JP5183516B2 - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5183516B2 JP5183516B2 JP2009022572A JP2009022572A JP5183516B2 JP 5183516 B2 JP5183516 B2 JP 5183516B2 JP 2009022572 A JP2009022572 A JP 2009022572A JP 2009022572 A JP2009022572 A JP 2009022572A JP 5183516 B2 JP5183516 B2 JP 5183516B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thickness
- nitride
- layer
- aln
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 145
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 205
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 952
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 111
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 102
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 description 71
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 44
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 29
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 29
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 22
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 22
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- -1 Al element Chemical class 0.000 description 1
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 1
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 1
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 1
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0287—Facet reflectivity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
- H01S5/2009—Confining in the direction perpendicular to the layer structure by using electron barrier layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3054—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping
- H01S5/3063—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping using Mg
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
まず、図1および図2を参照して、本発明の第1実施形態による窒化物系半導体レーザ素子1000の構造について説明する。
図3を参照して、この第1実施形態の第1変形例では、上記第1実施形態と異なり、第1変質防止層40に接触するように約95nmの厚みを有するSiO2膜52が形成されている。なお、SiO2膜52は、本発明の「第2酸化膜」および「第2絶縁膜」の一例である。
図4を参照して、この第2実施形態では、上記第1実施形態で用いたAl2O3膜42のかわりに、酸窒化膜であるAlOXNY膜44を用いるとともに、第1変質防止層40とAl2O3膜51との間に酸窒化膜であるAlOXNY膜45を用いた場合について説明する。なお、AlOXNY膜44は、本発明の「第1酸窒化膜」および「第1中間膜」の一例である。また、AlOXNY膜45は、本発明の「第3酸窒化膜」および「第2中間膜」の一例である。なお、以降の説明では、AlOXNY膜44およびAlOXNY膜45を、それぞれ、AlON膜44およびAlON膜45として記載する。
図5を参照して、この第3実施形態では、上記第1実施形態と異なり、光反射面2側に、窒化膜および酸化膜が多層化された誘電体多層膜である第2変質防止層160が形成される場合について説明する。なお、第2変質防止層160は、本発明の「第3絶縁膜」の一例である。
図6を参照して、この第4実施形態では、上記第1実施形態と異なり、窒化物系半導体レーザ素子4000を構成する第1変質防止層340が、2つの窒化膜とこの2つの窒化膜に挟まれる酸化膜および酸窒化膜とから形成されるとともに、第2変質防止層260が、窒化膜、酸窒化膜および酸化膜が順次積層された構成を備える場合について説明する。
図7および図8を参照して、本発明の第5実施形態による窒化物系半導体レーザ素子5000の構造について説明する。この第5実施形態では、上記第1実施形態と異なり、発振波長λが約365nmである紫外光半導体レーザを用いている。
2、102 光反射面(第2共振器端面)
20 半導体素子層
21 n型層(半導体素子層)
22 n型クラッド層(半導体素子層)
23 n型キャリアブロック層(半導体素子層)
24 n型光ガイド層(半導体素子層)
25 活性層(半導体素子層、発光層)
26 p型光ガイド層(半導体素子層)
27 p型キャップ層(半導体素子層)
28 p型クラッド層(半導体素子層)
29 p型コンタクト層(半導体素子層)
40、240、340、440 第1変質防止層(第1絶縁膜)
41 AlN膜(第1窒化膜)
42、82 Al2O3膜(第1酸化膜、第1中間膜)
43 AlN膜(第2窒化膜)
44、81、83 AlON膜(第1酸窒化膜、第1中間膜)
45 AlON膜(第3酸窒化膜、第2中間膜)
51 Al2O3膜(第2酸化膜、第2絶縁膜)
52 SiO2膜(第2酸化膜、第2絶縁膜)
60、160、260、360 第2変質防止層(第3絶縁膜)
61 AlN膜(第3窒化膜)
62 Al2O3膜(第4酸化膜、第3中間膜)
63 SiO2膜
64、164 多層反射膜
73 AlN膜(第4窒化膜)
84 AlON膜
85 Al2O3膜
142 HfO2膜(第1酸化膜、第1中間膜)
151 HfO2膜(第2酸化膜、第2絶縁膜)
162 HfO2膜(第4酸化膜、第3中間膜)
Claims (8)
- 発光層を有する半導体素子層と、
前記半導体素子層の前記発光層を含む領域の光出射側の端部に形成された第1共振器端面と、
前記第1共振器端面上に、前記第1共振器端面側から第1窒化膜と、第1酸化膜および第1酸窒化膜の少なくとも一方を含む第1中間膜と、第2窒化膜とがこの順に形成された第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成され、第2酸化膜および第2酸窒化膜の少なくとも一方を含む第2絶縁膜とを備え、
前記発光層が発するレーザ光の波長がλであり、前記第1窒化膜の屈折率、前記第1中間膜の平均屈折率および前記第2窒化膜の屈折率が、それぞれ、n1、n2およびn3である場合に、前記第1窒化膜の厚みt1、前記第1中間膜の厚みt2および前記第2窒化膜の厚みt3は、それぞれ、t1<λ/(4×n1)、t2<λ/(4×n2)およびt3<λ/(4×n3)になるように設定されている、半導体レーザ素子。 - 前記第1窒化膜は、前記半導体素子層と接する、請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- 前記第1窒化膜および前記第2窒化膜の少なくとも一方と、前記第1中間膜とは、同じ金属元素を含む、請求項1または2に記載の半導体レーザ素子。
- 前記第1窒化膜および前記第2窒化膜は、それぞれ、AlおよびSiの少なくとも一方を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
- 前記第1酸化膜は、Al、Si、Zr、Ta、HfおよびNbからなるグループより選択される少なくとも1つの元素を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
- 前記第1酸窒化膜は、AlおよびSiの少なくとも一方を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
- 前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜との間に第3酸化膜および第3酸窒化膜の少なくとも一方を含む第2中間膜がさらに形成されている、請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
- 前記半導体素子層の前記発光層を含む領域の光反射側の端部に形成された第2共振器端面と、
前記第2共振器端面上に、前記第2共振器端面側から第3窒化膜と、第4酸化膜および第4酸窒化膜の少なくとも一方を含む第3中間膜と、第4窒化膜とがこの順に形成された第3絶縁膜をさらに備える、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009022572A JP5183516B2 (ja) | 2008-02-15 | 2009-02-03 | 半導体レーザ素子 |
PCT/JP2009/052128 WO2009101911A1 (ja) | 2008-02-15 | 2009-02-09 | 半導体レーザ素子 |
US12/594,098 US8077753B2 (en) | 2008-02-15 | 2009-02-09 | Semiconductor laser device |
CN2009801011778A CN101884148B (zh) | 2008-02-15 | 2009-02-09 | 半导体激光元件 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008034248 | 2008-02-15 | ||
