JP5213564B2 - 積層コンデンサ及びそれを内蔵した半導体パッケージ並びにそれらの製造方法 - Google Patents
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Description
を提供することを目的とする。
図3は、本発明に係る積層コンデンサを例示する図である。図3(a)は斜視図であり、図3(b)は図3(a)のA部を拡大して例示する断面図である。
図3を参照するに、積層コンデンサ10は、誘電体層21と、複数の第1の内部電極22aと、複数の第2の内部電極22bと、ビアホール21xと、ビアホール21yと、複数の第1の外部電極26aと、複数の第2の外部電極26bとを有する。なお、図3(b)において、第1の外部電極26a及び第2の外部電極26bの幅W1は、便宜上、図3(a)よりも狭く描かれている。
図4から図17を参照しながら本発明に係る積層コンデンサ10の製造方法について説明する。図4から図17は、本発明に係る積層コンデンサの製造工程を例示する図である。図4から図17において、図3と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。始めに図4に示す工程では、支持金属20を用意する。支持金属20の材料としては、例えばCuやNi等を用いることができる。又、これらの材料に、Cu、Ni、Ag、Pd等をめっきしたものを用いても構わない。
図18を参照しながら本発明に係る積層コンデンサ10を内蔵する半導体パッケージ30について説明する。図18は、本発明に係る積層コンデンサを内蔵する半導体パッケージを例示する断面図である。図18において、図3と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図18を参照するに、半導体パッケージ30は、半導体チップ40と、電極端子41と、アンダーフィル樹脂層42と、配線基板50とを有する。
図20〜図30を参照しながら本発明に係る積層コンデンサ10を内蔵する半導体パッケージ30の製造方法について説明する。図20〜図30は、本発明に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図である。図20〜図30において、図18と同一部品については、同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。
20 支持金属
20a 支持金属20の第1主面
20b 支持金属20の第2主面
21 誘電体層
21x,21y ビアホール
22a 第1の内部電極
22b 第2の内部電極
22x,22y 開口部
26a 第1の外部電極
26b 第2の外部電極
26a1,26b1 面
30 半導体パッケージ
40 半導体チップ
41,41a,41b,41c 電極端子
42 アンダーフィル樹脂層
50 配線基板
51 支持体
51a 支持体51の第1主面
51b 支持体51の第2主面
51x,55x,55y 開口部
52a 第1絶縁層
52b 第4絶縁層
52x 第1ビアホール
52y 第4ビアホール
53a 第2絶縁層
53b 第5絶縁層
53x 第2ビアホール
53y 第5ビアホール
54a 第3絶縁層
54b 第6絶縁層
54x 第3ビアホール
54y 第6ビアホール
55a,55b ソルダーレジスト膜
61a 第1配線層
61b 第5配線層
62a 第2配線層
62b 第6配線層
63a 第3配線層
63b 第7配線層
64a 第4配線層
64b 第8配線層
68 外部接続端子
69 スルービア
A 部
B 切断位置
P1,P2,P3 ピッチ
W1,W2 幅
Claims (14)
- 第1面と、前記第1面とは反対側の第2面と、を有する誘電体層と、
前記誘電体層に形成され、前記誘電体層を厚さ方向に貫通し、端面が前記第1面及び前記第2面から露出する第1の外部電極及び第2の外部電極と、
前記誘電体層に形成され、前記第1の外部電極と前記第2の外部電極に挟まれた領域に、前記第1の外部電極と接続されると共に、前記第1の外部電極と前記第2の外部電極の対向する面に対して平行に、所定の間隔で並設され相互に接続された複数の第1の内部電極と、
