JP5168920B2

JP5168920B2 - Semiconductor device manufacturing method and marking device

Info

Publication number: JP5168920B2
Application number: JP2007021829A
Authority: JP
Inventors: 和男下山
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2007-01-31
Filing date: 2007-01-31
Publication date: 2013-03-27
Anticipated expiration: 2027-01-31
Also published as: JP2008187148A

Description

この発明は、裏面に金属電極膜が形成されたリブ構造ウエハーをチップ状にダイシングする際に用いる半導体装置の製造方法およびマーキング装置に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device and a marking device used when dicing a rib structure wafer having a metal electrode film formed on the back surface into chips.

従来、縦型ＩＧＢＴや縦型ＭＯＳＦＥＴのように、裏面に金属電極膜を有する半導体装置が知られている（たとえば、下記特許文献１参照。）。このような半導体装置の一般的な製造工程を説明すると、まず、厚い状態のウエハーの表面側にゲート構造やソース／エミッタ構造などを形成し、表面側素子構造部を形成する（前工程）。つぎに、ウエハーの裏面側から研磨やエッチングをおこない、ウエハーを薄層化する（ウエハー薄層化工程）。つづいて、薄層化されたウエハーの裏面に裏面拡散層および裏面電極を形成する（裏面形成工程）。そして、ウエハーをダイシングして、個々のチップを形成する（チップ化工程）。 2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor device having a metal electrode film on the back surface, such as a vertical IGBT and a vertical MOSFET, is known (see, for example, Patent Document 1 below). A general manufacturing process of such a semiconductor device will be described. First, a gate structure, a source / emitter structure, and the like are formed on the surface side of a thick wafer to form a surface side element structure portion (previous process). Next, polishing or etching is performed from the back side of the wafer to thin the wafer (wafer thinning step). Subsequently, a back diffusion layer and a back electrode are formed on the back surface of the thinned wafer (back surface forming step). Then, the wafer is diced to form individual chips (chip formation process).

より詳細には、たとえば縦型ＩＧＢＴを例とした場合、ゲート構造およびエミッタ構造など表面側素子構造部を形成後、ウエハー薄層化工程をおこない、さらにイオン注入と低温炉アニールもしくはレーザーアニールにより裏面コレクタ拡散層を形成する。そして、蒸着もしくはスパッタリングなどによってコレクタ金属電極膜を形成させた後、図８に示すようにウエハーをダイシングして個々のチップを形成する。 More specifically, for example, when a vertical IGBT is taken as an example, a wafer thinning process is performed after forming a surface-side element structure such as a gate structure and an emitter structure, and further, a back surface is formed by ion implantation and low-temperature furnace annealing or laser annealing. A collector diffusion layer is formed. Then, after a collector metal electrode film is formed by vapor deposition or sputtering, the wafer is diced as shown in FIG. 8 to form individual chips.

図９は、ウエハーに対するダイシング処理を模式的に示す説明図である。図９に示すように、金属電極膜９０１が形成されているウエハー９００の裏面をダイシングテープ９１０に貼り合わせた上で、ウエハー９００のおもて面からダイシングブレード９２０などを用いてウエハー９００を切断する。このとき、ウエハー９００内の数点を光学顕微鏡やＣＣＤカメラで観察して、ウエハー９００のおもて面に形成されたチップ配列やアライメントマークを観察する。そして、チップ配列やアライメントマークに基づいて位置決めをおこない、高速に回転したダイシングブレードをウエハーに一定方向／一定間隔に走査させ、ウエハーを個々のチップへと切断する。 FIG. 9 is an explanatory view schematically showing a dicing process for a wafer. As shown in FIG. 9, the back surface of the wafer 900 on which the metal electrode film 901 is formed is bonded to a dicing tape 910, and then the wafer 900 is cut from the front surface of the wafer 900 using a dicing blade 920 or the like. To do. At this time, several points in the wafer 900 are observed with an optical microscope or a CCD camera, and the chip arrangement and alignment marks formed on the front surface of the wafer 900 are observed. Then, positioning is performed based on the chip arrangement and alignment marks, and a dicing blade rotated at high speed is scanned over the wafer at a constant direction / interval, thereby cutting the wafer into individual chips.

ところで、ウエハー薄層化工程を経た後のウエハーは付加価値が非常に高く、ウエハー薄層化工程後におこなわれる工程では、特に不良ウエハーの低減が望まれる。このため、ウエハー端部の欠けやチッピングを抑制したり、ウエハーの反りやたわみを矯正したりするために、ウエハー内周部と比較してウエハー外周部を厚くしたリブ構造ウエハーが知られている（たとえば、下記特許文献１参照。）。リブ構造ウエハーは、たとえば、ウエハー裏面の外周部をマスクした上でエッチングをおこなってウエハー内周部のみを薄くしたり、ウエハー内周部のみをホイール研磨してウエハー内周部のみを薄くすることによって得られる。 By the way, the wafer after the wafer thinning process has a very high added value, and in the process performed after the wafer thinning process, it is particularly desired to reduce defective wafers. For this reason, in order to suppress chipping and chipping at the wafer edge, and to correct warpage and deflection of the wafer, a rib structure wafer having a wafer outer peripheral portion thicker than the wafer inner peripheral portion is known. (For example, see Patent Document 1 below.) For rib-structured wafers, for example, the outer peripheral part of the wafer back surface is masked and then etched to thin only the wafer inner peripheral part, or only the wafer inner peripheral part is wheel-polished to thin only the wafer inner peripheral part. Obtained by.

図１０は、リブ構造ウエハーに対するダイシング処理の一例を模式的に示す説明図である。リブ構造ウエハー１０００は、裏面（金属電極膜１００１が形成されている面）に大きな段差（厚い外周部と薄い内周部の境界）がある。このため、図１０に示すように、リブ構造ウエハー１０００の裏面をダイシングテープ１０１０に貼り合わせると、ウエハー内周部に空洞部１０２０が発生してしまう。また、空洞部１０２０を無理にダイシングテープ１０１０に貼り付けようとすると、リブ構造ウエハー１０００に割れ不良が発生してしまう。さらに、たとえ貼り付けられたとしても、ダイシングテープ１０１０とリブ構造ウエハー１０００との間に気泡や隙間が入ってしまう。ダイシングテープ１０１０とリブ構造ウエハー１０００との間に気泡や隙間が入った状態でダイシングをおこなうと、ダイシングテープ１０１０とリブ構造ウエハー１０００が固定されてないので、チッピング不良が発生したり、チップ化されたデバイスが飛び散ったりしてしまい、生産効率が低下してしまう。 FIG. 10 is an explanatory view schematically showing an example of a dicing process for a rib structure wafer. The rib structure wafer 1000 has a large step (boundary between a thick outer peripheral portion and a thin inner peripheral portion) on the back surface (the surface on which the metal electrode film 1001 is formed). For this reason, as shown in FIG. 10, when the back surface of the rib structure wafer 1000 is bonded to the dicing tape 1010, a cavity 1020 is generated in the inner peripheral portion of the wafer. In addition, if the hollow portion 1020 is forcibly attached to the dicing tape 1010, a crack defect occurs in the rib structure wafer 1000. Furthermore, even if it is affixed, bubbles or gaps will enter between the dicing tape 1010 and the rib structure wafer 1000. If dicing is performed with air bubbles or gaps between the dicing tape 1010 and the rib structure wafer 1000, the dicing tape 1010 and the rib structure wafer 1000 are not fixed. The device will be scattered and the production efficiency will be reduced.

特開２００３−２４３３５６号公報JP 2003-243356 A

このようなダイシング時の不良を防止するため、リブ構造ウエハーをダイシングする際は、図１１に示すような方法でダイシング処理をおこなう。図１１は、リブ構造ウエハーに対するダイシング処理を模式的に示す説明図である。図１１に示す例では、図１０とは逆に、リブ段差のあるウエハー裏面が上になるようにリブ構造ウエハー１１００のおもて面側とダイシングテープ１１１０とを貼り合わせてダイシングをおこなう。これにより、リブ構造ウエハー１１００とダイシングテープ１１１０との間に気泡や隙間を生じさせることなく貼り合わせることができる。 In order to prevent such a defect at the time of dicing, dicing processing is performed by a method as shown in FIG. 11 when dicing the rib structure wafer. FIG. 11 is an explanatory view schematically showing a dicing process for a rib structure wafer. In the example shown in FIG. 11, contrary to FIG. 10, dicing is performed by bonding the front surface side of the rib structure wafer 1100 and the dicing tape 1110 so that the wafer back surface with the rib step is on top. Thereby, it can bond together without producing a bubble and a clearance gap between the rib structure wafer 1100 and the dicing tape 1110. FIG.

そして、リブ構造ウエハー１１００の裏面に金属電極膜が形成されてなければ、赤外線カメラ１１２０を用いてウエハーおもて面のチップ配列やアライメントマークを観察し、ダイシングラインの位置決めをおこなうことができる。これは、半導体基板のシリコンが赤外線を透過させるためである。これにより、通常のウエハー（図９参照）と反対に、ウエハーおもて面にダイシングテープを貼り合わせ、ウエハー裏面側から切断しても、正常にダイシングをおこなうことができる。 If a metal electrode film is not formed on the back surface of the rib structure wafer 1100, the infrared camera 1120 can be used to observe the chip arrangement and alignment marks on the front surface of the wafer and position the dicing line. This is because silicon of the semiconductor substrate transmits infrared rays. Thereby, contrary to a normal wafer (see FIG. 9), dicing can be normally performed even if a dicing tape is bonded to the front surface of the wafer and cut from the back side of the wafer.