JP2008034248 | 2008-02-15 | ||
JP2009022572A JP5183516B2 (ja) | 2008-02-15 | 2009-02-03 | 半導体レーザ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009218578A JP2009218578A (ja) | 2009-09-24 |
JP5183516B2 true JP5183516B2 (ja) | 2013-04-17 |
Family
ID=40956942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009022572A Active JP5183516B2 (ja) | 2008-02-15 | 2009-02-03 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8077753B2 (ja) |
JP (1) | JP5183516B2 (ja) |
CN (1) | CN101884148B (ja) |
WO (1) | WO2009101911A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5183516B2 (ja) | 2008-02-15 | 2013-04-17 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ素子 |
JP2012084753A (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ素子及び光装置 |
JP2018006396A (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-11 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ素子および半導体レーザ装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4814538B2 (ja) * | 2004-03-15 | 2011-11-16 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
US7356060B2 (en) | 2004-03-15 | 2008-04-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method for fabricating the same |
JP4451371B2 (ja) | 2004-12-20 | 2010-04-14 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP2006351966A (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Sony Corp | 多波長半導体レーザ素子 |
JP4946243B2 (ja) | 2005-07-29 | 2012-06-06 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ素子、及びそれを用いた光ピックアップ装置、光学式情報再生装置 |
CN100449888C (zh) | 2005-07-29 | 2009-01-07 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体激光元件 |
JP2007103814A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2007109737A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Toshiba Corp | 窒化物半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP5004597B2 (ja) * | 2006-03-06 | 2012-08-22 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP5430826B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2014-03-05 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP4689502B2 (ja) | 2006-03-10 | 2011-05-25 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP4946524B2 (ja) * | 2007-03-08 | 2012-06-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP5183516B2 (ja) | 2008-02-15 | 2013-04-17 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ素子 |
-
2009
- 2009-02-03 JP JP2009022572A patent/JP5183516B2/ja active Active
- 2009-02-09 CN CN2009801011778A patent/CN101884148B/zh active Active
- 2009-02-09 WO PCT/JP2009/052128 patent/WO2009101911A1/ja active Application Filing
- 2009-02-09 US US12/594,098 patent/US8077753B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009101911A1 (ja) | 2009-08-20 |
JP2009218578A (ja) | 2009-09-24 |
CN101884148A (zh) | 2010-11-10 |
CN101884148B (zh) | 2012-09-05 |
US8077753B2 (en) | 2011-12-13 |
US20100118908A1 (en) | 2010-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5285835B2 (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
US20090086778A1 (en) | Nitride based semiconductor laser device | |
KR20080103943A (ko) | 질화물반도체 발광 소자 및 질화물반도체 레이저 소자의 제조 방법 | |
JP5127644B2 (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子 | |
JP2008300547A (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
US20090086783A1 (en) | Nitride based semiconductor laser device | |
JP2010153810A (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子および光ピックアップ装置 | |
JP2007095758A (ja) | 半導体レーザ | |
JP2006228826A (ja) | 半導体レーザ | |
JP5183516B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
US20130070801A1 (en) | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same | |
JP2013074002A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP5127642B2 (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子 | |
JP2010135516A (ja) | 窒化物半導体発光装置 | |
JP2010258296A (ja) | 窒化物系半導体光素子およびその製造方法 | |
JP4799339B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP2000216476A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2005166881A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
JP5004642B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2012227239A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2010278335A (ja) | 半導体レーザ素子及びこれを用いた光ピックアップ装置 | |
JP2009176812A (ja) | 半導体レーザ | |
JPWO2008111477A1 (ja) | 窒化物半導体レーザ | |
JP2013251428A (ja) | 半導体レーザ素子及びこれを備えた半導体レーザ装置、半導体レーザ素子の製造方法 | |
JP2005327907A (ja) | 半導体レーザ素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100302 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111020 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120127 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130115 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5183516 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |