＥＵＶ）およびｅ−ビームが挙げられる。

画像形成可能物質におけるパターンは次いでウェハ基体に移される。パターンを移すことは、湿式化学エッチング技術を用いて、または乾式エッチング技術を用いることにより行われうる。好適な乾式エッチング技術には、限定されるものではないが、反応性イオンエッチングなどのプラズマエッチングが挙げられる。溝パターンは典型的には、集電ラインである相対的に狭い断面寸法のラインおよび母線である相対的に厚い断面寸法のラインから構成される。母線は集電ラインを横断する。

画像形成可能物質は任意の好適なポリマー除去剤、例えば、ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ（マサチューセッツ州、マールボロ）により販売されているものを使用して除去されてもよい。このような除去剤はアルカリ性、酸性または本質的に中性であってよい。

溝パターンを形成するために使用される技術に関わらず、このような溝は場合によっては、酸（例えば、フッ化水素酸）またはアルカリと接触させられ、溝の表面をテクスチャ化（ｔｅｘｔｕｒｅ）または粗化することができる。場合によっては、別の拡散プロセスがｎ型ドーパントを用いて行われることができ、結果として溝領域に「ｎ＋＋」ドーピングを生じさせうる。

導電ペーストは典型的にはウェハの前面における溝に堆積される。ウェハの背面は、前面の前に、前面の後にまたは前面と同時に金属化されうる。導電ペーストを用いて背面が金属化される場合には、前面と背面とは典型的には単一の工程で焼成される。

導電ペーストの適用後で、かつウェハの前面またはエミッタ層の金属化の前に、少なくとも、誘電層を有するウェハの前面が酸化剤で処理され、導電パターンの金属化の間に起こりうる誘電層の欠陥部位でのバックグラウンドめっきを抑制する。典型的には、欠陥、例えば傷、割れ目またはピンホールは肉眼で観察可能ではない。このような欠陥は肉眼で見える場合があるが、典型的にはそれらは顕微鏡でしか見えないサイズであり、ウェハの表面上に金属めっきがなされるまで気づかれない。その欠陥は、金属をめっきするのに使用されるめっき浴にウェハのドープエミッタ層を曝し、これによりバックグラウンドめっきが起こると考えられる。この欠陥は誘電体の形成の間でのウェハの不十分な被覆により引き起こされるか、またはその誘電層の薄さおよび脆さによるウェハの取り扱いおよび処理の間の損傷により引き起こされるものと考えられる。

酸化剤には、これに限定されるものではないが、酸素反応物質、例えば原子酸素、オゾン（三原子酸素）およびイオン化酸素ラジカル、例えば二原子酸素を用いてもしくは用いずにプラズマ中で得られるものが挙げられる。他の好適な酸化剤には、これに限定されるものではないが、過酸化水素およびヒドロキシルラジカルが挙げられる。さらに、好適な酸化剤には、これに限定されるものではないが、硝酸、硫酸および過硫酸塩が挙げられる。上述の酸化剤の混合物も使用されうる。ウェハの前面を処理するために、典型的には酸素反応物質が使用される。より典型的には、ウェハを処理するためにオゾンが使用される。酸化剤は、３０秒〜４００分、または例えば、６０秒〜３００分、または例えば、９０秒〜２００分の間で半導体に適用される。

酸化剤は当業者に知られた任意の好適な方法によって適用されうる。オゾンが酸化剤として使用される場合には、オゾン源が接続された密閉タンク内にウェハが配置されうる。オゾンはバックグラウンドめっきを抑制するのに充分な量でタンク内にポンプ輸送される。あるいは、オゾンはバックグラウンドめっきを抑制するのに充分な量でオゾンスパージャ管を用いてウェハ上に吹き付けられうる。オゾン濃度は２７５ｐｐｍ〜４５０ｐｐｍ、例えば、３００ｐｐｍ〜３５０ｐｐｍの範囲である。従来のオゾン発生装置がオゾン源として使用されうる。使用されうる好適なオゾン発生装置は米国、フロリダ州、ウエストパームビーチのＲＧＦ Ｏ_３システムによって供給されるＣＤ−１０／ＡＤユニットであり、これはコロナ放電手段によってオゾンを生成する。一般に、オゾンは、４０秒〜２００分、または例えば、３０分〜１５０分、または例えば、７０分〜１００分の間で、ウェハに適用される。オゾン発生装置は０．５ｇ／時〜２ｇ／時の典型的なオゾン出力を有する。空気流れは５ ｌｐｍ〜１２ ｌｐｍの範囲であってよい。

