JP5136967B2 - Photoelectric conversion device - Google Patents
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Description
本発明は、入射光を電気に変換する光電変換領域を有する超高効率型光電変換装置に関するものである。 The present invention relates to an ultra-high efficiency photoelectric conversion device having a photoelectric conversion region for converting incident light into electricity.
近年、化石燃料の枯渇と石油消費で発生する二酸化炭素による地球温暖化が地球規模の課題となっている。公的機関の石油需要見通しに依ると、特にアジア、中東の石油需要量は膨らむ一方である。世界の電力発電量も増加を続けている。一般に地球の人口増大に対して、エネルギー資源は残り少ないと言われている。そのような中、地球温暖化の環境改善に向けて導入が進む新エネルギーの中で、現在、最も重要な技術と考えられているのが太陽光発電である。 In recent years, global warming due to carbon dioxide generated by fossil fuel depletion and oil consumption has become a global issue. According to public oil demand forecasts, oil demand in Asia and the Middle East is growing. Global power generation continues to increase. In general, it is said that energy resources are scarce as the population of the earth grows. Under such circumstances, solar power generation is currently considered the most important technology among new energies that are being introduced to improve the global warming environment.
これまで太陽光発電は、エネルギー変換効率が低いことから家庭用や小規模での運用が主であった。太陽電池は、クリーンエネルギーの主役として家庭用だけでなく公的施設への導入も拡大している。さらに、大規模な太陽光発電所の設置計画も公表されている。また、再生可能エネルギーの活用を軸とした環境未来都市構想も提唱されてきている。太陽光発電は再生可能エネルギーであり、太陽光発電の需要拡大が見込まれている。 So far, solar power generation has been mainly used for home use and small scale because of its low energy conversion efficiency. Solar cells are being used not only for households but also for public facilities as a leading role in clean energy. In addition, a large-scale solar power plant installation plan has been announced. An environmental future city concept centered on the use of renewable energy has also been proposed. Solar power generation is a renewable energy, and demand for solar power generation is expected to increase.
従来の光電変換領域を有する太陽電池は、太陽光を出来るだけ多く太陽電池内部に取り込もうとして太陽電池表面にピラミッド断面形あるいは上下逆ピラミッド断面形の凹凸（テクスチャー）を設けている。しかし、まだ電力会社から購入する電気を代替するほどの経済性には至っていない。太陽エネルギーの電気への変換効率の向上への取り組みが望まれている。現在の太陽エネルギーの電気への変換効率はおおよそ次である。多結晶Ｓｉ型 太陽電池セルの光電変換効率は高いもので１９％程である。一般的に結晶シリコン型は１ ５％程、薄膜シリコン型は１０％程である。 A conventional solar cell having a photoelectric conversion region is provided with irregularities (textures) having a pyramid cross-sectional shape or an upside-down inverted pyramid cross-sectional shape on the surface of the solar cell so as to capture as much sunlight as possible inside the solar cell. However, it has not yet been economical enough to replace electricity purchased from electric power companies. Efforts to improve the conversion efficiency of solar energy into electricity are desired. The conversion efficiency of current solar energy into electricity is roughly as follows. The photoelectric conversion efficiency of the polycrystalline Si solar cell is as high as about 19%. Generally, the crystal silicon type is about 15%, and the thin film silicon type is about 10%.
光電変換装置には太陽電池、イメージセンサー等がある。図２はそのような光電変換装置の一例である表面凹凸付き結晶系太陽電池の従来例を示す断面図である。１は裏面電極層、２は酸化膜、３はｐ型半導体、４はｐ＋拡散層、５はｎ型半導体、６はｎ＋拡散層、７は透明電極層（ＩＴＯ電極膜等）、８は取り出し電極である。 Photoelectric conversion devices include solar cells and image sensors. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a conventional example of a crystal solar cell with surface irregularities, which is an example of such a photoelectric conversion device. 1 is a back electrode layer, 2 is an oxide film, 3 is a p-type semiconductor, 4 is a p + diffusion layer, 5 is an n-type semiconductor, 6 is an n + diffusion layer, 7 is a transparent electrode layer (ITO electrode film, etc.), 8 is taken out Electrode.
