JP5151794B2 - 光モジュール、光モジュールの光制御方法、光スイッチおよび光スイッチ方法 - Google Patents
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Description
図20(B)で説明したように、それぞれマイクロミラー510aおよび510bで反射された出力光Q1および出力光Q2は、コリメータレンズ520の入射面に対する入射位置に依存して減衰量が変化する。図21では、入射位置に対する光の減衰量を示している。なお、X軸は、入射位置についてコリメータレンズ520の中心部(グラフのO点)からの位置ずれ量([mm])を表している。Y軸は、中心部での光強度を基準として、入射位置に対する光の減衰量([dB])を表している。
この光モジュールは、前記入力光を反射させて、出力光を出射するミラーと、前記ミラーと対向し、前記入力光を前記ミラーの反射面で反射させる際に、前記ミラーに印加する電圧に応じて前記反射面を歪ませることにより、前記出力光が入射される入射面における中心部から前記出力光の入射位置の位置ずれ量に対する前記出力光の減衰量を表す光結合特性が変化する前記出力光を出射させるように前記反射面を制御するミラー制御部と、を有し、前記ミラー制御部は、前記光結合特性の前記位置ずれ量に対する前記出力光の減衰量が線形に近づくように変化する前記出力光を出射させるように前記反射面を制御する。
この光モジュールの光制御方法は、前記入力光をミラーで反射させる際に、前記ミラーと対向するミラー制御部が、前記ミラーに印加する電圧に応じて前記ミラーの反射面を歪ませることにより、前記入力光が前記ミラーで反射されて、出射された出力光が入射される入射面における中心部から前記出力光の入射位置の位置ずれ量に対する前記出力光の減衰量を表す光結合特性の前記位置ずれ量に対する前記出力光の減衰量が線形に近づくように変化する前記出力光を出射させるように前記反射面を制御する。
この光スイッチは、前記入力光を入力する入力ポートと、前記入力ポートからの前記入力光を分光する分光素子と、前記分光素子で分光された分光光を反射させて、出力光を出射するミラーと、前記ミラーと対向し、前記分光光を前記ミラーの反射面で反射させる際に、前記ミラーに印加する電圧に応じて前記反射面を歪ませることにより、前記出力光が入射される入射面における中心部から前記出力光の入射位置の位置ずれ量に対する前記出力光の減衰量を表す光結合特性が変化する前記出力光を出射させるように前記反射面を制御するミラー制御部と、を有する、前記分光光の波長ごとに設けられた複数の光モジュールと、前記光モジュールからの前記出力光を任意の方向に反射させる、前記波長ごとに設けられた複数の偏向ミラーと、前記偏向ミラーからの前記出力光を入射する、前記波長ごとに設けられた複数の出力ポートと、を有し、前記ミラー制御部は、前記光結合特性の前記位置ずれ量に対する前記出力光の減衰量が線形に近づくように変化する前記出力光を出射させるように前記反射面を制御する。
この光スイッチ方法は、入力ポートからの前記入力光が分光素子で分光された分光光の波長ごとに設けられた複数の光モジュールのミラーと対向するミラー制御部が、前記分光光を前記ミラーで反射させる際に、前記ミラーに印加する電圧に応じて前記ミラーの反射面を歪ませることにより、前記入力光が前記ミラーで反射されて、出射された出力光が入射される入射面における中心部から前記出力光の入射位置の位置ずれ量に対する前記出力光の減衰量を表す光結合特性の前記位置ずれ量に対する前記出力光の減衰量が線形に近づくように変化する前記出力光を出射させて、前記波長ごとに設けられた複数の偏向ミラーが、前記光モジュールからの前記出力光を任意の方向に反射させて、前記波長ごとに設けられた複数の出力ポートが、前記偏向ミラーからの前記出力光を入射する。
まず、実施の形態の概要について説明する。
図1は、実施の形態の概要を説明するための図である。