場合によっては、ＵＶ光がオゾンの適用の間にウェハに適用されうる。ＵＶ露光ユニットもＲＧＥ Ｏ_３システムから得られうるが、他の好適な装置が等しく好適であり得る。典型的にはＵＶ波長は２００ｎｍ〜４５０ｎｍである。理論に拘束されるものではないが、オゾンへのＵＶ光の適用は次の反応Ｉの方法により、励起された酸素原子を生じさせうる：

ＩＳＳＧ条件下でも酸素ラジカルが形成されうる。その場での（ｉｎ ｓｉｔｕ）水蒸気発生プロセスは水素および酸素が比例して混合され、あらかじめ燃焼させることなく直接にプロセスチャンバーに導入される低圧プロセスである。ウェハは加熱され、水素と酸素との間の反応はウェハ表面付近で起こる。高温ウェハは点火源として機能する。概して、ＩＳＳＧ条件下で、主として、下記の反応ＩＩの方法により酸素ラジカルが生成される：

酸素ラジカル濃度は反応器容積に依存せず、チャンバー内の圧力、温度および水素の相対量に依存する。酸素ラジカルピーク濃度は、温度および圧力に強く関連する因子である分子衝突によるラジカル生成と、チャンバー内の圧力または流速に強く関連する因子である組み換えプロセスとのバランスから得られる。よって、ＩＳＳＧプロセスは、特定される範囲内のチャンバー内での、使用するプロセス圧力、流速および温度に依存する。そのようなパラメータは、８００℃〜１０００℃の温度；１ ｔｏｒｒ〜２０ ｔｏｒｒの圧力；１ ｓｌｍ〜４０ ｓｌｍのＨ_２＋Ｏ_２の流速；において効果的であり得る。Ｈ_２／Ｈ_２＋Ｏ_２の比率は０．１％〜４０％である。

ヒドロキシルラジカルはオゾンとＵＶ光もしくは過酸化水素とＵＶ光の組み合わせ、またはオゾンと過酸化水素とＵＶ光との組み合わせを用いた光分解により生成されうる。過酸化水素およびオゾンからヒドロキシラジカルを生成させるために、市販の装置を使用することができる。オゾンは２００ｎｍ〜４５０ｎｍのＵＶ波長で生成されうる。典型的には、オゾンは２５４ｎｍで生成される。理論に拘束されることを望むものではないが、オゾンに適用されるＵＶ線は上記反応Ｉに従って励起酸素原子を生成させる。次いで、励起酸素原子は２つの方法のうちの１つでヒドロキシルラジカルを生成させうる。反応ＩＩＩ：

に従って、励起酸素原子は水分（水蒸気）と反応することができるか、またはそれらは下記の反応ＩＶ：

により、水分と反応して過酸化水素を形成し、次いで過酸化水素がＵＶ線と反応してヒドロキシルラジカルを形成することができる。オゾンの量は０．１ｇ／時〜５０ｇ／時、または例えば、１ｇ／時〜２０ｇ／時の範囲であってよく。場合によっては、ＵＶ光は反応ＩＶにおいて除かれることができ、過酸化水素が酸化剤として働くことを可能にする。さらに、オゾンから過酸化水素を発生させることなしに、過酸化水素がその液体形態で適用されることができる。過酸化水素は０．１ｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌの量で、例えば、１ｇ／Ｌ〜５ｇ／Ｌの量で使用されうる。

硝酸または硫酸が使用される場合、それらは全溶液の３０重量％〜７５重量％の濃度である。過硫酸塩は１ｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌの濃度で使用される。

導電ペーストを用いてウェハの前面パターンおよび背面が金属化され、１種以上の酸化剤で処理された後、次いで、前面導電パターン上に金属の層が選択的に堆積される。金属化の間、バックグラウンドめっきが抑制される。このような金属の層は金、銀または銅のような任意の好適な導電性金属であることができる。典型的には、銀が導電パターン上に堆積される。ある実施形態においては、堆積された金属層は導電ペーストにおいて使用されるのと同じ金属で構成される。例えば、銀層が銀含有導電ペースト上に堆積される。

焼成された導電ペースト上の、堆積された金属層、特に電気堆積された金属層を含むパターンは、焼成された導電ペーストのみから構成されるパターンと比較して増大した能力を有する。さらに、焼成された導電ペースト上に堆積された金属層の使用は、集電ラインおよび母線の両方の幅を低減することを可能にし、これは入射光に曝されうる太陽電池表面をより多く提供し、それによりより多くの電流を生じさせる。より小さな金属ラインは、入射光を妨げる表面上の金属がより少ないことを意味する。

