JP5206643B2 - エポキシ樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
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Description
しかし、近年の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体の高集積化も年々進み、また半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、半導体封止用エポキシ樹脂組成物への要求は益々厳しいものとなってきている。このため、従来からのエポキシ樹脂組成物では解決出来ない問題点も出てきている。
さらに、環境問題に端を発した有鉛半田から無鉛半田への移行に伴い、半田処理時の温度が高くなり、半導体装置中に含まれる水分の気化によって発生する爆発的な応力による耐半田性が、従来以上に大きな課題となってきている。
また、メッキ部とエポキシ樹脂組成物の硬化物との界面での剥離を防止する為、ジスルフィド化合物によって金属と樹脂の密着性を高めることが提案されている(例えば、特許文献2参照。)が、十分な耐半田性を達成するには至っていない。このようなことから、無鉛半田に対応する高温の半田処理によっても剥離やクラックが発生しない良好な耐半田性を達成するための、更なる技術が求められている。
(1)(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)無機充填材と、(D)ジチオアルコール化合物と、を含む半導体封止に用いるエポキシ樹脂組成物であって、
前記(D)ジチオアルコール化合物が、下記一般式(1)で示されるものであることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
(3)前記(D)ジチオアルコール化合物の含有量は、前記エポキシ樹脂組成物全体の0.01重量%以上、1重量%以下である上記(1)または(2)に記載のエポキシ樹脂組成物。
(4)さらに(E)硬化促進剤を含むものである上記(1)ないし(3)のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
(5)前記(A)エポキシ樹脂が、下記一般式(2)で表されるエポキシ樹脂である上記(1)ないし(4)のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)無機充填材と、(D)ジチオアルコール化合物と、を含む半導体封止に用いるエポキシ樹脂組成物であって、前記(D)ジチオアルコール化合物が、下記一般式(1)で示されるものであることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
まず、エポキシ樹脂組成物について説明する。本発明のエポキシ樹脂組成物は、半導体素子を封止するために用いられるものである。
前記エポキシ樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂(A)を含む。
前記(A)エポキシ樹脂は、1分子内にエポキシ基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造は特に限定するものではないが、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂(フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する)等が挙げられ、これらは1種類を単独で用いても2種以上を併用しても差し支えない。このようなエポキシ樹脂の中でも下記一般式(2)で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、耐燃性、耐半田性を特に向上することができる。
前記重量平均分子量は、例えばG.P.Cを用いて、次のような条件で評価することができる。
GPC装置は、ポンプ、インジェクター、ガードカラム、カラム及び検出器から構成され、溶媒にはテトラヒドロフラン(THF)を用いる。ポンプの流速は0.5ml/分にて測定を行なう。これよりも高い流速では目的の分子量の検出精度が低くなるため好ましくない。また、上記の流速で精度よく測定を行なうためには流量精度のよいポンプを使用することが必要であり、流量精度は0.10%以下が好ましい。ガードカラムには市販のガードカラム(例えば、東ソー(株)製TSK GUARDCOLUMN HHR−L:径6.0mm、管長40mm)、カラムには市販のポリスチレンジェルカラム(東ソー(株)製TSK−GEL GMHHR−L:径7.8mm、管長30mm)を複数本直列接続させる。検出器には示差屈折率計(RI検出器。例えば、WATERS社製示差屈折率(RI)検出器W2414)を用いる。測定に先立ち、ガードカラム、カラム及び検出器内部は40℃に安定させておく。試料には、濃度3〜4mg/mlに調整したエポキシ樹脂(A)のTHF溶液を用意し、これを約50〜150μlインジェクターより注入して測定を行なう。試料の解析にあたっては、単分散ポリスチレン(以下、PS)標準試料により作成した検量線を用いる。検量線はPSの分子量の対数値とPSのピーク検出時間(保持時間)をプロットし、3次式に回帰したものを用いる。検量線作成用の標準PS試料としては、昭和電工(株)製ShodexスタンダードSL−105シリーズの品番S−1.0(ピーク分子量1,060)、S−1.3(ピーク分子量1,310)、S−2.0(ピーク分子量1,990)、S−3.0(ピーク分子量2,970)、S−4.5(ピーク分子量4,490)、S−5.0(ピーク分子量5,030)、S−6.9(ピーク分子量6,930)、S−11(ピーク分子量10,700)、S−20(ピーク分子量19,900)を使用する。
