JP5172317B2 - Information storage device using domain wall motion and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、情報記憶装置に係り、さらに詳細には、磁壁移動を利用した情報記憶装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an information storage device, and more particularly to an information storage device using domain wall motion and a manufacturing method thereof.

不揮発性データ記憶装置は、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）及び不揮発性ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などがある。一般的なＨＤＤは、ディスク状の磁気記録媒体を回転させつつ、その上に読み取り／書き込みヘッドを浮上させて情報を読み取り／書き込みする装置である。このようなＨＤＤは、１００ＧＢ以上の多くのデータを記憶できる不揮発性情報記憶装置であって、主にコンピュータの主記憶装置として利用されてきた。   Non-volatile data storage devices include HDD (Hard Disk Drive) and non-volatile RAM (Random Access Memory). A general HDD is a device that reads / writes information by rotating a disk-shaped magnetic recording medium and floating a read / write head thereon. Such an HDD is a non-volatile information storage device capable of storing a large amount of data of 100 GB or more, and has been mainly used as a main storage device of a computer.

しかし、ＨＤＤは、その内部に多数の動く機械システムを含む。これらは、ＨＤＤが移動するか、または衝撃を受ければ、多様な機械的な故障を誘発し、したがって、ＨＤＤの移動性及び信頼性を低下させる。また、前記機械システムは、ＨＤＤの製造を複雑にし、かつ製造コストを上昇させ、消費電力を増加させ、ノイズを誘発する。特に、ＨＤＤを小型化するとき、前記製造複雑性と製造コストの上昇問題は、さらに大きくなる。   However, the HDD contains a number of moving mechanical systems within it. These induce various mechanical failures if the HDD moves or is impacted, thus reducing the mobility and reliability of the HDD. In addition, the mechanical system complicates the manufacturing of the HDD, increases the manufacturing cost, increases the power consumption, and induces noise. In particular, when the HDD is miniaturized, the problem of increase in manufacturing complexity and manufacturing cost is further increased.

一方、不揮発性ＲＡＭとしては、現在広く使われているフラッシュメモリが代表的であるが、フラッシュメモリは、読み取り／書き込み動作速度が遅く、かつ寿命が短いという短所がある。このようなフラッシュメモリの短所を克服するために、ＦＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ＲＡＭ）、ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ ＲＡＭ）及びＰＲＡＭ（Ｐｈａｓｅ−ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）などのような新たなメモリが紹介され、こちらのうち一部は、限定的に製品化されている。しかし、フラッシュメモリ、ＦＲＡＭ、ＭＲＡＭ及びＰＲＡＭは、何れもそれぞれのメモリセルにスイッチング素子を含んでいるため、そのメモリセルの面積を減らしがたい。また、このようなメモリは、ＨＤＤに比べてデータ記憶容量が非常に少ない。   On the other hand, a flash memory that is currently widely used as a typical nonvolatile RAM is typical, but the flash memory has the disadvantages that the read / write operation speed is slow and the lifetime is short. In order to overcome such shortcomings of flash memory, new memories such as FRAM (Ferroelectric RAM), MRAM (Magnetic RAM), and PRAM (Phase-change RAM) have been introduced. Limited production. However, since flash memory, FRAM, MRAM, and PRAM all include a switching element in each memory cell, it is difficult to reduce the area of the memory cell. In addition, such a memory has a very small data storage capacity compared to an HDD.

これにより、最近では、前記のような従来の不揮発性情報記憶装置の問題点を克服するための方法として、動く機械システム及び多数のスイッチング素子を含まずに、ＨＤＤのように大量のデータを記憶できる新たな記憶装置の開発のための研究がなされている。前記新たな記憶装置の一例として、磁性物質の磁壁移動原理を利用した情報記憶装置が提案されている。   As a result, recently, as a method for overcoming the problems of the conventional nonvolatile information storage device as described above, a large amount of data is stored like an HDD without including a moving mechanical system and a large number of switching elements. Research is being conducted to develop new storage devices that can be used. As an example of the new storage device, an information storage device using the domain wall motion principle of a magnetic substance has been proposed.

以下では、まず磁性物質の磁区及び磁壁について説明した後、磁壁移動を利用した情報記憶装置について説明する。   In the following, first, the magnetic domains and domain walls of the magnetic material will be described, and then an information storage device using domain wall movement will be described.

磁性体を構成する磁気的な微小領域を磁気区域（以下、磁区という）という。このような磁区内では、磁気モーメントの方向が同一である。このような磁区のサイズ及び磁化方向は、磁性材料の物性、形、サイズ及び外部のエネルギーによって適切に制御される。   A magnetic minute region constituting the magnetic material is referred to as a magnetic region (hereinafter referred to as a magnetic domain). Within such a magnetic domain, the direction of the magnetic moment is the same. The size and the magnetization direction of such a magnetic domain are appropriately controlled by the physical properties, shape, size, and external energy of the magnetic material.

磁壁は、異なる磁化方向を有する磁区の境界部分であり、このような磁壁は、磁性材料に印加される電流または磁場によって移動する。すなわち、所定の幅及び厚さを有する磁性層内に特定磁化方向を有する多数の磁区を作り、適切な強度を有する電流または磁場を利用して、前記磁区及び磁壁を移動させうる。   A domain wall is a boundary between magnetic domains having different magnetization directions, and such a domain wall is moved by an electric current or a magnetic field applied to the magnetic material. That is, a plurality of magnetic domains having a specific magnetization direction can be formed in a magnetic layer having a predetermined width and thickness, and the magnetic domains and domain walls can be moved using a current or magnetic field having an appropriate strength.

前記磁壁の移動原理を情報記憶装置に適用すれば、読み取り／書き込みヘッド及び記録媒体の回転なしに読み取り／書き込みが可能である。このような磁壁移動原理が適用された情報記憶装置は、動く機械システムを含まずに、移動性及び信頼性に優れており、消費電力が低いという利点がある。   If the domain wall movement principle is applied to an information storage device, reading / writing is possible without rotation of the reading / writing head and the recording medium. An information storage device to which such a domain wall motion principle is applied does not include a moving mechanical system, has excellent mobility and reliability, and has an advantage of low power consumption.

しかし、磁壁移動を利用した情報記憶装置は、まだ開発初期段階であり、特に、大量のデータを記憶できる最適化された構造を有する磁壁移動を利用した情報記憶装置及びその製造方法は、具体化されていない。   However, the information storage device using the domain wall motion is still in the early development stage, and in particular, the information storage device using the domain wall motion having an optimized structure capable of storing a large amount of data and the manufacturing method thereof are embodied. It has not been.

本発明が解決しようとする技術的課題は、前記従来の問題点を改善するためのものであって、大量のデータを記憶できる構造を有し、動く機械システムを含まずに、移動性及び信頼性に優れた磁壁移動を利用した情報記憶装置を提供することである。   The technical problem to be solved by the present invention is to improve the above-mentioned conventional problems, which has a structure capable of storing a large amount of data, does not include a moving mechanical system, and has mobility and reliability. It is an object to provide an information storage device using domain wall motion having excellent properties.

本発明が解決しようとする他の技術的課題は、前記情報記憶装置の製造方法を提供することである。   Another technical problem to be solved by the present invention is to provide a method for manufacturing the information storage device.

前記課題を達成するために、本発明は、磁壁を有する書き込み用磁性層と、前記書き込み用磁性層上に形成されたものであって、連結用磁性層と情報記憶用磁性層とが順次に積層された積層構造物と、前記情報記憶用磁性層に記憶された情報を読み取るための読み取り手段と、を備えることを特徴とする磁壁移動を利用した情報記憶装置を提供する。   In order to achieve the above object, the present invention provides a write magnetic layer having a domain wall and a write magnetic layer formed on the write magnetic layer, wherein the coupling magnetic layer and the information storage magnetic layer are sequentially formed. An information storage device using domain wall motion is provided, comprising: a laminated structure that is laminated; and reading means for reading information stored in the information storage magnetic layer.

ここで、前記書き込み用磁性層及び前記情報記憶用磁性層は、バー形状でありうる。   Here, the write magnetic layer and the information storage magnetic layer may have a bar shape.

前記書き込み用磁性層は、前記情報記憶用磁性層と垂直または平行でありうる。   The magnetic layer for writing may be perpendicular or parallel to the magnetic layer for information storage.

前記積層構造物は、前記書き込み用磁性層に沿って複数形成される。   A plurality of the laminated structures are formed along the write magnetic layer.

