JP5196212B2 - 薄膜デバイスの製造方法 - Google Patents
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また、前述のとおり、上述した被転写層は、剥離層上に形成される下地絶縁膜を含む。この場合の下地絶縁膜としては、例えば酸化シリコン膜が好ましい。下地絶縁膜を設けることにより、薄膜素子を保護する機能が得られる。また、この下地絶縁膜として酸化シリコン膜を用いた場合には、薄膜素子の界面での準位が少なく、完全空乏型デバイスで良好な特性が得られる。
また、前述のとおり、下地絶縁膜は、その膜厚が拡散防止層の膜厚より薄い。拡散防止層が存在するので、薄膜素子の形成時における第1基板からの不純物の拡散を抑制する役割を下地絶縁膜が果たす必要がないからである。具体的には、下地絶縁膜の膜厚は、50nm以上300nm以下であることが好ましい。下地絶縁膜が50nm以上であれば膜がほぼつながるので、薄膜素子を保持する機能が得られる。また、下地絶縁膜が300nm以下であれば、第2基板へ転写した後の薄膜素子に付加される下地絶縁膜が薄いので、薄膜素子の耐久性を向上させることができる。
Claims (9)
- 第1基板の一方面に拡散防止層を形成する第1工程と、
前記拡散防止層上に剥離層を形成する第2工程と、
前記剥離層上に、薄膜素子を含む被転写層を形成する第3工程と、
前記被転写層と第2基板とを接合する第4工程と、
前記第1基板と前記被転写層とを分離し、当該被転写層を前記第2基板上へ移動させる第5工程と、
前記第2基板上の前記被転写層と第3基板との間に接着剤を介在させることによって、前記被転写層と前記第3基板とを接合する第6工程と、
前記第6工程後に行われる後工程と、
を含み、
前記被転写層は前記剥離層上に形成される下地絶縁膜を含み、該下地絶縁膜は前記拡散防止層よりも薄く、
前記拡散防止層の厚さは、200nm以上1000nm以下であり、
前記下地絶縁膜の厚さは、50nm以上300nm以下であり、
前記第3工程の温度は450℃以上500℃以下であり、前記後工程の最高温度は300℃以下である、
薄膜デバイスの製造方法。 - 前記第1基板及び前記拡散防止層は、透光性を有する、請求項1に記載の薄膜デバイスの製造方法。
- 前記拡散防止層は、酸化シリコン膜を含む、請求項1に記載の薄膜デバイスの製造方法。
- 前記拡散防止層は、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層膜を含む、請求項1に記載の薄膜デバイスの製造方法。
- 前記酸化シリコン膜は、前記第1基板上に形成され、
前記窒化シリコン膜は、前記酸化シリコン膜上に形成される、請求項4に記載の薄膜デバイスの製造方法。 - 前記酸化シリコン膜は、第1酸化シリコン膜と第2酸化シリコン膜を含み、
前記第1酸化シリコン膜は、前記第1基板上に形成され、
前記窒化シリコン膜は、前記第1酸化シリコン膜上に形成され、
前記第2酸化シリコン膜は、前記窒化シリコン膜上に形成される、請求項4に記載の薄膜デバイスの製造方法。 - 前記剥離層は、アモルファスシリコン膜を含む、請求項1に記載の薄膜デバイスの製造方法。
- 前記下地絶縁膜は、酸化シリコン膜を含む、請求項1に記載の薄膜デバイスの製造方法。
- 前記第5工程は、前記第1基板を介して前記剥離層にレーザを照射し、前記剥離層と前記第1基板との界面又は当該剥離層内に剥離を生じさせることにより、前記第1基板と前記被転写層とを分離する、請求項1に記載の薄膜デバイスの製造方法。
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