しかしながら、上述した製造方法では、リブ構造ウエハーの裏面に金属電極膜が形成されている場合、金属電極膜が赤外線を透過しないため、ダイシングラインの位置決めができないという問題点がある。 However, in the manufacturing method described above, when the metal electrode film is formed on the back surface of the rib structure wafer, there is a problem that the dicing line cannot be positioned because the metal electrode film does not transmit infrared rays.

図１２は、金属電極膜が形成されたリブ構造ウエハーに対するダイシング処理を模式的に示す説明図である。リブ構造ウエハー１２００の裏面に金属電極膜１２０１が形成されている場合、金属電極膜１２０１が赤外線を透過しないため、赤外線カメラ１２２０を用いてもウエハーおもて面側のチップ配列などを観察することができない。このため、ダイシングラインの位置決めをおこなうことができず、ウエハー裏面からダイシングすることができない。また、図１０に示したように、リブ構造ウエハーをおもて面側からダイシングしようとすると、リブ段差に起因する割れ不良などが発生し、半導体装置の生産効率が低下してしまうという問題点がある。 FIG. 12 is an explanatory view schematically showing a dicing process for a rib structure wafer on which a metal electrode film is formed. When the metal electrode film 1201 is formed on the back surface of the rib structure wafer 1200, the metal electrode film 1201 does not transmit infrared rays, so that the chip arrangement on the front side of the wafer can be observed even using the infrared camera 1220. I can't. For this reason, the dicing line cannot be positioned and dicing cannot be performed from the back surface of the wafer. Also, as shown in FIG. 10, when the rib structure wafer is diced from the front surface side, a crack defect or the like due to a rib step occurs and the production efficiency of the semiconductor device decreases. There is.

この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、裏面に金属電極膜が形成されたリブ構造ウエハーを効率的にダイシングできる半導体装置の製造方法およびマーキング装置を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device and a marking device capable of efficiently dicing a rib structure wafer having a metal electrode film formed on the back surface in order to eliminate the above-described problems caused by the prior art. .

上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１の発明にかかる半導体装置の製造方法は、第１主面の外周部が他の領域よりも厚い半導体ウエハーの前記第１主面に金属電極膜を形成する裏面電極形成工程と、前記半導体ウエハーの第２主面側の形状が撮影された画像に基づいて前記半導体ウエハーの前記第１主面に前記半導体ウエハーの切断位置調節用マークを形成するマーキング工程と、前記切断位置調節用マークに基づいてダイシングラインを設定する設定工程と、をこの順に含み、前記マーキング工程では、前記半導体ウエハーの外周部の隣り合う４つのチップの中心位置が前記画像の中心となるように前記半導体ウエハーの位置を調節して、前記半導体ウエハーの前記第１主面の外周部の少なくとも３箇所に前記切断位置調節用マークを形成し、前記設定工程では、あらかじめ設定された縦横にダイシングする間隔に基づいて、前記３箇所の前記切断位置調節用マークをダイシングラインの開始点、終了点、平行出し点とすることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, a manufacturing method of a semiconductor device according to claim 1 is provided on the first main surface of a semiconductor wafer in which an outer peripheral portion of the first main surface is thicker than other regions. A back surface electrode forming step for forming a metal electrode film, and a mark for adjusting the cutting position of the semiconductor wafer on the first main surface of the semiconductor wafer based on an image obtained by photographing the shape of the second main surface of the semiconductor wafer And a setting step for setting a dicing line based on the cutting position adjustment mark in this order, and in the marking step, the center positions of four adjacent chips on the outer peripheral portion of the semiconductor wafer There by adjusting the position of the semiconductor wafer such that the center of the image, the cutting position adjusting at least three places of the outer peripheral portion of the first main surface of the semiconductor wafer Forming a use marks, in the setting step, based on the interval dicing vertically and horizontally to a preset, the cutting position the starting point of the adjustment marks the dicing lines of the three, end point, it is parallel out point It is characterized by.

この請求項１にかかる発明によれば、半導体ウエハーの第２主面側の形状に基づいて、半導体ウエハーの第１主面の適切な位置に切断位置調節用マークを形成することができる。 According to the first aspect of the present invention, the cutting position adjusting mark can be formed at an appropriate position on the first main surface of the semiconductor wafer based on the shape of the second main surface of the semiconductor wafer.

また、請求項２の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１に記載の発明において、前記マーキング工程では、前記半導体ウエハーの前記第２主面側に設けられたカメラを用いて前記第２主面側の形状を撮影することを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a manufacturing method of a semiconductor device according to the first aspect of the present invention, wherein the marking step uses the camera provided on the second main surface side of the semiconductor wafer. 2 The shape of the main surface side is photographed .

この請求項２にかかる発明によれば、半導体ウエハーの第２主面側に設けられたカメラから出力された画像によって半導体ウエハーの第２主面側の形状を観察して切断位置調節用マークを形成することができる。 According to the second aspect of the present invention, the cutting position adjustment mark is formed by observing the shape of the second main surface side of the semiconductor wafer from the image output from the camera provided on the second main surface side of the semiconductor wafer. Can be formed.

また、請求項３の発明にかかる半導体装置の製造方法は、第１主面の外周部が他の領域よりも厚い半導体ウエハーの前記第１主面に金属電極膜を形成する裏面電極形成工程と、前記半導体ウエハーの前記第１主面に形成された前記金属電極膜のうち、検査用のチップとなる領域の前記金属電極膜を選択的に除去する電極膜除去工程と、前記金属電極膜が除去された領域の第２主面側の形状が撮影された画像に基づいて前記半導体ウエハーの前記第１主面に前記半導体ウエハーの切断位置調節用マークを形成するマーキング工程と、前記切断位置調節用マークに基づいてダイシングラインを設定する設定工程と、を含み、前記マーキング工程では、前記半導体ウエハーの外周部の隣り合う４つのチップの中心位置が前記画像の中心となるように前記半導体ウエハーの位置を調節して、前記半導体ウエハーの前記第１主面の外周部の少なくとも３箇所に前記切断位置調節用マークを形成し、前記設定工程では、あらかじめ設定された縦横にダイシングする間隔に基づいて、前記３箇所の前記切断位置調節用マークをダイシングラインの開始点、終了点、平行出し点とすることを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a back electrode forming step of forming a metal electrode film on the first main surface of a semiconductor wafer having an outer peripheral portion of the first main surface thicker than other regions; An electrode film removing step of selectively removing the metal electrode film in a region to be an inspection chip out of the metal electrode film formed on the first main surface of the semiconductor wafer; and A marking step of forming a mark for adjusting the cutting position of the semiconductor wafer on the first main surface of the semiconductor wafer based on an image obtained by photographing the shape of the second main surface side of the removed region, and the adjustment of the cutting position seen including a setting step of setting a dicing line based on use marks and, in the marking process, so that the center position of the semiconductor wafer outer periphery four chips adjacent of the center of the image The position of the semiconductor wafer is adjusted to form the cutting position adjusting marks at least at three locations on the outer periphery of the first main surface of the semiconductor wafer, and in the setting step, dicing is performed in the vertical and horizontal directions set in advance. Based on the interval, the three cutting position adjustment marks are set as a dicing line start point, end point, and parallel point .

この請求項３にかかる発明によれば、半導体ウエハーの第２主面側の形状に基づいて、半導体ウエハーを第１主面側からダイシングすることができる。 According to the third aspect of the invention, the semiconductor wafer can be diced from the first main surface side based on the shape of the second main surface side of the semiconductor wafer.

また、請求項４の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項３に記載の発明において、前記マーキング工程では、前記半導体ウエハーの前記第１主面側に設けられた赤外線カメラを用いて前記第２主面側の形状を撮影することを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the method for manufacturing a semiconductor device according to the third aspect of the present invention, wherein the marking step uses an infrared camera provided on the first main surface side of the semiconductor wafer. The second main surface side is photographed .

この請求項４にかかる発明によれば、半導体ウエハーの第１主面側に設けられた赤外線カメラから出力された画像によって半導体ウエハーの第２主面側の形状を観察して切断位置調節用マークを形成することができる。 According to the fourth aspect of the present invention, the cutting position adjustment mark is observed by observing the shape of the second main surface side of the semiconductor wafer from the image output from the infrared camera provided on the first main surface side of the semiconductor wafer. Can be formed.

また、請求項５の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１〜４のいずれか一つに記載の発明において、前記マーキング工程では、前記半導体ウエハーの前記第１主面にレーザー光を照射し、前記レーザー光の照射痕を前記切断位置調節用マークとすることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device manufacturing method according to any one of the first to fourth aspects, wherein in the marking step, a laser beam is applied to the first main surface of the semiconductor wafer. The irradiation mark of the laser beam is used as the cutting position adjusting mark.

この請求項５にかかる発明によれば、半導体ウエハーの第１主面にレーザー光を照射することによって、切断位置調節用マークを形成することができる。 According to the fifth aspect of the present invention, the cutting position adjusting mark can be formed by irradiating the first main surface of the semiconductor wafer with laser light.

また、請求項６の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１〜４のいずれか一つに記載の発明において、前記マーキング工程では、前記半導体ウエハーの前記第１主面に前記金属電極膜よりも硬質な部材を圧接し、前記部材による圧接痕を前記切断位置調節用マークとすることを特徴とする。 According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device manufacturing method according to any one of the first to fourth aspects, wherein, in the marking step, the metal electrode is formed on the first main surface of the semiconductor wafer. A member harder than the film is pressure-contacted, and a pressure-contact mark by the member is used as the cutting position adjusting mark.

