JP5206007B2 - パワーモジュール構造 - Google Patents
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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Description
a.前記ヒートプレートの外郭線と前記パワーモジュール基板の外郭線との離間
寸法を、前記パワーモジュール基板の厚さ寸法に対して、小さく設定する構成
b.前記パワーモジュール基板の板厚に対して、前記ヒートプレートの板厚を薄
く形成する構成
c.前記導電性部材の板厚に対して、前記ヒートプレートの板厚を薄く形成する
構成
d.前記ヒートプレートの当該板厚方向にスリット部を形成する構成
e.前記ヒートプレートを複数の分割ヒートプレートにより構成すると共に、互
いに隣接する分割ヒートプレートの間に隙間部を形成する構成
f.前記成形樹脂層における前記ヒートプレートの外郭線より外側端部側を切欠
くことによって隙間部を形成する構成
g.前記ヒートプレートの外郭線から該外郭線が対向する前記成形樹脂層の端面
との間に、樹脂非封止層部を形成する構成
ことを特徴とするものである。
<第1の実施例>(図1)・・・ヒートプレート5の外郭線5aおよびパワーモ
ジュール基板1の外郭線1aとの離間寸法L1を、
パワーモジュール基板1の厚さ寸法t1に対して、
小さく設定する点
<第2の実施例>(図2)・・・リードフレーム3における成形樹脂層6により
封止された他端部3aの端面3a−1は、ヒート
プレート5の外郭線5aに対してL2分内側に存し
ている点
<第3の実施例>(図3)・・・パワーモジュール基板1又はリードフレーム2、
3の板厚に対して、ヒートプレート5の板厚L3を
薄く形成した点
<第4の実施例>(図4)・・・リードフレーム3における成形樹脂層6により
封止された他端部3aの端面3a−1が、ヒート
プレート5の外郭線5aに対して内側に存してい
る点
<第5の実施例>(図5、図6)・・・ヒートプレート5の当該板厚方向にスリ
ット部5cを形成している点
<第6の実施例>(図7)・・・ヒートプレート5が、長手方向および短手方向
に向かって複数個に分割構成される例えば多角形
の分割ヒートプレート52により構成すると共に
、分割ヒートプレート52は互いに隣接する間に
は、ヒートプレート5の短手方向及び長手方向に
格子状に交叉する隙間部52aが形成されて、パ
ワーモジュール基板1側に接合配設されている点
<第7の実施例>(図8)・・・ヒートプレート5が、長手方向および短手方向
に向かって複数個に分割構成される例えば多角形
(図示するものは矩形状を呈している)の分割ヒ
ートプレート52により構成すると共に、分割ヒ
ートプレート52が互いに隣接する間には、ヒー
トプレート5の短手方向及び長手方向に格子状に
交叉する隙間部52aが形成されて、パワーモジ
ュール基板1側に接合配設されている点
<第8の実施例>(図9)・・・図7に示す多角形の分割ヒートプレート51或
いは図8に示す多角形の分割ヒートプレート52
のコーナー部にR面からなる面取り部53を形成
する点
<第9の実施例>(図10)・・・図7に示す多角形の分割ヒートプレート51
或いは図8に示す多角形の分割ヒートプレート
52のコーナー部にC面からなる面取り部53
を形成する点
<第10の実施例>(図11)・・・成形樹脂層6におけるヒートプレート5の
外郭線5aより外側端部側を切欠くことによ
って、切欠き部10を形成する点
<第11の実施例>(図12)・・・ヒートプレート5の外郭線5aから該外郭
線5aが対向する成形樹脂層6の端面との間
に、樹脂非封止層部11を形成する点
1a 外郭線
2、3 リードフレーム(導電性部材)
4 パワー半導体素子
5 ヒートプレート
5a 外郭線
5b 切欠き段部
5c スリット部
51、52 分割ヒートプレート
53 隙間部
6 成形樹脂層
10 切欠き部
11 樹脂非封止層部
Claims (12)
- 絶縁板からなるパワーモジュール基板と、該パワーモジュール基板の一方の面上に一対の導電性部材に挟着接合した状態で実装されるパワー半導体素子と、一面側が前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設される金属板製のヒートプレートと、前記両導電性部材の一端部及び前記ヒートプレートの他面側をそれぞれ外部に表出させた状態で、前記パワーモジュール基板、前記パワー半導体素子、前記両導電性部材の他端部側及び前記ヒートプレートを共に成形樹脂層により封止して構成するパワーモジュール構造であって、