この時、ミラー11によって反射された出力光Lbの光結合特性が線形に近づくように、ミラー11の反射面が所定の形状に制御される。ミラー11の反射面の制御は、外部の制御回路からの制御信号により電極12a,13aが反射面に対して電圧Vを印加されて、ミラー11の反射面を歪ませることで行われる。
このようなミラー11の反射面の制御によって、出力光Lbの光結合特性を所望の特性に近づけることができる。光結合特性が線形に近づくと、駆動電圧の変動や外部ノイズなどの外部の影響に対する耐性が高くなる。上記方法では、特許文献のようにフィルタを用いていないために、光強度の余分な低下を招くことはない。さらに、ミラー11の反射面の形状を制御させて光結合特性を変化させているために、光の径などの条件が変わっても、所望の光結合特性を実現させることができる。光モジュール10の組み立て後でもミラー11の反射面の形状の補正が可能であるため、光モジュール10ごとのばらつきを抑えて、どの光モジュール10でも同等の光結合特性を実現させることができる。また、ミラー11の制御は即時可能であるために、光結合特性の経時変化が可能である。
図2は、光結合特性のシミュレーションに係るシミュレーションの実施方法を説明するための図、図3は、光結合特性のシミュレーションに係る、(A)は入力光、(B)は別の入力光を説明するためのグラフである。
(但し、A1,w1は定数)・・・・・・・・・・・・(1)
φb1(x,y)=A2exp(−(sqrt(x2+y2))/w2 2)
(但し、A2,w2は定数、sqrtは平方根)・・・(2)
上記条件にて行われたそれぞれの出力光Lb1の光結合特性のシミュレーション結果について説明する。
なお、図4では、光ファイバ25の入射位置に対する光の減衰量を示している。X軸は、入射位置であって、光ファイバ25の中心部(X軸上の0)からの位置ずれ量([mm])を表している。Y軸は、光ファイバ25の中心部での光強度を基準として、入射位置に対する光の減衰量([dB])を表している。また、グラフの“◇印”は形状が図3(A)で表わされるφa1の入力光La1を、“●印”は形状が図3(B)で表わされるφb1の入力光La1をそれぞれ用いた場合の出力光Lb1の減衰量を表している。
まず、第1の実施の形態について説明する。
第1の実施の形態では具体的な光モジュールの例を挙げて説明する。
なお、図6,7は、図5の一点鎖線A−A,B−Bにおける断面をそれぞれ表している。
ミラー基板110は、シリコン(Si)層111、酸化シリコン(SiO2)層112およびSi層113により順に積層されて構成されるSOI(Silicon On Insulator)構造である。なお、Si層111およびSiO2層112は内側が除去された額縁状である。Si層113の内壁に、トーションバー116、さらには薄膜ミラー114が一体的に形成されている。薄膜ミラー114の反射面には、反射率を高めるために金属膜115が形成されている。また、Si層113を構成する対向する一組の枠部に、はんだバンプにより構成されるスペーサ117が形成されている。
既述の通り、上部ガラス基板120および下部ガラス基板130のガラス板121,131に複数の制御電極123,133が形成されている。複数の制御電極123,133は薄膜ミラー114(および金属膜115)と対向して、薄膜ミラー114(および金属膜115)を覆うように配置されている。それぞれの制御電極123,133は、ガラス板121,131上に形成された電極パッド122,132と配線で接続されている。さらに、電極パッド122,132は外部の制御回路(図示を省略)と接続されている。
図8,9は、第1の実施の形態に係る光モジュールの製造工程を説明するための図である。なお、図8,9は図5で示したミラー基板110の一点鎖線C−Cの断面について示すこととする。
そして、このSOI構造のSi層113aの表面の一部に金(Au)/クロム(Cr)を用いてメタライズを行って、金属膜115を形成する(図8(A))。