前記積層構造物は、複数の前記連結用磁性層及び複数の前記情報記憶用磁性層を備え、前記連結用磁性層及び前記情報記憶用磁性層は、交互に積層される。   The laminated structure includes a plurality of coupling magnetic layers and a plurality of information storage magnetic layers, and the coupling magnetic layers and the information storage magnetic layers are alternately stacked.

前記積層構造物は、前記書き込み用磁性層と垂直した方向に複数形成される。   A plurality of the laminated structures are formed in a direction perpendicular to the write magnetic layer.

前記情報記憶用磁性層は、異なる長さを有しうる。前記情報記憶用磁性層のうち最上層の情報記憶用磁性層は、残りの情報記憶用磁性層より長い。前記情報記憶用磁性層の長さは、前記書き込み用磁性層方向に行くほど短くなりうる。   The information storage magnetic layers may have different lengths. Among the information storage magnetic layers, the uppermost information storage magnetic layer is longer than the remaining information storage magnetic layers. The length of the information storage magnetic layer can be shortened toward the write magnetic layer.

前記書き込み用磁性層の磁気異方性エネルギーは、２×１０３〜１０７Ｊ／ｍ３でありうる。 The magnetic anisotropy energy of the write magnetic layer may be 2 × 10 3 to 10 7 J / m 3 .

前記書き込み用磁性層は、ＣｏＰｔまたはＦｅＰｔで形成されるか、またはＣｏＰｔとＦｅＰｔとの合金で形成される。   The magnetic layer for writing is made of CoPt or FePt, or an alloy of CoPt and FePt.

前記連結用磁性層の磁気異方性エネルギーは、１０〜１０３Ｊ／ｍ３でありうる。 The magnetic anisotropy energy of the coupling magnetic layer may be 10 to 10 3 J / m 3 .

前記連結用磁性層は、Ｎｉ、Ｃｏ、ＮｉＣｏ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＣｒ及びこれらの合金のうち何れか一つで形成される。   The coupling magnetic layer is formed of any one of Ni, Co, NiCo, NiFe, CoFe, CoZrNb, CoZrCr, and alloys thereof.

前記情報記憶用磁性層の磁気異方性エネルギーは、２×１０３〜１０７Ｊ／ｍ３でありうる。 The magnetic anisotropy energy of the information storage magnetic layer may be 2 × 10 3 to 10 7 J / m 3 .

前記情報記憶用磁性層は、ＣｏＰｔまたはＦｅＰｔで形成されるか、またはＣｏＰｔとＦｅＰｔとの合金で形成される。   The information storage magnetic layer is made of CoPt or FePt, or an alloy of CoPt and FePt.

前記情報記憶用磁性層で前記連結用磁性層と接した第１領域の磁気異方性エネルギーは、前記情報記憶用磁性層で前記第１領域を除外した残りの領域の磁気異方性エネルギーより小さい。   The magnetic anisotropy energy of the first region in contact with the coupling magnetic layer in the information storage magnetic layer is greater than the magnetic anisotropy energy of the remaining region excluding the first region in the information storage magnetic layer. small.

前記情報記憶用磁性層で前記連結用磁性層と接した第１領域の磁気異方性エネルギー（Ｋ１）は、０≦Ｋ１＜１０７Ｊ／ｍ３であり、前記情報記憶用磁性層で前記第１領域を除外した残りの領域の磁気異方性エネルギー（Ｋ２）は、２×１０３≦Ｋ２≦１０７Ｊ／ｍ３でありうる。 The magnetic anisotropy energy (K1) of the first region in contact with the coupling magnetic layer in the information storage magnetic layer is 0 ≦ K1 <10 7 J / m 3. The magnetic anisotropy energy (K2) of the remaining region excluding the first region may be 2 × 10 3 ≦ K2 ≦ 10 7 J / m 3 .

前記第１領域は、不純物イオンがドーピングされた部分でありうる。   The first region may be a portion doped with impurity ions.

前記不純物イオンは、Ｈｅ＋及びＧａ＋のうち少なくとも何れか一つでありうる。 The impurity ions may be at least one of He + and Ga + .

前記読み取り手段は、前記書き込み用磁性層または前記情報記憶用磁性層に形成された磁気抵抗センサーでありうる。   The reading means may be a magnetoresistive sensor formed on the writing magnetic layer or the information storing magnetic layer.

前記書き込み用磁性層は、前記積層構造物の一端に備えられる。   The write magnetic layer is provided at one end of the multilayer structure.

前記書き込み用磁性層は、前記積層構造物の中央に備えられる。   The write magnetic layer is provided at the center of the multilayer structure.

前記他の技術的課題を達成するために、本発明は、磁壁移動を利用した情報記憶装置の製造方法において、基板上に書き込み用磁性層を形成する工程と、前記書き込み用磁性層を覆うように前記基板上に第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層をパターニングして前記書き込み用磁性層を露出させる第１開口部を形成する工程と、前記第１開口部内に第１連結用磁性層と第１情報記憶用磁性層とを順次に形成する工程と、を含むことを特徴とする情報記憶装置の製造方法を提供する。   In order to achieve the other technical problem, the present invention provides a method for forming a magnetic layer for writing on a substrate and a method for covering the magnetic layer for writing in a method for manufacturing an information storage device using domain wall motion. Forming a first insulating layer on the substrate; patterning the first insulating layer to form a first opening exposing the magnetic layer for writing; and a first in the first opening. And a step of sequentially forming a coupling magnetic layer and a first information storage magnetic layer. A method for manufacturing an information storage device is provided.

ここで、前記第１開口部は、第１溝及び前記第１溝上に前記第１溝より大きい第２溝を備えうる。   The first opening may include a second groove larger than the first groove on the first groove and the first groove.

前記第１開口部は、ナノインプリント方式で形成される。   The first opening is formed by a nanoimprint method.

前記第１連結用磁性層は、前記第１溝内に形成されうる。   The first coupling magnetic layer may be formed in the first groove.

前記第１情報記憶用磁性層は、前記第２溝内に形成されうる。   The first information storage magnetic layer may be formed in the second groove.

前記本発明の情報記憶装置の製造方法は、前記第１開口部内に第１連結用磁性層と第１情報記憶用磁性層とを形成する工程後、前記第１情報記憶用磁性層及び前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁層をパターニングして前記第１情報記憶用磁性層を露出させる第２開口部を形成する工程と、前記第２開口部内に第２連結用磁性層と第２情報記憶用磁性層とを順次に形成する工程と、をさらに含みうる。   In the method of manufacturing the information storage device of the present invention, after the step of forming the first coupling magnetic layer and the first information storage magnetic layer in the first opening, the first information storage magnetic layer and the first information storage magnetic layer are formed. Forming a second insulating layer on the one insulating layer, patterning the second insulating layer to form a second opening exposing the first information storage magnetic layer, and in the second opening And sequentially forming a second coupling magnetic layer and a second information storage magnetic layer.

前記第２連結用磁性層と第２情報記憶用磁性層とを形成する工程前、前記第２開口部によって露出された第１情報記憶用磁性層に不純物イオンをドーピングする工程をさらに行える。   Before the step of forming the second coupling magnetic layer and the second information storage magnetic layer, a step of doping impurity ions into the first information storage magnetic layer exposed by the second opening can be further performed.

前記不純物イオンは、Ｈｅ＋及びＧａ＋のうち少なくとも何れか一つでありうる。 The impurity ions may be at least one of He + and Ga + .

前記第２開口部は、第３溝及び前記第３溝上に前記第３溝より大きい第４溝を備えうる。   The second opening may include a fourth groove larger than the third groove on the third groove and the third groove.

前記第２開口部は、ナノインプリント方式で形成されうる。   The second opening may be formed by a nanoimprint method.

前記第２連結用磁性層は、前記第３溝内に形成されうる。   The second coupling magnetic layer may be formed in the third groove.

前記第３情報記憶用磁性層は、前記第４溝内に形成されうる。   The third information storage magnetic layer may be formed in the fourth groove.

本発明を利用すれば、動く機械システムを含まずに、移動性及び信頼性に優れ、大容量の情報を記憶できる磁壁移動を利用した情報記憶装置を比較的少ない数の工程で容易に具現化しうる。   By using the present invention, an information storage device using domain wall motion that does not include a moving mechanical system, has excellent mobility and reliability, and can store a large amount of information can be easily realized in a relatively small number of steps. sell.

以下、本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置及びその製造方法を、添付された図面を参照して詳細に説明する。この過程で、図面に示した層や領域の厚さは、明細書の明確性のために多少誇張して示してある。   Hereinafter, an information storage device using domain wall motion according to an embodiment of the present invention and a manufacturing method thereof will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this process, the thicknesses of the layers and regions shown in the drawings are exaggerated for the sake of clarity.

