JP5169896B2 - 薄膜トランジスタ及び画像表示装置 - Google Patents
薄膜トランジスタ及び画像表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5169896B2 JP5169896B2 JP2009032502A JP2009032502A JP5169896B2 JP 5169896 B2 JP5169896 B2 JP 5169896B2 JP 2009032502 A JP2009032502 A JP 2009032502A JP 2009032502 A JP2009032502 A JP 2009032502A JP 5169896 B2 JP5169896 B2 JP 5169896B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- layer
- oxide
- color filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
透明な基板上に、着色層からなるサブ画素と、複数の前記サブ画素からなる画素と、複数の前記画素とオーバーコート層からなるカラーフィルタと、ゲート配線と、キャパシタ配線と、ゲート絶縁膜と、半導体活性層と、ソース配線と、ドレイン電極を備えた薄膜トランジスタにおいて、前記オーバーコート層がくぼみを有し、前記ゲート配線が前記オーバーコート層上の前記くぼみ部分に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタである。
前記ゲート配線及び前記ソース配線が、各サブ画素間の領域上に配置された請求項1に記載の薄膜トランジスタである。
前記カラーフィルタの各画素の着色層が赤(R)と、緑(G)と、青(B)と、無色(W)、もしくは黄(Y)と、マゼンタ(M)と、シアン(C)と、無色(W)からなっており、着色層上にオーバーコート層を設けていることを特徴とする請求項1および2に記載の薄膜トランジスタである。
前記カラーフィルタの各サブ画素間のオーバーコート層が着色層とブラックマトリクスまたは着色層と基材との各膜厚差によってくぼみを形成することを特徴とする請求項1ないし3に記載の薄膜トランジスタとしたものである。
前記半導体活性層は金属酸化物を主成分とする材料であることを特徴とする請求項1ないし4に記載の薄膜トランジスタとしたものである。
請求項1乃至5に記載の薄膜トランジスタを用いた画像表示装置である。
透明な基板上に、着色層からなるサブ画素と、複数の前記サブ画素からなる画素と、複数の前記画素とオーバーコート層からなるカラーフィルタと、ゲート配線と、キャパシタ配線と、ゲート絶縁膜と、半導体活性層と、ソース配線と、ドレイン電極を備えた薄膜トランジスタにおいて、前記オーバーコート層がくぼみを有し、前記ゲート配線が前記オーバーコート層上の前記くぼみ部分に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法である。
前記オーバーコート層にくぼみを形成する工程は、前記カラーフィルタの各サブ画素間のオーバーコート層が着色層とブラックマトリクスまたは着色層と基板との膜厚差によってくぼみを形成する工程であることを特徴とする請求項7に記載の薄膜トランジスタの製造方法である。
図1(b)及び図2に示される薄膜トランジスタを用いた画像表示装置を以下の手順で作製した。
透明な基板1としてコーニング社製無アルカリガラス1737(厚さ0.7mm)を用い、その一方の面に赤(R)、緑(G)、青(B)、無色(W)の4色からなるカラーフィルタ着色層2を形成した。より詳細には、カラーフィルタ着色層2(R)、2(G)、2(B)、2(W)は、それぞれの樹脂をガラス基板1全体に塗布した後、定められた形状のフォトマスクを用いて、露光、現像、および焼成して形成した。本実施例では、最初に、着色層2(R)を形成し、その後2(G)、2(B)、2(W)の順番で形成した。その上に、熱硬化性透明樹脂であるオーバーコート層4を塗布、焼成し、カラーフィルタを形成した。各色着色層のサブ画素間は10μmであり、オーバーコート層4の着色層2各色のサブ画素間上には0.1μmほどのくぼみが形成される。
図4(b)及び図5に示される薄膜トランジスタを用いた画像表示装置を以下の手順で作製した。
透明な基板1としてコーニング社製無アルカリガラス1737(厚さ0.7mm)を用い、その一方の面に赤(R)、緑(G)、青(B)、無色(W)の4色からなるカラーフィルタ着色層2を形成した。より詳細には、カラーフィルタ着色層2(R)、(G)、(B)、(W)は、それぞれの樹脂をガラス基板1全体に塗布した後、定められた形状のフォトマスクを用いて、露光、現像、および焼成して形成した。本実施例では、最初に、カラーフィルタ層2(R)を形成し、(G)、(B)、(W)の順番で形成した。その上に、熱硬化性透明樹脂であるオーバーコート層4を塗布、焼成し、その後研磨を行い表面を平坦化し、カラーフィルタを形成した。