前記ヒートプレートの外郭線を前記パワーモジュール基板の外郭線の内側に存するように、前記ヒートプレートを前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設し、且つ、前記ヒートプレートの外郭線と前記パワーモジュール基板の外郭線との離間寸法を、前記パワーモジュール基板の厚さ寸法に対して、小さく設定したことを特徴とするパワーモジュール構造。 - 絶縁板からなるパワーモジュール基板と、該パワーモジュール基板の一方の面上に一対の導電性部材に挟着接合した状態で実装されるパワー半導体素子と、一面側が前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設される金属板製のヒートプレートと、前記両導電性部材の一端部及び前記ヒートプレートの他面側をそれぞれ外部に表出させた状態で、前記パワーモジュール基板、前記パワー半導体素子、前記両導電性部材の他端部側及び前記ヒートプレートを共に成形樹脂層により封止して構成するパワーモジュール構造であって、
前記ヒートプレートの外郭線を前記パワーモジュール基板の外郭線の内側に存するように、前記ヒートプレートを前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設し、且つ、前記パワーモジュール基板の板厚に対して、前記ヒートプレートの板厚を薄く形成したことを特徴とするパワーモジュール構造。 - 絶縁板からなるパワーモジュール基板と、該パワーモジュール基板の一方の面上に一対の導電性部材に挟着接合した状態で実装されるパワー半導体素子と、一面側が前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設される金属板製のヒートプレートと、前記両導電性部材の一端部及び前記ヒートプレートの他面側をそれぞれ外部に表出させた状態で、前記パワーモジュール基板、前記パワー半導体素子、前記両導電性部材の他端部側及び前記ヒートプレートを共に成形樹脂層により封止して構成するパワーモジュール構造であって、
前記ヒートプレートの外郭線を前記パワーモジュール基板の外郭線の内側に存するように、前記ヒートプレートを前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設し、且つ、前記両導電性部材の板厚に対して、前記ヒートプレートの板厚を薄く形成したことを特徴とするパワーモジュール構造。 - 前記ヒートプレートの外部表出面側端部に切欠き段部を形成したことを特徴とする請求項1乃至3の何れか一に記載のパワーモジュール構造。
- 絶縁板からなるパワーモジュール基板と、該パワーモジュール基板の一方の面上に一対の導電性部材に挟着接合した状態で実装されるパワー半導体素子と、一面側が前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設される金属板製のヒートプレートと、前記両導電性部材の一端部及び前記ヒートプレートの他面側をそれぞれ外部に表出させた状態で、前記パワーモジュール基板、前記パワー半導体素子、前記両導電性部材の他端部側及び前記ヒートプレートを共に成形樹脂層により封止して構成するパワーモジュール構造であって、
前記ヒートプレートの外郭線を前記パワーモジュール基板の外郭線の内側に存するように、前記ヒートプレートを前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設し、且つ、前記ヒートプレートの当該板厚方向にスリット部を形成したことを特徴とするパワーモジュール構造。 - 絶縁板からなるパワーモジュール基板と、該パワーモジュール基板の一方の面上に一対の導電性部材に挟着接合した状態で実装されるパワー半導体素子と、一面側が前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設される金属板製のヒートプレートと、前記両導電性部材の一端部及び前記ヒートプレートの他面側をそれぞれ外部に表出させた状態で、前記パワーモジュール基板、前記パワー半導体素子、前記両導電性部材の他端部側及び前記ヒートプレートを共に成形樹脂層により封止して構成するパワーモジュール構造であって、
前記ヒートプレートの外郭線を前記パワーモジュール基板の外郭線の内側に存するように、前記ヒートプレートを前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設し、且つ、前記ヒートプレートを複数の分割ヒートプレートにより構成すると共に、互いに隣接する分割ヒートプレートの間に隙間部を形成したことを特徴とするパワーモジュール構造。 - 前記各分割ヒートプレートは、多角形から構成すると共に、前記各分割ヒートプレートのコーナー部に面取り部を形成したことを特徴とする請求項6に記載のパワーモジュール構造。
- 絶縁板からなるパワーモジュール基板と、該パワーモジュール基板の一方の面上に一対の導電性部材に挟着接合した状態で実装されるパワー半導体素子と、一面側が前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設される金属板製のヒートプレートと、前記両導電性部材の一端部及び前記ヒートプレートの他面側をそれぞれ外部に表出させた状態で、前記パワーモジュール基板、前記パワー半導体素子、前記両導電性部材の他端部側及び前記ヒートプレートを共に成形樹脂層により封止して構成するパワーモジュール構造であって、
