JP5216104B2 - 有機電界発光素子 - Google Patents
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Description
前記有機半導体層の少なくとも1層は、芳香族性多員環骨格に少なくとも3つの芳香族置換基が配置されかつ半経験的分子軌道計算法で求めた前記芳香族性多員環骨格の環平面と、少なくとも3つの前記芳香族置換基の環平面との二面角が70〜90°である嵩高な有機半導体化合物を、含むことを特徴とする。
前記有機半導体層の少なくとも1層は、芳香族性多員環骨格に少なくとも3つの芳香族置換基が配置され、かつ半経験的分子軌道計算法で求めた前記芳香族性多員環骨格の環平面と、少なくとも3つの前記芳香族置換基の環平面との二面角が70〜90°である嵩高な有機半導体化合物を含む有機半導体層又はその隣接する層に無機フッ化物又は無機酸化物を含むことを特徴とする。
基板1のガラスの他としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリシクロオレフィン、ポリ(メタ)アクリレートなどの熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂等の透明又は半透明材料の他に、シリコンやAlなどの不透明な材料を用いることができる。
正孔注入層3、正孔輸送層4、発光層5、電子輸送層6及び電子注入層7の主成分を構成する有機半導体層は、電荷輸送性(正孔及び/又は電子の移動性)を有する有機化合物を利用する。
発明者は、特異的に嵩高い芳香族置換基を有する分子構造(嵩高な有機半導体化合物)を電荷輸送材料に用いて低駆動電圧化させることに着目して、更に電荷注入又は輸送層内に低濃度で無機化合物を混合することで特性改善(高温保存、駆動寿命)を行うため、芳香族性多員環骨格に対してほぼ垂直に近い芳香族置換基が配置された嵩高な有機化合物に注目して、高温保存実験などを実行した。多員環構造縮合多環芳香族の材料を探索するため、材料としては、上述の電荷輸送性(正孔及び/又は電子の移動性)を有する有機化合物の中で、芳香族性多員環骨格に少なくとも3つの芳香族置換基が配置され、半経験的分子軌道計算法で求めた芳香族性多員環骨格の環平面と、少なくとも3つの芳香族置換基の環平面との二面角が70〜90°であるものが好ましいことを知見した。
以下に示す複数の有機EL素子を作製し、寿命特性を測定、評価した。
陽極として透明電極ITOを形成したガラス基板上に、真空蒸着により順に、正孔注入層として銅フタロシアニン(CuPc)を32nmの厚さで形成し、その上に、正孔輸送層としてNPB(N,N’-bis-(1-naphenyl)-N,N’-diphenyl-benzidene)を38nmの厚さで形成し、その上に、発光層兼電子輸送層としてAlq3(tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminum)を60nmの厚さで形成し、その上に、電子注入層Li2O(10nm厚)及び陰極Al(80nm厚)を形成した、これを基準の素子とした。
正孔注入層として二面角が70〜90°の芳香族置換基を有さないTPT−1(N,N’-bis-(4-diphenylamino-4-biphenyl)-N,N’-diphenylbenzidine)を32nmの厚さで形成し、その上に、正孔輸送層としてNPBを38nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層及び正孔輸送層として二面角が70〜90°の芳香族置換基を有さないNPBを32nm及び38nm(合計70nm)の厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層として下式の構造の中心骨格に芳香族性多員環骨格を有さないシクロペンタジエン化合物を32nmの厚さで形成し、その上に、正孔輸送層としてNPBを38nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。この1,2,3,4,5−ペンタフェニル−1,3−シクロペンタジエンのモーパック(MOPAC)による分子軌道(MO)の描画を図14に示す。
正孔注入層としてベンゼン化合物のヘキサフェニルベンゼン(化合物4)を32nmの厚さで形成し、その上に、正孔輸送層としてNPBを38nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてボラジン化合物のB,B’,B’’−トリフェニル−N,N’,N’’−トリフェニルボラジン(化合物1)を32nmの厚さで形成し、その上に、正孔輸送層としてNPBを38nmの厚さで形成した以外、素子1と同様な素子を形成した。
素子No.:陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層兼電子輸送層/電子注入層/陰極
素子1-1:ITO/CuPc/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子1-2:ITO/TPT−1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子1-3:ITO/NPB/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子1-4:ITO/シクロペンタジエン化合物/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子1-5:ITO/化合物4/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子1-6:ITO/化合物1/NPB/Alq3/Li2O/Al。
正孔注入層に、無機化合物(無機フッ化物、無機酸化物)層と嵩高な有機半導体化合物(化合物1又は化合物4)を含む層が積層された以下に示す素子を作製し、寿命特性を測定し、評価した。
正孔注入層としてMoO3を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層として化合物4を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層として化合物1を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてMoO3を3nmの厚さで、化合物4を32nmの厚さで順に形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてAlF3を1.5nmの厚さで、化合物4を30.5nmの厚さで順に形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてMoO3を3nmの厚さで、化合物1を32nmの厚さで順に形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてAlF3を1.5nmの厚さで、化合物1を30.5nmの厚さで順に形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてMoO3を3nmの厚さで、TPT−1を32nmの厚さで順に形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてAlF3を1.5nmの厚さで、TPT−1を30.5nmの厚さで順に形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
素子No.:陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層兼電子輸送層/電子注入層/陰極