この請求項６にかかる発明によれば、半導体ウエハーの第１主面に硬質部材を圧接することによって、切断位置調節用マークを形成することができる。 According to the sixth aspect of the present invention, the cutting position adjusting mark can be formed by pressing the hard member against the first main surface of the semiconductor wafer.

また、請求項７の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１〜４のいずれか一つに記載の発明において、前記マーキング工程では、前記半導体ウエハーの前記第１主面にインクを付着させ、前記インクを前記切断位置調節用マークとすることを特徴とする。 According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device manufacturing method according to any one of the first to fourth aspects, wherein, in the marking step, ink is attached to the first main surface of the semiconductor wafer. The ink is used as the cutting position adjustment mark.

この請求項７にかかる発明によれば、半導体ウエハーの第１主面にインクを付着させることによって、切断位置調節用マークを形成することができる。 According to the seventh aspect of the present invention, the cutting position adjusting mark can be formed by attaching ink to the first main surface of the semiconductor wafer.

また、請求項８の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１〜７のいずれか一つに記載の発明において、前記マーキング工程で形成された前記切断位置調節用マークを用いて前記半導体ウエハーをチップ状に切断する切断工程を含んだことを特徴とする。 According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a semiconductor device according to any one of the first to seventh aspects, wherein the semiconductor device is formed using the cutting position adjusting mark formed in the marking step. It includes a cutting step of cutting the wafer into chips.

この請求項８にかかる発明によれば、半導体ウエハーの第１主面側に形成された切断位置調節用マークに基づいて、半導体ウエハーをチップ状に切断することができる。 According to the eighth aspect of the invention, the semiconductor wafer can be cut into chips based on the cutting position adjusting marks formed on the first main surface side of the semiconductor wafer.

また、請求項９の発明にかかるマーキング装置は、第１主面の外周部が他の領域よりも厚い半導体ウエハーの前記第１主面を撮影しながら前記半導体ウエハーの第２主面にマークを形成するマーキング装置であって、前記半導体ウエハーの前記第１主面側に設けられ、前記第１主面を撮影する撮影手段と、前記半導体ウエハーの第２主面側に設けられ、前記撮影手段によって撮影された画像に基づいて前記第２主面に前記マークを形成するマーキング手段と、前記マークに基づいてダイシングラインを設定する設定手段と、を備え、前記マーキング手段は、前記半導体ウエハーの外周部の隣り合う４つのチップの中心位置が前記画像の中心となるように前記半導体ウエハーの位置を調節して、前記半導体ウエハーの前記第１主面の外周部の少なくとも３箇所に前記マークを形成し、前記設定手段は、あらかじめ設定された縦横にダイシングする間隔に基づいて、前記３箇所の前記マークをダイシングラインの開始点、終了点、平行出し点とすることを特徴とする。 The marking device according to the invention of claim 9 is characterized in that a mark is formed on the second main surface of the semiconductor wafer while photographing the first main surface of the semiconductor wafer where the outer peripheral portion of the first main surface is thicker than other regions. a marking apparatus for forming, wherein provided on the first main surface side of the semiconductor wafer, a photographing means for photographing the first major surface, provided on the second major surface side of said semiconductor wafer, said imaging means Marking means for forming the mark on the second main surface based on the image photographed by the method, and setting means for setting a dicing line based on the mark, the marking means comprising an outer periphery of the semiconductor wafer the center position of the four chips section adjacent is to adjust the position of the semiconductor wafer such that the center of the image, less of the outer peripheral portion of the first main surface of the semiconductor wafer Forming the mark Kutomo three, the setting means, based on the interval dicing vertically and horizontally, which is set in advance and the mark of the three starting points of the dicing line, the end point, parallel out point It is characterized by that.

この請求項９にかかる発明によれば、半導体ウエハーの第１主面側の形状に基づいて、半導体ウエハーの第２主面の適切な位置に切断位置調節用マークを形成することができる。 According to the ninth aspect of the present invention, the cutting position adjusting mark can be formed at an appropriate position on the second main surface of the semiconductor wafer based on the shape on the first main surface side of the semiconductor wafer.

また、請求項１０の発明にかかるマーキング装置は、請求項９に記載の発明において、前記マーキング手段は、前記半導体ウエハーの前記第２主面にレーザー光を照射し、前記レーザー光の照射痕を前記マークとすることを特徴とする。 The marking device according to a tenth aspect of the present invention is the marking device according to the ninth aspect, wherein the marking means irradiates the second main surface of the semiconductor wafer with a laser beam, The mark is used.

この請求項１０にかかる発明によれば、半導体ウエハーの第２主面にレーザー光を照射することによって、切断位置調節用マークを形成することができる。 According to the tenth aspect of the present invention, the cutting position adjusting mark can be formed by irradiating the second main surface of the semiconductor wafer with the laser beam.

また、請求項１１の発明にかかるマーキング装置は、請求項９に記載の発明において、前記マーキング手段は、前記半導体ウエハーの前記第２主面に前記第２主面の表面層よりも硬質な部材を圧接し、前記部材による圧接痕を前記マークとすることを特徴とする。 The marking device according to an eleventh aspect of the present invention is the marking device according to the ninth aspect, wherein the marking means is a member harder than the surface layer of the second main surface on the second main surface of the semiconductor wafer. , And a mark of pressure contact by the member is used as the mark.

この請求項１１にかかる発明によれば、半導体ウエハーの第２主面に硬質部材を圧接することによって、切断位置調節用マークを形成することができる。 According to the eleventh aspect of the present invention, the cutting position adjusting mark can be formed by pressing the hard member against the second main surface of the semiconductor wafer.

また、請求項１２の発明にかかるマーキング装置は、請求項９に記載の発明において、前記マーキング手段は、前記半導体ウエハーの前記第２主面にインクを付着させ、前記インクを前記マークとすることを特徴とする。 The marking device according to a twelfth aspect of the present invention is the marking device according to the ninth aspect, wherein the marking means attaches ink to the second main surface of the semiconductor wafer and uses the ink as the mark. It is characterized by.

この請求項１２にかかる発明によれば、半導体ウエハーの第２主面にインクを付着させることによって、切断位置調節用マークを形成することができる。 According to the twelfth aspect of the present invention, the cutting position adjustment mark can be formed by attaching ink to the second main surface of the semiconductor wafer.

本発明にかかる半導体装置の製造方法およびマーキング装置によれば、裏面に金属電極膜が形成されたリブ構造ウエハーを効率的にダイシングすることができるという効果を奏する。 According to the semiconductor device manufacturing method and the marking device of the present invention, the rib structure wafer having the metal electrode film formed on the back surface can be efficiently diced.

以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置の製造方法およびマーキング装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。 Exemplary embodiments of a method for manufacturing a semiconductor device and a marking device according to the present invention will be explained below in detail with reference to the accompanying drawings.

（実施の形態１）
はじめに、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法で用いる半導体ウエハーの構造について説明する。図１は、実施の形態１で用いる半導体ウエハー（リブ構造ウエハー）の構造の一例を示す説明図である。なお、図１は、リブ構造ウエハーの裏面を図示している。 (Embodiment 1)
First, the structure of the semiconductor wafer used in the semiconductor device manufacturing method according to the first embodiment will be described. FIG. 1 is an explanatory view showing an example of the structure of a semiconductor wafer (rib structure wafer) used in the first embodiment. FIG. 1 illustrates the back surface of the rib structure wafer.

図１に示すリブ構造ウエハー１００は、たとえば直径１５０ｍｍ（６インチ）の略円形であり、裏面に内周部１０１および外周部１０２が形成されている。内周部１０１は、たとえば半径６０ｍｍ〜７４ｍｍの円形である。また、外周部１０２は、内周部１０１の縁からリブ構造ウエハー１００の外周端部にかけて形成される。また、内周部１０１の厚さはたとえば５０μｍ、外周部１０２の厚さはたとえば３００μｍであり、外周部１０２と比較して、内周部１０１の厚さが薄くなっている。 A rib-structure wafer 100 shown in FIG. 1 has a substantially circular shape with a diameter of 150 mm (6 inches), for example, and an inner peripheral portion 101 and an outer peripheral portion 102 are formed on the back surface. The inner peripheral portion 101 is, for example, a circle having a radius of 60 mm to 74 mm. Further, the outer peripheral portion 102 is formed from the edge of the inner peripheral portion 101 to the outer peripheral end portion of the rib structure wafer 100. The inner peripheral portion 101 has a thickness of, for example, 50 μm, and the outer peripheral portion 102 has a thickness of, for example, 300 μm. The inner peripheral portion 101 is thinner than the outer peripheral portion 102.

ここで、リブ構造ウエハー１００の製造工程の一例を説明する。まず、厚い状態のウエハーの表面側にゲート構造やソース／エミッタ構造を形成し、表面素子構造部を形成する。つぎに、ウエハー外周部をマスクしてウエハー内周部のみをエッチングして、ウエハー内周部の厚みを薄くする。または、ウエハー内周部のみをホイール研磨して、ウエハー内周部の厚みを薄くすることとしてもよい。そして、薄化されたウエハーの裏面に金属電極膜を形成する。金属電極膜の材料としては、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）などを積層して用いることができる。以上のような手順によってリブ構造ウエハー１００が形成される。 Here, an example of a manufacturing process of the rib structure wafer 100 will be described. First, a gate structure and a source / emitter structure are formed on the surface side of a thick wafer to form a surface element structure portion. Next, the wafer outer peripheral portion is masked and only the wafer inner peripheral portion is etched to reduce the thickness of the wafer inner peripheral portion. Alternatively, only the wafer inner peripheral portion may be wheel-polished to reduce the thickness of the wafer inner peripheral portion. Then, a metal electrode film is formed on the back surface of the thinned wafer. As a material of the metal electrode film, for example, aluminum (Al), titanium (Ti), nickel (Ni), gold (Au), or the like can be laminated and used. The rib structure wafer 100 is formed by the procedure as described above.

