JP4608342B2 - 低誘電正接を有する樹脂成形品およびその製造方法 - Google Patents
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(a):2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸に基づく構造単位と、2,6−ナフタレンジカルボン酸に基づく構造単位、又は2,6−ナフタレンジカルボン酸及びテレフタル酸の混合物に基づく構造単位と、4,4’−ジヒドロキシビフェニルに基づく構造単位との組み合わせ
(b):上記組み合わせ(a)において、4,4’−ジヒドロキシビフェニルに基づく構造単位の一部または全部をハイドロキノンに基づく構造単位に置き換えることによって得られる組み合わせ
(c):上記組み合わせ(a)において、4,4’−ジヒドロキシビフェニルに基づく構造単位の一部または全部を2,6−ジヒドロキシナフタレンに基づく構造単位に置き換えることによって得られる組み合わせ
(d):上記組み合わせ(a)において、2,6−ナフタレンジカルボン酸に基づく構造単位の一部または全部をイソフタル酸に基づく構造単位に置き換えることによって得られる組み合わせ
(e):上記組み合わせ(a)において、2,6−ナフタレンジカルボン酸に基づく構造単位の一部または全部をテレフタル酸及びイソフタル酸の混合物に基づく構造単位に置き換えることによって得られる組み合わせ
(f):上記組み合わせ(a)において、2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸に基づく構造単位の一部または全部をパラヒドロキシ安息香酸に基づく構造単位に置き換えることによって得られる組み合わせ。
p−ヒドロキシ安息香酸を911g(6.6モル)、4,4’−ジヒドロキシビフェニルを409g(2.2モル)、テレフタル酸を274g(1.65モル)、イソフタル酸を91g(0.55モル)及び無水酢酸を1235g(12.1モル)、さらに1−メチルイミダゾールを0.17g、攪拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に入れ、反応器内を十分に窒素ガスで置換した。次いで、窒素ガス気流下で15分かけて150℃まで昇温し、150℃で3時間還流させた。
2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸を752.72g(4.00モル)、ハイドロキノンを220.22g(2.00モル)、2,6−ナフタレンジカルボン酸を432.38g(2.00モル)、無水酢酸を986.19(9.2モル)を攪拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に入れ、さらに触媒として1−メチルイミダゾール0.143gを添加した。得られた混合物を室温で15分間攪拌した後、攪拌しながら145℃に昇温した。この温度で、得られた混合物を1時間さらに攪拌した。
液晶性ポリエステル”S1”100質量部に、エポキシ基含有エチレン共重合体”BF−E”10質量部、および無機フィラーとしてチタン酸バリウム粉末”NPO−S”100質量部を混合して樹脂組成物を調製した。2軸押出機(池貝鉄工(株)「PCM−30」)を使用し、340℃でこの樹脂組成物のペレットを作製した。得られたペレットを日精樹脂工業(株)製射出成形機「PS40E5ASE」を用いて、シリンダー温度350℃、金型温度130℃で射出成形し、40mm×30mm×厚さ1mmの樹脂基板を得た。
実施例2〜4の各々においては、表1に示すように、異なる量のエポキシ基含有エチレン共重合体”BF−E”を用いたことを除いて、実施例1と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
エポキシ基含有エチレン共重合体を使用しなかったことと、熱処理を行なわなかったことを除いて、実施例1と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
熱処理を行なわなかったことを除いて、実施例1と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
エポキシ基含有エチレン共重合体”BF−E”の添加量が24質量部であることと、熱処理を行なわなかったことを除いて、実施例1と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
液晶性ポリエステル”S1”100質量部に、エポキシ基含有エチレン共重合体”BF−E”15質量部、ミルドガラス繊維”MGF”67質量部を混合して樹脂組成物を調製したことを除いて、実施例1と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
実施例6〜8の各々において、表2に示すように、エポキシ基含有エチレン共重合体”BF−E”とは異なるエポキシ基含有エチレン共重合体を使用したことを除いて、実施例5と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