また、前記平均粒子径は、例えばレーザー回折式粒度分布測定装置で評価することができる。(島津製作所製、SALD−7000)
前記ジチオアルコール化合物は、エポキシ樹脂組成物を製造する過程では安定で反応せず、成形時リードフレーム金属(特に、表面が金の場合)へ接近した場合にS−S結合が解裂して、金属と結合する。したがって、効率良くエポキシ樹脂組成物とリードフレームとの界面で作用することができる。したがって、金属との界面での密着性をより向上することができる。これに対して、例えばチオールを有するような化合物の場合、エポキシ樹脂組成物を製造する過程で樹脂と反応するため、金属表面での効果が低下してしまう。
また、アルコール性水酸基は、他に用いられるようなアミノ基、カルボキシル基、シラノール基等のように樹脂と強固に結合するものと比較して、初期の密着性には劣るが、熱や吸湿等による樹脂の動き(応力)により、密着性の低下が小さい。
前記(E)硬化促進剤としては、エポキシ樹脂のエポキシ基と硬化剤(例えば、フェノール系樹脂のフェノール性水酸基)との反応を促進するものであればよく、一般に半導体素子の封止材であるエポキシ樹脂組成物に使用されているものを利用することができる。具体例としては、有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物等のリン原子含有化合物、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、ベンジルジメチルアミン、2−メチルイミダゾール等の窒素原子含有化合物が挙げられる。これらの硬化促進剤は、1種類を単独で用いても2種以上を併用して差し支えない。これらのうち、リン原子含有化合物が好ましく、特に流動性という点を考慮するとテトラ置換ホスホニウム化合物が好ましく、またエポキシ樹脂組成物の硬化物の高温下における低弾性率化という点を考慮するとホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物がより好ましい。
またホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、例えば、o−ベンゾキノン、p−ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもp−ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィンとキノン化合物の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトン等のケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。
一般式(6)で表される化合物において、リン原子に結合するR11、R12およびR13がフェニル基であり、かつR14、R15およびR16が水素原子である化合物、すなわち1,4−ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物が好ましい。
上述したようなエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の各種の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形して半導体装置を得ることができる。
本発明の半導体装置の形態としては、特に限定されないが、例えば、デュアル・インライン・パッケージ(DIP)、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ(PLCC)、クワッド・フラット・パッケージ(QFP)、スモール・アウトライン・パッケージ(SOP)、スモール・アウトライン・Jリード・パッケージ(SOJ)、薄型スモール・アウトライン・パッケージ(TSOP)、薄型クワッド・フラット・パッケージ(TQFP)、テープ・キャリア・パッケージ(TCP)、ボール・グリッド・アレイ(BGA)、チップ・サイズ・パッケージ(CSP)等が挙げられる。
トランスファーモールドなどの成形方法で封止された半導体装置は、そのまま、或いは80℃〜200℃程度の温度で、10分〜10時間程度の時間をかけて完全硬化させた後、電子機器等に搭載される。
(実施例1)