Si層111の一部のエッチング後、フォトレジストパターン90を除去して、フッ化水素(HF)を用いて、SiO2層112の一部を溶解して、ミラー基板110を形成する(図9(B))。
第2の実施の形態の光モジュールのミラー基板は、薄膜ミラーが、対向する一組のトーションバーのみで支持されている場合を例に挙げて説明する。第2の実施の形態の光モジュールの上部ガラス基板および下部ガラス基板の構成については、図5で示した光モジュール100と同一である。
光モジュールを構成するミラー基板210は、図10に示されるように、Si層213の内部に、対向する一組のトーションバー216のみに支持される薄膜ミラー214が形成されている。なお、Si層213、トーションバー216および薄膜ミラー214は一体的に形成されている。また、薄膜ミラー214の反射面には、反射率を高めるために金属膜を形成しても構わない。トーションバー216による薄膜ミラー214の支持方向と垂直方向である、Si層213を構成する枠部に、はんだバンプもしくはマイクロビーズなどにより構成されるスペーサ217が形成されている。
図11は、第2の実施の形態に係る光モジュールの構成を説明するための断面図である。
ミラー基板210は、Si層211、SiO2層212およびSi層213により順に積層されて構成されるSOI構造である。なお、Si層211およびSiO2層212は内側が除去された額縁状である。Si層213の内部に、対向する一組のトーションバー216(但し、一点鎖線B−Bの断面では表れない)のみに支持される薄膜ミラー214が形成されている。また、Si層213を構成する対向する一組の枠部に、はんだバンプにより構成されるスペーサ217が形成されている。
上記の各構成要素から、図11に示されるように、ミラー基板210と上部ガラス基板120とをスペーサ217を介して接合させる。さらに、ミラー基板210の額縁状のSi層211およびSiO2層212の内部に、突起部134を嵌合させて、ミラー基板210と下部ガラス基板130を接合させる。このようにして光モジュール200が構成される。
薄膜ミラー214は、Si層213の内部で、一組のトーションバー216によって両側から支持されている。このため、トーションバー216を軸として薄膜ミラー214を回転させることが可能となり、出力光の光結合特性だけでなく、反射方向も制御(偏向)することができる。
第3の実施の形態では、第2の実施の形態と異なる機構で出力光の光結合特性を変化させるとともに反射角度を制御する場合を例に挙げて説明する。なお、第3の実施の形態の光モジュールの下部ガラス基板の構成については、図5で示した光モジュール100と同一である。
光モジュールを構成するミラー基板310は、図12(A)に示されるように、Si層313の内部に、対向する一組のトーションバー319のみに支持されるSiフレーム層318が形成されている。なお、Si層313の内壁、トーションバー319およびSiフレーム層318は一体的に形成されている。さらに、Siフレーム層318の内部に、二組のトーションバー316で四方から支持される薄膜ミラー314が形成されている。なお、同様に、Siフレーム層318、トーションバー316および薄膜ミラー314は一体的に形成されている。また、薄膜ミラー314の反射面には、反射率を高めるために金属膜を形成しても構わない。また、Si層313を構成する対向する一組の枠部に、はんだバンプにより構成されるスペーサ317が形成されている。
図13,14は、第3の実施の形態に係る光モジュールの構成を説明するための断面図である。
光モジュール300は、上部ガラス基板320および下部ガラス基板130がミラー基板310を挟むように構成されている。
上記の各構成要素から、図13,14に示されるように、ミラー基板310と上部ガラス基板320とをスペーサ317を介して接合させる。さらに、ミラー基板310の額縁状のSi層311およびSiO2層312の内部に、突起部134を嵌合させて、ミラー基板310と下部ガラス基板130を接合させる。このようにして光モジュール300が構成される。
図15は、第3の実施の形態に係る光モジュールの薄膜ミラーの制御を説明するための断面図、図16は、第3の実施の形態に係る光モジュールの薄膜ミラーに対する補正電圧の印加を説明するための断面図である。
第4の実施の形態では、第1〜第3の実施の形態で説明した光モジュールを適用させた例をあげて説明する。
図17は、第4の実施の形態に係る光スイッチを説明するための図である。
光スイッチシステム20は、入力ポート21、分光素子22、集光光学系23a,23b、出力ポート24a1,・・・,24an、第1の実施の形態で説明した光モジュール100、および偏向ミラー101を有する。なお、光モジュール100および偏向ミラー101は一対となっており、入力光に多重している波長ごとにn組が備えられている。また、偏向ミラー101には駆動電圧が印加される。すなわち、偏向ミラー101は偏向用駆動電圧に応じて偏向角度が変化する。
図18は、第4の実施の形態に係る偏向用駆動電圧に対する出力光の減衰量のグラフである。なお、X軸は、偏向ミラー101を偏向させるための偏向用駆動電圧([V])である。Y軸は、出力ファイバの端面の中心での光強度を基準として、偏向用駆動電圧に対する出力光ごとの減衰量([dB])を表している。
図19は、第4の実施の形態に係る別の光スイッチを説明するための図である。
光スイッチシステム30は、入力ファイバ31、集光光学系33、出力ファイバ34および第2の実施の形態で説明した光モジュール200を有する。なお、光モジュール200は、第3の実施の形態で説明した光モジュール300でも構わない。
前記入力光を反射させて、出力光を出射するミラーと、
前記ミラーと対向し、前記入力光を前記ミラーの反射面で反射させる際に、前記ミラーに印加する電圧に応じて前記反射面を歪ませることにより、光結合特性が変化する前記出力光を出射させるように前記反射面を制御するミラー制御部と、
を有することを特徴とする光モジュール。
(付記3) 前記ミラー制御部は、前記光結合特性が線形に近づくように変化する前記出力光を出射させるように前記反射面を制御することを特徴とする付記1または2に記載の光モジュール。
前記ミラー制御部は、
外部の制御回路と接続される第1の電極パッドと、前記第1の電極パッドと配線で接続される複数の第1の制御電極とが主面に形成され、スペーサを介して前記主面と前記第2のシリコン層を接合すると前記第1の制御電極が前記ミラーと対向する上部ガラス基板と、
前記制御回路と接続される第2の電極パッドと、前記第2の電極パッドと配線で接続される複数の第2の制御電極が上面に形成される突起部とが主面に形成され、前記突起部を前記第1のシリコン層側から前記ミラー基板の内部に嵌合して、前記ミラー基板と接合すると前記第2の制御電極が前記ミラーと対向する下部ガラス基板と、
を有することを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の光モジュール。
前記ミラー制御部は、
外部の制御回路と接続される第1の電極パッドと、前記第1の電極パッドと配線で接続される複数の第1の制御電極とが主面に形成され、スペーサを介して前記主面と前記第2のシリコン層を接合すると前記第1の制御電極が前記ミラーと対向する上部ガラス基板と、
前記制御回路と接続される第2の電極パッドと、前記第2の電極パッドと配線で接続される複数の第2の制御電極が上面に形成される突起部とが主面に形成され、前記突起部を前記第1のシリコン層側から前記ミラー基板の内部に嵌合して、前記ミラー基板と接合すると前記第2の制御電極が前記ミラーと対向する下部ガラス基板と、
を有することを特徴とする付記4記載の光モジュール。
前記ミラー制御部は、