図１Ａ及び図１Ｂは、本発明の第１実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置（以下、本発明の第１情報記憶装置）を示す。図１Ａは、斜視図であり、図１Ｂは、側面図である。   1A and 1B show an information storage device using domain wall motion according to a first embodiment of the present invention (hereinafter referred to as a first information storage device of the present invention). FIG. 1A is a perspective view, and FIG. 1B is a side view.

図１Ａを参照すれば、磁壁移動特性を有する書き込み用磁性層１００及び書き込み用磁性層１００と交差して多層構造を有する多数の情報記憶用磁性層３００が形成されている。書き込み用磁性層１００と情報記憶用磁性層３００との間、及び情報記憶用磁性層３００同士の間に連結用磁性層２００が形成されている。そして、情報記憶用磁性層３００に記憶された情報を読み取るための磁気抵抗センサー４００が情報記憶用磁性層３００の所定領域上に形成されている。磁気抵抗センサー４００は、公知のＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）センサーまたはＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）センサーであり、情報記憶用磁性層３００の下部に形成されるか、または書き込み用磁性層１００の上部または下部に形成されることもある。
情報記憶用磁性層３００の長さは、下側に行くほど短くなることが望ましく、各情報記憶用磁性層３００の両端の下部には、駆動素子（図示せず）との電気的連結のための導電線（図示せず）が形成される。 Referring to FIG. 1A, a magnetic layer for writing 100 having domain wall motion characteristics and a plurality of magnetic layers for information storage 300 having a multilayer structure are formed so as to cross the magnetic layer for writing 100. A coupling magnetic layer 200 is formed between the write magnetic layer 100 and the information storage magnetic layer 300 and between the information storage magnetic layers 300. A magnetoresistive sensor 400 for reading information stored in the information storage magnetic layer 300 is formed on a predetermined region of the information storage magnetic layer 300. The magnetoresistive sensor 400 is a known TMR (Tunnel Magneto Resistance) sensor or GMR (Giant Magneto Resistance) sensor, and is formed below the information storage magnetic layer 300 or above or below the write magnetic layer 100. May be formed.
The length of the information storage magnetic layer 300 is desirably shorter toward the lower side, and the lower part of each end of each information storage magnetic layer 300 is electrically connected to a drive element (not shown). Conductive lines (not shown) are formed.

書き込み用磁性層１００は、ＣｏＰｔまたはＦｅＰｔで形成されるか、またはＣｏＰｔとＦｅＰｔとの合金で形成された強磁性層であり、その磁気異方性エネルギーは、２×１０３〜１０７Ｊ／ｍ３ほどでありうる。連結用磁性層２００は、Ｎｉ、Ｃｏ、ＮｉＣｏ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＣｒ及びそれらの合金のうち何れか一つで形成された軟磁性層であり、その磁気異方性エネルギーは、１０〜１０３Ｊ／ｍ３ほどでありうる。情報記憶用磁性層３００で連結用磁性層２００と接した第１領域Ａの磁気異方性エネルギーは、前記第１領域Ａを除外した残りの領域、すなわち第２領域Ｂの磁気異方性エネルギーより小さいことが望ましい。しかし、情報記憶用磁性層３００は、全領域で同じ磁気異方性エネルギーを有することもある。第１領域Ａの磁気異方性エネルギーＫ１は、０≦Ｋ１≦１０７Ｊ／ｍ３ほどであり、第２領域Ｂの磁気異方性エネルギーＫ２は、２×１０３≦Ｋ２≦１０７Ｊ／ｍ３ほどでありうる。このような情報記憶用磁性層３００は、ＣｏＰｔまたはＦｅＰｔで形成されるか、またはＣｏＰｔとＦｅＰｔとの合金で形成されるが、第１領域Ａは、Ｈｅ＋やＧａ＋のような不純物イオンがドーピングされた領域でありうる。前記不純物イオンがドーピングされることによって、第１領域Ａの磁気異方性エネルギーが第２領域Ｂのそれより低くなる。 The magnetic layer for writing 100 is a ferromagnetic layer formed of CoPt or FePt or an alloy of CoPt and FePt, and its magnetic anisotropy energy is 2 × 10 3 to 10 7 J / m 3 or so. The coupling magnetic layer 200 is a soft magnetic layer formed of any one of Ni, Co, NiCo, NiFe, CoFe, CoZrNb, CoZrCr, and alloys thereof, and the magnetic anisotropy energy thereof is 10 to 10. It can be as high as 10 3 J / m 3 . The magnetic anisotropy energy of the first region A in contact with the coupling magnetic layer 200 in the information storage magnetic layer 300 is the remaining region excluding the first region A, that is, the magnetic anisotropy energy of the second region B. It is desirable to be smaller. However, the information storage magnetic layer 300 may have the same magnetic anisotropy energy in the entire region. The magnetic anisotropy energy K1 of the first region A is about 0 ≦ K1 ≦ 10 7 J / m 3 , and the magnetic anisotropy energy K2 of the second region B is 2 × 10 3 ≦ K2 ≦ 10 7 J / M 3 . Such an information storage magnetic layer 300 is formed of CoPt or FePt, or an alloy of CoPt and FePt, but the first region A contains impurity ions such as He + and Ga +. It can be a doped region. By doping the impurity ions, the magnetic anisotropy energy of the first region A becomes lower than that of the second region B.

図１Ｂを参照すれば、書き込み用磁性層１００は、少なくとも二つの磁区及び少なくとも一つの磁壁を備える。図１Ｂには、書き込み用磁性層１００が第１ないし第３磁区Ｄ１〜Ｄ３と第１及び第２磁壁ＤＷ１，ＤＷ２とを有する場合が示されている。書き込み用磁性層１００内に第１ないし第３磁区Ｄ１〜Ｄ３を形成する方法は多様である。例えば、書き込み用磁性層１００となる強磁性層の中央部上に軟磁性層を形成した後、前記強磁性層と前記軟磁性層とに所定の外部磁場を印加すれば、前記軟磁性層と接した強磁性層は、その両側の強磁性層と異なる磁化方向を有しうる。これ以外にも、多様な方法で第１ないし第３磁区Ｄ１〜Ｄ３を形成しうきる。書き込み用磁性層１００の両端及び中央は、電流印加のための第１ないし第３導電線Ｃ１〜Ｃ３と連結されている。第１及び第２導電線Ｃ１，Ｃ２の間または第２及び第３導電線Ｃ２，Ｃ３の間に印加される電流によって、第１または第２磁壁ＤＷ１，ＤＷ２が移動する。例えば、第１導電線Ｃ１から第２導電線Ｃ２に電流を流せば、第１磁壁ＤＷ１は、第１導電線Ｃ１側に移動する。電流の方向と磁壁の移動方向とは、逆であるが、これは、磁壁が電子の移動方向に移動するためである。   Referring to FIG. 1B, the write magnetic layer 100 includes at least two magnetic domains and at least one domain wall. FIG. 1B shows a case where the write magnetic layer 100 has first to third magnetic domains D1 to D3 and first and second domain walls DW1 and DW2. There are various methods for forming the first to third magnetic domains D1 to D3 in the magnetic layer 100 for writing. For example, if a soft magnetic layer is formed on the central portion of the ferromagnetic layer to be the write magnetic layer 100 and then a predetermined external magnetic field is applied to the ferromagnetic layer and the soft magnetic layer, the soft magnetic layer The contacting ferromagnetic layer may have a different magnetization direction than the ferromagnetic layers on both sides thereof. In addition, the first to third magnetic domains D1 to D3 can be formed by various methods. Both ends and the center of the write magnetic layer 100 are connected to first to third conductive lines C1 to C3 for applying a current. The first or second domain wall DW1, DW2 is moved by a current applied between the first and second conductive lines C1, C2 or between the second and third conductive lines C2, C3. For example, when a current is passed from the first conductive line C1 to the second conductive line C2, the first domain wall DW1 moves to the first conductive line C1 side. The direction of the current and the direction of movement of the domain wall are opposite, but this is because the domain wall moves in the direction of movement of the electrons.

