JP5185406B2 - スパッタリングターゲット、それを用いた相変化光記録媒体用界面層膜とその製造方法、および相変化光記録媒体 - Google Patents
スパッタリングターゲット、それを用いた相変化光記録媒体用界面層膜とその製造方法、および相変化光記録媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5185406B2 JP5185406B2 JP2011055596A JP2011055596A JP5185406B2 JP 5185406 B2 JP5185406 B2 JP 5185406B2 JP 2011055596 A JP2011055596 A JP 2011055596A JP 2011055596 A JP2011055596 A JP 2011055596A JP 5185406 B2 JP5185406 B2 JP 5185406B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- phase change
- optical recording
- change optical
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
一般式:M(O1-xNx)z
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、xおよびzは0.1≦x≦0.5、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
で表される組成を有し、かつ不純物としてのFe、NiおよびCoの合計含有量が1000ppm以下であることを特徴としている。
一般式:M(O 1-x N x ) z
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、xおよびzは0.1≦x≦0.5、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
で表される組成を有することを特徴としている。
一般式:M(O 1-x N x ) z
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、xおよびzは0.1≦x≦0.5、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
で表される組成を有する界面層膜を形成する工程を具備することを特徴としている。
前記界面層は、
一般式:M(O 1-x N x ) z
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、xおよびzは0.1≦x≦0.5、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
で表される組成を有することを特徴としている。
一般式:M(O1-xNx)z …(1)
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、xおよびzは0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
で表される組成を有する酸窒化物ターゲットであり、相変化光記録媒体の界面層膜の形成に好適に使用されるものである。
一般式:(M1-aCra)(O1-xNx)z …(2)
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、a、xおよびzは0.1≦a≦0.5、0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
で表される組成を有する酸窒化物ターゲットであり、第1の実施形態と同様に、相変化光記録媒体の界面層膜の形成に好適に使用されるものである。
以下とすることがより好ましい。なお、Crを適用する際のM元素は、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。
一般式:M(O1-xNx)z …(1)
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、xおよびzは0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
または
一般式:(M1-aCra)(O1-xNx)z …(2)
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、a、xおよびzは0.1≦a≦0.5、0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
で表される組成を有する。
まず、純度99%以上、平均粒子径2μmのTiO2粉末、TiO粉末、ZrO2粉末、HfO2粉末、TiN粉末、ZrN粉末、HfN粉末を用意した。さらに、純度99%以上、平均粒子径10μmのTi、Zr、Hfの各金属粉末を用意した。これら各粉末を表1に示す各組成比を満足するように調合した後、樹脂製のボールミル容器にアルミナボールと共に投入して24時間混合した。
上記した実施例1において、各原料粉末の調合組成や純度等を変更する以外は、実施例1と同様にしてスパッタリングターゲットを作製した。なお、比較例6ではGeNを用いた。これら各スパッタリングターゲットについても後述する特性評価に供した。
まず、純度99%以上、平均粒子径50μmのZrO2粉末、HfO2粉末、Cr2O3粉末、ZrN粉末、HfN粉末、CrN粉末を用意した。さらに、純度99%以上、平均粒子径30μmのZr、Hf、Crの各金属粉末を用意した。これら各粉末を表3に示す各組成比を満足するように調合した後、樹脂製のボールミル容器にアルミナボールと共に投入して24時間混合した。
上記した実施例10において、各原料粉末の調合組成や純度等を変更する以外は、実施例10と同様にしてスパッタリングターゲットを作製した。なお、比較例13ではGeNを用いた。これら各スパッタリングターゲットについても特性評価に供した。
Claims (5)
- 相変化光記録媒体における界面層膜としての金属酸窒化膜の形成に用いられるスパッタリングターゲットであって、
一般式:M(O1-xNx)z
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、xおよびzは0.1≦x≦0.5、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
で表される組成を有し、かつ不純物としてのFe、NiおよびCoの合計含有量が1000ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項1記載のスパッタリングターゲットにおいて、
純度が95%以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項1または請求項2記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜してなる相変化光記録媒体用界面層膜であって、
一般式:M(O 1-x N x ) z
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、xおよびzは0.1≦x≦0.5、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
で表される組成を有することを特徴とする相変化光記録媒体用界面層膜。 - 請求項1または請求項2記載のスパッタリングターゲットを用いて、不活性ガス雰囲気、または酸素および窒素の少なくとも一方を含む不活性ガス雰囲気中で、前記M元素の酸窒化膜をスパッタ成膜し、
一般式:M(O 1-x N x ) z
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、xおよびzは0.1≦x≦0.5、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
で表される組成を有する界面層膜を形成する工程を具備することを特徴とする相変化光記録媒体用界面層膜の製造方法。 - 光照射により可逆的に記録・消去がなされる相変化光記録層と、
前記相変化光記録層の少なくとも一方の面に沿って配置された界面層であって、請求項1または請求項2記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜してなる金属酸窒化膜からなる界面層とを具備し、
前記界面層は、
一般式:M(O 1-x N x ) z
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、xおよびzは0.1≦x≦0.5、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