図２に例示のように従来の太陽電池は太陽電池表面にピラミッド断面形あるいは上下逆ピラミッド断面形の凹凸（テクスチャー）を該太陽電池表面の平板方向に繋がる様に設けている。 As illustrated in FIG. 2, the conventional solar cell is provided with unevenness (texture) having a pyramid cross-sectional shape or a vertically inverted pyramid cross-sectional shape on the surface of the solar cell so as to be connected in the flat plate direction of the solar cell surface.
先行技術文献と本願発明との対比について説明する。
先行技術文献全体として言えることは、該先行技術文献のいづれについても本願発明の一次太陽光入射方向に対して括れ形体を設けてなる光電変換装置とは異なる。前記括れについての定義と、前記太陽光入射方向についての詳しい説明は、段落［００１２］に記載する。A comparison between the prior art document and the present invention will be described.
What can be said as a whole of the prior art document is different from the photoelectric conversion device in which any of the prior art documents is provided with a constricted shape in the primary sunlight incident direction of the present invention. The definition of the constriction and the detailed description of the sunlight incident direction are described in paragraph [0012].
個別の先行技術文献について本願発明と対比すると、特許文献１には薄膜太陽電池についてＰ型単結晶シリコン板の上に凹凸形状を形成する提案がされている。凹凸は発電層への斜め入射で光の進む距離が長くなり、光の閉じ込めが良好に行われるとしている。特許文献１に記載の凹凸は太陽電池表面の平板方向に繋がってなる形状で、本願発明の一次太陽光入射方向に対して括れ形体を設けてなる光電変換装置とは異なる。また、本願発明の様な一次太陽光入射方向に対して括れ形体を設けてなる言及は無い。特許文献２には入射光 を電荷に変換する光電変換領域を有する固体光電子装置において光電変換領域の上方部に下側からの光に対して反射機能を持つ反射膜を形成してなり、光電変換領域に入射した光（電磁波）が光電変換領域・反射膜間にて反射を繰り返すように構成されてなることを特徴とする固体光電子装置という提案がなされている。光電変換領域の上面と下面の少なくとも一方を互いに異なる向きをもった複数面で構成したことを特徴としている。特許文献 ２に記載の凹凸はＶ字またはＵ字あるいは半円形を形成するが光電変換領域表面の平板方向に繋がってなる形状で、本願発明の一次太陽光入射方向に対して括れ形体を設けてなる光電変換装置とは異なる。また、本願発明の様な一次太陽光入射方向に対して括れ形体を設けてなる言及は無い。特許文献３には複数の光電変換セルが所定の距離を隔てて複数配置され、隣接する光電変換セル同士を電気的に直列に接続した光電変換装置において、隣接する第１の領域間に挟まれる領域を第２の領域とした場合に、第２の領域は、絶縁性透明基板の第２の領域に入射する光の進路を光電変換層の方向に変えるように形成された構成を有する光電変換装置という提案がなされている。特許文献３に記載の凹凸は太陽電池 表面の平板方向に繋がってなる形状で、本願発明の一次太陽光入射方向に対して括れ形体を設けてなる光電変換装置とは異なる。本願発明の様な一次太陽光入射方向に対して括れ形体を設けてなる言及は無い。特許文献４には絶縁透光性基板上に透明導電性材料からなる表面電極層と、バンドギャップの異なる光電変換層を基板面に垂直な方向に複数含む光電変換体と、裏面電極層と、を含むセルが複数配列して形成されるとともに、裏面電極層が形成される光電変換体側面は、側面の下部と表面電極層との交点を含み基板上に垂直に形成した面との間の距離が基板から離れるにしたがって大きくなるように形成されている光電変換装置という提案がなされている。特許文献４に記載の凹凸は本願発明の一次太陽光入射方向に対して括れ形体を設けてなる光電変換装置とは異なる。本願発明の様な一次太陽光入射方向に対して括れ形体を設けてなる言及は無い。