第１及び第２磁壁ＤＷ１，ＤＷ２の位置によって、連結用磁性層２００の磁化方向が変わりうる。言い換えれば、連結用磁性層２００の磁化方向は、連結用磁性層２００と接した書き込み用磁性層１００の磁化方向による。これは、連結用磁性層２００が磁化反転されやすい軟磁性層であるためである。連結用磁性層２００の磁化方向が反転されれば、それにより、第１領域Ａの磁化方向が連結用磁性層２００のそれと同一になる。これは、連結用磁性層２００及び第１領域Ａが同じ磁化方向を有する場合は、そうでない場合よりエネルギー的に安定しているためである。このような磁化反転は、最下層の連結用磁性層２００から最上層の第１領域Ａまで連鎖的に発生する。第１領域Ａの磁気異方性エネルギーＫ１が第２領域Ｂの磁気異方性エネルギーＫ２より小さければ、第１領域Ａの磁化反転が容易である。   Depending on the position of the first and second domain walls DW1, DW2, the magnetization direction of the coupling magnetic layer 200 can be changed. In other words, the magnetization direction of the coupling magnetic layer 200 depends on the magnetization direction of the write magnetic layer 100 in contact with the coupling magnetic layer 200. This is because the coupling magnetic layer 200 is a soft magnetic layer that is easily reversed in magnetization. If the magnetization direction of the coupling magnetic layer 200 is reversed, the magnetization direction of the first region A becomes the same as that of the coupling magnetic layer 200. This is because when the coupling magnetic layer 200 and the first region A have the same magnetization direction, they are more energetically stable than when they are not. Such magnetization reversal occurs in a chain from the lowermost coupling magnetic layer 200 to the uppermost first region A. If the magnetic anisotropy energy K1 of the first region A is smaller than the magnetic anisotropy energy K2 of the second region B, the magnetization reversal of the first region A is easy.

第１領域Ａの磁化方向を所望の状態に反転させた後、第１領域Ａから第２領域Ｂ方向に磁壁を１ビットぶん移動させれば、第２領域Ｂに所定の情報を記憶しうる。   After the magnetization direction of the first region A is reversed to a desired state, predetermined information can be stored in the second region B by moving the domain wall by one bit from the first region A toward the second region B. .

図２は、本発明の第２実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置（以下、本発明の第２情報記憶装置）を示す斜視図である。本発明の第２情報記憶装置は、本発明の第１情報記憶装置を変形したものであって、二つの差は、情報記憶用磁性層３００にある。本発明の第１情報記憶装置では、第１領域Ａの両側に第２領域Ｂが存在するが、本発明の第２情報記憶装置では、第１領域Ａの一側に第２領域Ｂが存在する。このような本発明の第２情報記憶装置では、情報記憶用磁性層３００の一端の下部に電流印加のための導電線（図示せず）が形成される。   FIG. 2 is a perspective view showing an information storage device (hereinafter referred to as a second information storage device of the present invention) using domain wall motion according to a second embodiment of the present invention. The second information storage device of the present invention is a modification of the first information storage device of the present invention, and the difference between the two is in the information storage magnetic layer 300. In the first information storage device of the present invention, the second region B exists on both sides of the first region A, but in the second information storage device of the present invention, the second region B exists on one side of the first region A. To do. In such a second information storage device of the present invention, a conductive line (not shown) for applying a current is formed under one end of the information storage magnetic layer 300.

書き込み用磁性層１００と情報記憶用磁性層３００とは、平行して形成されることもある。その場合にも、書き込み用磁性層１００上に連結用磁性層２００と情報記憶用磁性層３００とを備える積層構造物が多数積層されるが、同一平面上に多数の書き込み用磁性層１００が所定間隔をおいて規則的に配列される。前記所定間隔は、書き込み用磁性層１００の幅と類似している。   The magnetic layer for writing 100 and the magnetic layer for information storage 300 may be formed in parallel. Also in this case, a large number of laminated structures each including the coupling magnetic layer 200 and the information storage magnetic layer 300 are stacked on the write magnetic layer 100, but a large number of write magnetic layers 100 are formed on the same plane. Arranged regularly at intervals. The predetermined interval is similar to the width of the write magnetic layer 100.

以下では、本発明の第１情報記憶装置の書き込み方法をさらに詳細に説明する。   Hereinafter, the writing method of the first information storage device of the present invention will be described in more detail.

図３Ａないし図３Ｅは、本発明の第１情報記憶装置の書き込み方法を説明するための斜視図である。図３Ａないし図３Ｅでは、説明の便宜のために、本発明の第１情報記憶装置の一部のみ示す。   3A to 3E are perspective views for explaining a writing method of the first information storage device of the present invention. 3A to 3E show only a part of the first information storage device of the present invention for convenience of explanation.

図３Ａを参照すれば、書き込み用磁性層１００の第１磁区Ｄ１、連結用磁性層２００及び情報記憶磁性層３００は、第１方向Ｍ１に磁化しており、書き込み用磁性層１００の第２磁区Ｄ２は、第２方向Ｍ２に磁化している。図３Ａで、連結用磁性層２００は、第１及び第２連結用磁性層２００ａ，２００ｂに区分し、情報記憶磁性層３００は、第１及び第２情報記憶磁性層３００ａ，３００ｂに区分しうる。第１情報記憶磁性層３００ａの両端に第４及び第５導電線Ｃ４，Ｃ５が形成されており、第２情報記憶磁性層３００ｂの両端に第６及び第７導電線Ｃ６，Ｅ７が形成されている。図面符号Ｃ１及びＣ２は、書き込み用磁性層１００の一端Ｅ１及び他端Ｅ２に形成された第１及び第２導電線を表す。   3A, the first magnetic domain D1, the coupling magnetic layer 200, and the information storage magnetic layer 300 of the writing magnetic layer 100 are magnetized in the first direction M1, and the second magnetic domain of the writing magnetic layer 100 is used. D2 is magnetized in the second direction M2. 3A, the coupling magnetic layer 200 may be divided into first and second coupling magnetic layers 200a and 200b, and the information storage magnetic layer 300 may be divided into first and second information storage magnetic layers 300a and 300b. . Fourth and fifth conductive lines C4 and C5 are formed at both ends of the first information storage magnetic layer 300a, and sixth and seventh conductive lines C6 and E7 are formed at both ends of the second information storage magnetic layer 300b. Yes. Reference numerals C1 and C2 denote first and second conductive lines formed on one end E1 and the other end E2 of the write magnetic layer 100, respectively.

図３Ｂは、図３Ａの情報記憶装置の第１磁壁ＤＷ１を移動させた結果を示す。このような第１磁壁ＤＷ１の移動は、第１導電線Ｃ１から第２導電線Ｃ２に電流を印加した結果である。図３Ｂを参照すれば、第１磁壁ＤＷ１の移動によって第２磁区Ｄ２が第１連結用磁性層２００ａの下部まで拡張され、その結果、第１連結用磁性層２００ａの磁化方向が第２方向Ｍ２に反転される。次いで、第１連結用磁性層２００ａと接した第１領域Ａ１の磁化方向も第２方向Ｍ２に反転される。このような磁化反転は、第１連結用磁性層２００ａから第２情報記憶磁性層３００ｂの第１領域Ａ２まで連鎖的に発生する。このような磁化反転によって、情報記憶用磁性層３００に他の磁区（以下、第４磁区）Ｄ４が形成される。   FIG. 3B shows the result of moving the first domain wall DW1 of the information storage device of FIG. 3A. The movement of the first domain wall DW1 is a result of applying a current from the first conductive line C1 to the second conductive line C2. Referring to FIG. 3B, the movement of the first domain wall DW1 extends the second magnetic domain D2 to the lower portion of the first coupling magnetic layer 200a. As a result, the magnetization direction of the first coupling magnetic layer 200a is changed to the second direction M2. Is inverted. Next, the magnetization direction of the first region A1 in contact with the first coupling magnetic layer 200a is also reversed in the second direction M2. Such magnetization reversal occurs in a chain from the first coupling magnetic layer 200a to the first region A2 of the second information storage magnetic layer 300b. By such magnetization reversal, another magnetic domain (hereinafter referred to as a fourth magnetic domain) D4 is formed in the information storage magnetic layer 300.

図３Ｃを参照すれば、第６導電線Ｃ６から第２導電線Ｃ２に電流を流して、第２情報記憶用磁性層３００ｂ内で第４磁区Ｄ４を第２情報記憶用磁性層３００の一端方向に１ビットぶん拡張させる。第４磁区Ｄ４に対応するデータは、例えば、‘０’でありうる。   Referring to FIG. 3C, a current is passed from the sixth conductive line C6 to the second conductive line C2, and the fourth magnetic domain D4 is moved in one end direction of the second information storage magnetic layer 300 in the second information storage magnetic layer 300b. Is expanded by 1 bit. The data corresponding to the fourth magnetic domain D4 may be “0”, for example.

図３Ｄを参照すれば、第２導電線Ｃ２から第１導電線Ｃ１に電流を流して、第１磁壁ＤＷ１を一端Ｅ１から他端Ｅ２方向に移動させる。これにより、第１磁区Ｄ１が第１連結用磁性層２００ａの下部まで拡張される。このような第１磁壁ＤＷ１の移動によって、第１連結用磁性層２００から第２情報記憶磁性層３００ｂの第１領域Ａ２まで磁化方向が第１方向Ｍ１に反転される。このとき、第１領域Ａ１，Ａ２に形成された磁区を第５磁区Ｄ５と称す。第５磁区Ｄ５に対応するデータは、例えば、‘１’でありうる。   Referring to FIG. 3D, a current is passed from the second conductive line C2 to the first conductive line C1, and the first domain wall DW1 is moved from one end E1 to the other end E2. Thereby, the first magnetic domain D1 is expanded to the lower part of the first coupling magnetic layer 200a. By such movement of the first domain wall DW1, the magnetization direction is reversed from the first coupling magnetic layer 200 to the first region A2 of the second information storage magnetic layer 300b in the first direction M1. At this time, the magnetic domains formed in the first regions A1 and A2 are referred to as fifth magnetic domains D5. The data corresponding to the fifth magnetic domain D5 may be “1”, for example.

図３Ｅを参照すれば、第６導電線Ｃ６から第１導電線Ｃ１に電流を流して第４及び第５磁区Ｄ４，Ｄ５を第２情報記憶用磁性層３００ｂの一端方向に１ビットぶん移動させる。   Referring to FIG. 3E, a current is passed from the sixth conductive line C6 to the first conductive line C1 to move the fourth and fifth magnetic domains D4 and D5 by one bit toward one end of the second information storage magnetic layer 300b. .

結果的に、第２情報記憶用磁性層３００ｂの第２領域Ｂに‘０’及び‘１’に対応するデータが記憶される。このような方法で情報記憶用磁性層３００の所定領域に２進データを記憶しうる。   As a result, data corresponding to ‘0’ and ‘1’ is stored in the second region B of the second information storage magnetic layer 300b. In this way, binary data can be stored in a predetermined area of the information storage magnetic layer 300.

図３Ａないし図３Ｅでは、書き込み用磁性層１００、連結用磁性層２００及び情報記憶用磁性層３００が垂直磁気異方性を有する場合について示したが、書き込み用磁性層１００、連結用磁性層２００及び情報記憶用磁性層３００が水平磁気異方性を有する場合にも、前記書き込み方法は同一に適用される。   3A to 3E show the case where the write magnetic layer 100, the coupling magnetic layer 200, and the information storage magnetic layer 300 have perpendicular magnetic anisotropy, the write magnetic layer 100 and the coupling magnetic layer 200 are shown. In addition, when the information storage magnetic layer 300 has horizontal magnetic anisotropy, the writing method is applied in the same manner.

このように、本発明の情報記憶装置では、書き込み用磁性層１００及び情報記憶用磁性層３００内で磁壁を移動させる方法でデータを記録する。したがって、本発明の情報記憶装置では、動く機械システムが要求されない。また、本発明の情報記憶装置は、図１Ａ及び図２に示したようなマルチスタック情報記憶装置であるため、大容量の情報を記憶しうる。   Thus, in the information storage device of the present invention, data is recorded by a method of moving the domain wall in the magnetic layer for writing 100 and the magnetic layer for information storage 300. Therefore, the information storage device of the present invention does not require a moving mechanical system. Moreover, since the information storage device of the present invention is a multi-stack information storage device as shown in FIGS. 1A and 2, it can store a large amount of information.

一方、図示していないが、所定のデータが記憶された磁区を磁気抵抗センサー４００の下部に移動させ、磁気抵抗センサー４００に所定の読み取り電流を印加すれば、前記所定のデータを読み取れる。前記読み取り／書き込み動作時に情報記憶用磁性層３００の一部または書き込み用磁性層１００は、データの臨時保管のためのバッファ領域として使われる。   On the other hand, although not shown, the predetermined data can be read by moving a magnetic domain storing predetermined data to the lower part of the magnetoresistive sensor 400 and applying a predetermined read current to the magnetoresistive sensor 400. A part of the information storage magnetic layer 300 or the write magnetic layer 100 is used as a buffer area for temporary storage of data during the read / write operation.

以下では、本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置の製造方法（以下、本発明の製造方法）を説明する。   Hereinafter, a method for manufacturing an information storage device using domain wall motion according to an embodiment of the present invention (hereinafter referred to as a manufacturing method of the present invention) will be described.

図４Ａないし図４Ｊは、本発明の製造方法を工程別に示す。   4A to 4J show the manufacturing method of the present invention by process.

図４Ａを参照すれば、基板１０上に書き込み用磁性層１００を形成する。書き込み用磁性層１００は、図１Ａを参照して説明した書き込み用磁性層１００と同一である。次いで、書き込み用磁性層１００を覆うように基板１０上に第１絶縁層２０を形成する。第１絶縁層２０は、レジン層でありうる。   Referring to FIG. 4A, the write magnetic layer 100 is formed on the substrate 10. The write magnetic layer 100 is the same as the write magnetic layer 100 described with reference to FIG. 1A. Next, the first insulating layer 20 is formed on the substrate 10 so as to cover the write magnetic layer 100. The first insulating layer 20 may be a resin layer.

次いで、第１絶縁層２０の上側に多重段差構造を有する第１マスタースタンプ５０を整列させる。第１マスタースタンプ５０は、電子ビームリソグラフィのようなナノパターニング法で製作されたものであって、反復的に使用しうる。   Next, the first master stamp 50 having a multiple step structure is aligned on the first insulating layer 20. The first master stamp 50 is manufactured by a nano patterning method such as electron beam lithography, and can be used repeatedly.

図４Ｂを参照すれば、第１マスタースタンプ５０で第１絶縁層２０をインプリントして第１絶縁層２０をパターニングする。   Referring to FIG. 4B, the first insulating layer 20 is patterned by imprinting with the first master stamp 50.

次いで、第１マスタースタンプ５０を第１絶縁層２０から除去する。図４Ｃは、第１マスタースタンプ５０を除去した以後の状態を示す。   Next, the first master stamp 50 is removed from the first insulating layer 20. FIG. 4C shows a state after the first master stamp 50 is removed.

図４Ｃを参照すれば、第１マスタースタンプ５０を利用したインプリント工程によって書き込み用磁性層１００の一部を露出させる第１開口部１が形成される。第１開口部１は、第１溝Ｈ１及び第１溝Ｈ１上に第１溝Ｈ１より大きい第２溝Ｈ２を備える。第１溝Ｈ１の底部に前記レジン層の一部が残留するが、残留したレジン層は、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）またはプラズマアッシング法で除去される。   Referring to FIG. 4C, the first opening 1 exposing a part of the write magnetic layer 100 is formed by an imprint process using the first master stamp 50. The first opening 1 includes a second groove H2 larger than the first groove H1 on the first groove H1 and the first groove H1. A part of the resin layer remains at the bottom of the first groove H1, and the remaining resin layer is removed by RIE (Reactive Ion Etching) or plasma ashing.

図４Ｄを参照すれば、第１溝Ｈ１内に図１Ａの連結用磁性層２００と同じ第１連結用磁性層２００ａを形成する。第１連結用磁性層２００ａは、電解メッキ法で形成しうるが、その厚さは、前記電解メッキ時に反応条件及び反応時間を調節することによって制御される。したがって、第１連結用磁性層２００ａの高さと第１溝Ｈ１の高さとを合せうる。たとえ、第１連結用磁性層２００ａの高さが第１溝Ｈ１の高さと正確に一致しないとしても、それにより、後続工程の進行及び装置の動作時に問題が発生しない。   Referring to FIG. 4D, the first coupling magnetic layer 200a, which is the same as the coupling magnetic layer 200 of FIG. 1A, is formed in the first groove H1. The first coupling magnetic layer 200a can be formed by an electrolytic plating method, and the thickness thereof is controlled by adjusting reaction conditions and reaction time during the electrolytic plating. Therefore, the height of the first coupling magnetic layer 200a and the height of the first groove H1 can be matched. Even if the height of the first coupling magnetic layer 200a does not exactly match the height of the first groove H1, no problem occurs during the subsequent process and the operation of the apparatus.

