JP5183981B2 - 液晶ポリマー材料からなる物品の表面改質方法および表面被覆方法 - Google Patents
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Description
2)4−ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/4,4’−ジヒドロキシビフェニル共重合体
3)4−ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/イソフタル酸/4,4’−ジヒドロキシビフェニル共重合体
4)4−ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/イソフタル酸/4,4’−ジヒドロキシビフェニル/ハイドロキノン共重合体
5)4−ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/ハイドロキノン共重合体
6)2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸/テレフタル酸/ハイドロキノン共重合体
7)4−ヒドロキシ安息香酸/2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸/テレフタル酸/4,4’−ジヒドロキシビフェニル共重合体
8)2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸/テレフタル酸/4,4’−ジヒドロキシビフェニル共重合体
9)4−ヒドロキシ安息香酸/2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸/テレフタル酸/ハイドロキノン共重合体
10)4−ヒドロキシ安息香酸/2,6−ナフタレンジカルボン酸/4,4’−ジヒドロキシビフェニル共重合体
11)4−ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/2,6−ナフタレンジカルボン酸/ハイドロキノン共重合体
12)4−ヒドロキシ安息香酸/2,6−ナフタレンジカルボン酸/ハイドロキノン共重合体
13)4−ヒドロキシ安息香酸/2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸/2,6−ナフタレンジカルボン酸/ハイドロキノン共重合体
14)4−ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/2,6−ナフタレンジカルボン酸/ハイドロキノン/4,4’−ジヒドロキシビフェニル共重合体
15)4−ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/4−アミノフェノール共重合体
16)2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸/テレフタル酸/4−アミノフェノール共重合体
17)4−ヒドロキシ安息香酸/2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸/テレフタル酸/4−アミノフェノール共重合体
18)4−ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/4,4’−ジヒドロキシビフェニル /4−アミノフェノール共重合体
19)4−ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/エチレングリコール共重合体
20)4−ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/4,4’−ジヒドロキシビフェニル/エチレングリコール共重合体
21)4−ヒドロキシ安息香酸/2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸/テレフタル酸/エチレングリコール共重合体
22)4−ヒドロキシ安息香酸/2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸/テレフタル酸/4,4’−ジヒドロキシビフェニル/エチレングリコール共重合体。
まず、本発明に用いる液晶ポリマー材料の必須成分である液晶ポリマーの製造方法について説明する。
〔結晶融解温度測定方法〕
示差走査熱量計としてセイコーインスツルメンツ株式会社製Exstar600を用いる。
試料を、室温から20℃/分の昇温条件で測定した際に観察される吸熱ピーク温度(Tm1)の測定語、Tm1より20〜50℃高い温度で10分間保持する。ついで、20℃/分の降温条件で室温まで試料を冷却し、さらに、再度20℃/分の昇温条件で測定した際の吸熱ピークを観測し、そのピークトップを示す温度を結晶融解温度(Tm)とする。
ここで、高級脂肪酸とは炭素原子数10〜25のものをいう。
また、イオン照射における加速電圧は50〜1000Vの範囲内で試料表面のダメージ、改質効果等を勘案して適宜選択すればよい。
真空蒸着とは、高真空下のチャンバ内で導体物質を高温に加熱し蒸発させ、絶縁基板表面上に、導体薄膜層を生成させる方法である。
イオンプレーティングとは、絶縁基板を陰極、導体物質の蒸発源を陽極として、真空中あるいはガス雰囲気中で放電を起こすことにより導体物質の蒸発原子をイオン化して、絶縁基板上に導体薄膜層を形成する方法である。
無電解めっきとは、化学的な還元によって、絶縁基板上に均一な厚さの導体を析出させることにより導体薄膜層を形成する方法である。
電解めっきとは、適当な電解質溶液中で金属などの導電物質の試料を電解し、試料表面上に薄く付着した金属層を作る方法である。
セミアディテイブ法は、絶縁基板上に形成された導体薄膜層の上に、めっきレジストパターンを形成し、めっきにより露出した導体薄膜層上に導体層を形成し、さらにめっきレジストパターンを除去した後、エッチングを行い、めっきレジストパターンにて被覆されていた部分の導体薄膜層を除去し、配線パターンを形成する方法である。
サブトラクティブ法は、絶縁基板上に形成された導体層上に、レジスト層を形成し、フォトリソグラフィーによってパターニングした後、エッチングによって導体層をパターニングするものである。
〔試験片作成〕
液晶ポリマー(上野製薬株式会社製、UENO−LCP 6040GM)を鏡面加工された金型を用いて射出成形し、55×90×0.8mmの試験片を作製した。
試験片をアセトンにより洗浄し脱脂した後、ECR装置のチャンバー内にセットし、チャンバー内を真空状態にした。表1に示した条件で、ECR装置により、アルゴンガスまたは水蒸気のプラズマを発生させ、それぞれの陽イオンを試験片表面に照射した。
銅膜の形成はスパッタリング法により行った。銅スパッタリングは、ECR装置によりプラズマを発生させ、真空下の銅ターゲット材にイオンを照射し、イオンの衝突によりターゲット材から銅をはじき飛ばし、はじき飛ばされた銅により、試験片上に銅薄膜を形成させて行い、銅薄膜厚みを0.3μmとした。なお、銅膜を形成する際には試験片へのイオン照射後に大気圧にもどすことなく、連続して銅スパッタリングを行った。
試験片上に形成された銅薄膜上に、変成シリコーン樹脂系接着剤で1cm幅×5cm長さのフィルムを貼り付けた。接着剤が完全に硬化した後、その帯状のフィルムを90度方向に引き剥がし、その際に要した荷重を測定した。結果を表1に示す。
液晶ポリマーフィルム(クラレ株式会社製、ベクスターOC−X100)を用いること以外は、実施例1〜2および参考例1〜2と同じ方法で、表1のイオン照射条件で、実験、評価を行った。結果を表1に示す。
イオン照射を行わない以外は、実施例1〜3および参考例1〜3と同じ方法で実験、評価を行った。結果を表1に示す。
イオン照射の変わりに大気圧酸素プラズマ処理をした以外は、実施例1〜3および参考例1〜3と同じ方法で、実験、評価を行った。
Claims (17)
- 液晶ポリマー材料からなる物品の表面に水蒸気をイオン化させたイオンを照射することを含む、液晶ポリマー材料からなる物品の表面改質方法。
- イオン照射後の物品の表面における水接触角が35度以下である、請求項1に記載の表面改質方法。
- イオン照射後の物品の表面における水接触角が25度以下である、請求項1または2に記載の表面改質方法。
- イオンが、ECR型プラズマ装置により照射されたイオンである、請求項1〜3の何れかに記載の表面改質方法。
- 液晶ポリマー材料からなる物品の形状が、フィルムまたはシート状である、請求項1〜4の何れかに記載の表面改質方法。
- 請求項1〜5の何れかに記載の表面改質方法により得られる、表面改質された液晶ポリマー材料からなる物品。
- 液晶ポリマーが、4−オキシベンゾイル繰返し単位および/または6−オキシ−2−ナフトイル繰返し単位を含む、請求項6に記載の表面改質された液晶ポリマー材料からなる物品。
- 液晶ポリマー材料が、繊維状、板状、および粉状の充填材から選択される一種以上の充填材を含む、請求項6または7に記載の表面改質された液晶ポリマー材料からなる物品。
- 充填材が、ガラス繊維、ミルドガラス、シリカアルミナ繊維、アルミナ繊維、炭素繊維、アラミド繊維、チタン酸カリウムウイスカ、ホウ酸アルミニウムウイスカ、およびウォラストナイトからなる群より選択される1種以上の繊維状の充填材、ならびに、タルク、マイカ、グラファイト、炭酸カルシウム、ドロマイト、クレイ、ガラスフレーク、ガラスビーズ、硫酸バリウム、および酸化チタンからなる群より選択される1種以上の板状または粉状の充填材からなる群から選択される、請求項8に記載の表面改質された液晶ポリマー材料からなる物品。
- 充填材がガラス繊維である、請求項9に記載の表面改質された液晶ポリマー材料からなる物品。
- 請求項1〜5のいずれかの方法により、液晶ポリマー材料からなる物品の表面を改質する工程、および、
表面改質された液晶ポリマー材料からなる物品の表面の一部または全部に導体薄膜を形成する工程、
を含む、液晶ポリマー材料からなる物品の表面被覆方法。 - 導体薄膜を形成する工程を、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティング、無電解めっき、および電解めっきからなる群から選択される方法により行う、請求項11に記載の表面被覆方法。
- 導体薄膜を形成する工程をスパッタリングにより行う、請求項12に記載の表面被覆方法。
- 導体が、銅、ニッケル、金、アルミニウム、チタン、モリブデン、クロム、タングステン、鉛、亜鉛、およびスズから選択される金属の単体、ならびにこれらの合金からなる群から選択される、請求項11〜13の何れかに記載の表面被覆方法。
- 導体が銅の単体である、請求項14に記載の表面被覆方法。
- 請求項11〜15の何れかに記載の表面被覆方法により得られる、導体薄膜により被覆された液晶ポリマー材料からなる物品。
- 請求項11〜15の何れかに記載の表面被覆方法により得られる、MID、プリント配線板、フレキシブルプリント基板、TABテープ、またはCOFテープ。
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