その後、リブ構造ウエハー１００をダイシングして、個々のチップを形成する。より詳細には、リブ構造ウエハー１００のおもて面側の形状を観察しながら、すなわち、おもて面側に形成された表面素子構造部の配列に基づいて、ダイシングラインの位置決めをし、ダイシング時の基準点となるアライメントマークをリブ構造ウエハー１００の裏面に付加する。高速に回転したダイシングブレードをウエハーに一定方向／一定間隔に走査させ、ウエハーを個々のチップへと切断する。 Thereafter, the rib structure wafer 100 is diced to form individual chips. More specifically, while observing the shape of the front surface side of the rib structure wafer 100, that is, based on the arrangement of the surface element structure portions formed on the front surface side, the dicing line is positioned, An alignment mark serving as a reference point during dicing is added to the back surface of the rib structure wafer 100. A dicing blade rotated at high speed is scanned over the wafer at a constant direction / interval, and the wafer is cut into individual chips.

つぎに、リブ構造ウエハー１００へのアライメントマーク形成に用いるマーキング装置２００について説明する。図２は、実施の形態１で用いるマーキング装置の外観を示す斜視図である。マーキング装置２００は、ＸＹステージ２０１、Ｘ軸調節ネジ２０２、Ｙ軸調節ネジ２０３、Ｚ軸調節ネジ２０４、ＣＣＤカメラ２０５、レーザーマーカー２０６によって構成される。 Next, a marking device 200 used for forming an alignment mark on the rib structure wafer 100 will be described. FIG. 2 is a perspective view showing an appearance of the marking device used in the first embodiment. The marking device 200 includes an XY stage 201, an X-axis adjustment screw 202, a Y-axis adjustment screw 203, a Z-axis adjustment screw 204, a CCD camera 205, and a laser marker 206.

ＸＹステージ２０１は、Ｘ軸調節ネジ２０２、Ｙ軸調節ネジ２０３、Ｚ軸調節ネジ２０４によって、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向にそれぞれ移動可能である。ＸＹステージ２０１の上面側にはレーザーマーカー２０６が、下面側にはＣＣＤカメラ２０５が設けられている。ＸＹステージ２０１の中心部は開口部２１０が設けられており、ＣＣＤカメラ２０５によってＸＹステージ２０１に載せられた物体（具体的には、リブ構造ウエハー１００）の下面側の撮影を可能とする。なお、開口部２１０を設けずに、ガラスなど透明な素材によってＸＹステージ２０１を作成することによって、ＸＹステージ２０１に載せられた物体をＣＣＤカメラ２０５で撮影できるようにしてもよい。 The XY stage 201 can be moved in the X axis direction, the Y axis direction, and the Z axis direction by an X axis adjustment screw 202, a Y axis adjustment screw 203, and a Z axis adjustment screw 204, respectively. A laser marker 206 is provided on the upper surface side of the XY stage 201, and a CCD camera 205 is provided on the lower surface side. The central portion of the XY stage 201 is provided with an opening 210, which enables photographing of the lower surface side of an object (specifically, the rib structure wafer 100) placed on the XY stage 201 by the CCD camera 205. Note that an object placed on the XY stage 201 may be photographed with the CCD camera 205 by creating the XY stage 201 with a transparent material such as glass without providing the opening 210.

ＣＣＤカメラ２０５は、ＸＹステージ２０１に載せられた物体の下面側を撮影し、その画像を画像信号として図示しないモニターなどに出力する。また、レーザーマーカー２０６は、図示しないレーザー発振器によって発生させたレーザー光をＸＹステージ２０１に載せられた物体の上面側に照射し、物体表面に照射痕をつけることによってマークを形成する。レーザーマーカー２０６からのレーザー照射は、たとえばスイッチ２０７によって制御する。 The CCD camera 205 photographs the lower surface side of the object placed on the XY stage 201 and outputs the image as an image signal to a monitor (not shown). The laser marker 206 irradiates laser light generated by a laser oscillator (not shown) onto the upper surface side of the object placed on the XY stage 201, and forms a mark by making an irradiation mark on the object surface. Laser irradiation from the laser marker 206 is controlled by a switch 207, for example.

マーキング装置２００でマーキングをおこなう場合、ＣＣＤカメラ２０５の光軸中心とレーザーマーカー２０６のレーザー照射位置とをあらかじめ一致させておく。図２に示した例では、ＣＣＤカメラ２０５とレーザーマーカー２０６とは、あらかじめ光軸中心とレーザー照射位置とが一致した位置に固定されている。 When marking is performed by the marking device 200, the center of the optical axis of the CCD camera 205 and the laser irradiation position of the laser marker 206 are matched in advance. In the example shown in FIG. 2, the CCD camera 205 and the laser marker 206 are fixed in advance at positions where the optical axis center and the laser irradiation position coincide.

また、ＣＣＤカメラ２０５の光軸中心の位置またはレーザーマーカー２０６のレーザー照射位置が移動可能な場合は、たとえば、ＸＹステージ２０１に物体を置かない状態でレーザーマーカー２０６からレーザーを照射しながら、ＣＣＤカメラ２０５から出力される画像に写るレーザースポットを観察する。そして、ＣＣＤカメラ２０５またはレーザーマーカー２０６の位置を調節して、レーザースポットがＣＣＤカメラ２０５から出力された画像の中心となるようにする。これにより、ＣＣＤカメラ２０５の光軸中心とレーザーマーカー２０６のレーザー照射位置とを一致させることができる。 When the position of the center of the optical axis of the CCD camera 205 or the laser irradiation position of the laser marker 206 can be moved, for example, while irradiating laser from the laser marker 206 without placing an object on the XY stage 201, the CCD camera The laser spot reflected in the image output from 205 is observed. Then, the position of the CCD camera 205 or the laser marker 206 is adjusted so that the laser spot becomes the center of the image output from the CCD camera 205. Thereby, the center of the optical axis of the CCD camera 205 and the laser irradiation position of the laser marker 206 can be matched.

マーキング装置２００でマーキングをおこなう場合、ＸＹステージ２０１に物体を置き、ＣＣＤカメラ２０５によって撮像された物体の下面側の画像を見ながら、Ｘ軸調節ネジ２０２およびＹ軸調節ネジ２０３を調節し、所望の位置（マーキングをおこないたい点）が画像の中心になるようにする。また、必要な場合は、Ｚ軸調節ネジ２０４によってＸＹステージ２０１のＺ軸方向の位置を調節し、ＣＣＤカメラ２０５の焦点を物体の下面に合わせる。そして、その位置でレーザーマーカー２０６からレーザーを照射させて、物体の上面側にマーキングをおこなう。これにより、所望の位置にマークを付加することができる。 When marking is performed by the marking device 200, an object is placed on the XY stage 201, and the X-axis adjusting screw 202 and the Y-axis adjusting screw 203 are adjusted while viewing an image on the lower surface side of the object imaged by the CCD camera 205, and desired. The position of (the point you want to mark) is set to the center of the image. If necessary, the position of the XY stage 201 in the Z-axis direction is adjusted by the Z-axis adjusting screw 204 so that the CCD camera 205 is focused on the lower surface of the object. Then, laser is irradiated from the laser marker 206 at that position, and marking is performed on the upper surface side of the object. Thereby, a mark can be added to a desired position.

つづいて、リブ構造ウエハー１００に対するアライメントマーク形成処理について説明する。図３は、リブ構造ウエハーに対するアライメントマーク形成処理を模式的に示した説明図である。リブ構造ウエハー１００にアライメントマークを形成する際は、リブ構造ウエハー１００の裏面をレーザーマーカー２０６側に、リブ構造ウエハー１００のおもて面をＣＣＤカメラ２０５に向けて、ＸＹステージ２０１上に置く。すなわち、リブ構造の段差がある面をＸＹステージ２０１の上面側に、表面素子構造が形成された面をＸＹステージ２０１の下面側に置く。 Next, an alignment mark forming process for the rib structure wafer 100 will be described. FIG. 3 is an explanatory view schematically showing an alignment mark forming process for the rib structure wafer. When forming the alignment mark on the rib structure wafer 100, the rib structure wafer 100 is placed on the XY stage 201 with the back surface of the rib structure wafer 100 facing the laser marker 206 and the front surface of the rib structure wafer 100 facing the CCD camera 205. That is, the surface with the rib structure step is placed on the upper surface side of the XY stage 201, and the surface on which the surface element structure is formed is placed on the lower surface side of the XY stage 201.

ＣＣＤカメラ２０５は、ＸＹステージ２０１に載せられたリブ構造ウエハー１００のおもて面側を撮影し、画像信号をモニター２３０に出力する。モニター２３０は、ＣＣＤカメラ２０５によって撮影されたリブ構造ウエハー１００のおもて面側の画像を表示する。そして、モニター２３０に表示されたリブ構造ウエハー１００のおもて面の画像を見ながら、Ｘ軸調節ネジ２０２およびＹ軸調節ネジ２０３を調節し、所望の位置（マーキングをおこないたい点）が画像の中心になるようにする。 The CCD camera 205 images the front side of the rib structure wafer 100 mounted on the XY stage 201 and outputs an image signal to the monitor 230. The monitor 230 displays an image of the front surface side of the rib structure wafer 100 taken by the CCD camera 205. The X-axis adjusting screw 202 and the Y-axis adjusting screw 203 are adjusted while viewing the image of the front surface of the rib structure wafer 100 displayed on the monitor 230, and the desired position (the point where marking is desired) is imaged. To be the center of

具体的には、たとえば、図３に示すように、表面素子構造部の隣り合うチップＣ１〜Ｃ４の中心位置Ｐが画像の中心となるように調節する。また、たとえば、リブ構造ウエハー１００のおもて面に、あらかじめアライメントマークが形成されている場合には、その位置が画像の中心となるように調節する。そして、その位置でレーザーマーカー２０６からレーザーを照射させて、リブ構造ウエハー１００の裏面側の金属電極膜上に切断位置調節用のアライメントマーク（照射痕）を形成する。このときレーザーマーカー２０６から照射されるレーザーの種類は、たとえば、ＹＬＦ２ωレーザーまたはＹＡＧ２ωレーザーを用いることができる。また、レーザーの照射エネルギー密度は、たとえば、０．２〜４．０Ｊ／ｃｍ²とする。 Specifically, for example, as shown in FIG. 3, the center position P of the adjacent chips C1 to C4 of the surface element structure portion is adjusted to be the center of the image. For example, when an alignment mark is formed in advance on the front surface of the rib structure wafer 100, the position is adjusted so as to be the center of the image. Then, a laser is irradiated from the laser marker 206 at that position, and an alignment mark (irradiation trace) for adjusting the cutting position is formed on the metal electrode film on the back surface side of the rib structure wafer 100. At this time, for example, a YLF2ω laser or a YAG2ω laser can be used as the type of laser emitted from the laser marker 206. The laser irradiation energy density is, for example, 0.2 to 4.0 J / cm ² .

図４は、ウエハー上の切断位置調節用のアライメントマークとダイシングラインとの関係を模式的に示す説明図である。チップのサイズ、すなわち縦横にダイシングする間隔（図４中ｘおよびｙ）は既知である。このため、少なくともウエハー内の３点（開始点、終了点、平行出し点：図４中Ｍ１〜Ｍ３）にアライメントマークを形成すれば、リブ構造ウエハー１００の平行出し／垂直出しをおこなうことができ、ダイシングラインを設定することができる。なお、アライメントマークは、リブ構造ウエハー１００の外周部に付加してもよい。 FIG. 4 is an explanatory view schematically showing the relationship between the alignment mark for adjusting the cutting position on the wafer and the dicing line. The chip size, that is, the distance between dicing vertically and horizontally (x and y in FIG. 4) is known. Therefore, if the alignment marks are formed at least at three points in the wafer (start point, end point, parallel projection points: M1 to M3 in FIG. 4), the rib structure wafer 100 can be parallelized / vertically aligned. A dicing line can be set. The alignment mark may be added to the outer peripheral portion of the rib structure wafer 100.

以上のようにアライメントマークを付加した後、リブ構造ウエハー１００を裏面側からダイシングして個々のチップを形成するダイシング工程をおこなう。リブ構造ウエハー１００のおもて面にダイシングテープおよびダイシング用フレームを貼り付ける。通常の半導体ウエハーの場合、ウエハー裏面にダイシングテープおよびダイシング用フレームを貼り付けるが、リブ構造ウエハー１００には、裏面にリブ段差があるため、通常の貼り付け面とは逆になっている。そして、マーキング装置２００で形成したアライメントマークを基準として位置決めをおこない、通常のダイシング装置を用いてリブ構造ウエハー１００を裏面側からダイシングする。 After adding the alignment mark as described above, a dicing process is performed in which the rib structure wafer 100 is diced from the back surface side to form individual chips. A dicing tape and a dicing frame are attached to the front surface of the rib structure wafer 100. In the case of a normal semiconductor wafer, a dicing tape and a dicing frame are attached to the back surface of the wafer. However, the rib structure wafer 100 has a rib step on the back surface, which is opposite to the normal attachment surface. Then, positioning is performed using the alignment mark formed by the marking device 200 as a reference, and the rib structure wafer 100 is diced from the back side using a normal dicing device.

なお、上述した説明では、モニタに表示された画像を見ながらアライメントマークの位置を決めることとしたが、これには限らない。たとえば、ＣＣＤカメラ２０５から出力された画像信号をコンピュータに出力するようにして、画像信号をコンピュータで解析処理し、コンピュータによってＸＹステージ２０１の位置を制御してアライメントマークの位置を決めてもよい。 In the above description, the position of the alignment mark is determined while viewing the image displayed on the monitor. However, the present invention is not limited to this. For example, the image signal output from the CCD camera 205 may be output to a computer, the image signal may be analyzed by the computer, and the position of the XY stage 201 may be controlled by the computer to determine the position of the alignment mark.

また、上述した説明では、マーキング装置２００では、レーザーマーカー２０６によってマーキングをおこなうこととしたが、これには限らない。たとえば、硬質部材による圧接によってマーキングをおこなうこととしてもよい。 In the above description, the marking device 200 performs marking with the laser marker 206, but the present invention is not limited to this. For example, the marking may be performed by pressure contact with a hard member.

図５は、マーキング装置の他の構成例を模式的に示した図である。図５に示す構成のマーキング装置５００では、レーザーマーカー２０６の代わりに、硬質部材でできた圧芯棒２４０が用いられている。マーキング装置５００は、圧芯棒２４０をリブ構造ウエハー１００の裏面に圧接させて、金属電極膜に圧痕（打痕）を形成することによって切断位置調節用のマーキングをおこなう。 FIG. 5 is a diagram schematically showing another configuration example of the marking device. In the marking device 500 having the configuration shown in FIG. 5, a pressure core rod 240 made of a hard member is used instead of the laser marker 206. The marking device 500 performs the marking for adjusting the cutting position by bringing the pressure core rod 240 into pressure contact with the back surface of the rib structure wafer 100 and forming an impression (dent) on the metal electrode film.

この場合、たとえば、ＣＣＤカメラ２０５の光軸中心と、圧芯棒２４０による圧接位置をあらかじめ一致させておく。そして、ＣＣＤカメラ２０５によって撮像された物体の下面側の画像をモニター２３０に表示して、所望の位置（マーキングをおこないたい点）が画像の中心になるようにする。そして、その位置で圧芯棒２４０をＺ軸方向に調節し、リブ構造ウエハー１００の裏面に圧接させて圧接痕をつける。 In this case, for example, the center of the optical axis of the CCD camera 205 and the pressure contact position by the pressure core rod 240 are matched in advance. Then, an image on the lower surface side of the object imaged by the CCD camera 205 is displayed on the monitor 230 so that a desired position (a point to be marked) becomes the center of the image. Then, the pressure core rod 240 is adjusted in the Z-axis direction at that position and pressed against the back surface of the rib structure wafer 100 to form a pressure contact mark.

圧芯棒２４０の材料としては、たとえば、ダイヤモンドやセラミック、シリコンなど、金属電極膜よりも硬質な材料が望ましい。また、圧芯棒２４０の先端形状は、たとえば、十字（＋）や丸（○）、四角（□）など、所望の圧痕形状に合わせて形成すればよい。 As a material of the pressure core rod 240, for example, a material harder than the metal electrode film, such as diamond, ceramic, or silicon, is desirable. The tip shape of the pressure core rod 240 may be formed in accordance with a desired indentation shape such as a cross (+), a circle (◯), or a square (□).

なお、圧芯棒２４０による圧接によって、リブ構造ウエハー１００の金属電極膜のみならず、下地となっているシリコン表面に機械的な損傷が生じる可能性がある。しかし、アライメントマークはスクライブ領域内にあるため、微少な損傷であれば損傷部位もダイシング時に除去されてしまう。このため、その後の工程においても支障にはならない。 The pressure contact with the pressure core rod 240 may cause mechanical damage not only on the metal electrode film of the rib structure wafer 100 but also on the underlying silicon surface. However, since the alignment mark is in the scribe region, the damaged portion is also removed at the time of dicing if the damage is slight. For this reason, it does not become a trouble also in a subsequent process.

この他、たとえば、リブ構造ウエハー１００の裏面側の金属電極膜上にインクを付着させて、切断位置調節用のマーキングをおこなってもよい。図６は、マーキング装置の他の構成例を模式的に示した図である。図６に示す構成のマーキング装置６００では、レーザーマーカー２０６の代わりに、インクマーカーのペン先やインク吐出口などのインク塗着部２５１を有するインク塗着部材２５０を用いる。具体的には、インク塗着部材２５０をＺ軸方向に調節し、インク塗着部２５１によってリブ構造ウエハー１００の裏面にインクを塗着させることによってマーキングをおこなう。 In addition, for example, marking for adjusting the cutting position may be performed by attaching ink onto the metal electrode film on the back surface side of the rib structure wafer 100. FIG. 6 is a diagram schematically showing another configuration example of the marking device. In the marking device 600 having the configuration shown in FIG. 6, an ink application member 250 having an ink application part 251 such as a pen tip of an ink marker or an ink discharge port is used instead of the laser marker 206. Specifically, the marking is performed by adjusting the ink application member 250 in the Z-axis direction and applying ink to the back surface of the rib structure wafer 100 by the ink application part 251.