素子1-1:ITO/CuPc/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子2-2:ITO/MoO3/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子2-3:ITO/化合物4/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子2-4:ITO/化合物1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子2-5:ITO/MoO3・化合物4/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子2-6:ITO/AlF3・化合物4/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子2-7:ITO/MoO3・化合物1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子2-8:ITO/AlF3・化合物1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子2-9:ITO/MoO3・TPT−1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子2-10:ITO/AlF3・TPT−1/NPB/Alq3/Li2O/Al。
正孔注入層を、無機化合物(無機フッ化物、無機酸化物)とボラジン化合物(化合物1)又はベンゼン化合物(化合物4)が混合されている層とした以下に示す素子を作製し、寿命特性を測定、評価した。
正孔注入層として化合物4を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層として化合物1を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてTPT−1を50vol%混合した化合物1の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてMoO3を5vol%混合した化合物4の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてMoO3を10vol%混合した化合物4の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてMoO3を20vol%混合した化合物4の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてMoO3を40vol%混合した化合物4の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてAlF3を5vol%混合した化合物4の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてAlF3を10vol%混合した化合物4の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてMoO3を5vol%混合した化合物1の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてMoO3を10vol%混合した化合物1の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてMoO3を25vol%混合した化合物1の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてAlF3を2.5vol%混合した化合物1の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてAlF3を5vol%混合した化合物1の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてAlF3を10vol%混合した化合物1の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてMoO3を5vol%混合したTPT−1の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてMoO3を10vol%混合したTPT−1の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてMoO3を20vol%混合したTPT−1の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてMoO3を40vol%混合したTPT−1の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてAlF3を5vol%混合したTPT−1の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてAlF3を10vol%混合したTPT−1の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてAlF3を20vol%混合したTPT−1の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてAlF3を40vol%混合したTPT−1の混合層を32nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
素子No.:陽極/無機化合物混合正孔注入層/正孔輸送層/発光層兼電子輸送層/電子注入層/陰極
素子1-1:ITO/CuPc/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-2:ITO/化合物4/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-3:ITO/化合物1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-4:ITO/50vol%TPT−1化合物4/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-5:ITO/5vol%MoO3・化合物4/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-6:ITO/10vol%MoO3・化合物4/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-7:ITO/20vol%MoO3・化合物4/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-8:ITO/40vol%MoO3・化合物4/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-9:ITO/5vol%AlF3・化合物4/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-10:ITO/10vol%AlF3・化合物4/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-11:ITO/5vol%MoO3・化合物1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-12:ITO/10vol%MoO3・化合物1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-13:ITO/25vol%MoO3・化合物1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-14:ITO/2.5vol%AlF3・化合物1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-15:ITO/5vol%AlF3・化合物1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-16:ITO/10vol%AlF3・化合物1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-17:ITO/5vol%MoO3・TPT−1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-18:ITO/10vol%MoO3・TPT−1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-19:ITO/20vol%MoO3・TPT−1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-20:ITO/40vol%MoO3・TPT−1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-21:ITO/5vol%AlF3・TPT−1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-22:ITO/10vol%AlF3・TPT−1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-23:ITO/20vol%AlF3・TPT−1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子3-24:ITO/40vol%AlF3・TPT−1/NPB/Alq3/Li2O/Al。
