JP5183091B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
前記画素電極は前記絶縁膜に形成されたスルーホールを通して前記パッド部に電気的に接続され、
前記パッド部は、前記スルーホールの前記パッド部側の開口端の周囲の一部を交差させて形成される切り欠きあるいは孔を備え、
前記パッド部の下層の半導体層は、前記パッド部の切り欠きあるいは孔の形成領域および前記パッド部の外方へはみ出して形成され、
前記スルーホールの前記絶縁膜の表面における開口端の周囲に、前記パッド部に形成された切り欠きあるいは孔による凹陥部が反映された段差が形成されていることを特徴とする。
図2は、本発明による表示装置を液晶表示装置を例に挙げて示したもので、該液晶表示装置の一実施例を示した概略平面図である。
図1は、前記液晶表示パネルPNLの基板SUB1側において、マトリックス状に配置された各画素のうちの一つの画素の一実施例を示した平面図である。これにより、図1に示す当該画素に対し上下および左右のそれぞれに配置される各画素は、当該画素と同様の構成となっている。
図5ないし図7は、上述した液晶表示装置の製造方法の一実施例を、薄膜トランジスタTFTの部分において示した工程図である。図5ないし図7に示す各工程図は、その左側において図1のV−V線に相当する個所の断面を、左側において図1のVIII−VIII線に相当する個所の断面を示している。本実施例はいわゆるレジストリフロー方法と称される選択エッチングにより薄膜トランジスタTFTを形成するもので、以下、工程順に説明する。
上述した実施例では、薄膜トランジスタTFTのソース電極STのパッド部PDに形成される切り欠き部CTMは、該パッド部PDの中心に指向して対向配置された一対のものとして形成したものである。しかし、この切り欠き部CTMは3個以上のものとして形成してもよく、また、図8(a)に示すように、1個であってもよい。それぞれ効果の差はあるが同様の効果を奏することができるからである。
Claims (7)
- 基板上に、少なくとも、半導体層、薄膜トランジスタのソース電極に接続されたパッド部、絶縁膜、画素電極が順次積層され、
前記画素電極は前記絶縁膜に形成されたスルーホールを通して前記パッド部に電気的に接続され、
前記パッド部は、前記スルーホールの前記パッド部側の開口端の周囲の一部を交差させて形成される切り欠きあるいは孔を備え、
前記パッド部の下層の半導体層は、前記パッド部の切り欠きあるいは孔の形成領域および前記パッド部の外方へはみ出して形成され、
前記スルーホールの前記絶縁膜の表面における開口端の周囲に、前記パッド部に形成された切り欠きあるいは孔による凹陥部が反映された段差が形成されている
ことを特徴とする表示装置。 - 前記半導体層は、前記パッド部のパターン化の際に用いたフォトレジスト膜をリフローさせて得られる変形フォトレジスト膜をマスクとしたエッチングによりパターン化されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記パッド部に形成された切り欠きは、前記スルーホールの前記パッド部側の開口端の周囲の異なる各部分を交差させて形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記パッド部に形成された孔は、前記スルーホールの前記パッド部側の開口端の周囲の異なる各部分を交差させて形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記孔は弓状の形状をなすことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記孔は十字状の形状をなすことを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
- 前記表示装置は液晶表示装置からなり、前記基板の前記画素電極が形成された液晶側の面に配向膜が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
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