図１は太陽電池のような代表的な光起電力素子５を説明する。素子５は、背面１１および前面１２を有し、並びにＰＮ接合を有する半導体ウェハ１０を有する。背面１１は金属化され、例えば銀で金属化される。前面１２は母線１４および集電ライン１５から構成される金属パターン（例えば、銀パターン）を含む。金属パターンは銀含有導電ペースト上に堆積された銀の層から構成される。金属パターンは前面１２とオーミック接触（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）にある。典型的には前面１２は窒化ケイ素または他の誘電物質のような反射防止コーティングとして機能する誘電体（図示されない）で覆われる。この誘電層は金属パターンの母線と集電ラインとの間の、ウェハの前面上の空間を覆う。

上記酸化方法の１つによってウェハを処理した後、ウェハは、前面上のパターン上および金属化された背面上に金属の層でめっきされる用意ができる。焼成された導電ペースト上に金属層、例えば、銀、金または銅層が、従来の金属めっき浴、典型的には電気めっき浴を用いて堆積される。典型的には、金属層は、銀メッキ浴、典型的にはシアン化物を含まない銀メッキ浴を用いる銀層である。金属めっきは半導体ウェハを入射光にさらしつつ行われる。有用な銀メッキ浴の例は、水溶液であって、銀イオン、少なくとも１種の水可溶性ニトロ含有化合物、少なくとも１種の界面活性剤、少なくとも１種のアミド化合物、並びに少なくとも１種の成分（ただし、当該少なくとも１種の成分は水可溶性アミノ酸、水可溶性スルホン酸およびそれらの混合物から選択される）を含む。商業的に有用な銀めっき浴の例は、マサチューセッツ州、マールボロのロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズから、ＥＮＬＩＧＨＴ^（商標）銀メッキ６００として入手可能である。

めっき浴中の金属イオンは、任意の好適な溶液可溶性金属化合物、典型的には金属塩を使用することによりもたらされうる。このような金属化合物には、限定されないが、ハロゲン化金属；硝酸金属塩；カルボン酸金属塩、例えば、酢酸塩、ギ酸金属塩およびグルコン酸金属塩；金属アミノ酸錯体、例えば金属システイン錯体；アルキルスルホン酸金属塩、例えばメタンスルホン酸金属塩およびエタンスルホン酸金属塩；アルキロールスルホン酸金属塩、トルイルスルホン酸金属塩およびフェノールスルホン酸金属塩；並びにシアン化金属が挙げられる。典型的な金属化合物には、銅化合物、金化合物および銀化合物が挙げられる。ある実施形態においては、金属化合物は銀化合物である。特に、好適な金属化合物には、硝酸銀、銀−システイン錯体、メタンスルホン酸銀、エタンスルホン酸銀、プロパンスルホン酸銀、フェノールスルホン酸銀、および酢酸銀が挙げられる。金属が銀の場合には、その塩の限定された溶解度のため、金属塩は典型的にはハロゲン化銀ではない。金属化合物の混合物は本メッキ浴において使用されうる。そのような混合物は、同じ金属を有するが異なる化合物である金属化合物、例えば、硝酸銀と銀−システイン錯体の混合物あってもよく、または異なる金属を有する金属化合物、例えば、銀−システイン錯体とグルコン酸銅との混合物であってもよい。異なる金属を有する異なる金属化合物が混合物中で使用される場合には、本金属めっき浴はその異なる金属の合金を堆積させる。

金属化合物は、めっき浴中で０．１〜６０ｇ／Ｌ、より典型的には０．５〜５０ｇ／Ｌ、さらにより典型的には１〜５０ｇ／Ｌの金属イオン濃度を提供するのに充分な量でめっき浴に添加される。金属イオンが銀イオンである場合、浴中での銀イオンの濃度は典型的には２〜４０ｇ／Ｌの量である。このような金属化合物は、概して、様々なソースから、例えば、ウィスコンシン州、ミルウォーキーのアルドリッチケミカルカンパニーから商業的に入手可能である。