で表される組成を有することを特徴とする相変化光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011055596A JP5185406B2 (ja) | 2011-03-14 | 2011-03-14 | スパッタリングターゲット、それを用いた相変化光記録媒体用界面層膜とその製造方法、および相変化光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011055596A JP5185406B2 (ja) | 2011-03-14 | 2011-03-14 | スパッタリングターゲット、それを用いた相変化光記録媒体用界面層膜とその製造方法、および相変化光記録媒体 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006065558A Division JP4817895B2 (ja) | 2006-03-10 | 2006-03-10 | スパッタリングターゲット、それを用いた相変化光記録媒体用界面層膜とその製造方法、および相変化光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011134438A JP2011134438A (ja) | 2011-07-07 |
JP5185406B2 true JP5185406B2 (ja) | 2013-04-17 |
Family
ID=44346982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011055596A Active JP5185406B2 (ja) | 2011-03-14 | 2011-03-14 | スパッタリングターゲット、それを用いた相変化光記録媒体用界面層膜とその製造方法、および相変化光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5185406B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104034072B (zh) * | 2013-03-08 | 2016-04-27 | 中国建筑材料科学研究总院 | 太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法以及应用 |
CN104034073B (zh) * | 2013-03-08 | 2017-07-14 | 中国建筑材料科学研究总院 | 咖啡色太阳能光谱选择性吸收涂层及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05179435A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-20 | Tosoh Corp | チタンスパッタリングターゲット |
JPH05279846A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-26 | Sony Corp | スパッタ用ターゲット及びスパッタTiON膜成膜方法 |
JP2000222777A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録媒体 |
JP4064905B2 (ja) * | 2003-10-29 | 2008-03-19 | 株式会社東芝 | 相変化光記録媒体 |
-
2011
- 2011-03-14 JP JP2011055596A patent/JP5185406B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011134438A (ja) | 2011-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100753328B1 (ko) | 스퍼터링 타겟트, 광 정보기록 매체용 박막 및 그 제조방법 | |
JP4871062B2 (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに追記型光記録媒体 | |
JP4533815B2 (ja) | スパッタリングターゲットとそれを用いた光学薄膜の製造方法 | |
TWI424074B (zh) | Ti-Nb-based sintered body sputtering target, Ti-Nb-based oxide thin film, and method for producing the same | |
TWI471435B (zh) | A thin film made of titanium oxide as a main component, a sintered body sputtering target suitable for producing a film mainly composed of titanium oxide, and a method for producing a thin film containing titanium oxide as a main component | |
JP4260801B2 (ja) | 光情報記録媒体用薄膜の製造方法 | |
JP5100846B2 (ja) | 情報記録媒体とその製造方法、およびスパッタリングターゲット | |
JP4542995B2 (ja) | 相変化記録媒体 | |
JP4793773B2 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP5185406B2 (ja) | スパッタリングターゲット、それを用いた相変化光記録媒体用界面層膜とその製造方法、および相変化光記録媒体 | |
JP4817895B2 (ja) | スパッタリングターゲット、それを用いた相変化光記録媒体用界面層膜とその製造方法、および相変化光記録媒体 | |
JP4714051B2 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法、金属酸窒化膜の製造方法、および相変化光記録媒体の製造方法 | |
JP2008071424A (ja) | スパッタリングターゲット、それを用いた相変化光記録媒体用界面層膜とその製造方法、および相変化光記録媒体 | |
TW201431823A (zh) | 導電性氧化物燒結體及使用該導電性氧化物之低折射率膜 | |
JP4817137B2 (ja) | スパッタリングターゲット及び光記録媒体 | |
JP4745319B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
JP4279533B2 (ja) | スパッタリングターゲット及び光記録媒体 | |
JP4023432B2 (ja) | 相変化型光記録媒体、その製造方法及びそれに用いる保護層形成用スパッタリングターゲット | |
JP4735734B2 (ja) | 光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、ならびに、光メディア、およびその製造方法 | |
JP5847308B2 (ja) | 酸化亜鉛系焼結体、該焼結体からなる酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及び該ターゲットをスパッタリングして得られた酸化亜鉛系薄膜 | |
KR100826454B1 (ko) | 스퍼터링 타겟트와 광 정보기록매체 및 그 제조방법 | |
KR100799073B1 (ko) | 스퍼터링 타겟트와 광 정보기록매체 및 그 제조방법 | |
JP2008217858A (ja) | 相変化記録媒体およびこの媒体を用いる情報記録再生装置 | |
JP2005174402A (ja) | 相変化型光記録媒体の保護層、および保護層の製造方法 | |
JP2007238986A (ja) | スパッタリングターゲット及び光記録媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110315 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120416 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121225 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5185406 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125 Year of fee payment: 3 |