液晶性ポリエステル”S2”100質量部に、エポキシ基含有エチレン共重合体”BF−E”10質量部、さらにチタン酸ストロンチウム粉末”ST−1”200質量部を混合して樹脂組成物を調製したことを除いて、実施例1と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
液晶性ポリエステル”S1”100質量部に、エポキシ基含有エチレン共重合体”BF−E”10質量部、さらにチタン酸ストロンチウム粉末”ST−1”200質量部を混合して樹脂組成物を調製したことを除いて、実施例1と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
熱処理を行なわなかったことを除いて、実施例9と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
熱処理を行なわなかったことを除いて、実施例10と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
実施例11〜14の各々においては、67質量部のミルドガラス繊維(MGF)“EFH-7501”をチタン酸バリウム粉末“NPO-S”の代わりに無機フィラーとして使用したことと、表4に示す条件で樹脂基板に熱処理を施したことを除いて、実施例1と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
熱処理を行なわなかったことを除いて、実施例11と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
エポキシ基含有エチレン共重合体を使用しなかったことと、熱処理を行なわなかったことを除いて、実施例11と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
エポキシ基含有エチレン共重合体を使用しなかったことと、表4に示す条件で樹脂基板に熱処理を施したことを除いて、実施例11と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
Claims (9)
- 液晶性ポリエステルおよびエポキシ基含有エチレン共重合体を含む樹脂組成物を射出成形により成型して得られた立体回路基板用の成型品に、残留酸素濃度が1%以下の条件下、不活性ガス雰囲気中で、前記液晶性ポリエステルの流動開始温度より120℃低い下限温度と前記流動開始温度より20℃低い上限温度の間の温度で熱処理を施すことによって得られ、熱処理なしに前記樹脂組成物から得られる樹脂成形品より小さい誘電正接を有することを特徴とする樹脂成形品。
- 上記樹脂成形品の誘電正接は、熱処理なしに前記樹脂組成物から得られる樹脂成形品の誘電正接の90%もしくはそれ以下であることを特徴とする請求項1に記載の樹脂成形品。
- 上記エポキシ基含有エチレン共重合体の含有量は、液晶性ポリエステル100質量部に対して0.1〜25質量部であることを特徴とする請求項1又は2に記載の樹脂成形品。
- 上記エポキシ基含有エチレン共重合体は、分子中に、エチレン単位を80〜95質量%、不飽和カルボン酸グリシジルエステル単位と不飽和グリシジルエーテル単位の少なくとも一方を5〜15質量%含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の樹脂成形品。
- 上記液晶性ポリエステルは、2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸に由来する繰り返し単位を30〜80mol%、芳香族ジオールに由来する繰り返し単位を10〜35mol%、および芳香族ジカルボン酸に由来する繰り返し単位を10〜35mol%含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の樹脂成形品。
- 回路パターンに形成された金属被膜を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の樹脂成形品。
- 液晶性ポリエステルおよびエポキシ基含有エチレン共重合体を含む樹脂組成物を射出成形により成型し、得られた立体回路基板用の成型品に、残留酸素濃度が1%以下の条件下、不活性ガス雰囲気中で、液晶性ポリエステルの流動開始温度より120℃低い下限温度と前記流動開始温度より20℃低い上限温度の間の温度で熱処理を施し、熱処理なしに前記樹脂組成物から得られる樹脂成形品より小さい誘電正接を有する樹脂成形品を得ることを特徴とする樹脂成形品の製造方法。
- 上記液晶性ポリエステルは、芳香族ジオールと芳香族ヒドロキシカルボン酸の少なくとも一種のフェノール性水酸基を脂肪酸無水物でアシル化することにより得られるアシル化物と、芳香族ジカルボン酸と芳香族ヒドロキシカルボンの少なくとも1種とのエステル交換/重縮合反応により調製されることを特徴とする請求項7に記載の樹脂成形品の製造方法。
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