典型的には、金属めっき浴は電気めっき浴であり、電解質を含む。任意の様々な電解質、例えば、酸および塩基が本金属めっき浴において使用されることができる。典型的な電解質としては、限定されるものではないが、アルカンスルホン酸、例えば、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸およびプロパンスルホン酸；アルキロールスルホン酸；アリールスルホン酸、例えば、トルエンスルホン酸、フェニルスルホン酸およびフェノールスルホン酸；アミノ含有スルホン酸、例えば、アミドスルホン酸；スルファミン酸；鉱酸；カルボン酸、例えばギ酸およびハロ酢酸；ハロゲン化水素酸；並びにピロリン酸塩が挙げられる。酸および塩基の塩も電解質として使用されうる。さらに、電解質は酸の混合物、塩基の混合物または１種以上の酸と１種以上の塩基との混合物を含むことができる。このような電解質は概して、様々なソースから、例えばアルドリッチケミカルカンパニーから商業的に入手可能である。

理論に拘束されるのを意図するものではないが、めっき浴におけるニトロ含有化合物は浴を安定化させ錯化する様に機能すると考えられる。任意の様々な水可溶性ニトロ含有化合物が使用されうる。このようなニトロ含有化合物には、限定されるものではないが、ニトロ含有カルボン酸およびその塩、並びにニトロ含有スルホン酸およびその塩が挙げられる。このようなニトロ含有化合物は１以上のニトロ基を含むことができる。水可溶性ニトロ含有化合物は、典型的には、少なくとも１つの複素環式基を有する。さらなる実施形態においては、ニトロ含有化合物は芳香族複素環式化合物である。代表的なニトロ含有化合物には、これに限定されないが、２−ニトロフタル酸、３−ニトロフタル酸、４−ニトロフタル酸、および／またはｍ−ニトロベンゼンスルホン酸が挙げられる。典型的には、ニトロ含有化合物は浴の０．１〜２００ｇ／Ｌ、より典型的には０．５〜１７５ｇ／Ｌ、さらにより典型的には１〜１５０ｇ／Ｌの量で使用される。このようなニトロ含有化合物は、概して、様々なソースから、例えばアルドリッチケミカルカンパニーから商業的に入手可能である。

様々な界面活性剤がめっき浴において使用されうる。任意のアニオン性、カチオン性、両性および非イオン性界面活性剤が使用されうる。代表的な非イオン性界面活性剤には、コハク酸のエステルが挙げられる。ある実施形態においては、界面活性剤はカチオン性および両性界面活性剤から選択される。典型的なカチオン性界面活性剤としては、限定されるものではないが、商標ＴＥＧＯＴＡＩＮでＤｅｇｕｓｓａから入手可能な１，３−ジデシル−２−メチルイミダゾリウムクロライドが挙げられる。別の実施形態においては、界面活性剤は両性、例えば、商標ＴＥＧＯＴＡＩＮでＤｅｇｕｓｓａから入手可能な、アルキルベタインである。界面活性剤の混合物が使用されうる。このような界面活性剤は典型的には、０．１〜５ｇ／Ｌの量でめっき浴中に存在する。

場合によっては、ビタミンが本めっき浴中に含まれてもよい。それらは脂溶性または水溶性のいずれであってもよい。典型的には、水溶性ビタミンが使用される。好適な脂溶性ビタミンには、Ａ、Ｄ_１、Ｄ_２、Ｄ_３、Ｋ_１、Ｋ_２およびＥが挙げられる。好適な水溶性ビタミンには、Ｃ、Ｂ_１、Ｂ_２、Ｂ_３、Ｂ_６、およびＢ_１２が挙げられる。典型的なビタミンには、これに限定されないが、レチノール、ステロール、エルゴカルシフェロール、コレカルシフェロール、フィトナジオン、マルチプレニルメナキノン、α−トコフェロール、β−トコフェロール、アスコルビン酸、チアミン、ニコチン酸、リボフラビン、パントテン酸、ビオチン、ピリドキシン、葉酸およびシアノコバラミンが挙げられる。典型的には、使用されるビタミンはアスコルビン酸、チアミン、ニコチン酸、リボフラビン、パントテン酸、ビオチン、ピリドキシンおよび葉酸である。本明細書において使用される、用語「ビタミン」はビタミンの塩を包含することを意図する。

概して、ビタミンが浴に添加される場合には、ビタミンはめっき浴中に、０．０１〜１５０ｇ／Ｌ、典型的には０．５〜１００ｇ／Ｌ、より典型的には、１〜１００ｇ／Ｌの量で存在する。ビタミンは概して、様々なソース、例えばアルドリッチケミカルカンパニーから商業的に入手可能である。