次いで、第２溝Ｈ２内に図１Ａの情報記憶用磁性層３００と同じ第１情報記憶用磁性層３００ａを形成する。第１情報記憶用磁性層３００ａは、第１連結用磁性層２００ａ及び第１絶縁層２０上にスパッタリング法で磁性層を蒸着した後、前記磁性層をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）することによって形成しうる。   Next, the same first information storage magnetic layer 300a as the information storage magnetic layer 300 of FIG. 1A is formed in the second groove H2. The first information storage magnetic layer 300a is formed by depositing a magnetic layer on the first coupling magnetic layer 200a and the first insulating layer 20 by a sputtering method, and then subjecting the magnetic layer to CMP (Chemical Mechanical Polishing). sell.

図４Ｅを参照すれば、前記第１情報記憶用磁性層３００ａ及び第１絶縁層２０上に第２絶縁層３０を形成する。第２絶縁層３０は、第１絶縁層２０と同一物質で形成しうる。次いで、第２絶縁層３０の上側に多重段差構造を有する第２マスタースタンプ６０を位置させる。   Referring to FIG. 4E, a second insulating layer 30 is formed on the first information storage magnetic layer 300 a and the first insulating layer 20. The second insulating layer 30 can be formed of the same material as the first insulating layer 20. Next, the second master stamp 60 having a multiple step structure is positioned on the second insulating layer 30.

前述した第１マスタースタンプ５０で第１絶縁層２０をパターニングした方法と同様に、第２マスタースタンプ６０で第２絶縁層３０をパターニングする。図４Ｆは、第２絶縁層３０をパターニングし、第２マスタースタンプ６０を除去した状態を示す。   Similar to the method of patterning the first insulating layer 20 with the first master stamp 50 described above, the second insulating layer 30 is patterned with the second master stamp 60. FIG. 4F shows a state in which the second insulating layer 30 is patterned and the second master stamp 60 is removed.

図４Ｆを参照すれば、第２マスタースタンプ６０を利用したインプリント工程によって第１情報記憶用磁性層３００ａの一部を露出させる第２開口部２が形成される。第２開口部２は、第３溝Ｈ３、及び第３溝Ｈ３上に第３溝Ｈ３より大きい第４溝Ｈ４を備える。第３溝Ｈ３のサイズは、図４Ｃの第１溝Ｈ１のサイズと同じであり、第４溝Ｈ４のサイズは、図４Ｃの第２溝Ｈ２のサイズより大きい。   Referring to FIG. 4F, the second opening 2 exposing a part of the first information storage magnetic layer 300 a is formed by an imprint process using the second master stamp 60. The second opening 2 includes a third groove H3 and a fourth groove H4 larger than the third groove H3 on the third groove H3. The size of the third groove H3 is the same as the size of the first groove H1 in FIG. 4C, and the size of the fourth groove H4 is larger than the size of the second groove H2 in FIG. 4C.

図４Ｇを参照すれば、第２開口部２を有する第２絶縁層３０をイオン注入マスクとして利用して、第２開口部２によって露出された第１情報記憶用磁性層３００ａに不純物イオンをドーピングする。前記不純物イオンは、Ｈｅ＋及び／またはＧａ＋でありうる。前記Ｈｅ＋及びＧａ＋のような不純物イオンが磁性物質にドーピングされれば、前記不純物イオンによって磁性物質の磁気異方性エネルギーが減少する。これは、前記不純物イオンが前記磁性物質を構成する磁性粒子間の磁気的カップリング効果を落とすためである。ドーピングされる不純物イオンの量によって前記磁性物質の磁気異方性エネルギーは、０まで減少しうる。Ａ１は、第１情報記憶用磁性層３００ａで前記不純物イオンがドーピングされた部分を表す。前記不純物イオンのドーピング工程は、選択的な工程である。 Referring to FIG. 4G, using the second insulating layer 30 having the second opening 2 as an ion implantation mask, the first information storage magnetic layer 300a exposed by the second opening 2 is doped with impurity ions. To do. The impurity ions may be He + and / or Ga + . If impurity ions such as He + and Ga + are doped in the magnetic material, the magnetic material has a magnetic anisotropy energy reduced by the impurity ions. This is because the impurity ions reduce the magnetic coupling effect between the magnetic particles constituting the magnetic substance. The magnetic anisotropy energy of the magnetic material may be reduced to 0 according to the amount of impurity ions to be doped. A1 represents a portion of the first information storage magnetic layer 300a doped with the impurity ions. The impurity ion doping process is a selective process.

図４Ｈを参照すれば、第１開口部１内に第１連結用磁性層２００ａと第１情報記憶用磁性層３００ａとを形成したところと同じ方法で、第２開口部２内に第２連結用磁性層２００ｂと第２情報記憶用磁性層３００ｂとを形成する。   Referring to FIG. 4H, the second connection is formed in the second opening 2 in the same manner as the first connection magnetic layer 200a and the first information storage magnetic layer 300a are formed in the first opening 1. The magnetic layer 200b for use and the second information storage magnetic layer 300b are formed.

図４Ｉを参照すれば、前記第２情報記憶用磁性層３００ｂ及び第２絶縁層３０上に第３絶縁層４０を形成する。第３絶縁層４０は、第１絶縁層２０と同一物質で形成しうる。次いで、前述した第１及び第２絶縁層２０，３０をパターニングした方法と同様に、第３絶縁層４０をパターニングする。その結果、第２情報記憶用磁性層３００ｂの一部を露出させる第３開口部３が形成される。第３開口部３は、第５溝Ｈ５、及び第５溝Ｈ５上に第５溝Ｈ５より大きい第６溝Ｈ６を備える。   Referring to FIG. 4I, a third insulating layer 40 is formed on the second information storage magnetic layer 300 b and the second insulating layer 30. The third insulating layer 40 can be formed of the same material as the first insulating layer 20. Next, the third insulating layer 40 is patterned in the same manner as the method of patterning the first and second insulating layers 20 and 30 described above. As a result, a third opening 3 is formed to expose a part of the second information storage magnetic layer 300b. The third opening 3 includes a fifth groove H5 and a sixth groove H6 larger than the fifth groove H5 on the fifth groove H5.

図４Ｊを参照すれば、第３開口部３を有する第３絶縁層４０をイオン注入マスクとして利用して、第３開口部３によって露出された第２情報記憶用磁性層３００ｂにＨｅ＋及びＧａ＋のような不純物イオンをドーピングする。Ａ２は、第２情報記憶用磁性層３００ｂで前記不純物イオンがドーピングされた部分を表す。前記不純物イオンのドーピング工程は、選択的な工程である。 Referring to FIG. 4J, using the third insulating layer 40 having the third opening 3 as an ion implantation mask, the He + and Ga layers are formed on the second information storage magnetic layer 300b exposed by the third opening 3. Doping with impurity ions such as + . A2 represents a portion of the second information storage magnetic layer 300b doped with the impurity ions. The impurity ion doping process is a selective process.

以後、図示していないが、第１開口部１内に第１連結用磁性層２００ａと第１情報記憶用磁性層３００ａとを形成したところと同じ方法で、第３開口部３内に第３連結用磁性層と第３情報記憶用磁性層とを形成しうる。   Thereafter, although not shown in the figure, the third opening 3 is formed in the third opening 3 in the same manner as the first coupling magnetic layer 200a and the first information storage magnetic layer 300a are formed in the first opening 1. A coupling magnetic layer and a third information storage magnetic layer can be formed.

前述した本発明の製造方法は、図１Ａの情報記憶装置を製造する方法に関するが、前記本発明の製造方法で第１及び第２マスタースタンプ５０，６０及び第１及び第２開口部１，２の形態を変形すれば、図２の情報記憶装置を製造しうる。   The manufacturing method of the present invention described above relates to a method of manufacturing the information storage device of FIG. 1A. In the manufacturing method of the present invention, the first and second master stamps 50 and 60 and the first and second openings 1 and 2 are used. 2 can be modified, the information storage device of FIG. 2 can be manufactured.

本発明の製造方法では、多重段差マスタースタンプを使用して一回のインプリント工程で二つの溝を形成する。したがって、本発明の方法を利用すれば、少数の工程で大容量の情報記憶装置を容易に具現しうる。   In the manufacturing method of the present invention, two grooves are formed in one imprint process using a multi-step master stamp. Therefore, if the method of the present invention is used, a large-capacity information storage device can be easily implemented with a small number of steps.

以上の説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは、発明の範囲を限定するものではなく、望ましい実施形態の例示であると解釈されたい。例えば、当業者ならば、書き込み用磁性層１００、連結用磁性層２００及び情報記憶用磁性層３００間の位置関係を多様に変形しうる。したがって、本発明の範囲は、説明された実施形態によって決定されず、特許請求の範囲に記載された技術的思想によって決定されるものである。   Although many matters have been specifically described in the above description, they should not be construed as limiting the scope of the invention but merely as exemplifications of desirable embodiments. For example, those skilled in the art can variously modify the positional relationship among the write magnetic layer 100, the coupling magnetic layer 200, and the information storage magnetic layer 300. Therefore, the scope of the present invention is not determined by the described embodiments but is determined by the technical ideas described in the claims.

本発明は、情報記憶関連の技術分野に適用可能である。     The present invention is applicable to technical fields related to information storage.

本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置を示す斜視図である。1 is a perspective view showing an information storage device using domain wall motion according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置を示す側面図である。It is a side view which shows the information storage device using the domain wall movement by embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the information storage device using the domain wall movement by other embodiment of this invention. 本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置の書き込み方法をステップ別に示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view illustrating a method of writing information storage device using domain wall motion according to an embodiment of the present invention step by step. 本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置の書き込み方法をステップ別に示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view illustrating a method of writing information storage device using domain wall motion according to an embodiment of the present invention step by step. 本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置の書き込み方法をステップ別に示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view illustrating a method of writing information storage device using domain wall motion according to an embodiment of the present invention step by step. 本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置の書き込み方法をステップ別に示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view illustrating a method of writing information storage device using domain wall motion according to an embodiment of the present invention step by step. 本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置の書き込み方法を段階別に示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a writing method of an information storage device using domain wall motion according to an embodiment of the present invention step by step. 本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置の製造方法を工程別に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the information storage device using the domain wall movement by embodiment of this invention according to process. 本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置の製造方法を工程別に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the information storage device using the domain wall movement by embodiment of this invention according to process. 本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置の製造方法を工程別に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the information storage device using the domain wall movement by embodiment of this invention according to process. 本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置の製造方法を工程別に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the information storage device using the domain wall movement by embodiment of this invention according to process. 本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置の製造方法を工程別に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the information storage device using the domain wall movement by embodiment of this invention according to process. 本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置の製造方法を工程別に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the information storage device using the domain wall movement by embodiment of this invention according to process. 本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置の製造方法を工程別に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the information storage device using the domain wall movement by embodiment of this invention according to process. 本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置の製造方法を工程別に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the information storage device using the domain wall movement by embodiment of this invention according to process. 本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置の製造方法を工程別に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the information storage device using the domain wall movement by embodiment of this invention according to process. 本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報記憶装置の製造方法を工程別に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the information storage device using the domain wall movement by embodiment of this invention according to process.

符号の説明Explanation of symbols

１００ 書き込み用磁性層
２００ 連結用磁性層
３００ 情報記憶用磁性層
４００ 磁気抵抗センサー
Ｃ１ 第１導電線
Ｃ２ 第２導電線
Ｃ３ 第３導電線
Ａ 第１領域
Ｂ 第２領域 100 magnetic layer for writing 200 magnetic layer for coupling 300 magnetic layer for information storage 400 magnetoresistive sensor C1 first conductive line C2 second conductive line C3 third conductive line A first region B second region

Claims (34)