ボラジン化合物(化合物1)又は5%−MoO3:ボラジン化合物(化合物1)を正孔注入層とし、膜厚を0〜60nmの範囲で変化させた素子を作製し、駆動特性を測定して、駆動特性における正孔注入層膜厚依存性を調べた。
正孔注入層としてMoO3を5vol%混合した化合物1の混合層を10nmの厚さで形成し、その上に、正孔輸送層としてNPBを60nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてMoO3を5vol%混合した化合物1の混合層を32nmの厚さで形成し、その上に、正孔輸送層としてNPBを38nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層としてMoO3を5vol%混合した化合物1の混合層を60nmの厚さで形成し、その上に、正孔輸送層としてNPBを10nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層として化合物1を10nmの厚さで形成し、その上に、正孔輸送層としてNPBを60nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層として化合物1を32nmの厚さで形成し、その上に、正孔輸送層としてNPBを38nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
正孔注入層として化合物1を60nmの厚さで形成し、その上に、正孔輸送層としてNPBを10nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
素子No.:陽極/正孔注入層(厚0〜60nm)/正孔輸送層(厚10〜70nm)/発光層兼電子輸送層/電子注入層/陰極
素子1-3:ITO/−/NPB(厚70nm)/Alq3/Li2O/Al
素子4-2:ITO/5vol%MoO3・化合物1(厚10nm)/NPB(厚60nm)/Alq3/Li2O/Al
素子4-3:ITO/5vol%MoO3・化合物1(厚32nm)/NPB(厚38nm)/Alq3/Li2O/Al
素子4-4:ITO/5vol%MoO3・化合物1(厚60nm)/NPB(厚10nm)/Alq3/Li2O/Al
素子4-5:ITO/化合物1(厚10nm)/NPB(厚60nm)/Alq3/Li2O/Al
素子4-6:ITO/化合物1(厚32nm)/NPB(厚38nm)/Alq3/Li2O/Al
素子4-7:ITO/化合物1(厚60nm)/NPB(厚10nm)/Alq3/Li2O/Al。
正孔注入層に接触する陽極について、陽極材料をITOとAgを有する以下に示す素子を作製し、駆動特性を測定、評価した。
陽極として透明電極ITOを形成したガラス基板上に、真空蒸着により順に、正孔注入層として化合物1を32nmの厚さで形成し、その上に、正孔輸送層としてNPBを38nmの厚さで形成し、その上に、発光層兼電子輸送層としてAlq3を60nmの厚さで形成し、その上に、電子注入層Li2O及び陰極Alを形成した。
陽極としてAg電極を形成した以外、素子5-1と同様な素子を形成した。
陽極として透明電極ITOを形成したガラス基板上に、真空蒸着により順に、正孔注入層としてMoO3を5vol%混合した化合物1の混合層を32nmの厚さで形成し、その上に、正孔輸送層としてNPBを38nmの厚さで形成した以外、素子5-1と同様な素子を形成した。
陽極としてAg電極を形成した以外、素子5-3と同様な素子を形成した。
陽極として透明電極ITOを形成したガラス基板上に、真空蒸着により順に、正孔注入層としてNPBを32nmの厚さで形成し、その上に、正孔輸送層としてNPBを38nmの厚さで形成した以外、素子5-1と同様な素子を形成した。
陽極としてAg電極を形成した以外、素子5-5と同様な素子を形成した。
素子No.:陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層兼電子輸送層/電子注入層/陰極
素子5-1:ITO/化合物1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子5-2:Ag/化合物1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子5-3:ITO/5vol%MoO3・化合物1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子5-4:Ag/5vol%MoO3・化合物1/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子5-5:ITO/NPB/NPB/Alq3/Li2O/Al
素子5-6:Ag/NPB/NPB/Alq3/Li2O/Al。
嵩高な有機半導体化合物のベンゼン化合物を電子輸送層に含有する以下に示す素子を作製し、駆動特性を測定、評価した。
発光層としてAlq3を30nmの厚さで形成し、その上に、電子輸送層として化合物4を30nmの厚さで形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
発光層層としてAlq3を30nmの厚さで形成し、その上に、電子輸送層として化合物4を25nmの厚さで、その上に、Alq3を5nmの厚さで積層形成した以外、素子1-1と同様な素子を形成した。
素子No.:陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
素子1-1:ITO/CuPc/NPB/Alq3/−/Li2O/Al
素子6-2:ITO/CuPc/NPB/Alq3/化合物4/Li2O/Al
素子6-3:ITO/CuPc/NPB/Alq3/化合物4/Alq3積層/Li2O/Al。
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 電子輸送層
7 電子注入層
8 陰極
51 発光層兼電子輸送層
Claims (9)
- 対向する1対の陽極及び陰極の間に積層配置されかつ発光層を含む複数の有機半導体層を備え、かつ、前記発光層及び前記陽極の間には前記陽極側から正孔注入層及び正孔輸送層が積層された有機電界発光素子であって、
前記正孔注入層は、下記一般式(1)に示すボラジン化合物
前記正孔注入層又はその前記陽極側に隣接する層に無機フッ化物又は無機酸化物を含むこと、
前記正孔輸送層はアリールアミン化合物からなること、を特徴とする有機電界発光素子。 - 前記ボラジン化合物が、下記化合物1式に示すボラジン化合物
- 前記無機フッ化物はAlF3又はMgF2であることを特徴とする請求項1記載の有機電界発光素子。
- 前記無機フッ化物は2.5〜40体積%で混合されていることを特徴とする請求項3記載の有機電界発光素子。
- 前記無機フッ化物は5〜40体積%で混合されていることを特徴とする請求項4記載の有機電界発光素子。
- 前記無機酸化物はモリブデン酸化物又はバナジウム酸化物であることを特徴とする請求項1記載の有機電界発光素子
- 前記無機酸化物は2.5〜40体積%で混合されていることを特徴とする請求項6記載の有機電界発光素子。
- 前記無機酸化物は5〜40体積%で混合されていることを特徴とする請求項7記載の有機電界発光素子。
- 前記陽極及び陰極の少なくとも一方は半透明又は透明であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1に記載の有機電界発光素子。
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