インク塗着部材２５０を用いる場合、たとえば、ＣＣＤカメラ２０５の光軸中心と、インク塗着部２５１によるインク塗着位置をあらかじめ一致させておく。そして、ＣＣＤカメラ２０５によって撮像された物体の下面側の画像を見ながら、Ｘ軸調節ネジ２０２およびＹ軸調節ネジ２０３を調節し、所望の位置（マーキングをおこないたい点）が画像の中心になるようにする。そして、その位置でインク塗着部材２５０をＺ軸方向に調節し、リブ構造ウエハー１００の裏面にインクを塗着させてアライメントマークをつける。この場合、ダイシングによってアライメントマークとして塗着されたインクは除去されてしまうので、ダイシング後のチップに対する影響はない。 When using the ink application member 250, for example, the center of the optical axis of the CCD camera 205 and the ink application position by the ink application part 251 are matched in advance. The X-axis adjusting screw 202 and the Y-axis adjusting screw 203 are adjusted while viewing the image on the lower surface side of the object imaged by the CCD camera 205, and the desired position (the point where marking is desired) becomes the center of the image. Like that. Then, the ink application member 250 is adjusted in the Z-axis direction at that position, and ink is applied to the back surface of the rib structure wafer 100 to place an alignment mark. In this case, ink applied as an alignment mark by dicing is removed, so that there is no influence on the chip after dicing.

なお、インク塗着部材２５０によって塗着するインクの材料は、ＣＣＤカメラ２０５や光学顕微鏡などで観察した際に十分なコントラストが形成されるものであれば特に限定されず、たとえば、一般的な油性インクなどを用いることができる。これは、リブ構造ウエハー１００のウエハープロセスは終了しており、保護膜が形成されているためである。 The material of the ink applied by the ink application member 250 is not particularly limited as long as a sufficient contrast can be formed when observed with a CCD camera 205 or an optical microscope. Ink or the like can be used. This is because the wafer process of the rib structure wafer 100 is completed and a protective film is formed.

以上説明したように、実施の形態１にかかるマーキング方法によれば、リブ構造ウエハーのウエハー裏面に、ウエハー表面の形状、すなわちチップ配列やアライメントマークに対応した切断位置調節用のアライメントマークを形成する。そして、ウエハーおもて面にダイシングテープを貼り付けて、ウエハー裏面に形成されたアライメントマークに基づいて位置決めをおこなって、ウエハーを裏面側からダイシングすることができる。これにより、リブ構造ウエハーの裏面にダイシングテープを貼り合わせてダイシングをおこなう場合のようなウエハーとダイシングテープとの間の隙間や気泡などが生じることがなく、ダイシング時のチップ不良や割れ不良を低減させることができる。 As described above, according to the marking method according to the first embodiment, the alignment mark for adjusting the cutting position corresponding to the shape of the wafer surface, that is, the chip arrangement and the alignment mark, is formed on the wafer back surface of the rib structure wafer. . Then, a wafer can be diced from the back surface side by attaching a dicing tape to the front surface of the wafer and positioning based on the alignment mark formed on the back surface of the wafer. As a result, there are no gaps or bubbles between the wafer and the dicing tape, as in the case of dicing with a dicing tape attached to the back of the rib structure wafer, reducing chip defects and crack defects during dicing. Can be made.

また、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法によれば、簡便な処理によって効率的に切断位置調節用のアライメントマークを形成することができる。アライメントマークを形成する方法としては、たとえば、両面アライナーを用いて、ウエハー裏面にフォトレジストを塗布し金属電極膜の一部をエッチングしてマーキングをおこなう方法も考えられる。この方法では、一度で多数のマークを形成できるので、多数のマークを形成する必要がある場合には効率がよい。しかし、レジスト塗布、露光、現像、ベークなどのフォト工程が追加されることになり、コストおよびリードタイムが増加してしまう。本実施の形態のようにダイシングのためのアライメントマークを形成する場合、図４に示すように半導体ウエハー上にマークを３つ形成するのみでよい。このため、両面アライナーを用いるよりも、本実施の形態のような方法で形成した方が効率がよい。 In addition, according to the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment, the alignment mark for adjusting the cutting position can be efficiently formed by a simple process. As a method of forming the alignment mark, for example, a method of performing marking by applying a photoresist on the back surface of the wafer and etching a part of the metal electrode film using a double-sided aligner can be considered. In this method, since a large number of marks can be formed at a time, it is efficient when a large number of marks need to be formed. However, a photo process such as resist coating, exposure, development, and baking is added, which increases costs and lead time. When forming alignment marks for dicing as in this embodiment, it is only necessary to form three marks on a semiconductor wafer as shown in FIG. For this reason, it is more efficient to form by a method like this embodiment rather than using a double-sided aligner.

また、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法では、ウエハーおもて面にダイシングテープを貼り合わせてダイシングをおこなう。このため、ダイシングの切削屑（シリコン粉）がデバイス表面に付着するのを防止することができる。通常のダイシング時には、ウエハー裏面にダイシングテープを貼り合わせるため、ウエハー表面に切削屑が付着する。この切削屑を除去するために、高圧の水流を吹き付けて洗浄をおこなう。しかし、複雑な段差構造を有するデバイスの場合、切削屑の除去が特に困難であり、大量の洗浄水と洗浄時間とを要する。実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法では、ウエハー表面にダイシングテープを貼り合わせるため、デバイス表面に切削屑が付着することがない。また、ウエハー裏面に切削屑が付着するものの、ウエハー裏面は表面と比べて平滑であるため、切削屑が除去し易く、洗浄時の洗浄水量や洗浄時間を低減することができる。 In the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment, dicing is performed by attaching a dicing tape to the front surface of the wafer. For this reason, it is possible to prevent dicing cutting waste (silicon powder) from adhering to the device surface. During normal dicing, dicing tape is attached to the back surface of the wafer, so that cutting waste adheres to the wafer surface. In order to remove the cutting waste, cleaning is performed by spraying a high-pressure water stream. However, in the case of a device having a complicated step structure, removal of cutting waste is particularly difficult, and a large amount of cleaning water and cleaning time are required. In the manufacturing method of the semiconductor device according to the first embodiment, since the dicing tape is bonded to the wafer surface, cutting waste does not adhere to the device surface. Moreover, although cutting waste adheres to the back surface of the wafer, the back surface of the wafer is smoother than the front surface, so that the cutting waste can be easily removed, and the amount of cleaning water and cleaning time during cleaning can be reduced.

（実施の形態２）
実施の形態１では、ＣＣＤカメラ２０５によってリブ構造ウエハー１００の表面素子構造部を観察して、ダイシングラインの位置決めをおこなった。つぎに説明する実施の形態２では、リブ構造ウエハー１００の裏面に形成された金属電極膜の一部を除去し、除去された部分から赤外線カメラによって表面素子構造部を観察し、ダイシングラインの位置決めをおこなう。なお、実施の形態２においても、実施の形態１と同様に図１に示したリブ構造ウエハー１００を用いるものとして説明する。 (Embodiment 2)
In the first embodiment, the dicing line is positioned by observing the surface element structure portion of the rib structure wafer 100 with the CCD camera 205. In the second embodiment to be described next, a part of the metal electrode film formed on the back surface of the rib structure wafer 100 is removed, and the surface element structure portion is observed with an infrared camera from the removed portion, and the dicing line is positioned. To do. In the second embodiment, the description will be made assuming that the rib structure wafer 100 shown in FIG. 1 is used as in the first embodiment.

図７は、実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法を模式的に示した説明図である。実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法では、まず、リブ構造ウエハー１００の裏面に形成された金属電極膜のうち、ＰＣＭ（プロセスコントロールモニター）チップが形成されている領域の金属電極膜を選択的に除去して、開口部Ｌを形成する。 FIG. 7 is an explanatory view schematically showing the method of manufacturing the semiconductor device according to the second embodiment. In the method of manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment, first, a metal electrode film in a region where a PCM (process control monitor) chip is formed is selected from the metal electrode films formed on the back surface of the rib structure wafer 100. Then, the openings L are formed.

ＰＣＭチップとは、半導体チップの製造工程において異常や不良がなく、製造中の製品が規格範囲内にあるか否かなどを監視するための簡易的なデバイスが形成されているチップである。ＰＣＭチップは、多くの場合ウエハー工程終了後におこなわれる電気測定（検査）に用いられ、ウエハーのダイシング時にはその役割を終えている。このため、通常のチップ裏面の金属電極膜を除去してしまうとチップのロスになってしまうのに対して、ＰＣＭチップ裏面の金属電極膜を除去してもチップのロスにはならない。 The PCM chip is a chip on which a simple device for monitoring whether or not a product being manufactured is within a standard range without any abnormality or defect in a semiconductor chip manufacturing process is formed. The PCM chip is often used for electrical measurement (inspection) performed after completion of the wafer process, and has finished its role during wafer dicing. For this reason, if the metal electrode film on the back surface of the normal chip is removed, a chip loss occurs. However, even if the metal electrode film on the back surface of the PCM chip is removed, no chip loss occurs.

ＰＣＭチップは、半導体ウエハー上に３〜５箇所形成される。また、ＰＣＭチップが形成される位置はあらかじめ決まっており、各ＰＣＭチップ間は間隔を置いて形成される。このため、ＰＣＭチップを基準とするとアライメントが取りやすい。 Three to five PCM chips are formed on a semiconductor wafer. The positions where the PCM chips are formed are determined in advance, and the PCM chips are formed at intervals. For this reason, alignment is easy when the PCM chip is used as a reference.