その上にDCマグネトロンスパッタ法でITO100nmを成膜し、これをフォトリソグラフィー法により所望の形状にパターニングすることでゲート配線5およびキャパシタ配線10とした。このゲート配線5およびキャパシタ配線10上に、RFマグネトロンスパッタにより酸化窒化シリコン(SiON)を200nm成膜し、ゲート絶縁膜6とした。さらにRFマグネトロンスパッタにより酸化亜鉛インジウムガリウム(In−Ga−Zn−O)を40nm成膜し、フォトリソグラフィー法により所望の形状にパターニングし、半導体活性層7を形成した。この上にレジストを塗布、乾燥、現像を行った後、ITO100nmをDCマグネトロンスパッタ法で成膜し、レジストリフトオフを行い、ソース配線8およびドレイン電極9を形成した。さらにこの上に、印刷法を用いてエポキシ系樹脂を5μmの厚さで塗布し、層間絶縁膜11とした。最後にDCマグネトロンスパッタ法でITO100nmを成膜し、フォトリソグラフィー法により所望の形状にパターニングを行い、画素電極12とした。このようにして作製した薄膜トランジスタ上に、共通電極を含む電気泳動型反射型表示要素としてE Ink社製Vizplex Imaging Filmを貼り付け、比較例の画像表示装置を作製した。なお本比較例の画像表示装置はカラーフィルタ側より薄膜トランジスタを通して表示を見る構成となっている。
実施例ではカラーフィルタの各色のサブ画素間のオーバーコート層表面に0.1μm程度のくぼみを設けており、そこにゲート配線5を通すことにより、ゲート配線5上に形成されるゲート絶縁膜の凹凸を低減することができる。一方、比較例においては、ゲート配線5に起因するゲート絶縁膜6の表面に凹凸が生じているため、一部でゲート配線5とソース配線8の間でゲート絶縁膜6の膜厚が薄くなる部分が生じる。
2…カラーフィルタ着色層
3…ブラックマトリクス
4…オーバーコート層
5…ゲート配線
6…ゲート絶縁膜
7…半導体活性層
8…ソース配線
9…ドレイン電極
10…キャパシタ配線
11…層間絶縁膜
12…画素電極
13…画像表示要素
14…共通電極
15…背面基板
Claims (8)
- 透明な基板上に、着色層からなるサブ画素と、複数の前記サブ画素からなる画素と、複数の前記画素とオーバーコート層からなるカラーフィルタと、ゲート配線と、キャパシタ配線と、ゲート絶縁膜と、半導体活性層と、ソース配線と、ドレイン電極を備えた薄膜トランジスタにおいて、前記オーバーコート層がくぼみを有し、前記ゲート配線が前記オーバーコート層上の前記くぼみ部分に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
- 前記ゲート配線が、各サブ画素間の領域上に配置された請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記カラーフィルタの各画素の着色層が赤(R)と、緑(G)と、青(B)と、無色(W)、もしくは黄(Y)と、マゼンタ(M)と、シアン(C)と、無色(W)からなっており、着色層上にオーバーコート層を設けていることを特徴とする請求項1および2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記カラーフィルタの各サブ画素間のオーバーコート層が着色層とブラックマトリクスまたは着色層と基板との膜厚差によってくぼみを形成することを特徴とする請求項1ないし3に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体活性層は金属酸化物を主成分とする材料であることを特徴とする請求項1ないし4に記載の薄膜トランジスタ。
- 請求項1乃至5に記載の薄膜トランジスタを用いた画像表示装置。
- 透明な基板上に、着色層からなるサブ画素と、複数の前記サブ画素からなる画素と、複数の前記画素とオーバーコート層からなるカラーフィルタと、ゲート配線と、キャパシタ配線と、ゲート絶縁膜と、半導体活性層と、ソース配線と、ドレイン電極を備えた薄膜トランジスタにおいて、前記オーバーコート層がくぼみを有し、前記ゲート配線が前記オーバーコート層上の前記くぼみ部分に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記オーバーコート層にくぼみを形成する工程は、前記カラーフィルタの各サブ画素間のオーバーコート層が着色層とブラックマトリクスまたは着色層と基板との膜厚差によってくぼみを形成する工程であることを特徴とする請求項7に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009032502A JP5169896B2 (ja) | 2009-02-16 | 2009-02-16 | 薄膜トランジスタ及び画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009032502A JP5169896B2 (ja) | 2009-02-16 | 2009-02-16 | 薄膜トランジスタ及び画像表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010190948A JP2010190948A (ja) | 2010-09-02 |
JP5169896B2 true JP5169896B2 (ja) | 2013-03-27 |
Family
ID=42817091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009032502A Active JP5169896B2 (ja) | 2009-02-16 | 2009-02-16 | 薄膜トランジスタ及び画像表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5169896B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013037293A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Japan Display East Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP6064353B2 (ja) * | 2011-09-27 | 2017-01-25 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