エポキシ樹脂としてエポキシ樹脂1:一般式(2)で表されるエポキシ樹脂(ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂:日本化薬(株)製、商品名NC3000P、軟化点58℃、エポキシ当量273、n=2.3)6.3重量部と、フェノール樹脂としてフェノール樹脂1:一般式(3)で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂(明和化成(株)製、商品名MEH−7851SS、軟化点65℃、水酸基当量204、式(2)においてm=1.6)4.3重量部と、硬化促進剤:トリフェニルホスフィンと1,4−ベンゾキノンとの付加物0.2重量部と、溶融球状シリカ(平均粒径30μm)88.0重量部と、ジチオアルコール構造を有する化合物(D)として2,2’−ジチオジエタノール(東京化成工業(株)製、分子量:154.25)0.1重量部と、シランカップリング剤としてカップリング剤1:N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン0.2重量部と、離型剤としてポリエチレン系ワックス(離型剤1)0.3重量部と、イオントラップ剤としてハイドロタルサイト(協和化学工業(株)製、DHT−4H)0.2重量部と、カーボンブラック0.4重量部とをミキサーにて混合し、熱ロールを用いて、95℃で8分間混練して冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。
ジチオアルコール構造を有する化合物(D)として3,3’−ジチオジプロパノールを用いた以外は実施例1と同様にした。
2,2’−ジチオジエタノールの添加量を減らし、配合を表1のようにした以外は実施例1と同様にした。
2,2’−ジチオジエタノールの添加量を増やし、配合を表1のようにした以外は実施例1と同様にした。
エポキシ樹脂として以下のものを用いた以外は実施例1と同様にした。
エポキシ樹脂2:ビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、商品名YX−4000、エポキシ当量190、融点105℃)。
フェノール樹脂として以下のものを用いた以外は実施例1と同様にした。
フェノール樹脂2: フェノールアラルキル樹脂(三井化学(株)製、商品名XLC−LL、水酸基当量165、軟化点79℃)。
ジチオアルコール化合物(D)を除き、配合を表1のようにした以外は実施例1と同様にした。
ジチオアルコール化合物(D)の代わりに、ジスルフィドシラン(日本ユニカ−株式会社製:A1289)を用いた以外は実施例1と同様にした。
ジチオアルコール化合物(D)の代わりに、ジチオグリコール酸(和光純薬(株)社製)を用いた以外は実施例1と同様にした。
低圧トランスファー成形機(第一精工(株)製、GP−ELF)を用いて、成形温度175℃、圧力8.3MPa、硬化時間120秒の条件でエポキシ樹脂組成物によりシリコンチップ等を封止成形して、80ピンQFP(Quad Flat Package、Cu製Ni−Pd−Auメッキフレーム、パッケージサイズ:14mm×20mm×2mm厚、チップサイズ6.0mm×6.0mm×0.35mm厚)を作製し、アフターベークとして175℃、8時間加熱処理した。その後、60℃、相対湿度60%で120時間の加湿処理を行った後、260℃のIRリフロー処理をした。パッケージ内部の剥離とクラックを超音波探傷機(日立建機ファインテック株式会社製、mi−scope hyper II)で確認し、剥離、クラックのいずれか一方でもあったものを不良とした。評価した10個のパッケージ中の不良パッケージ数を示す。
低圧トランスファー成形機(第一精工(株)製、GP−ELF)を用いて、成形温度175℃、圧力8.3MPa、硬化時間120秒の条件でエポキシ樹脂組成物によりシリコンチップ等を封止成形して、80ピンQFP(Quad Flat Package、Cu製Ni−Pd−Auメッキフレーム、パッケージサイズ:14mm×20mm×2mm厚、チップサイズ6.0mm×6.0mm×0.35mm厚)を作製し、アフターベークとして175℃、8時間加熱処理した。その後、85℃、相対湿度60%で168時間の加湿処理を行った後、260℃のIRリフロー処理をした。パッケージ内部の剥離とクラックを超音波探傷機(日立建機ファインテック株式会社製、mi−scope hyper II)で確認し、剥離、クラックのいずれか一方でもあったものを不良とした。評価した10個のパッケージ中の不良パッケージ数を示す。
特に実施例1および2は、より厳しい条件下での耐半田性にも優れていた。
2 ダイボンド材硬化体
3 ダイパッド
4 金線
5 リードフレーム
6 封止用樹脂組成物の硬化体
Claims (7)
- 前記(D)ジチオアルコール化合物が、2,2’−ジチオジエタノール、3,3’−ジチオジプロパノールおよびそれらの誘導体の中から選ばれる1種以上のジチオアルコール化合物である請求項1に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記(D)ジチオアルコール化合物の含有量は、前記エポキシ樹脂組成物全体の0.01重量%以上、1重量%以下である請求項1または2に記載のエポキシ樹脂組成物。
- さらに(E)硬化促進剤を含むものである請求項1ないし3のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
- 請求項1ないし6のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子が封止されていることを特徴とする半導体装置。
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