外部の制御回路と接続される第1の電極パッドと、前記第1の電極パッドと配線で接続される電極と、前記第1の電極パッドと配線で接続される複数の第1の制御電極と、が主面に形成され、スペーサを介して前記主面側と前記第2のシリコン層を接合すると、前記電極が前記シリコンフレーム層の枠部と重なり、前記第1の制御電極が前記ミラーと対向する上部ガラス基板と、
前記制御回路と接続される第2の電極パッドと、前記第2の電極パッドと配線で接続される複数の第2の制御電極が上面に形成される突起部とが主面に形成され、前記突起部を前記第1のシリコン層側から前記ミラー基板の内部に嵌合して、前記ミラー基板と接合すると前記第2の制御電極が前記ミラーと対向する下部ガラス基板と、
を有することを特徴とする付記4記載の光モジュール。
(付記9) 入力光を反射させる光モジュールの光制御方法において、
前記入力光をミラーで反射させる際に、前記ミラーと対向するミラー制御部が、前記ミラーに印加する電圧に応じて前記ミラーの反射面を歪ませることにより、光結合特性が変化する出力光を出射させるように前記反射面を制御することを特徴とする光制御方法。
前記入力光を入力する入力ポートと、
前記入力ポートからの前記入力光を分光する分光素子と、
前記分光素子で分光された分光光を反射させて、出力光を出射するミラーと、前記ミラーと対向し、前記分光光を前記ミラーの反射面で反射させる際に、前記ミラーに印加する電圧に応じて前記反射面を歪ませることにより、光結合特性が変化する前記出力光を出射させるように前記反射面を制御するミラー制御部と、を有する、前記分光光の波長ごとに設けられた複数の光モジュールと、
前記光モジュールからの前記出力光を任意の方向に反射させる、前記波長ごとに設けられた複数の偏向ミラーと、
前記偏向ミラーからの前記出力光を入射する、前記波長ごとに設けられた複数の出力ポートと、
を有することを特徴とする光スイッチ。
入力ポートからの前記入力光が分光素子で分光された分光光の波長ごとに設けられた複数の光モジュールのミラーと対向するミラー制御部が、前記分光光を前記ミラーで反射させる際に、前記ミラーに印加する電圧に応じて前記ミラーの反射面を歪ませることにより、光結合特性が変化する出力光を出射させて、
前記波長ごとに設けられた複数の偏向ミラーが、前記光モジュールからの前記出力光を任意の方向に反射させて、
前記波長ごとに設けられた複数の出力ポートが、前記偏向ミラーからの前記出力光を入射する、
ことを特徴とする光スイッチ方法。
11 ミラー
12 ガラス基板
12a,13a 電極
13 基板
14 入力コネクタ
15 出力コネクタ
La 入力光
Lb 出力光
Claims (8)
- 入力光を反射させる光モジュールにおいて、
前記入力光を反射させて、出力光を出射するミラーと、
前記ミラーと対向し、前記入力光を前記ミラーの反射面で反射させる際に、前記ミラーに印加する電圧に応じて前記反射面を歪ませることにより、前記出力光が入射される入射面における中心部から前記出力光の入射位置の位置ずれ量に対する前記出力光の減衰量を表す光結合特性が変化する前記出力光を出射させるように前記反射面を制御するミラー制御部と、
を有し、
前記ミラー制御部は、前記光結合特性の前記位置ずれ量に対する前記出力光の減衰量が線形に近づくように変化する前記出力光を出射させるように前記反射面を制御する、
ことを特徴とする光モジュール。 - 前記ミラー制御部は、前記出力光の進行方向と垂直な断面での光強度の形状と前記入力光の進行方向と垂直な断面での光強度の形状との差から得られる形状に、前記反射面を歪ませることを特徴とする請求項1記載の光モジュール。
- 前記ミラー制御部は、前記ミラーに印加する電圧に応じて、前記反射面を歪ませるとともに、前記ミラーを傾かせることにより、前記光結合特性および出射方向が変化した前記出力光を出射させることを特徴とする請求項1または2に記載の光モジュール。
- 額縁状の第1のシリコン層と、額縁状の酸化シリコン層と、額縁状であって、内壁に複数のトーションバーを介して前記ミラーが一体的に形成された第2のシリコン層とが順に積層したミラー基板を備え、
前記ミラー制御部は、
外部の制御回路と接続される第1の電極パッドと、前記第1の電極パッドと配線で接続される複数の第1の制御電極とが主面に形成され、スペーサを介して前記主面と前記第2のシリコン層を接合すると前記第1の制御電極が前記ミラーと対向する上部ガラス基板と、
前記制御回路と接続される第2の電極パッドと、前記第2の電極パッドと配線で接続される複数の第2の制御電極が上面に形成される突起部とが主面に形成され、前記突起部を前記第1のシリコン層側から前記ミラー基板の内部に嵌合して、前記主面と前記ミラー基板とを接合すると前記第2の制御電極が前記ミラーと対向する下部ガラス基板と、
を有することを特徴とする請求項1または2に記載の光モジュール。 - 入力光を反射させる光モジュールの光制御方法において、
前記入力光をミラーで反射させる際に、前記ミラーと対向するミラー制御部が、前記ミラーに印加する電圧に応じて前記ミラーの反射面を歪ませることにより、前記入力光が前記ミラーで反射されて、出射された出力光が入射される入射面における中心部から前記出力光の入射位置の位置ずれ量に対する前記出力光の減衰量を表す光結合特性の前記位置ずれ量に対する前記出力光の減衰量が線形に近づくように変化する前記出力光を出射させるように前記反射面を制御することを特徴とする光モジュールの光制御方法。 - 波長多重した入力光を波長ごとに選択的にスイッチングする光スイッチにおいて、
前記入力光を入力する入力ポートと、
前記入力ポートからの前記入力光を分光する分光素子と、
前記分光素子で分光された分光光を反射させて、出力光を出射するミラーと、前記ミラーと対向し、前記分光光を前記ミラーの反射面で反射させる際に、前記ミラーに印加する電圧に応じて前記反射面を歪ませることにより、前記出力光が入射される入射面における中心部から前記出力光の入射位置の位置ずれ量に対する前記出力光の減衰量を表す光結合特性が変化する前記出力光を出射させるように前記反射面を制御するミラー制御部と、を有する、前記分光光の波長ごとに設けられた複数の光モジュールと、
前記光モジュールからの前記出力光を任意の方向に反射させる、前記波長ごとに設けられた複数の偏向ミラーと、
前記偏向ミラーからの前記出力光を入射する、前記波長ごとに設けられた複数の出力ポートと、
を有し、
前記ミラー制御部は、前記光結合特性の前記位置ずれ量に対する前記出力光の減衰量が線形に近づくように変化する前記出力光を出射させるように前記反射面を制御する、
ことを特徴とする光スイッチ。 - 前記ミラー制御部は、前記ミラーに印加する電圧に応じて、前記反射面を歪ませるとともに、前記ミラーを傾かせることにより、前記光結合特性および出射方向が変化した前記出力光を、前記複数の出力ポートに直接出射させることを特徴とする請求項6記載の光スイッチ。
- 波長多重した入力光を波長ごとに選択的にスイッチングする光スイッチ方法において、
入力ポートからの前記入力光が分光素子で分光された分光光の波長ごとに設けられた複数の光モジュールのミラーと対向するミラー制御部が、前記分光光を前記ミラーで反射させる際に、前記ミラーに印加する電圧に応じて前記ミラーの反射面を歪ませることにより、前記入力光が前記ミラーで反射されて、出射された出力光が入射される入射面における中心部から前記出力光の入射位置の位置ずれ量に対する前記出力光の減衰量を表す光結合特性の前記位置ずれ量に対する前記出力光の減衰量が線形に近づくように変化する前記出力光を出射させて、
前記波長ごとに設けられた複数の偏向ミラーが、前記光モジュールからの前記出力光を任意の方向に反射させて、
前記波長ごとに設けられた複数の出力ポートが、前記偏向ミラーからの前記出力光を入射する、
ことを特徴とする光スイッチ方法。
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