広範囲のアミノ化合物がめっき浴において使用されうる。好適なアミノ含有化合物には、限定されるものではないが、スルホン酸アミド、例えば、コハク酸スルファミドおよびカルボン酸アミド、例えばコハク酸アミド（スクシンアミド酸）が挙げられる。

概して、アミド化合物は、０．０１〜１５０ｇ／Ｌ、典型的には０．５〜１００ｇ／Ｌ、より典型的には、１〜１００ｇ／Ｌの量でめっき浴中に存在する。アミド化合物は概して様々なソース、例えばアルドリッチケミカルカンパニーから商業的に入手可能である。さらに、アミド化合物はその場でイミド、例えばスクシンイミドから生成されうる。理論に拘束されるのではないが、アルカリ浴に添加されるイミドは、浴温度で、その対応するアミド化合物に変化する。これは、イミドの炭素−窒素結合（Ｃ−Ｎ）におけるヒドロキシルイオン（ＯＨ⁻）による求核攻撃により起こると考えられる。

アミノ酸の誘導体およびアミノ酸の塩を含む任意のアミノ酸がめっき浴において好適に使用されうる。そのアミノ酸は、１以上のアミノ基に加えて１以上のメルカプト基を含むことができる。好適なアミノ酸の例としては、これらに限定されないが、グリシン、アラニン、システイン、メチオニンおよび４−アミノ−ニコチン酸が挙げられる。めっき浴においてアミノ酸が使用される場合には、アミノ酸は０．１〜１５０ｇ／Ｌ、より典型的には０．５〜１５０ｇ／Ｌ、より典型的には、０．５〜１２５ｇ／Ｌの量で使用される。アミノ酸の混合物が使用されうる。このような金属化合物は、概して、様々なソース、例えばアルドリッチケミカルカンパニーから商業的に入手可能である。金属が銀である場合には、水可溶性アミノ酸化合物は、典型的には、銀の化学量論量を超えて存在する。

様々な水可溶性スルホン酸がめっき浴中で使用されうる。典型的なスルホン酸には、電解質として上述されるスルホン酸の任意のものが挙げられる。スルホン酸が電解質として使用される場合には、追加のスルホン酸は必要とされない。典型的には、スルホン酸は０．１〜２００ｇ／Ｌの量で存在する。

場合によっては、めっき浴は１種以上の追加の成分を含むことができる。このような追加の成分には、限定されるものではないが、光沢剤、グレインリファイナー（ｇｒａｉｎ ｒｅｆｉｎｅｒ）、延性向上剤（ｄｕｃｔｉｌｉｔｙ ｅｎｈａｎｃｅｒ）、曇り防止剤（ａｎｔｉ−ｔａｒｎｉｓｈ ａｇｅｎｔ）および凍結防止剤が挙げられる。スルホン含有化合物は光沢剤として使用されうる。特に、好適なスルホン含有化合物は１または２つの芳香環をスルホン基上に含む。このような芳香環は、場合によっては、ニトロ、アミノ、ハロ、アルキル、および金属から選択される１以上の置換基によって置換されうる。存在する場合には、スルホン含有化合物は典型的には、めっき浴の０．００１〜５ｇ／Ｌの量で使用される。

様々な曇り防止剤が場合によっては本めっき浴において使用されうる。好適な曇り防止剤には、これに限定されないが、トリアゾール類、ベンゾトリアゾール類、テトラゾール類、イミダゾール類、ベンゾイミダゾール類およびインダゾール類が挙げられる。典型的な曇り防止剤は（Ｃ_１−Ｃ_１６）アルキルイミダゾールおよびアリールイミダゾールである。典型的な曇り防止剤には、これに限定されないが、メチルイミダゾール、エチルイミダゾール、プロピルイミダゾール、ヘキシルイミダゾール、デシルイミダゾール、ウンデシルイミダゾール、１−フェニルイミダゾール、４−フェニルイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、アミノベンゾトリアゾール、２−イミダゾールカルボキシアルデヒド、ベンゾトリアゾールカルボン酸、２−グアニジノベンズイミダゾール、２−アミノイミダゾール、クロロベンゾトリアゾール、ヒドロキシエチルベンゾトリアゾール、ヒドロキシエチルイミダゾール、ヒドロキシベンゾイミダゾール、および１，２，４−トリアゾールが挙げられる。曇り防止剤の混合物がめっき浴において使用されうる。概して、曇り防止剤が使用される場合には、曇り防止剤は０．００５〜５０ｇ／Ｌの量で存在する。

さらなる実施形態において、金属めっき浴は場合によっては緩衝剤を含むことができる。典型的な緩衝剤には、これに限定されないが、ホウ酸塩緩衝剤（例えば、ホウ砂）、リン酸塩緩衝剤、クエン酸塩緩衝剤および炭酸塩緩衝剤が挙げられる。使用される緩衝剤の量は、所望の量でめっき浴のｐＨを維持するのに充分な量であり、そのような量は当業者に周知である。

またさらなる実施形態において、合金形成性金属（ａｌｌｏｙｉｎｇ ｍｅｔａｌ）が場合によってはめっき浴に添加されうる。任意の好適な合金形成性金属が使用される。このような合金形成性金属は当業者に周知である。

本めっき浴は、典型的には７〜１４の、より典型的には７〜１２の、さらにより典型的には９〜１２の範囲のｐＨを有する。本めっき浴の作動温度は、典型的には１０〜３０℃の範囲である。めっき浴が銀めっき浴である場合には、作動温度は典型的には１０〜２０℃、より典型的には１５〜２０℃の範囲である。めっき浴を室温未満の温度に維持するために冷却装置が使用される。

本発明において使用される金属めっき浴は、望まれる仕様を満たす光起電力素子上に金属堆積物をもたらす光アシスト（ｌｉｇｈｔ ａｓｓｉｓｔｅｄ）電気めっきにおいて使用される照明の条件下で充分な安定性を有する。金属めっきされる光起電力素子において、さらなる高電流出力も可能であり、その結果、金属電気めっき工程の間に使用されるエネルギーの量を低減でき、それにより操作コストを低減できる。めっき浴は光誘起（ｌｉｇｈｔ ｉｎｄｕｃｅｄ）めっきの条件下でその使用を可能にするのに充分安定である。

パターン形成されたウェハ５は、その上に堆積されるべき金属の厚い層についての準備ができている。図２は、本発明に従った金属層の光誘起電気めっきについての配置を図示する。上述のように製造されたパターン形成されたウェハ５は、めっきセル２０に入れられためっき浴２１に沈められる。パターン形成されたウェハ５はめっきセル中ではカソードである。めっき浴２１は上述の通りである。光源２５が配置され、数字２７によって概して示される放射エネルギーでウェハ５を照らす。電源２４の正極は銀アノード２２に接触し、陰極はウェハ５の背面すなわちＰ面に接触する。パターン形成されたウェハ５がシリコン太陽電池である場合には、光源２５は、例えばシリコン太陽電池が光起電力的に感受性である日光のスペクトルのと類似するエネルギーを提供する石英ハロゲンランプであることができる。様々な他の光源を使用でき、例えば、これに限定されないが、２５０ワットランプのような白熱ランプ、および水銀ランプが使用されうる。光エネルギー２７は連続でもパルスでもよい。パルス照明は、例えば、光を機械的チョッパーで遮ることにより達成できる。

めっきセル２０は浴２１に対して化学的に不活性であるような物質でなければならず、かつ光エネルギー２７に対して透明でなければならない。あるいは、ウェハはめっきセル２０内に水平に配置され、浴の上方から照明されることができ、この場合には、めっきセル２０は透明である必要はない。示されるように単一のシリコンウェハ５上に銀をめっきするために、石英ビーカーが好適なめっきセル２０である。銀シートのような銀アノード２２は浴中に溶解し、めっきを進行させるように銀で飽和された浴を保つ。

光エネルギー２７でウェハ５の前面を照明することにより、および電力供給２４からめっきセルに電位を印加することにより、ウェハ５の前面および背面で同時にめっきが起こる。適用される電位は連続でも、パルスでもよい。衝突する光エネルギーが太陽電池に電流を生じさせる。発生する電流は入射強度に比例するので、ウェハ５の前面でのめっきの速度はウェハ上に入射する放射線の強度に関連する因子である。前面および背面でのめっきの速度は、光強度および外部電流密度をそれぞれ調節することにより独立に制御可能である。１〜２５μｍの厚さの銀層が概して集電太陽電池に望まれ、正確な厚さは用途、セルサイズ、パターンおよび形状のような様々な因子に応じて変化する。太陽電池は、上述の方法の１つにより酸化剤で処理されたので、バックグラウンドめっきがウェハ５の前面上で抑制される。

使用された適用電位は電流密度の範囲を有することができる。典型的な電流密度は０．１Ａ／ｄｍ^２〜１０Ａ／ｄｍ^２、より典型的には０．１Ａ／ｄｍ^２〜５Ａ／ｄｍ^２である。具体的に要求される電流は、使用されるウェハの具体的なサイズに依存する。ウェハの前面が照明され、外部電位が約５０ミリアンペア以下に低減されるならば、めっきは前面上で正常に連続するが、ウェハの背面上にはめっきは起こらない。前面照射は背面めっきの均一性を向上させ、かつシード層を通り電気接点から離れた位置への抵抗降下に関連する困難性のすべてを克服する。めっきプロセスは場合によっては１以上の反転（ｒｅｖｅｒｓｅ）めっき工程、例えばパルス周期反転（ｐｕｌｓｅ ｐｅｒｉｏｄｉｃ ｒｅｖｅｒｓｅ）めっきプロセスを含むことができる。

めっきプロセスは銀の層のめっきを具体的に参照することで説明されている。このプロセスは、銅、金または錫とニッケルとの混合物のような他の物質をめっきすることについても充分に同様に機能する。スズとニッケルとの混合物は、塩化第１スズ、塩化ニッケル、水酸化アンモニウムおよびフッ化アンモニウムを含む水性浴からめっきされうる。スズニッケル混合物は他の金属層上に環境的に不活性なキャップとしての用途を見いだしている。また、上に開示されためっきプロセスは、太陽電池において使用されるシリコンウェハに関して記載されているが、シリコン以外の物質から製造された光起電力素子が使用されてもよく、必要な場合には、例えば、使用される光エネルギー源において、好適な変化を伴っていてもよい。

上述のような導電パターンの金属化の前の、少なくとも誘電層への１種以上の酸化剤の適用は望まれないバックグラウンドめっきを抑制し、商業的に受け入れられうる製品を生じさせる。上述のように、酸化剤は気体状または液体形態で適用されることができ、欠陥部位だけに適用される必要はなく、誘電層全体に適用されうる。よって、作業者は欠陥の位置または半導体がそのような欠陥を有していることに気づく必要はなく、製造プロセスにおけるすべての半導体を処理するためにその方法を使用することができ、これにより商業的に受け入れられうる半導体を提供するための迅速でかつ効果的なプロセスを提供することができる。さらに、欠陥を有する誘電層への酸化剤の適用の方法は、多くの従来方法が適切に解決できていないバックグラウンドめっきの問題を解決する。

次の実施例は、本発明の様々な実施形態を例示するために含まれるが、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。

実施例１
次の成分を混合し、溶液を１リットルにするのに充分な脱イオン（ＤＩ）水を添加することにより銀電気めっき浴が調製された。

めっき浴のｐＨは９〜１２の範囲に維持された。めっき浴の温度は２５℃〜３５℃に維持された。

実施例２
次の成分を混合し、溶液を１リットルにするのに充分なＤＩ水を添加することにより銀電気めっき浴が調製された。

めっき浴のｐＨは９．５〜１０．５の範囲に維持された。めっき浴の温度は２５℃〜３５℃に維持された。

実施例３
次の成分を混合し、溶液を１リットルにするのに充分なＤＩ水を添加することにより銀電気めっき浴が調製された。

めっき浴のｐＨは９．５〜１０．５の範囲に維持された。めっき浴の温度は２５℃〜３５℃に維持された。

実施例４
焼成された銀ペーストから形成された集電ラインおよび母線のパターンを有し、集電ラインと母線との間のスペースに窒化ケイ素の誘電層を有する図１に示されるようなウェハが、２５体積％のメタンスルホン酸水溶液と接触させられ、次いでＤＩ水ですすがれた。

実施例１の銀めっき浴を含み、２５０ワットのランプおよび銀アノードが備え付けられためっき浴が準備された。パターン形成されたウェハはめっき浴中に浸漬された。１〜５Ａ／ｄｍ^２の電流密度が照射と共に適用された。めっきは３０分間連続されて、その後、光が消され、ウェハはめっき浴から取り出され、ＤＩ水で１分間すすがれ、乾燥させられた。２〜３μｍの厚さを有する銀の電気めっき層が焼成された銀ペーストの上に得られた。さらに、窒化ケイ素誘電体の部分はバックグラウンドめっきの形跡を示した。バックグラウンドめっきは、図３の左のウェハに示されるように、窒化ケイ素上に不規則な薄い斑点として目に見える。