前記ヒートプレートの外郭線を前記パワーモジュール基板の外郭線の内側に存するように、前記ヒートプレートを前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設し、且つ、前記成形樹脂層における前記ヒートプレートの外郭線より外側端部側を切欠くことによって隙間部を形成したことを特徴とするパワーモジュール構造。 - 絶縁板からなるパワーモジュール基板と、該パワーモジュール基板の一方の面上に一対の導電性部材に挟着接合した状態で実装されるパワー半導体素子と、一面側が前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設される金属板製のヒートプレートと、前記両導電性部材の一端部及び前記ヒートプレートの他面側をそれぞれ外部に表出させた状態で、前記パワーモジュール基板、前記パワー半導体素子、前記両導電性部材の他端部側及び前記ヒートプレートを共に成形樹脂層により封止して構成するパワーモジュール構造であって、
前記ヒートプレートの外郭線を前記パワーモジュール基板の外郭線の内側に存するように、前記ヒートプレートを前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設し、且つ、前記ヒートプレートの外郭線から該外郭線が対向する前記成形樹脂層の端面との間に、樹脂非封止層部を形成したことを特徴とするパワーモジュール構造。 - 前記ヒートプレートの外郭線と前記パワーモジュール基板の外郭線との離間寸法を、前記パワーモジュール基板の厚さ寸法に対して、小さく設定したことを特徴とする請求項2乃至請求項9の何れか一に記載のパワーモジュール構造。
- 請求項1乃至請求項10の何れか一に記載のパワーモジュール構造において、前記両導電性部材における前記成形樹脂層により封止された他端部の端面が、前記ヒートプレートの外郭線に対して内側に存するように構成したことを特徴とするパワーモジュール構造。
- 絶縁板からなるパワーモジュール基板と、該パワーモジュール基板の一方の面上に一対の導電性部材に挟着接合した状態で実装されるパワー半導体素子と、一面側が前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設される金属板製のヒートプレートと、前記両導電性部材の一端部及び前記ヒートプレートの他面側をそれぞれ外部に表出させた状態で、前記パワーモジュール基板、前記パワー半導体素子、前記両導電性部材の他端部側及び前記ヒートプレートを共に成形樹脂層により封止して構成するパワーモジュール構造であって、
前記ヒートプレートの外郭線を前記パワーモジュール基板の外郭線の内側に存するように、前記ヒートプレートを前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設し、
且つ、次に記載の構成要件a乃至gのうち少なくとも1つの構成要件を備えた、
a.前記ヒートプレートの外郭線と前記パワーモジュール基板の外郭線との離間
寸法を、前記パワーモジュール基板の厚さ寸法に対して、小さく設定する構成
b.前記パワーモジュール基板の板厚に対して、前記ヒートプレートの板厚を薄
く形成する構成
c.前記両導電性部材の板厚に対して、前記ヒートプレートの板厚を薄く形成する
構成
d.前記ヒートプレートの当該板厚方向にスリット部を形成する構成
e.前記ヒートプレートを複数の分割ヒートプレートにより構成すると共に、互
いに隣接する分割ヒートプレートの間に隙間部を形成する構成
f.前記成形樹脂層における前記ヒートプレートの外郭線より外側端部側を切欠
くことによって隙間部を形成する構成
g.前記ヒートプレートの外郭線から該外郭線が対向する前記成形樹脂層の端面
との間に、樹脂非封止層部を形成する構成
ことを特徴とするパワーモジュール構造。
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JP2008034647A JP5206007B2 (ja) | 2008-02-15 | 2008-02-15 | パワーモジュール構造 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008034647A JP5206007B2 (ja) | 2008-02-15 | 2008-02-15 | パワーモジュール構造 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008034647A Active JP5206007B2 (ja) | 2008-02-15 | 2008-02-15 | パワーモジュール構造 |
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