JP5176051B2 - プラズマ発生装置およびダイヤモンド生成方法 - Google Patents
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Description
2.反応容器
3.気体導入口
4.気体排出口
5.第1気体供給装置
6.第2気体供給装置
7.第3気体供給装置
10.マイクロ波導入装置
11.電極
12.空洞共振器
17.液体金属導入口
21.基板取付け部
Claims (4)
- 反応容器と、反応容器にアルゴンガスを供給する第1気体供給装置と、炭化水素を含む気体を供給する第2気体供給装置と、水素を供給するための第3気体供給装置と、反応容器に1GHz以上の周波数のマイクロ波を導入するマイクロ波導入装置を有し、マイクロ波導入装置は同軸線路である電極を有し、電極は電極本体部と電極本体部の周辺を覆う絶縁体を有し、電極先端のみでプラズマを発生させるようになし、800〜1013hPaの圧力でアルゴンガスのみを用いてプラズマを発生させそのプラズマを維持したまま炭化水素と水素をプラズマに導入するようになしたプラズマ発生装置。
- 電極本体部は銅を材料としており、電極先端において電極本体部にアルミニウムのキャップが設けられている請求項1に記載のプラズマ発生装置。
- 電極本体部が中空状である請求項1または請求項2に記載のプラズマ発生装置。
- 反応容器に基板を設置し、反応容器にアルゴンガスを供給し、周辺を絶縁体で覆われた電極本体部を有する同軸線路である電極により反応容器へ1GHz以上の周波数のマイクロ波を導入し、800〜1013hPaの圧力でアルゴンガスのみを用いて電極先端のみにプラズマを発生させ、発生したプラズマを維持しながら反応容器に炭化水素と水素を含む気体を供給し、基板上にダイヤモンド生成するダイヤモンド生成方法。
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