磁壁を有する書き込み用磁性層と、
前記書き込み用磁性層上に形成されたものであって、連結用磁性層と情報記憶用磁性層とが順次に積層された積層構造物と、
前記情報記憶用磁性層に記憶された情報を読み取るための読み取り手段と、を備え、
前記書き込み用磁性層及び前記情報記憶用磁性層は、バー形状を有し、
前記連結用磁性層は前記書き込み用磁性層に接触され、前記連結用磁性層と接触された前記書き込み用磁性層の磁化方向に沿って前記連結用磁性層の磁化方向が変わり、
前記情報記憶用磁性層は磁壁を有し、前記書き込み用磁性層及び前記情報記憶用磁性層内で磁壁を移動させることによりデータを記録する
ことを特徴とする磁壁移動を利用した情報記憶装置。 A magnetic layer for writing having a domain wall;
A laminated structure formed on the write magnetic layer, wherein a coupling magnetic layer and an information storage magnetic layer are sequentially laminated;
E Bei and a reading means for reading information stored in said information storing magnetic layer,
The magnetic layer for writing and the magnetic layer for information storage have a bar shape,
The coupling magnetic layer is in contact with the writing magnetic layer, and the magnetization direction of the coupling magnetic layer changes along the magnetization direction of the writing magnetic layer in contact with the coupling magnetic layer;
An information storage device using domain wall movement, wherein the information storage magnetic layer has a domain wall, and data is recorded by moving the domain wall in the write magnetic layer and the information storage magnetic layer . 前記書き込み用磁性層は、前記情報記憶用磁性層と垂直である
ことを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 The information storage device using domain wall motion according to claim 1, wherein the magnetic layer for writing is perpendicular to the magnetic layer for information storage. 前記書き込み用磁性層は、前記情報記憶用磁性層と平行している
ことを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 The information storage device using domain wall motion according to claim 1, wherein the magnetic layer for writing is parallel to the magnetic layer for information storage. 前記積層構造物は、前記書き込み用磁性層に沿って複数形成された
ことを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 The information storage device using domain wall motion according to claim 1, wherein a plurality of the laminated structures are formed along the magnetic layer for writing. 前記積層構造物は、複数の前記連結用磁性層及び複数の前記情報記憶用磁性層を備え、前記連結用磁性層及び前記情報記憶用磁性層は、交互に積層されている
ことを特徴とする請求項４に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 The stacked structure includes a plurality of the coupling magnetic layers and the plurality of information storage magnetic layers, and the coupling magnetic layers and the information storage magnetic layers are alternately stacked. An information storage device using domain wall motion according to claim 4 . 前記積層構造物は、前記書き込み用磁性層と垂直方向に複数形成された
ことを特徴とする請求項４に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 The information storage device using domain wall motion according to claim 4 , wherein a plurality of the laminated structures are formed in a direction perpendicular to the magnetic layer for writing. 前記積層構造物は、交互に積層される複数の前記連結用磁性層及び複数の前記情報記憶用磁性層を備え、前記情報記憶用磁性層は、異なる長さを有する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 The laminated structure includes a plurality of the coupling magnetic layers and a plurality of the information storage magnetic layers that are alternately stacked, and the information storage magnetic layers have different lengths. 2. An information storage device using the domain wall motion described in 1. 前記情報記憶用磁性層のうち最上層の情報記憶用磁性層は、残りの情報記憶用磁性層より長い
ことを特徴とする請求項７に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 The information storage device using domain wall motion according to claim 7 , wherein the uppermost information storage magnetic layer of the information storage magnetic layers is longer than the remaining information storage magnetic layers. 前記情報記憶用磁性層の長さは、前記書き込み用磁性層側に行くほど短くなる
ことを特徴とする請求項８に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 9. The information storage device using domain wall motion according to claim 8 , wherein the length of the information storage magnetic layer decreases toward the write magnetic layer. 前記書き込み用磁性層の磁気異方性エネルギーは、２×１０３〜１０７Ｊ／ｍ３である
ことを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 2. The information storage device using domain wall motion according to claim 1, wherein the magnetic anisotropy energy of the magnetic layer for writing is 2 × 10 3 to 10 7 J / m 3 . 前記書き込み用磁性層は、ＣｏＰｔまたはＦｅＰｔで形成されるか、またはＣｏＰｔとＦｅＰｔとの合金で形成された
ことを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 2. The information storage device using domain wall motion according to claim 1, wherein the write magnetic layer is made of CoPt or FePt, or an alloy of CoPt and FePt. 前記連結用磁性層の磁気異方性エネルギーは、１０〜１０３Ｊ／ｍ３である
ことを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 2. The information storage device using domain wall motion according to claim 1, wherein the magnetic anisotropy energy of the coupling magnetic layer is 10 to 10 3 J / m 3 . 前記連結用磁性層は、Ｎｉ、Ｃｏ、ＮｉＣｏ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＣｒ及びこれらの合金のうち何れか一つで形成された
ことを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 2. The domain wall motion according to claim 1, wherein the coupling magnetic layer is formed of any one of Ni, Co, NiCo, NiFe, CoFe, CoZrNb, CoZrCr, and alloys thereof. Information storage device. 前記情報記憶用磁性層の磁気異方性エネルギーは、２×１０３〜１０７Ｊ／ｍ３である
ことを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 2. The information storage device using domain wall motion according to claim 1, wherein the magnetic anisotropic energy of the information storage magnetic layer is 2 × 10 3 to 10 7 J / m 3 . 前記情報記憶用磁性層は、ＣｏＰｔまたはＦｅＰｔで形成されるか、またはＣｏＰｔとＦｅＰｔとの合金で形成された
ことを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 The information storage device using domain wall motion according to claim 1, wherein the information storage magnetic layer is formed of CoPt or FePt, or an alloy of CoPt and FePt. 前記情報記憶用磁性層で前記連結用磁性層と接した第１領域の磁気異方性エネルギーは、前記情報記憶用磁性層で前記第１領域を除外した残りの領域の磁気異方性エネルギーより小さい
ことを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 The magnetic anisotropy energy of the first region in contact with the coupling magnetic layer in the information storage magnetic layer is greater than the magnetic anisotropy energy of the remaining region excluding the first region in the information storage magnetic layer. The information storage device using domain wall motion according to claim 1, wherein the information storage device is small. 前記情報記憶用磁性層で前記連結用磁性層と接した第１領域の磁気異方性エネルギー（Ｋ１）は、０≦Ｋ１＜１０７Ｊ／ｍ３であり、前記情報記憶用磁性層で前記第１領域を除外した残りの領域の磁気異方性エネルギー（Ｋ２）は、２×１０３≦Ｋ２≦１０７Ｊ／ｍ３である
ことを特徴とする請求項１６に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 The magnetic anisotropy energy (K1) of the first region in contact with the coupling magnetic layer in the information storage magnetic layer is 0 ≦ K1 <10 7 J / m 3. The domain wall motion according to claim 16 , wherein the magnetic anisotropy energy (K2) of the remaining region excluding the first region is 2 × 10 3 ≦ K2 ≦ 10 7 J / m 3. Information storage device. 前記第１領域は、不純物イオンがドーピングされた部分である
ことを特徴とする請求項１６に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 The information storage device using domain wall motion according to claim 16 , wherein the first region is a portion doped with impurity ions. 前記不純物イオンは、Ｈｅ＋及びＧａ＋のうち少なくとも何れか一つである
ことを特徴とする請求項１８に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 The information storage device using domain wall motion according to claim 18 , wherein the impurity ions are at least one of He + and Ga + . 前記読み取り手段は、前記書き込み用磁性層または前記情報記憶用磁性層に形成された磁気抵抗センサーである
ことを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 The information storage device using domain wall motion according to claim 1, wherein the reading unit is a magnetoresistive sensor formed in the magnetic layer for writing or the magnetic layer for information storage. 前記書き込み用磁性層は、前記積層構造物の一端に備えられた
ことを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 The information storage device using domain wall motion according to claim 1, wherein the write magnetic layer is provided at one end of the multilayer structure. 前記書き込み用磁性層は、前記積層構造物の中央に備えられた
ことを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置。 The information storage device using domain wall motion according to claim 1, wherein the magnetic layer for writing is provided in the center of the multilayer structure. 請求項１乃至請求項２２のいずれか一項に記載の磁壁移動を利用した情報記憶装置の製造方法において、
基板上に書き込み用磁性層を形成する工程と、
前記書き込み用磁性層を覆うように前記基板上に第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層をパターニングして前記書き込み用磁性層を露出させる第１開口部を形成する工程と、
前記第１開口部内に第１連結用磁性層と第１情報記憶用磁性層とを順次に形成する工程と、を含む
ことを特徴とする情報記憶装置の製造方法。 In the manufacturing method of the information storage device using the domain wall motion according to any one of claims 1 to 22 ,
Forming a magnetic layer for writing on the substrate;
Forming a first insulating layer on the substrate so as to cover the magnetic layer for writing;
Patterning the first insulating layer to form a first opening exposing the write magnetic layer;
And sequentially forming a first coupling magnetic layer and a first information storage magnetic layer in the first opening. A method of manufacturing an information storage device, comprising: 前記第１開口部は、第１溝と、前記第１溝上の前記第１溝より大きい第２溝とを備える
ことを特徴とする請求項２３に記載の情報記憶装置の製造方法。 The method of manufacturing an information storage device according to claim 23 , wherein the first opening includes a first groove and a second groove larger than the first groove on the first groove. 前記第１開口部を、ナノインプリント方式で形成する
ことを特徴とする請求項２３に記載の情報記憶装置の製造方法。 The method for manufacturing an information storage device according to claim 23 , wherein the first opening is formed by a nanoimprint method. 前記第１連結用磁性層を、前記第１溝内に形成する
ことを特徴とする請求項２４に記載の情報記憶装置の製造方法。 The method for manufacturing an information storage device according to claim 24 , wherein the first coupling magnetic layer is formed in the first groove. 前記第１情報記憶用磁性層を、前記第２溝内に形成する
ことを特徴とする請求項２４に記載の情報記憶装置の製造方法。 The method for manufacturing an information storage device according to claim 24 , wherein the first information storage magnetic layer is formed in the second groove. 前記第１開口部内に第１連結用磁性層と第１情報記憶用磁性層とを形成する工程後、
前記第１情報記憶用磁性層及び前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層をパターニングして前記第１情報記憶用磁性層を露出させる第２開口部を形成する工程と、
前記第２開口部内に第２連結用磁性層と第２情報記憶用磁性層とを順次に形成する工程と、を含む
ことを特徴とする請求項２３に記載の情報記憶装置の製造方法。 After the step of forming the first coupling magnetic layer and the first information storage magnetic layer in the first opening,
Forming a second insulating layer on the first information storage magnetic layer and the first insulating layer;
Patterning the second insulating layer to form a second opening exposing the first information storage magnetic layer;
24. The method of manufacturing an information storage device according to claim 23 , further comprising: sequentially forming a second coupling magnetic layer and a second information storage magnetic layer in the second opening. 前記第２連結用磁性層と第２情報記憶用磁性層とを形成する工程前、前記第２開口部によって露出された第１情報記憶用磁性層に不純物イオンをドーピングする工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項２８に記載の情報記憶装置の製造方法。 Before the step of forming the second coupling magnetic layer and the second information storage magnetic layer, the method further includes a step of doping impurity ions into the first information storage magnetic layer exposed by the second opening. 30. A method of manufacturing an information storage device according to claim 28 , wherein: 前記不純物イオンは、Ｈｅ＋及びＧａ＋のうち少なくとも何れか一つである
ことを特徴とする請求項２９に記載の情報記憶装置の製造方法。 30. The method of manufacturing an information storage device according to claim 29 , wherein the impurity ions are at least one of He + and Ga + . 前記第２開口部は、第３溝と、前記第３溝上の前記第３溝より大きい第４溝とを備える
ことを特徴とする請求項２８に記載の情報記憶装置の製造方法。 The method of manufacturing an information storage device according to claim 28 , wherein the second opening includes a third groove and a fourth groove larger than the third groove on the third groove. 前記第２開口部を、ナノインプリント方式で形成する
ことを特徴とする請求項２８に記載の情報記憶装置の製造方法。 The method of manufacturing an information storage device according to claim 28 , wherein the second opening is formed by a nanoimprint method. 前記第２連結用磁性層を、前記第３溝内に形成する
ことを特徴とする請求項３１に記載の情報記憶装置の製造方法。 32. The method of manufacturing an information storage device according to claim 31 , wherein the second coupling magnetic layer is formed in the third groove. 前記第２情報記憶用磁性層を、前記第４溝内に形成する
ことを特徴とする請求項３１に記載の情報記憶装置の製造方法。 32. The method of manufacturing an information storage device according to claim 31 , wherein the second information storage magnetic layer is formed in the fourth groove.
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KR100907471B1 (en) * 2007-12-06 2009-07-13 고려대학교 산학협력단 Nano wire and Memory device according to current-induced domain wall displacement using it
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133529A (en) * 2001-10-24 2003-05-09 Sony Corp Information memory and manufacturing method therefor
US6635546B1 (en) * 2002-05-16 2003-10-21 Infineon Technologies Ag Method and manufacturing MRAM offset cells in a damascene structure
JP2004259912A (en) 2003-02-26 2004-09-16 Sony Corp Magnetic memory device and its manufacturing method
US6970379B2 (en) 2003-10-14 2005-11-29 International Business Machines Corporation System and method for storing data in an unpatterned, continuous magnetic layer
US6920062B2 (en) * 2003-10-14 2005-07-19 International Business Machines Corporation System and method for reading data stored on a magnetic shift register
JP2006005308A (en) 2004-06-21 2006-01-05 Victor Co Of Japan Ltd Non-volatile magnetic memory
US7242604B2 (en) * 2005-01-13 2007-07-10 International Business Machines Corporation Switchable element

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