特許文献５には、太陽電池ア センブリは半導体層を積層した光電変換素子へ入射光を反射して集束させる反射凹面の底部又はその上部に、前記光電変換素子が配置され、前記光電変換素子に前記入射光が到達する途中に、その光の一部を波長変換する蛍光剤またはリン光材が配置されているという提案がなされている。特許文献５に記載の凹凸は太陽電池表面の平板方向に繋がってなる形状で、本願発明の一次太陽光入射方向に対して括れ形体を設けてなる光電変換装置とは異なる。本願発明の様な一次太陽光入射方向に対して括れ形体を設けてなる言及は無い。特許文献６には導電性基板と該導電性基板の一主面に多数個接合され、表層に導電型の半導体部を有し、かつ表面が複数の凸部を有する凹凸構造を成した導電型の半導体部を有する結晶半導体粒子と、導電型の半導体部と部分的に接続された透光性導電層と、を備えた光電変換装置という提案がなされている。特許文献６に記載の凹凸は太陽電池表面の平板方向に繋がってなる形状で、本願発明の一次太陽光入射方向に対して括れ形体を設けてなる光電変換装置とは異なる。本願発明の様な一次太陽光入射方向に対して括れ形体を設けてなる言及は無い。特許文献７には透明絶縁基板の表面に凹凸構造を有することを特徴とする薄膜太陽電池という提案がなされている。特許文献７に記載の凹凸は太陽電池表面の平板方向に繋がってなる形状で、本願発明の一次太陽光入射方向に対して括れ形体を設けてなる光電変換装置とは異なる。本願発明の様な一次太陽光入射方向に対して括れ形体を設けてなる言及は無い。特許文献８には絶縁性透光基板上に透明導電膜からなる第１電極層と、半導体膜からなり光電変換を行う光電変換層と、光を反射する導電膜からなる第２電極層と、がこの順で積層されてなる複数の光電変換セルが配設されるとともに、隣接する前記光電変換セル同士が電気的に直列接続された薄膜光電変換装置であって、前記絶縁性透光基板が略正多角形状を呈し、前記光電変換セルは、前記絶縁性透光基板の面内方向において前記絶縁性透光基板の略中心部から外周に向かって放射線状に配置された扇形の形状を呈すること、を特徴とする薄膜光電変換装置という提案がなされている。特許文献 ８に記載の凹凸は太陽電池表面の平板方向に繋がってなる形状で、本願発明の一次太陽光入射方向に対して括れ形体を設けてなる光電変換装置とは異なる。本願発明の様な一次太陽光入射方向に対して括れ形体を設けてなる言及は無い。特許文献９には絶縁性透光基板 上に、透明導電膜からなる第１電極層と、非晶質半導体膜からなり光電変換を行う第１発電層と、微結晶質半導体膜からなり光電変換を行う第２発電層と、光を反射する導電膜からなる第２電極層と、がこの順で積層された薄膜太陽電池であって、前記第１電極層は、前記第１発電層側の表面に凹凸形状を有し、前記第１発電層は、前記第１電極層の凹凸形状に対応して前記第２発電層側に凹凸形状が形成され、その凸部の上面が前記絶縁性透光基板の面内方向と略平行な面とされていること、を特徴とする薄膜太陽電池という提案がなされている。特許文献９に記載の凹凸は太陽電池表面の平板方向に繋がってなる形状で 、本願発明の一次太陽光入射方向に対して括れ形体を設けてなる光電変換装置とは異なる 。本願発明の様な一次太陽光入射方向に対して括れ形体を設けてなる言及は無い。 In contrast to the present invention regarding individual prior art documents,
解決しようとする問題点は、従来の光電変換領域を有する太陽電池は、太陽光を出来るだけ多く太陽電池内部に取り込もうとして太陽電池表面にピラミッド断面形あるいは上下逆ピラミッド断面形の凹凸（テクスチャー）を設けているが、まだ電力会社から購入する電気を代替するほどの経済性には至っていない点である。前記の光電変換効率のように従来の凹凸付き太陽電池では大部分の光エネルギーは活用出来ていないという問題がある。 The problem to be solved is that a conventional solar cell having a photoelectric conversion region has a pyramid cross-section or an upside-down inverted pyramid cross-section (texture) on the surface of the solar cell in order to capture as much sunlight as possible inside the solar cell. However, it is not yet economical enough to replace electricity purchased from electric power companies. As in the photoelectric conversion efficiency described above, there is a problem that most of the light energy cannot be utilized in the conventional uneven solar cell.
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたものであり、入射光の閉じ込め作用に優れる形体の光電変換装置であり、一次太陽光入射単位面積当たりについて、より大きな出力エネルギーを得ることができる光電変換装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve such problems, and is a photoelectric conversion device having a shape excellent in the confinement function of incident light, and obtains a larger output energy per unit area of primary sunlight incident. It is an object to provide a photoelectric conversion device capable of performing
ここで、本願発明における括れの定義について説明する。図３は本願発明の特徴である括れの定義を示した図である。日射量が最も多い本願装置の真上方向からの光入射を基準として、つまりｎ型半導体５に対して光入射基準方向１１の位置関係となるように前記装置を設置し、太陽光の一般的光路変化である、前記光入射基準方向に対しての光入射角がプラス９０度、マイナス９０度の範囲を考慮に入れて、前記装置を使用想定する場合に、１次入射光を電子等の電荷に変換する光電変換領域を有する受光素子部に、１次入射光の進行方向に対して、前記光電変換領域、例えばｎ型半導体５が１次入射光の進行方向に沿って形を成す曲線において、前記曲線上に任意の２点、１２、１３を取る。前記２点、１２、１３を通る仮想の直線を設けると、点１３を点１２に限りなく近づけた時の極限が、点１２における接線である。また、点１２を点１３に限りなく近づけた時の極限が、点１３における接線である。前記点１２、点１３における接線の傾きについて、前記１次入射光側の点１２の接線１４の傾きを、正とすると、前記残りの本願装置の基板寄りの点１３の接線１５の傾きが負となるように設けてなる形を括れと定義する。本発明は、入射光を電気に変換する光電変換領域を有する光電変換装置において、超高効率光電変換を可能とするため、一次太陽光入射方向に対してシリコン系材料を使用する括れ形成部９、および括れの下方側に形成してなる抉れ部１０を設けてなる内壁を設けて、光電変換領域が前記括れ形体状に設けてなり、一次太陽光入射単位面積当たりの実効光電変換表面積をより大きく設けてなり、光路長をより大きく設けてなり、一次太陽光入射方向側に返す光をより少なくする形体で、前記入射光を光電変換することを主要な特徴とする。Here, the definition of the binding in the present invention will be described. FIG. 3 is a diagram showing the definition of the narrowing that is a feature of the present invention. The above-mentioned device is installed on the basis of the light incident from directly above the device of the present application with the largest amount of solar radiation, that is, so as to be in the positional relationship of the light incident reference direction 11 with respect to the n-
請求項１の光電変換装置によれば、前記主要な特徴を備えているので、光の利用効率を高めることができる。 According to the photoelectric conversion device of the first aspect, since the main feature is provided, the light use efficiency can be increased.
請求項１の光電変換装置によれば、一次太陽光入射単位面積当たりの実効光電変換表面積がより大きくなり、加えて、一次太陽光入射方向側に返す光をより少なくすることができるので、光の利用効率を高めることができる。従って、エネルギー変換効率が高くなることで、出力当たりの単価が改善され、出力の増加に伴って、経済性を高めることができる。 According to the photoelectric conversion device of
本発明は一次太陽光入射方向に対して光電変換領域に括れ形体を設けて、入射した光を入射元の方向に、より反射させないように構成されてなる。より具体的には、穴状の場合 は、瓢箪形状に括れを設けてなる態様が好適である。前記瓢箪形状穴と隣接する瓢箪形状 穴の間の上層表面に凸形状を設ける場合は、球形、円錐形、多角錐等が良く、傾斜面の角 度は大きく尖らす態様を形成すると好適である。 The present invention is configured such that a constricted shape is provided in the photoelectric conversion region with respect to the incident direction of primary sunlight so that incident light is less reflected in the direction of the incident source. More specifically, in the case of a hole shape, a mode in which a constriction is provided in a bowl shape is preferable. When providing a convex shape on the upper surface between the gourd-shaped hole adjacent to the gourd-shaped hole, spherical, conical, good pyramid like, angles of the inclined surface is preferable to form a large sharpened aspects .
以下、本発明を図示実施例に従って説明する。図１は、穴形体を設けてなる本光電変換装置の一つの実施例である。本光電変換装置の大きな特徴はｐ型半導体３とｎ型半導体４の接合で形成される光電変換領域が括れ形体を設けてなることである。ｐ型半導体３に括れ形成部９、および括れの下方側に形成してなる抉れ部１０を形成する。ここで、括れおよび括れの下方側に形成してなる抉れとは瓢箪形状穴を外側から見た時の形状による。次にｐ型半導体３とｎ型半導体４の接合を形成し、しかる後、ｎ＋拡散層と、透明電極層７を形成してなる。次にｐ型半導体３の裏面に酸化膜２と、ｐ＋拡散層４と、裏面電極層１を形成してなる。The present invention will be described below with reference to the illustrated embodiments. FIG. 1 shows an embodiment of the present photoelectric conversion device provided with a hole shape. A major feature of this photoelectric conversion device is that a photoelectric conversion region formed by the junction of the p-
このような、穴形体を設けてなる本光電変換装置によれば、外部からの一次入射太陽光は、隣接する瓢箪形状穴の間の上層表面の光電変換層に入射して、前記太陽光は光電変換される。前記隣接する瓢箪形状穴の間の上層表面の横を通過した一次入射太陽光については、穴形体の内側の光電変換層に入射して、前記太陽光は光電変換される。前記太陽光の一部は反射を繰り返す。その際、穴形体に設けてなる括れ形成部９、および括れの下方側に形成してなる抉れ部１０は反射光を閉じ込めて、一次太陽光入射方向側に返す光をより少なくする機能を果たす。というのは、穴形体に設けてなる括れ形成部９、および括れの下方側に形成してなる抉れ部１０が入射光を前記抉れ部の奥側へ導く作用を生ぜしめるからである。According to this photoelectric conversion device provided with the hole shape, the primary incident sunlight from the outside is incident on the photoelectric conversion layer on the upper surface between the adjacent bowl-shaped holes, and the sunlight is It is photoelectrically converted. About the primary incident sunlight which passed the side of the upper surface between the said adjacent bowl-shaped holes, it injects into the photoelectric converting layer inside a hole shape body, and the said sunlight is photoelectrically converted. Part of the sunlight is repeatedly reflected. At that time, the
尚、太陽電池の製造プロセスは、蒸着、露光、蝕刻（エッチング）など、従来からの、半導体、液晶パネルの製造プロセスを踏襲しており、前記括れ形成部９、および括れの下方側に形成してなる抉れ部１０を形成することは、ＣＶＤ法や選択式露光、等方性エッチング等を駆使して形成することが出来る。次に詳しく説明する。シリコン系は結晶の状態により結晶シリコンと薄膜シリコンに分類できる。結晶シリコンは単結晶シリコンと多結晶シリコンに分類できる。薄膜シリコンは微結晶シリコンとアモルファス（非晶質）シリコンに分類できる。シリコン系の結晶型の違いはシリコンの結晶粒界面、つまり結晶欠陥の数の違いであり、結晶欠陥の少ない順に、単結晶シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、アモルファス（非晶質）シリコンとなる。一般的に前記結晶欠陥の数が少ない、および前記結晶欠陥に伴う不純物の数が少ないほど太陽電池の変換効率は高くなる。つまり、結晶欠陥が多いほど、電気が効率良く流れなくなる。本願発明の括れをどのように生成するかを詳しく説明する。本光電変換装置の基板にｐ型半導体３を使用する。結晶シリコン太陽電池は一般的に高純度シリコンインゴットからシリコンウエーハという薄い板状にしたものを使用する。薄膜シリコンの場合はシリコンウエーハもしくはガラス基板などが使用される。ｐ型半導体３はホウ素原子をｐ型不純物として熱拡散により混ぜて作る。薄膜シリコンの場合は一般的にプラズマＣＶＤ（化学的気相成長法）装置を使用して、シランガスを放電により分解し、結晶シリコンやガラスなどの基板に化学的にシリコンを付着させる。次いで、ホウ素原子をｐ型不純物として熱拡散により混ぜて作り、ｐ型半導体３を形成する。次に括れ形成について説明する。