KR102148486B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2020-08-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0677120B2 (ja) * | 1985-12-25 | 1994-09-28 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
JPH07333648A (ja) * | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置およびその製法 |
JP3382117B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2003-03-04 | 株式会社東芝 | 反強誘電性液晶表示素子 |
JPH11183934A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2001255411A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Toray Ind Inc | カラーフィルターおよびそれを用いてなる液晶表示装置 |
JP5261979B2 (ja) * | 2007-05-16 | 2013-08-14 | 凸版印刷株式会社 | 画像表示装置 |
-
2009
- 2009-02-16 JP JP2009032502A patent/JP5169896B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010190948A (ja) | 2010-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5540517B2 (ja) | 画像表示装置 | |
JP4935963B2 (ja) | アクティブマトリクス基板及びその製造方法並びに画像表示装置 | |
JP5312728B2 (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
JP5261979B2 (ja) | 画像表示装置 | |
US8487308B2 (en) | Thin film transistor and image display unit | |
JP5250944B2 (ja) | 構造体、透過型液晶表示装置、半導体回路の製造方法および透過型液晶表示装置の製造方法 | |
KR101470798B1 (ko) | 표시 장치 | |
WO2012043338A1 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、薄膜トランジスタを備える画像表示装置 | |
TWI519879B (zh) | 顯示面板及包含該顯示面板的顯示裝置 | |
JP5298407B2 (ja) | 反射型表示装置および反射型表示装置の製造方法 | |
WO2011122205A1 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法並びに薄膜トランジスタ及び画像表示装置 | |
JP5278637B2 (ja) | 構造体、透過型液晶表示装置、半導体回路の製造方法および透過型液晶表示装置の製造方法 | |
JP2008076823A (ja) | 表示装置 | |
JP5544740B2 (ja) | 画像表示装置及びその製造方法 | |
JP5169896B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及び画像表示装置 | |
US20170010503A1 (en) | Reflective liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
JP5109424B2 (ja) | 反射型表示装置 | |
JP5124976B2 (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
JP2014175342A (ja) | 薄膜トランジスタおよび画像表示装置 | |
JP2014154702A (ja) | 薄膜トランジスタ及び画像表示装置 | |
JP2007298602A (ja) | 構造体、透過型液晶表示装置、半導体回路の製造方法および透過型液晶表示装置の製造方法 | |
JP2014154701A (ja) | 薄膜トランジスタ及び画像表示装置 | |
JP5782695B2 (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを備える画像表示装置、薄膜トランジスタの製造方法、画像表示装置の製造方法 | |
JP5609052B2 (ja) | 画像表示装置及びその製造方法並びにアクティブマトリクス基板 | |
JP2009080261A (ja) | 反射型表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120123 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5169896 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |