JP5142846B2 - 有機発光装置 - Google Patents
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Description
本発明は、トップエミッション構造の有機発光装置に係り、特に、導電性基板上に配置された自発光する有機エレクトロルミネセンス素子（以下、有機発光素子）を構成する上部透明電極の低抵抗化が可能な有機発光装置に関する。
有機発光装置は、例えば薄型照明装置，薄型表示装置，液晶表示装置の照明装置として期待されており、基板上に画素を構成する複数の有機発光素子を備えている。有機発光素子は、複数の有機層が下部電極と上部電極との間に挟まれた構造である。有機層は、正孔を輸送する正孔輸送層と、電子を輸送する電子輸送層と、正孔と電子が再結合する発光層とを有しており、両電極間に電圧を印加することにより、電極から注入された正孔と電子が発光層で再結合して発光する。
例えば特許文献１には、ストライプ状に形成された発光光を透過する下部電極と、コモン電極となる上部電極を用いた有機発光装置が記載されている。いずれか一方の電極が透明電極である。下部電極は、両端から電力が供給され、輝度ムラを低減させる。下部電極が透明電極の場合、比抵抗が高いため、両端から電力を供給したとしても、有機発光装置の中心部では配線抵抗による電圧降下が発生し、消費電力が高くなる。また、上部電極が透明電極の場合、有機発光装置の中心部では配線抵抗による電圧降下が発生し、消費電力が高くなる。
本発明の目的は、発光光を透過する上部電極（上部透明電極）の配線抵抗を低くして、配線抵抗による消費電力の低減が可能な有機発光装置を提供することにある。
すなわち、本発明の一態様に係る有機発光装置は、下部反射電極，有機層及び上部透明電極を有する有機発光素子を導電性基板上に配置した有機発光装置において、前記上部透明電極が、前記下部反射電極の周囲に配置されたコンタクトホールを介して前記導電性基板に接続されていることを特徴としている。
また、本発明の他の態様に係る有機発光装置は、有機層及び上部透明電極を有する有機発光素子を導電性基板上に配置した有機発光装置において、前記導電性基板が、発光光の反射性を有する反射電極として機能することを特徴としている。
本発明によれば、上部透明電極の配線抵抗を低くして、配線抵抗による消費電力の低減が可能である。
以下に、本発明の実施例による有機発光装置を図面に基づいて説明する。
実施例１に係る有機発光装置を説明する。図１は、実施例１に係る有機発光装置の断面図である。図２は、図１に示す有機発光装置の平面図である。
有機発光装置は、金属基板２上に有機発光素子を配置している。有機発光素子は、金属基板２側から順に、陽極となる下部反射電極４と、正孔輸送層７と、白色発光層８と、電子輸送層９と、電子注入層１０と、陰極となる上部透明電極１１と、を有する。必要に応じて、下部反射電極４と正孔輸送層７との間には、正孔注入層を配置してもよい。また、正孔輸送層７，電子輸送層９が白色発光層８を兼ねる構造でもよい。
上部透明電極１１は、発光光の透過性を有する透明電極である。また、下部反射電極４は、発光光の反射性を有する反射電極である。
有機発光素子上には、封止基板１４が配置されている。封止基板１４は、上部透明電極１１上に形成される。封止基板１４は、大気中のＨ2Ｏ，Ｏ2を上部透明電極１１、或いはその下の有機層（正孔輸送層７，電子輸送層９及び白色発光層８）に入り込み難くするものである。封止基板１４には、例えばＳｉＯ2，ＳｉＮｘ，Ａｌ2Ｏ3等の無機材料やポリクロロピレン，ポリエチレンテレフタレート，ポリオキシメチレン，ポリビニルクロライド，ポリフッ化ビニリデン，シアノエチルプルラン，ポリメチルメタクリレート，ポリサルフォン，ポリカーボネート，ポリイミド等の有機材料を用いることができる。
絶縁膜１で被膜された金属基板２上に、第１の層間絶縁膜３として膜厚２μｍのアクリル絶縁膜を形成する。本実施例では、第１の層間絶縁膜３にアクリル絶縁膜を用いたが、これ以外に、例えばポリクロロピレン，ポリエチレンテレフタレート，ポリオキシメチレン，ポリビニルクロライド，ポリフッ化ビニリデン，シアノエチルプルラン，ポリメチルメタクリレート，ポリサルフォン，ポリカーボネート，ポリイミド等の有機絶縁材料、ＳｉＯ2，ＳｉＮｘ，Ａｌ2Ｏ3等の無機材料を用いることができ、これらを１種単独もしくは２種以上を併用してもよい。例えば、有機絶縁膜上に無機絶縁膜を積層してもよい。
金属基板２は、導電性の基板であり、有機発光素子（下部反射電極４，正孔輸送層７，白色発光層８，電子輸送層９，電子注入層１０及び上部透明電極１１）に電圧を印加するための補助配線、または発光光の反射性を有する反射電極として機能する。金属基板２としては、導電性の基板であればよく、例えばアルミニウム，インジウム，モリブテン，ニッケル，銅，鉄などの金属、これらの合金が挙げられる。
絶縁膜１は、電圧が印加されている金属基板２を絶縁する。絶縁膜１としては、例えば、アクリル，ポリクロロピレン，ポリエチレンテレフタレート，ポリオキシメチレン，ポリビニルクロライド，ポリフッ化ビニリデン，シアノエチルプルラン，ポリメチルメタクリレート，ポリサルフォン，ポリカーボネート，ポリイミド等の有機絶縁材料が挙げられる。
次に、第１の層間絶縁膜３に複数のコンタクトホール１２を設ける。第１の層間絶縁膜３上に、１５０ｎｍのＡｌ膜を配置して下部反射電極４，接続電極５を形成する。本実施例では、下部反射電極４としてＡｌ膜を用いたが、これに限定されず、例えばインジウム，モリブテン，ニッケル等の金属、これらの合金、ポリシリコン，アモルファスシリコンの無機材料、上記の金属或いは合金の上に錫酸化物，酸化インジウム，インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電膜を形成した積層膜が好ましい。
本実施例では、下部反射電極４と接続電極５を、同一のＡｌ膜から形成したが、別々の材料で作製してもよい。例えば、下部反射電極４をＡｌ膜とＩｎ−Ｓｎ−Ｏ膜（以下、ＩＴＯ膜とする。）の積層膜で形成して、接続電極５をＩＴＯ膜で形成することが挙げられる。また、全く別の金属膜を用いて形成することも挙げられる。
次に、下部反射電極４，接続電極５のエッジを隠すために、第２の層間絶縁膜６を形成する。この第２層間絶縁膜６もアクリル絶縁膜を用いたが、これに限定されず、これ以外に、例えばポリクロロピレン，ポリエチレンテレフタレート，ポリオキシメチレン，ポリビニルクロライド，ポリフッ化ビニリデン，シアノエチルプルラン，ポリメチルメタクリレート，ポリサルフォン，ポリカーボネート，ポリイミド等の有機絶縁材料、ＳｉＯ2，ＳｉＮｘ，Ａｌ2Ｏ3等の無機材料を用いることができる。また、有機絶縁膜上に無機絶縁膜を積層した構成も可能である。
次に、下部反射電極４上に真空蒸着法により膜厚５０ｎｍの４，４−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（以下、α−ＮＰＤとする。）の蒸着膜を形成する。この蒸着膜は、下部反射電極４の周辺に形成され、接続電極５には形成されず、正孔輸送層７として機能する。
本実施例では、正孔輸送層７としてα−ＮＰＤの蒸着膜を用いたが、これに限定されない。正孔輸送層７は、正孔を輸送し、白色発光層８へ注入するものである。そのため、正孔移動度が高い正孔輸送性材料からなることが望ましい。また、化学的に安定で、イオン化ポテンシャルが小さく、電子親和力が小さく、ガラス転移温度が高いことが望ましい。正孔輸送層７としては、特に限定されるものではなく、例えば、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−［１，１′−ビフェニル］−４，４′ジアミン（ＴＰＤ）、４，４′−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、４，４′，４″−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン（ｐ−ＤＰＡ−ＴＤＡＢ）、４，４′，４″−トリス（Ｎ−カルバゾール）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ビス（２−メチルフェニル）−アミノ］−ベンゼン（ｏ−ＭＴＤＡＢ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−アミノ］−ベンゼン（ｍ−ＭＴＤＡＢ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−アミノ］−ベンゼン（ｐ−ＭＴＤＡＢ）、４，４′，４″−トリス［１−ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）、４，４′，４″−トリス［２−ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）、４，４′，４″−トリス［ビフェニル−４−イル−（３−メチルフェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｐ−ＰＭＴＤＡＴＡ）、４，４′，４″−トリス［９，９−ジメチルフルオレン−２−イル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ＴＦＡＴＡ）、４，４′，４″−トリス（Ｎ−カルバゾイル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン（ｐ−ＤＰＡ−ＴＤＡＢ）、１，３，５−トリス｛４−［メチルフェニル（フェニル）アミノ］フェニル｝ベンゼン（ＭＴＤＡＰＢ）、Ｎ，Ｎ′−ジ（ビフェニル−４−イル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル［１，１′−ビフェニル］−４，４′−ジアミン（ｐ−ＢＰＤ）、Ｎ，Ｎ′−ビス（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルフルオレン−２，７−ジアミン（ＰＦＦＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−［１，１−ビフェニル］−４，４′−ジアミン（ＦＦＤ）、（ＮＤＡ）ＰＰ、４−４′−ビス［Ｎ，Ｎ′−（３−トリル）アミノ］−３−３′−ジメチルビフェニル（ＨＭＴＰＤ）が望ましく、これらを１種単独、または２種以上を併用してもよい。
必要に応じて、下部反射電極４と正孔輸送層７との間には正孔注入層を配置してもよい。正孔注入層は、下部反射電極４と正孔輸送層７の注入障壁を下げるため、適当なイオン化ポテンシャルを有する材料が望ましい。また、下地層の表面の凹凸を埋める役割を果たすことが望ましい。正孔注入層としては、特に限定されず、例えば、銅フタロシアニン，スターバーストアミン化合物，ポリアニリン，ポリチオフェン，酸化バナジウム，酸化モリブテン，酸化ルテニウム，酸化アルミニウム等が挙げられる。
また、正孔輸送性材料に酸化剤を含有してもよい。これにより、下部反射電極４との障壁を低下させる、或いは電気伝導度を向上させることができる。酸化剤としては、特に限定されず、例えば、塩化第２鉄，塩化アンモニウム，塩化ガリウム，塩化インジウム，五塩化アンチモン等のルイス酸化合物，トリニトロフルオレン等の電子受容性化合物，正孔注入材料として挙げられた酸化バナジウム，酸化モリブテン，酸化ルテニウム，酸化アルミニウムなどを用いることができ、これらを１種単独もしくは２種以上を併用してもよい。
次に、正孔輸送層７上に真空蒸着法により膜厚２０ｎｍの４，４′−Ｎ，Ｎ′−ジカルバゾール−ビフェニル（以下、ＣＢＰとする。）及びビス〔２−（２′−ベンゾ［４，５−ａ］チエニル）ピリジネイト−Ｎ，Ｃ３′〕イリジウム（アセチラセトネイト）（以下、Ｂｒｐ2Ｉｒ(acac)とする。）を共蒸着した膜を形成する。このＣＢＰ，Ｂｒｐ2Ｉｒ(acac)の蒸着速度は、それぞれ０.２０ｎｍ／sec，０.０２ｎｍ／secとした。Ｂｒｐ2Ｉｒ(acac)が発光色を決定するドーパントとして機能する。ＣＢＰとＢｒｐ2Ｉｒ(acac)の共蒸着膜は、下部反射電極４と同様のサイズの開口パターンを有する精密マスクを用いてパターン化する。
次に、ＣＢＰとＢｒｐ2Ｉｒ(acac)の共蒸着膜上に、真空蒸着法により膜厚４０ｎｍのＣＢＰ及びイリジム錯体（以下、Ｉｒ(ppy)3とする。）を共蒸着した膜を形成する。このＣＢＰ、Ｉｒ(ppy)3の蒸着速度は、それぞれ０.２０ｎｍ／sec，０.０２ｎｍ／secとした。Ｉｒ(ppy)3が発光色を決定するドーパントとして機能する。また、ＣＢＰとＩｒ(ppy)3の共蒸着膜は、下部反射電極４と同様のサイズの開口パターンを有する精密マスクを用いてパターン化する。
上記の２層の共蒸着膜は、白色発光層８として機能する。本実施例では、白色発光層８に赤発光層と青発光層の積層膜を用いたが、これに限定されない。白色発光層８としては、具体例としては、オレンジ発光層と青色発光層、或いは、黄色発光層と青色発光層等の積層膜を用いた２層積層型，赤発光層，緑発光層及び青発光層からなる積層膜を用いた３層積層型，発光層のホスト材料に複数の発光ドーパントを添加した１層積層型が挙げられる。
白色発光層８は、注入された正孔，電子が再結合し、材料固有の波長で発光するものである。白色発光層８を形成するホスト材料自体が発光する場合と、ホストに微量添加したドーパント材料が発光する場合がある。ホスト材料としては、特に限定されず、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体（ＤＰＶＢｉ）、骨格にベンゼン環を有するシロール誘導体（２ＰＳＰ），トリフェニルアミン構造を両端に有するオキソジアゾール誘導体（ＥＭ２），フェナンスレン基を有するペリノン誘導体（Ｐ１），トリフェニルアミン構造を両端に有するオリゴチオフェン誘導体（ＢＭＡ−３Ｔ），ペリレン誘導体（ｔＢｕ−ＰＴＣ），トリス（８−キノリノール）アルミニウム，ポリパラフェニレンビニレン誘導体，ポリチオフェン誘導体，ポリパラフェニレン誘導体，ポリシラン誘導体，ポリアセチレン誘導体が挙げられ、これらを１種単独もしくは２種以上を併用してもよい。
次に、ドーパント材料としては、特に限定されず、例えば、キナクリドン，クマリン６，ナイルレッド，ルブレン，４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ），ジカルバゾール誘導体，ポルフィリン白金錯体（ＰｔＯＥＰ），イリジウム錯体（Ｉｒ(ppy)3）が挙げられ、これらを１種単独もしくは２種以上を併用してもよい。
次に、白色発光層８上に、真空蒸着法により膜厚１５ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウム（以下、Ａｌｑ３とする。）を蒸着した膜を形成する。この蒸着膜は電子輸送層９として機能する。
電子輸送層９は、電子を輸送し、白色発光層８へ注入する。そのため、電子移動度が高い電子輸送性材料からなることが望ましい。電子輸送層９としては、特に限定されず、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウム，オキサジアゾール誘導体，シロール誘導体，亜鉛ベンゾチアゾール錯体，バソキュプロイン（ＢＣＰ）が望ましく、１種単独もしくは２種以上を併用することもできる。
また、電子輸送層９は、上記の電子輸送性材料に還元剤を含有して、上部透明電極１１との障壁を低くすること、或いは電気伝導度を向上させることが望ましい。還元剤としては、例えばアルカリ金属，アルカリ土類金属，アルカリ金属酸化物，アルカリ土類酸化物，希土類酸化物，アルカリ金属ハロゲン化物，アルカリ土類ハロゲン化物，希土類ハロゲン化物，アルカリ金属と芳香族化合物で形成される錯体が挙げられる。特に、好ましいアルカリ金属はＣｓ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋである。これらの材料に限られず、これらの材料を２種以上併用してもよい。
次に、電子輸送層９の上に、電子注入層１０としてＭｇとＡｇとの混合膜を形成する。この場合、２元同時真空蒸着法を用いて蒸着速度をそれぞれ０.１４±０.０５ｎｍ／ｓ、０.０１±０.００５ｎｍ／ｓに設定し、膜厚１０ｎｍの膜を蒸着する。
電子注入層１０は、上部透明電極１１から電子輸送層９への電子注入効率を向上させるものである。電子注入層１０としては、例えば、弗化リチウム，弗化マグネシウム，弗化カルシウム，弗化ストロンチウム，弗化バリウム，酸化マグネシウム，酸化アルミニウムが望ましい。これらの材料に限られず、これらの材料を２種以上併用してもよい。
次に、スパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜（以下、ＩＺＯ膜とする。）を形成する。このＩＺＯ膜は上部透明電極１１として機能し、非晶酸化物膜である。このときのターゲットには、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０.８３であるターゲットを用いる。成膜条件は、Ａｒ：Ｏ2混合ガスを雰囲気として、真空度０.２Ｐａ、スパッタリング出力を２Ｗ／cm2とする。Ｍｇ：Ａｇ／Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ積層膜の透過率は６５％である。
上部透明電極１１は、コンタクトホール１２で、接続電極５を介して金属基板２に電気的に接続される。本実施例では、接続電極５を用いて、上部透明電極１１がコンタクトホール１２で段切れすることを防止したが、上部透明電極１１を金属基板２に接続することもできる。
このようにして、金属基板２と、複数のストライプ状の有機発光素子（下部反射電極４，正孔輸送層７，白色発光層８，電子輸送層９，電子注入層１０及び上部透明電極１１）とを備えたＯＬＥＤ基板１３を作製する。
次に、ＯＬＥＤ基板１３を大気に曝すことなく、乾燥窒素ガスを循環させて高露点を保った封止室に移動させる。
次に、封止室にガラス基板を導入する。このガラス基板は封止基板１４となる。封止基板１４のエッジ部分に、周知のシールディスペンサ装置を用いて光硬化樹脂を描画する（図示省略）。
封止室内で、封止基板１４とＯＬＥＤ基板１３とを貼り合せて圧着させる。封止基板１４の外側に、有機発光素子全体にＵＶ光が当たらないよう周知の遮光板を置き、封止基板１４側からＵＶ光を照射させて光硬化樹脂を硬化させる。
このようにして本実施例の有機発光装置が得られる。
本実施例では、図２に示すように、複数のストライプ状に形成された下部反射電極４の両側に複数のコンタクトホール１２が設けられ、上部透明電極１１がコンタクトホール１２を介して低抵抗な金属基板２に接続される。そのため、上部透明電極１１による配線抵抗が低くなり、配線抵抗による消費電力が低減される。また、配線抵抗による温度上昇が低減するため、有機発光素子の寿命低下が抑制される。
実施例２に係る有機発光装置を説明する。図３は、実施例２に係る有機発光装置の断面図である。図４は、図３に示す有機発光装置の平面図である。なお、前述した実施例と同一部分には同一符号を付し、その説明を一部省略する。本実施例では、金属基板２が、発光光の反射性を有する反射電極として機能している。
絶縁膜１で被膜された金属基板２上に、第１の層間絶縁膜３を形成する。第１の層間絶縁膜３には、有機発光素子の下部反射電極となる部分に複数のストライプ状のコンタクトホール２０を設ける。
次に、第１の層間絶縁膜３の上に、補助配線２１を設ける。その上に、第２の層間絶縁膜６を設ける。第２の層間絶縁膜６には、補助配線２１，有機発光素子の下部反射電極となる部分にコンタクトホール１２を設ける。
次に、正孔輸送層７，白色発光層８，電子輸送層９，電子注入層１０，上部透明電極１１を形成する。形成方法は、実施例１と同様である。
次に、ＯＬＥＤ基板１３と封止基板１４を封止する。封止方法は、実施例１と同様である。
本実施例では、上部透明電極１１と補助配線２１とが電気的に接続している。そのため、上部透明電極１１による配線抵抗が低くなり、配線抵抗による消費電力を低減できる。また、配線抵抗による温度上昇を低減できるため、有機発光素子の寿命低下を抑制できる。
また、本実施例では、金属基板２を有機発光素子の下部反射電極として用いるため、層構成が簡素化され、製造プロセスの低減，低コスト化が可能である。
実施例３に係る有機発光装置を説明する。図５は、実施例３に係る有機発光装置の断面図である。図６は、図５に示す有機発光装置の平面図である。なお、前述した実施例と同一部分には同一符号を付し、その説明を一部省略する。本実施例では、補助配線３２が設けられた複合基板３１上に、有機発光素子を形成し、層構成の簡素化を図る。
複合基板３１は、以下の構成である。絶縁膜１で被覆された金属基板２の上に、第１の層間絶縁膜３が形成されている。第１の層間絶縁膜３には、複数のストライプ状のコンタクトホールが設けられており、開口部分の金属基板２が有機発光素子の下部反射電極として機能する。その上に、補助配線３２が形成されている。その上に、第２の層間絶縁膜６が形成されている。第２の層間絶縁膜６には、補助配線となる部分、有機発光素子の下部反射電極となる部分にコンタクトホール１２が設けられている。
次に、複合基板３１の上に、正孔輸送層７，白色発光層８，電子輸送層９，電子注入層１０，上部透明電極１１を形成する。形成方法は、実施例１と同様である。
次に、ＯＬＥＤ基板１３と封止基板１４を封止する。封止方法は、実施例１と同様である。
本実施例では、上部透明電極１１は、補助配線３２と電気的に接続される。そのため、上部透明電極１１による配線抵抗が低くなり、配線抵抗による消費電力が低減される。また、配線抵抗による温度上昇が低減するため、ＯＬＥＤ素子の寿命低下が抑制される。
また、本実施例では、有機発光素子の下部反射電極として金属基板２を用いるため、層構成が簡素化され、製造プロセスの低減，低コスト化が可能になる。
実施例４に係る有機発光装置を説明する。図７は、実施例４に係る有機発光装置の断面図である。図８と図９は、図７に示す有機発光装置の平面図である。なお、前述した実施例と同一部分には同一符号を付し、その説明を一部省略する。本実施例では、有機発光素子の発光画素をドット状にするために、補助配線４１を設けている。
絶縁膜１で被覆された金属基板２上に、第１の層間絶縁膜３を形成する。コンタクトホール１２，４０は、ドット状に配置された下部反射電極４の四方に配置されている。その上に、補助配線４１を形成する。
補助配線４１は、下部反射電極４ごとにコンタクトホール１２の左右に計２本設けたが、コンタクトホール１２の位置を変えて、１本にすることも可能である。
その上に、第２の層間絶縁膜６，下部反射電極４，接続電極５，第３の層間絶縁膜４２を形成する。形成方法は、実施例１と同様である。
次に、正孔輸送層７，白色発光層８，電子輸送層９，電子注入層１０，上部透明電極１１を形成する。形成方法は実施例１と同様である。
次に、ＯＬＥＤ基板１３と封止基板１４を封止する。封止方法は、実施例１と同様である。
本実施例では、上部透明電極１１と金属基板２とが電気的に接続している。そのため、上部透明電極１１による配線抵抗が低くなり、配線抵抗による消費電力を低減できる。また、配線抵抗による温度上昇を低減できるため、有機発光素子の寿命低下を抑制できる。
また、本実施例では、補助配線４１を用いることにより、ドット状の下部反射電極４が形成されている。そのため、ドット状に配置された下部反射電極４の四方にコンタクトホール１２，４０を設けて、上部透明電極１１と金属基板２とを電気的に接続している。これにより、上部透明電極１１の配線抵抗の更なる低抵抗化が可能となる。
実施例５に係る有機発光装置を説明する。図１０は、実施例５に係る有機発光装置の断面図である。図１１と図１２は、図１０に示す有機発光装置の平面図である。なお、前述した実施例と同一部分には同一符号を付し、その説明を一部省略する。本実施例は、有機発光素子の発光画素をドット状にするために、上下方向に設けた補助配線５１を左右方向の補助配線４１で接続している。
絶縁膜１で被覆された金属基板２上に、第１の層間絶縁膜３を形成する。形成方法は実施例１と同様である。その上に、補助配線４１，５１を形成する。図１１に補助配線４１，５１の平面図を示す。補助配線５１は、左右に隣接する下部反射電極４の補助配線４１を接続する。本実施例では、補助配線５１を左端から右端まで連続して繋げなかったが、コンタクトホール５０の形成位置を変えることで左端から右端まで連続させることは可能である。また、本実施例では、補助配線４１，５１を同一材料で形成しているが、別の材料で形成してもよい。
その上に、第２の層間絶縁膜６，下部反射電極４，接続電極５，第３の層間絶縁膜４２を形成する。形成方法は、実施例４と同様である。
次に、正孔輸送層７，白色発光層８，電子輸送層９，電子注入層１０，上部透明電極１１を形成する。形成方法は実施例４と同様である。
次に、ＯＬＥＤ基板１３と封止基板１４とを封止する。封止方法は、実施例４と同様である。
本実施例では、上部透明電極１１と金属基板２とが電気的に接続している。そのため、上部透明電極１１による配線抵抗が低くなり、配線抵抗による消費電力を低減できる。また、配線抵抗による温度上昇を低減できるため、有機発光素子の寿命低下を抑制できる。
また、本実施例では、補助配線４１を用いることにより、ドット状の下部反射電極４が形成されている。そのため、上下方向の下部反射電極４の間にコンタクトホール５０を配置して、上部透明電極１１と金属基板２とを電気的に接続している。これにより、上部透明電極１１の配線抵抗の更なる低抵抗化が可能となる。
また、本実施例では、補助配線５１を用いることにより、下部反射電極４の配線抵抗の更なる低抵抗化が可能となる。
実施例６に係る有機発光装置を説明する。図１３は、実施例６に係る有機発光装置の断面図である。図１４と図１５は、図１３に示す有機発光装置の平面図である。なお、前述した実施例と同一部分には同一符号を付し、その説明を一部省略する。本実施例は、マトリクス状に形成された画素配置を特徴としている。
絶縁膜１で被覆された金属基板２の上に、第１の層間絶縁膜３，下部反射電極４，接続電極５，第２の層間絶縁膜６，正孔輸送層７，白色発光層８，電子輸送層９，電子注入層１０を形成する。形成方法は、実施例４と同様である。
次に、電子注入層１０の上に、上部透明電極１１を形成する。図１５に示すように、上部透明電極１１は、下部反射電極４とコンタクトホール１２，４０を覆うように配置されている。
本実施例では、上部透明電極１１は、金属基板２と電気的に接続している。そのため、上部透明電極１１による配線抵抗が低くなり、配線抵抗による消費電力を低減できる。また、配線抵抗による温度上昇を低減できるため、有機発光素子の寿命低下を抑制できる。
また、本実施例では、上部透明電極１１をストライプ状に形成しているため、上部透明電極１１と下部反射電極４とが交差する画素部分を独立に発光することができる。これにより、本実施例の有機発光装置を周知の液晶表示装置の光源として用いた場合に、画素毎の発光が可能となり、消費電力の低電力化、コントラストの向上が可能になる。
実施例７に係る有機発光装置を説明する。図１６は、実施例７に係る有機発光装置の断面図である。図１７と図１８は、図１６に示す有機発光装置の平面図である。なお、前述した実施例と同一部分には同一符号を付し、その説明を一部省略する。本実施例は、金属基板２を発光光の反射性を有する反射電極（有機発光素子の下部反射電極）として使用することで層構成の簡素化を図る。また、上部透明電極１１の補助配線をメッシュ状に形成することにより、配線抵抗の低抵抗化を図る。
絶縁膜１で被膜された金属基板２上に、第１の層間絶縁膜３を形成する。その上に、複数のドット状のコンタクトホール７０を形成する。形成方法は、実施例２と同様である。
次に、第１の層間絶縁膜３の上に、コンタクトホール７０を囲むようにして補助配線２１，７１を配置する。また、本実施例では、補助配線２１，７１を同一材料で用いているが、別の材料で形成してもよい。その上に、第２の層間絶縁膜６，コンタクトホール１２を設ける。形成方法は実施例２と同様である。
次に、正孔輸送層７，白色発光層８，電子輸送層９，電子注入層１０，上部透明電極１１を形成する。形成方法は実施例２と同様である。
次に、ＯＬＥＤ基板１３と封止基板１４とを封止する。封止方法は、実施例２と同様である。
本実施例では、上部透明電極１１と補助配線２１，７１とが電気的に接続している。補助配線２１，７１はメッシュ状に形成されているため、配線抵抗を低抵抗化できる。そのため、上部透明電極１１による配線抵抗が低くなり、配線抵抗による消費電力を低減できる。また、配線抵抗による温度上昇を低減できるため、有機発光素子の寿命低下を抑制できる。
また、本実施例では、金属基板２を発光光の反射性を有する反射電極として用いるため、層構成が簡素化され、製造プロセスの低減，低コスト化が可能となる。
１ 絶縁膜
２ 金属基板
３ 第１の層間絶縁膜
４ 下部反射電極
５ 接続電極
６ 第２の層間絶縁膜
７ 正孔輸送層
８ 白色発光層
９ 電子輸送層
１０ 電子注入層
１１ 上部透明電極
１２，２０，４０，５０，７０ コンタクトホール
１３ ＯＬＥＤ基板
１４ 封止基板
２１，３２，４１，５１，７１ 補助配線
３１ 複合基板
４２ 第３の層間絶縁膜
２ 金属基板
３ 第１の層間絶縁膜
４ 下部反射電極
５ 接続電極
６ 第２の層間絶縁膜
７ 正孔輸送層
８ 白色発光層
９ 電子輸送層
１０ 電子注入層
１１ 上部透明電極
１２，２０，４０，５０，７０ コンタクトホール
１３ ＯＬＥＤ基板
１４ 封止基板
２１，３２，４１，５１，７１ 補助配線
３１ 複合基板
４２ 第３の層間絶縁膜
Claims (3)
- 下部反射電極、有機層及び上部透明電極を有する有機発光素子を導電性基板上に配置した有機発光装置において、
前記上部透明電極が、前記下部反射電極の四方に配置されたコンタクトホールを介して前記導電性基板に接続され、
前記下部反射電極に接続し、上下方向に隣接する前記下部反射電極を接続する第一の補助配線を有し、
前記下部反射電極は前記第一の補助配線上に形成され、
左右に隣接する前記下部反射電極に設けられた前記第一の補助配線を接続する第二の補助配線が上下方向に設けられていることを特徴とする有機発光装置。 - 前記上部透明電極が、前記下部反射電極と同様の材料で形成された接続電極を介して、前記導電性基板に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の有機発光装置。
- 前記上部透明電極の形状が、ストライプ状であることを特徴とする請求項２に記載の有機発光装置。
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