JP5195966B2 - GaN基板の研磨方法 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係るGaN基板の研磨方法に好適に用いられる研磨装置の一例を示す概略斜視図である。図1に示される研磨装置100は、テーブル113上に配置された定盤101と、定盤101の表面101a上に載置された研磨ジグ10とを備える。研磨装置100では、定盤101と研磨ジグ10との間にGaN基板を配置して、定盤101及び研磨ジグ10を回転させることによりGaN基板の研磨を行う。GaN基板は、例えばLEDやLD等のデバイスに好適に用いられる。
本実施形態に係るGaN基板の研磨方法は、上述の研磨装置100を用いて好適に実施される。
必要に応じて、図6に示されるように、定盤101の平坦度(TTV:TotalThickness Variation)が10μm以下となるように定盤101の表面101aを切削加工するとしてもよい。この定盤101を用いれば、例えば2インチφのGaN基板1を好適に研磨することができる。定盤101の表面101aの形状は、GaN基板1の表面1aに転写される。また、定盤101の中心点Oから外周までの部分(半径部分)の平坦度が5μm以下となるように切削加工することが更に好ましい。特に、平均粒径が小さい研磨材を用いて研磨を行う場合には、定盤101の平坦度を小さくすることが好ましい。
必要に応じて、図7(a)に示されるように、研磨材21(第3の研磨材)を定盤101に埋め込むとしてもよい。具体的には、例えば、研磨材21と潤滑剤(図示せず)とを含む研磨液(図示せず)を定盤101の表面101a上に供給しながら、GaN基板1が貼り付けられていない研磨ジグ10(図2及び図3参照)及び定盤101を回転させる。本実施形態において、研磨材21は、後述のように、第2の研磨工程における研磨材29を形成するためのものである。
研磨液の滴下量:5cc/min
ドライブリング15の回転速度:60rpm
おもり13の荷重:1.96×104Pa(200g/cm2)
チャージング時間:60min以上
図7(a)に示されるように、研磨材23(第1の研磨材)と潤滑剤25(第1の潤滑剤)とを含む研磨液27を定盤101の表面101a上に供給しながら、定盤101及び研磨液27を用いてGaN基板1を研磨する。研磨の際には、定盤101及び研磨ジグ10を回転させることが好ましい。研磨液27は、滴下装置105の滴下ノズル105aから定盤101の表面101a上に滴下されることが好ましい。第1の研磨工程において、GaN基板1は、図8(a)に示されるように研磨材21,23によって研磨される。また、GaN基板1と定盤101との間には、潤滑剤25が充填されている。
GaN基板1:直径(φ)50.8mm、厚さ400μmのGaN単結晶基板
研磨液27の滴下量:5cc/min
研磨材23の最大粒径:1μm以下
定盤101の直径(φ):450mm
定盤101の構成材料:錫
ドライブリング15の回転速度:30rpm
ドライブリング15の揺動速度:10回/min
揺動ストローク:30mm
おもり13の荷重:1.96×104Pa(200g/cm2)
研磨時間:60min
必要に応じて、定盤101上の異物を除去することにより定盤101の表面101aを洗浄するとしてもよい。このような異物としては、例えば、第1の研磨工程後におけるGaN基板1の研削屑や遊離砥粒等が挙げられる。洗浄する際には、埃や屑が発生しないワイパーと超純水とを用いることが好ましい。しかしながら、このワイパーを用いて洗浄しても遊離砥粒が定盤101の表面101a上に残存する場合がある。この場合、遊離砥粒を定盤101に埋め込むために、定盤101を回転させながら、GaN基板1が貼り付けられていない研磨ジグ10を定盤101上で回転させてもよい。第1の研磨工程における研磨時間が短時間である場合や研磨液27に含まれる研磨材23の濃度が薄い場合には、クリーニング工程を省略するとしてもよい。
図7(b)に示されるように、研磨材29(第2の研磨材)が埋め込まれた定盤101に潤滑剤31(第2の潤滑剤)を供給しながら、研磨材29が埋め込まれた定盤101を用いてGaN基板1を研磨する。研磨の際には、定盤101及び研磨ジグ10を回転させることが好ましい。第2の研磨工程において、GaN基板1は、図8(b)に示されるように、研磨材29によって研磨される。GaN基板1と定盤101との間には、潤滑剤31が充填されている。
潤滑剤31の滴下量:5cc/min
定盤101の周速度v:28m/min
おもり13の荷重:1.96×104Pa(200g/cm2)
研磨時間:60min
Claims (1)
- 第1の研磨材と第1の潤滑剤とを含む研磨液を第1の定盤上に供給しながら、前記第1の定盤及び前記研磨液を用いてGaN基板を研磨する第1の研磨工程と、
前記第1の研磨工程の後、第2の研磨材が埋め込まれた第2の定盤上に第2の潤滑剤を供給しながら、前記第2の研磨材が埋め込まれた前記第2の定盤を用いて前記GaN基板を研磨する第2の研磨工程と、
を含み、
前記第1の定盤の構成材料及び前記第2の定盤の構成材料は、錫を95質量%以上含有する合金であり、かつ、アンチモン又はビスマスを含有する、GaN基板の研磨方法。
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