前記誘電体層に形成され、前記第2の外部電極と接続されると共に、前記複数の第1の内部電極と互いに間挿し合うように、所定の間隔で並設され相互に接続された複数の第2の内部電極と、を有し、
前記第1の外部電極及び前記第2の外部電極の各々の端面は、前記誘電体層の前記第1面及び前記第2面と面一であり、
前記第1の外部電極と前記第1の内部電極、及び前記第1の内部電極同士は、前記誘電体層の前記第2の内部電極が形成されていない領域に設けられたビアホールを介して相互に接続されており、
前記第2の外部電極と前記第2の内部電極、及び前記第2の内部電極同士は、前記誘電体層の前記第1の内部電極が形成されていない領域に設けられたビアホールを介して相互に接続されていることを特徴とする積層コンデンサ。 - 前記第1の外部電極及び前記第2の外部電極はそれぞれ複数個設けられ、前記第1の外部電極及び前記第2の外部電極は所定の周期で交互に形成されていることを特徴とする請求項1記載の積層コンデンサ。
- 前記第1の外部電極及び前記第2の外部電極に挟まれた領域の幅は、前記第1の外部電極及び前記第2の外部電極の幅よりも狭いことを特徴とする請求項1又は2記載の積層コンデンサ。
- 請求項1乃至3の何れか一項記載の積層コンデンサを内蔵した配線基板と、前記配線基板と複数の電極端子を介して電気的に接続された半導体チップと、を有する半導体パッケージであって、
前記積層コンデンサの前記第1の内部電極及び前記第2の内部電極は、前記配線基板の厚さ方向と略平行になるように配置されていることを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記配線基板は、支持体上に配線層と絶縁層とが交互に積層され、前記配線層同士がビアホールを介して電気的に接続された構造を有し、
前記積層コンデンサの前記第1の外部電極及び前記第2の外部電極は、前記ビアホールを介して直接前記配線層と電気的に接続されており、
前記積層コンデンサは、前記配線基板を構成する前記支持体を貫通して形成された貫通孔内に挿入されていることを特徴とする請求項4記載の半導体パッケージ。 - 前記複数の電極端子のうち、前記半導体チップの電源に対応する複数の電極端子と、前記半導体チップの基準電位に対応する複数の電極端子とが所定のピッチで並設されており、
前記所定のピッチは、隣接する前記第1の外部電極と前記第2の外部電極とのピッチに等しく、
前記第1の外部電極と前記第2の外部電極のうちの一方は、前記半導体チップの電源に対応する複数の電極端子と接続され、
前記第1の外部電極と前記第2の外部電極のうちの他方は前記半導体チップの基準電位に対応する複数の電極端子と接続されていることを特徴とする請求項4又は5記載の半導体パッケージ。 - 前記第1の外部電極と前記第2の外部電極のうちの一方は、前記半導体チップの電源に対応する複数の電極端子の垂直直下に配置され、
前記第1の外部電極と前記第2の外部電極のうちの他方は前記半導体チップの基準電位に対応する複数の電極端子の垂直直下に配置されていることを特徴とする請求項4乃至6の何れか一項記載の半導体パッケージ。 - 前記積層コンデンサの厚さは、前記支持体の厚さ以下であることを特徴とする請求項5記載の半導体パッケージ。
- 請求項1乃至3の何れか一項記載の積層コンデンサの製造方法であって、
導体から構成される支持金属の両面に第1誘電体層を形成する第1工程と、
前記第1誘電体層上に、第1の内部電極となる所定の開口部を有する導体層を形成する第2工程と、
前記第1の内部電極となる導体層上に第2誘電体層を積層する第3工程と、
前記第1誘電体層及び前記第2誘電体層の、前記第1の内部電極となる導体層の所定の開口部に対応する位置に第1ビアホールを形成する第4工程と、
前記第2誘電体層上に、第2の内部電極となる所定の開口部を有する導体層を形成する第5工程と、
前記第2の内部電極となる導体層上に第3誘電体層を形成する第6工程と、
前記第2誘電体層及び前記第3誘電体層の、前記第2の内部電極となる導体層の所定の開口部に対応する位置に第2ビアホールを形成する第7工程と、
前記第2工程から前記第7工程と同様の工程を所定の回数繰り返し、前記第1の内部電極となる導体層同士を前記第2ビアホールを介して相互に接続すると共に、前記第2の内部電極となる導体層同士を前記第1ビアホールを介して相互に接続する第8工程と、
前記第1の内部電極と接続される第1の外部電極となる導体層を形成する第9工程と、
前記第2の内部電極と接続される第2の外部電極となる導体層を形成する第10工程と、
前記第10工程で形成した構造体を所定の位置で切断し個片化する第11工程と、を有し、
前記第11工程では、前記第1の外部電極及び前記第2の外部電極の各々の端面が各誘電体層の端面と面一となることを特徴とする積層コンデンサの製造方法。 - 請求項1乃至3の何れか一項記載の積層コンデンサの製造方法であって、
第1の内部電極となる導体層の所定の開口部に対応する位置に第1ビアホールが形成され、第2の内部電極となる導体層の所定の開口部に対応する位置に形成された第2ビアホールが形成された第1〜第3のグリーンシートを含む複数のグリーンシートを用意する第1工程と、
前記第1グリーンシート上に、第1の内部電極となる所定の開口部を有する導体層を形成する第2工程と、
前記第2工程で前記第1の内部電極となる導体層を形成した前記第1グリーンシート上に、前記第2グリーンシートを積層する第3工程と、
前記第3工程で積層した前記第2グリーンシート上に、第2の内部電極となる所定の開口部を有する導体層を形成する第4工程と、
前記第4工程で前記第2の内部電極となる導体層を形成した前記第2グリーンシート上に、前記第3グリーンシートを積層する第5工程と、
前記第2工程から前記第5工程と同様の工程を所定の回数繰り返し、前記第1の内部電極となる導体層同士を前記第2ビアホールを介して相互に接続すると共に、前記第2の内部電極となる導体層同士を前記第1ビアホールを介して相互に接続する第6工程と、
前記第1の内部電極と接続される第1の外部電極となる導体層を形成する第7工程と、
前記第2の内部電極と接続される第2の外部電極となる導体層を形成する第8工程と、
前記第8工程で形成した構造体を非酸化雰囲気中で焼成する第9工程と、
前記第9工程で焼成した構造体を所定の位置で切断し個片化する第10工程と、を有し、
前記第10工程では、前記第1の外部電極及び前記第2の外部電極の各々の端面が各グリーンシートから形成された誘電体層の端面と面一となることを特徴とする積層コンデンサの製造方法。 - 前記第1ビアホール又は前記第2ビアホールは、前記支持金属の表面又は前記導体層を構成する導体の表面が露出するように形成されることを特徴とする請求項9又は10記載の積層コンデンサの製造方法。
- 請求項1乃至3の何れか一項記載の積層コンデンサを内蔵した配線基板と、前記配線基板と複数の電極端子を介して電気的に接続された半導体チップと、を有する半導体パッケージの製造方法であって、
前記配線基板を構成する支持体に貫通孔を形成する第1工程と、
前記貫通孔に前記積層コンデンサを、前記積層コンデンサの前記第1の内部電極及び前記第2の内部電極が前記配線基板の厚さ方向と略平行になるように配置する第2工程と、
前記支持体上に前記積層コンデンサを覆うように絶縁層を形成する第3工程と、
前記積層コンデンサの第1の外部電極及び第2の外部電極が露出するように、前記絶縁層を貫通するビアホールを形成する第4工程と、
前記ビアホール内に露出した前記第1の外部電極及び前記第2の外部電極上に配線層を形成する第5工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 更に、前記絶縁層及び前記配線層上に更に絶縁層及び配線層を積層する第6工程と、
前記絶縁層を貫通するビアホールを形成する第7工程と、
前記ビアホールを介して前記コンデンサの第1の外部電極及び第2の外部電極と接続される電極パッドを形成する第8工程と、を有することを特徴とする請求項12記載の半導体パッケージの製造方法。 - 更に、前記第1の外部電極と前記第2の外部電極のうちの一方は、前記半導体チップの電源に対応する複数の電極端子と接続され、
前記第1の外部電極と前記第2の外部電極のうちの他方は前記半導体チップの基準電位に対応する複数の電極端子と接続されるように、前記電極パッドと半導体チップとを接続する第9工程と、を有することを特徴とする請求項13記載の半導体パッケージの製造方法。
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