実施例５
焼成された銀ペーストをめっきするために実施例２の銀めっき浴が使用されることを除き、実施例４のめっきプロセスが繰り返される。窒化ケイ素誘電層上のバックグラウンドめっきは、図３の左のウェハにより示されるように予想される。

実施例６
焼成された銀ペーストをめっきするために実施例３の銀めっき浴が使用されることを除き、実施例４のめっきプロセスが繰り返される。窒化ケイ素誘電層上のバックグラウンドめっきは、図３の左のウェハにより示されるように予想される。

実施例７
焼成された銀ペーストから形成された集電ラインおよび母線のパターンを有し、集電ラインと母線との間のスペースに窒化ケイ素の誘電層を有する図１に示されるような構造を有する２枚のウェハが、２５体積％のメタンスルホン酸水溶液と接触させられ、次いでＤＩ水ですすがれた。次いで、ウェハは７リットルタンク内に配置された。小型オゾン発生装置からオゾンがそのタンクに供給された。３２０ｐｐｍの濃度のオゾンがウェハに９０分間供給された。

９０分後、パターン形成されたウェハは、実施例１の銀めっき浴を含むめっきセル中に配置された。めっきセルは２５０ワットのランプおよび銀アノードを備えていた。パターン形成されたウェハはめっき浴中に浸漬された。１〜５Ａ／ｄｍ^２の電流密度が照射と共に適用された。めっきは３０分間連続されて、その後、光が消され、ウェハはめっき浴から取り出され、ＤＩ水で１分間すすがれ、乾燥させられた。２〜３μｍの厚さを有する銀の電気めっき層が焼成された銀ペーストの上に得られた。さらに、そのウェハは、実施例４においてオゾンで処理されなかったウェハとは異なり、バックグラウンドめっきを示さなかった。オゾンで処理された２枚のウェハの一方が、図３の右に示される。バックグラウンドめっきは観察されなかった。オゾンで処理された第２のウェハは実質的に同じ外観を有していた。よって、窒化ケイ素誘電層を有するウェハへのオゾンの適用は、バックグラウンドめっきを低減させた。

実施例８
実施例２の銀浴が使用されることを除き、実施例７に記載されるような、焼成されたペーストを銀で金属化する前にウェハをオゾンで処理する方法が繰り返される。窒化ケイ素誘電体上のバックグラウンドめっきの有意な抑制が、実施例７におけるように予想される。

実施例９
実施例３の銀浴が使用されることを除き、実施例７に記載されるような、焼成されたペーストを銀で金属化する前にウェハをオゾンで処理する方法が繰り返される。窒化ケイ素誘電体上のバックグラウンドめっきの有意な抑制が、実施例７におけるように予想される。

５ 光起電力素子
１０ 半導体ウェハ
１１ 背面
１２ 前面
１４ 母線
１５ 集電ライン
２０ めっきセル
２１ めっき浴
２２ アノード
２４ 電源
２５ 光源
２７ 光エネルギー

Claims (9)

1. ａ）導電母線および集電ラインのための導電パターンと、半導体の前面上の導電パターンの間のスペースを覆う誘電層とを含む半導体であって、当該誘電層が１以上の欠陥を含有する半導体を提供し；
   ｂ）少なくとも誘電層を酸素反応物質、過酸化水素およびヒドロキシルラジカルから選択される１種以上の酸化剤と接触させ；
   ｃ）金属電気めっき浴中に該半導体を配置し；並びに
   ｄ）該半導体に光を照射し、および該めっき浴に電流を印加し、それにより該導電パターン上に金属層を選択的に堆積させ、該誘電層の１以上の欠陥に金属が堆積するのを抑制することを含む、光起電力素子の製造においてバックグラウンドめっきを抑制する方法。
2. 酸素反応物質が原子酸素、オゾンおよびイオン化酸素ラジカルから選択される請求項１に記載の方法。
3. 酸化剤が過酸化水素およびヒドロキシルラジカルから選択される請求項１に記載の方法。
4. 誘電層が３０秒〜４００分の間酸化剤と接触させられる請求項１に記載の方法。
5. 導電パターン上に金属層を選択的に堆積させる工程の間に半導体に光を適用する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
6. 光が連続またはパルスである請求項５に記載の方法。
7. 金属層が銀、金、銅、または銀および銅の合金である請求項１に記載の方法。
8. 金属層が銀であり、シアン化物を含まない電解質から選択的に堆積される請求項１に記載の方法。
9. 電解質が７から１４のｐＨを有する請求項８に記載の方法。

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