結晶シリコンでは、前記状態のｐ型半導 体３の表面にフォトリソグラフィを使用して、露光の深さ方向のフォーカス位置をずらす ことで、レジストのパターンプロファイルが少々肩部が垂れる形状になることを利用して パターンを形成し、次にウエットまたはドライエッチングを行って、穴状を形成し、次い で、側壁保護エッチング等の側壁保護プロセスにより、エッチング内壁側面に保護膜をデ ポジションする。次いで、フォトリソグラフィを使用して前記開口より少々小さいレジス ト開口パターンを形成した後に、前記レジストパターンをマスクにして、前記エッチング 穴の下方をさらにドライエッチングする。次いで、前記下方をウエットまたはドライエッ チングを行うことで、瓢箪状穴を形成できる。等方性エッチングのドライエッチングまた はウエットエッチングを利用する。エッチングが回り込むことによって、アンダーカット （サイドエッチング）が得られる。次いでレジストは除去する。このようにして括れ形成 部９を得ることができる。薄膜シリコンの場合は、前記薄膜シリコンのｐ型半導体３を形 成後に前記結晶シリコンと同様に、エッチングを行って、括れ形成部９を得ることができ る。あるいは、前記プラズマＣＶＤ装置を使用して、シランガスを放電により分解し、結 晶シリコンやガラスなどの基板に、化学的にシリコンを付着させた後に、酸化膜またはシ リコンナイトライド膜を堆積する。次いで、フォトリソグラフィを使用してパターンを形 成した後に、前記パターンをマスクにして前記酸化膜または前記シリコンナイトライド膜 をドライエッチングすると、開口が得られる。次いで、前記と同様にエッチングすること で、瓢箪状穴を形成できる。ｐ型半導体３に括れ形成部９および括れの下方側に形成して なる抉れ部１０を得た後は、ｎ型半導体５を作る。ｎ型半導体５はリン元素をｎ型不純物 として熱拡散により混ぜて作る。前記ｐ型不純物、ｎ型不純物濃度を微調整するときは、 フォトリソグラフィを使用してパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクにして ホウ素イオンやリンイオンを使用してイオン注入を行う。前記イオン注入後に、ｐ＋拡散 層４やｎ＋拡散層６が得られる。その後に加熱アニールにより、結晶性を整えてｐｎ接合 ができる。ｐ＋拡散層４を作るためのリンイオン注入の実施順は、加熱アニールの前であ れば良い。次に、光が当たるｎ型半導体５に、蒸着等を利用してＩＴＯ等の透明電極層７ をつける。次に、蒸着等を利用して全面にアルミニウムやＡｇ等をつける。次いで、フォ トリソグラフィを使用してパターンを形成し、次いで、ドライエッチング等で取り出し電 極８を形成する。裏面については残していた酸化膜２に、フォトリソグラフィを使用して パターンを形成し、裏面からの電極取り出しのパターンを形成する。次いで、スクリーン 印刷や蒸着を使用して、裏面電極層１を形成する。前記裏面電極層１については、一般的 にアルミニウムやＡｇ等の使用が知られている。 The solar cell manufacturing process follows conventional manufacturing processes for semiconductors and liquid crystal panels, such as vapor deposition, exposure, and etching (etching), and is formed on the
前記方法により形成した前記括れ形成部９、および括れの下方側に形成してなる抉れ部１０を前記光電変換領域に設けることで、太陽光の入射方向から観察すると、本光電変換装置は、より黒体様に見えることになる。 By observing from the incident direction of sunlight, the photoelectric conversion device is provided with the
本願発明によって、一次太陽光入射単位面積当たりの実効光電変換表面積をより大きく設けてなり、光路長をより大きく設けてなり、一次太陽光入射方向側に返す光をより少なくする形体にすることができる。 According to the present invention, the effective photoelectric conversion surface area per unit area of primary sunlight incident is increased, the optical path length is increased, and the light returned to the primary sunlight incident direction side is reduced. it can.
１・・・裏面電極層
２・・・酸化膜
３・・・ｐ型半導体
４・・・ｐ＋拡散層
５・・・ｎ型半導体
６・・・ｎ＋拡散層
７・・・透明電極層
８・・・取り出し電極
９・・・括れ形成部
１０・・・括れの下方側に形成してなる抉れ部
１１・・・光入射基準方向
１２・・・光電変換領域が１次入射光の進行方向に沿って形を成す曲線における前記曲線上の任意の点
１３・・・光電変換領域が１次入射光の進行方向に沿って形を成す曲線における前記曲線上の点１２から少し離れた下方側の前記曲線上に位置する点
１４・・・括れを定義するための点１２における接線
１５・・・括れを定義するための点１３における接線DESCRIPTION OF
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