ＰＣＭチップ裏面の金属電極膜を除去する際は、たとえば、ＰＣＭチップが形成されている位置の裏面にエッチング液滴下用のノズルを合わせ、ノズルから金属膜エッチング溶液を数滴滴下する。このとき、エッチング液がＰＣＭチップの領域をはみ出して、製品チップの領域に侵入しないよう、ディスペンサによって金属膜エッチング溶液の滴下量を調節する。これは、製品チップの領域に金属膜エッチング溶液が侵入してしまうと、製品チップのロスになってしまうためである。そして、金属電極膜の溶解後に金属膜エッチング溶液を拭き取って、開口部Ｌを形成する。また、たとえば、ＰＣＭチップ以外の領域をマスクしてエッチングをおこない、ＰＣＭチップの領域のみをエッチングした後、マスクを除去してもよい。 When removing the metal electrode film on the back surface of the PCM chip, for example, a nozzle for dropping etching droplets is aligned with the back surface at the position where the PCM chip is formed, and several drops of the metal film etching solution are dropped from the nozzle. At this time, the dropping amount of the metal film etching solution is adjusted by the dispenser so that the etching solution does not protrude from the PCM chip area and enter the product chip area. This is because if the metal film etching solution enters the region of the product chip, the product chip is lost. Then, after the metal electrode film is dissolved, the metal film etching solution is wiped off to form the opening L. Further, for example, etching may be performed by masking a region other than the PCM chip, and after etching only the region of the PCM chip, the mask may be removed.

その後、開口部Ｌから赤外線カメラＣを用いて、リブ構造ウエハー１００のおもて面側の形状、すなわち、表面素子構造部のチップ配列などを観察して、ダイシングラインの位置決めをおこなう。なお、開口部ＬがＰＣＭチップのサイズより小さい場合であっても、チップサイズは決まっているため、開口部ＬのＰＣＭチップ上での位置がわかればダイシングラインを設定することができる。この後のダイシング工程の手順は、実施の形態１で説明した通りである。なお、実施の形態１と同じように、リブ構造ウエハーのおもて面側の形状を観察しながら裏面に切断位置調節用のアライメントマークを形成し、このマークに基づいてダイシング工程をおこなうこととしてもよい。 Thereafter, using the infrared camera C from the opening L, the shape of the front surface side of the rib structure wafer 100, that is, the chip arrangement of the surface element structure portion, is observed, and the dicing line is positioned. Even if the opening L is smaller than the size of the PCM chip, the chip size is determined, so that a dicing line can be set if the position of the opening L on the PCM chip is known. The procedure of the subsequent dicing process is as described in the first embodiment. As in the first embodiment, the alignment mark for adjusting the cutting position is formed on the back surface while observing the shape of the front surface side of the rib structure wafer, and the dicing process is performed based on this mark. Also good.

つぎに、実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法の変形例について説明する。図８は、実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法の変形例を模式的に示した説明図である。図８に示す変形例では、製品チップが形成されていないウエハー外周部領域Ｓの裏面の金属電極膜を選択的に除去する。具体的には、リブ構造ウエハー１００のおもて面にエッチング保護膜を形成した後、金属膜エッチング溶液（たとえば、王水など）にリブ構造ウエハーの外周部領域Ｓを浸して金属電極膜を除去する。 Next, a modification of the semiconductor device manufacturing method according to the second embodiment will be described. FIG. 8 is an explanatory view schematically showing a modification of the method for manufacturing the semiconductor device according to the second embodiment. In the modification shown in FIG. 8, the metal electrode film on the back surface of the wafer outer peripheral region S where the product chip is not formed is selectively removed. Specifically, after forming an etching protective film on the front surface of the rib structure wafer 100, the outer peripheral region S of the rib structure wafer is immersed in a metal film etching solution (for example, aqua regia) to form a metal electrode film. Remove.

外周部領域Ｓの金属電極膜を除去した後、たとえば、リブ構造ウエハー１００の外周部領域Ｓのおもて面に、あらかじめアライメントマークが形成されている場合には、赤外線カメラＣによってアライメントマークの位置と形状とを観察し、ダイシングラインの位置決めをおこなう。この後のダイシング工程の手順は、実施の形態１で説明した通りである。 After the metal electrode film in the outer peripheral region S is removed, for example, when an alignment mark is formed in advance on the front surface of the outer peripheral region S of the rib structure wafer 100, Observe the position and shape, and position the dicing line. The procedure of the subsequent dicing process is as described in the first embodiment.

また、たとえば、製品チップが形成されないウエハー外周部に、製品チップの配列に準じてダミーチップを形成しておき、位置決めに用いてもよい。図８中、リブ構造ウエハー１００上に点線で示すのは、おもて面側に形成された製品チップの位置である。また、リブ構造ウエハー１００上に太線で示すのは、おもて面側に形成されたダミーチップの位置である。この場合、金属電極膜が除去されたリブ構造ウエハー１００の裏面から赤外線カメラＣによりおもて面側のダミーチップの配列等の形状を観察してダイシングラインの位置決めをおこなう。 Further, for example, dummy chips may be formed in accordance with the arrangement of the product chips on the outer periphery of the wafer on which the product chips are not formed and used for positioning. In FIG. 8, the dotted line on the rib structure wafer 100 indicates the position of the product chip formed on the front surface side. A thick line on the rib structure wafer 100 indicates the position of the dummy chip formed on the front surface side. In this case, the dicing line is positioned by observing the shape of the arrangement of dummy chips on the front surface side by the infrared camera C from the back surface of the rib structure wafer 100 from which the metal electrode film has been removed.

以上説明したように、実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法によれば、リブ構造ウエハーの裏面に形成された金属電極膜の一部を除去して、ウエハー表面のチップ配列やアライメントマークを観察してダイシングラインの位置決めをおこなうことができる。そして、ウエハー表面にダイシングテープを貼り付けて、ウエハーをダイシングすることができる。これにより、リブ構造ウエハーの裏面にダイシングテープを貼り合わせてダイシングをおこなう場合のように、ウエハーとダイシングテープとの間に隙間や気泡などが生じることがなく、チップ不良や割れ不良を低減させることができる。 As described above, according to the manufacturing method of the semiconductor device according to the second embodiment, a part of the metal electrode film formed on the back surface of the rib structure wafer is removed, and the chip array and the alignment mark on the wafer surface are removed. The dicing line can be positioned by observing. The wafer can be diced by attaching a dicing tape to the wafer surface. This eliminates gaps and bubbles between the wafer and the dicing tape, as in the case of dicing with a dicing tape attached to the back of the rib structure wafer, and reduces chip defects and crack defects. Can do.

また、実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法は、実施の形態１と同様にウエハー表面にダイシングテープを貼り合わせてダイシングをおこなう。このため、ダイシングの切削屑がデバイス表面に付着するのを防止し、切削屑の洗浄時の洗浄水量や洗浄時間を低減することができる。 Further, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment, dicing is performed by attaching a dicing tape to the wafer surface as in the first embodiment. For this reason, it can prevent that the cutting waste of dicing adheres to a device surface, and can reduce the amount of washing water at the time of washing of cutting waste, and washing time.

以上のように、本発明にかかる半導体装置の製造方法およびマーキング装置は、裏面に金属電極膜を有する半導体装置をリブ構造のウエハーを用いて製造する際に有用であり、特に、縦型ＩＧＢＴや縦型ＭＯＳＦＥＴの製造に適している。 As described above, the method for manufacturing a semiconductor device and the marking device according to the present invention are useful when a semiconductor device having a metal electrode film on the back surface is manufactured using a wafer having a rib structure. Suitable for manufacturing vertical MOSFETs.

実施の形態１で用いる半導体ウエハーの構造の一例を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of a structure of a semiconductor wafer used in the first embodiment. 実施の形態１で用いるマーキング装置の外観を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the external appearance of the marking apparatus used in Embodiment 1. FIG. リブ構造ウエハーに対するアライメントマーク形成処理を模式的に示した説明図である。It is explanatory drawing which showed typically the alignment mark formation process with respect to a rib structure wafer. ウエハー上の切断位置調節用のアライメントマークとダイシングラインとの関係を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the relationship between the alignment mark for cutting position adjustment on a wafer, and a dicing line. マーキング装置の他の構成例を模式的に示した図である。It is the figure which showed typically the other structural example of the marking apparatus. マーキング装置の他の構成例を模式的に示した図である。It is the figure which showed typically the other structural example of the marking apparatus. 実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法を模式的に示した説明図である。FIG. 6 is an explanatory view schematically showing a method for manufacturing a semiconductor device according to a second embodiment; 実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法の変形例を模式的に示した説明図である。FIG. 10 is an explanatory view schematically showing a modification of the method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment. ウエハーに対するダイシング処理を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the dicing process with respect to a wafer. リブ構造ウエハーに対するダイシング処理の一例を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically an example of the dicing process with respect to a rib structure wafer. リブ構造ウエハーに対するダイシング処理を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the dicing process with respect to a rib structure wafer. 金属電極膜が形成されたリブ構造ウエハーに対するダイシング処理を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the dicing process with respect to the rib structure wafer in which the metal electrode film was formed.

符号の説明Explanation of symbols

１００リブ構造ウエハー
１０１内周部
１０２外周部
２００マーキング装置
２０１ＸＹステージ
２０２Ｘ軸調節ネジ
２０３Ｙ軸調節ネジ
２０４Ｚ軸調節ネジ
２０５ＣＣＤカメラ
２０６レーザーマーカー
２０７スイッチ
２１０開口部
２３０モニター DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Rib structure wafer 101 Inner peripheral part 102 Outer peripheral part 200 Marking apparatus 201 XY stage 202 X-axis adjustment screw 203 Y-axis adjustment screw 204 Z-axis adjustment screw 205 CCD camera 206 Laser marker 207 Switch 210 Opening part 230 Monitor

Claims

第１主面の外周部が他の領域よりも厚い半導体ウエハーの前記第１主面に金属電極膜を形成する裏面電極形成工程と、
前記半導体ウエハーの第２主面側の形状が撮影された画像に基づいて前記半導体ウエハーの前記第１主面に前記半導体ウエハーの切断位置調節用マークを形成するマーキング工程と、
前記切断位置調節用マークに基づいてダイシングラインを設定する設定工程と、
をこの順に含み、
前記マーキング工程では、前記半導体ウエハーの外周部の隣り合う４つのチップの中心位置が前記画像の中心となるように前記半導体ウエハーの位置を調節して、前記半導体ウエハーの前記第１主面の外周部の少なくとも３箇所に前記切断位置調節用マークを形成し、
前記設定工程では、あらかじめ設定された縦横にダイシングする間隔に基づいて、前記３箇所の前記切断位置調節用マークをダイシングラインの開始点、終了点、平行出し点とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 A back electrode forming step of forming a metal electrode film on the first main surface of the semiconductor wafer in which the outer peripheral portion of the first main surface is thicker than other regions;
A marking step of forming a mark for adjusting the cutting position of the semiconductor wafer on the first main surface of the semiconductor wafer based on an image obtained by photographing the shape of the second main surface of the semiconductor wafer;
A setting step for setting a dicing line based on the cutting position adjustment mark;
In this order,
In the marking step, the position of the semiconductor wafer is adjusted so that the center position of four adjacent chips on the outer periphery of the semiconductor wafer is the center of the image, and the outer periphery of the first main surface of the semiconductor wafer is adjusted. part forming the cutting position adjustment mark in at least three locations,
In the setting step, the cutting position adjusting marks at the three positions are set as a dicing line start point, end point, and parallel projecting point based on a predetermined interval between vertical and horizontal dicing. Manufacturing method.

前記マーキング工程では、前記半導体ウエハーの前記第２主面側に設けられたカメラを用いて前記第２主面側の形状を撮影することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein in the marking step, the shape of the second main surface is photographed using a camera provided on the second main surface of the semiconductor wafer. .

第１主面の外周部が他の領域よりも厚い半導体ウエハーの前記第１主面に金属電極膜を形成する裏面電極形成工程と、
前記半導体ウエハーの前記第１主面に形成された前記金属電極膜のうち、検査用のチップとなる領域の前記金属電極膜を選択的に除去する電極膜除去工程と、
前記金属電極膜が除去された領域の第２主面側の形状が撮影された画像に基づいて前記半導体ウエハーの前記第１主面に前記半導体ウエハーの切断位置調節用マークを形成するマーキング工程と、
前記切断位置調節用マークに基づいてダイシングラインを設定する設定工程と、
を含み、
前記マーキング工程では、前記半導体ウエハーの外周部の隣り合う４つのチップの中心位置が前記画像の中心となるように前記半導体ウエハーの位置を調節して、前記半導体ウエハーの前記第１主面の外周部の少なくとも３箇所に前記切断位置調節用マークを形成し、
前記設定工程では、あらかじめ設定された縦横にダイシングする間隔に基づいて、前記３箇所の前記切断位置調節用マークをダイシングラインの開始点、終了点、平行出し点とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 A back electrode forming step of forming a metal electrode film on the first main surface of the semiconductor wafer in which the outer peripheral portion of the first main surface is thicker than other regions;
An electrode film removing step of selectively removing the metal electrode film in a region to be an inspection chip from the metal electrode film formed on the first main surface of the semiconductor wafer;
A marking step of forming a cutting position adjusting mark of the semiconductor wafer on the first main surface of the semiconductor wafer based on an image of the shape of the second main surface side of the region from which the metal electrode film has been removed; ,
A setting step for setting a dicing line based on the cutting position adjustment mark;
Only including,
In the marking step, the position of the semiconductor wafer is adjusted so that the center position of four adjacent chips on the outer periphery of the semiconductor wafer is the center of the image, and the outer periphery of the first main surface of the semiconductor wafer is adjusted. Forming the cutting position adjusting marks in at least three locations of the part,
In the setting step, the cutting position adjusting marks at the three positions are set as a dicing line start point, end point, and parallel projecting point based on a predetermined interval between vertical and horizontal dicing. Manufacturing method.

前記マーキング工程では、前記半導体ウエハーの前記第１主面側に設けられた赤外線カメラを用いて前記第２主面側の形状を撮影することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。 4. The manufacturing of a semiconductor device according to claim 3, wherein in the marking step, the shape of the second main surface side is photographed using an infrared camera provided on the first main surface side of the semiconductor wafer. Method.

前記マーキング工程では、前記半導体ウエハーの前記第１主面にレーザー光を照射し、前記レーザー光の照射痕を前記切断位置調節用マークとすることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。 In the marking step, the first main surface of the semiconductor wafer is irradiated with a laser beam, and an irradiation mark of the laser beam is used as the cutting position adjusting mark. The manufacturing method of the semiconductor device as described in one.

前記マーキング工程では、前記半導体ウエハーの前記第１主面に前記金属電極膜よりも硬質な部材を圧接し、前記部材による圧接痕を前記切断位置調節用マークとすることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。 2. In the marking step, a member harder than the metal electrode film is pressed against the first main surface of the semiconductor wafer, and a pressure contact mark by the member is used as the cutting position adjusting mark. The manufacturing method of the semiconductor device as described in any one of -4.

前記マーキング工程では、前記半導体ウエハーの前記第１主面にインクを付着させ、前記インクを前記切断位置調節用マークとすることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。 5. The semiconductor according to claim 1, wherein in the marking step, ink is attached to the first main surface of the semiconductor wafer, and the ink is used as the cutting position adjustment mark. Device manufacturing method.

前記マーキング工程で形成された前記切断位置調節用マークを用いて前記半導体ウエハーをチップ状に切断する切断工程を含んだことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。 8. The semiconductor device according to claim 1, further comprising a cutting step of cutting the semiconductor wafer into chips using the cutting position adjusting marks formed in the marking step. Manufacturing method.

第１主面の外周部が他の領域よりも厚い半導体ウエハーの前記第１主面を撮影しながら前記半導体ウエハーの第２主面にマークを形成するマーキング装置であって、
前記半導体ウエハーの前記第１主面側に設けられ、前記第１主面を撮影する撮影手段と、
前記半導体ウエハーの第２主面側に設けられ、前記撮影手段によって撮影された画像に基づいて前記第２主面に前記マークを形成するマーキング手段と、
前記マークに基づいてダイシングラインを設定する設定手段と、
を備え、
前記マーキング手段は、前記半導体ウエハーの外周部の隣り合う４つのチップの中心位置が前記画像の中心となるように前記半導体ウエハーの位置を調節して、前記半導体ウエハーの前記第１主面の外周部の少なくとも３箇所に前記マークを形成し、
前記設定手段は、あらかじめ設定された縦横にダイシングする間隔に基づいて、前記３箇所の前記マークをダイシングラインの開始点、終了点、平行出し点とすることを特徴とするマーキング装置。 A marking device for forming a mark on the second main surface of the semiconductor wafer while photographing the first main surface of the semiconductor wafer, wherein the outer peripheral portion of the first main surface is thicker than other regions,
Provided on the first main surface side of said semiconductor wafer, a photographing means for photographing the first main surface,
Marking means provided on the second main surface side of the semiconductor wafer and forming the mark on the second main surface based on an image photographed by the photographing means;
Setting means for setting a dicing line based on the mark;
With
The marking means adjusts the position of the semiconductor wafer so that the center position of four adjacent chips on the outer peripheral portion of the semiconductor wafer becomes the center of the image, and the outer periphery of the first main surface of the semiconductor wafer said mark formed on at least three parts,
The marking device according to claim 1, wherein the setting unit sets the three marks as a starting point, an ending point, and a paralleling point of the dicing line based on preset vertical and horizontal dicing intervals .

前記マーキング手段は、前記半導体ウエハーの前記第２主面にレーザー光を照射し、前記レーザー光の照射痕を前記マークとすることを特徴とする請求項９に記載のマーキング装置。 The marking device according to claim 9, wherein the marking unit irradiates the second main surface of the semiconductor wafer with a laser beam and uses an irradiation mark of the laser beam as the mark.

前記マーキング手段は、前記半導体ウエハーの前記第２主面に前記半導体ウエハーよりも硬質な部材を圧接し、前記部材による圧接痕を前記マークとすることを特徴とする請求項９に記載のマーキング装置。 10. The marking device according to claim 9, wherein the marking means presses a member harder than the semiconductor wafer against the second main surface of the semiconductor wafer, and uses a press contact mark by the member as the mark. .

前記マーキング手段は、前記半導体ウエハーの前記第２主面にインクを付着させ、前記インクを前記マークとすることを特徴とする請求項９に記載のマーキング装置。 The marking device according to claim 9, wherein the marking unit attaches ink to the second main surface of the semiconductor wafer and uses the ink as the mark.