JP5134987B2 - 入力信号を伝達するためのtopレベルシフタを有する駆動回路及びそれに付属の方法 - Google Patents
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Description
20 駆動ロジック
30 TOPレベルシフタ
40 TOPドライバ
50 BOTレベルシフタ
60 BOTドライバ
70 ハーフブリッジ回路
72 TOPパワースイッチ
74 BOTパワースイッチ
80 TOPレベルシフタ
82 パルス発生回路
84 UPレベルシフタブランチ
86 DOWNレベルシフタブランチ
88 信号評価回路
M1、M2 スイッチングトランジスタ
HV1、HV2 高電圧トランジスタ
D1、D2 ダイオード
R1〜R6 抵抗
Z1、Z2 ツェナーダイオード
ON_p、OFF_p UPレベルシフタブランチの出力
M11、M12 スイッチングトランジスタ
M13、M14 トランジスタ
D11、D12 ダイオード
R11〜R16 抵抗
Z11、Z12 ツェナーダイオード
INV1、INV2 反転器
ON_n、OFF_n DOWNレベルシフタブランチの出力
IN 入力信号
OUT 出力信号
gnd_pri 一次側の基準電位
gnd_sek 二次側の基準電位
gnd_hs 二次側の基準電位
vdd_pri 一次側の供給電圧
vdd_hs 二次側の供給電圧
Claims (6)
- 駆動ロジック(20)からTOPドライバ(40)へと入力信号(IN)を伝達するためのTOPレベルシフタ(80)を有する駆動回路(10)において、
TOPレベルシフタ(80)が、パルス発生回路(82)と、UPレベルシフタブランチ(84)及びDOWNレベルシフタブランチ(86)と、それらに後接続されている信号評価回路(88)から成る装置として形成されていること、
UPレベルシフタブランチ(84)の出力部(ON_p、OFF_p)及びDOWNレベルシフタブランチ(86)の出力部(ON_n、OFF_n)が信号評価回路(88)の入力部と接続されていて、信号評価回路(88)の出力(OUT)がTOPドライバ(40)用の入力信号を形成すること、
UPレベルシフタブランチ(84)が2つの部分ブランチから形成され、これらの部分ブランチの方は、カスコード回路としてそれぞれ2つのnチャネルトランジスタM1、HV1或いはM2、HV2と、それぞれ1つのダイオードD1或いはD2と、それぞれ2つの抵抗R1、R5或いはR2、R6との直列装置から形成され、スイッチングトランジスタM1或いはM2のソース端子が抵抗R1或いはR2を介して一時側の基準電位(gnd_pri)に接続されていて、M1或いはM2のゲートがUPレベルシフタブランチ(84)の制御入力部としてパルス発生回路(82)のON出力部或いはOFF出力部と接続されていて、HV1及びHV2のゲートが一時側の供給電圧(vdd_pri)に接続されていて、HV1或いはHV2のドレイン端子がダイオードD1或いはD2のカソードと接続されていて、D1或いはD2のアノードの方は、一方では信号評価回路(88)に対するUPレベルシフタブランチ(84)の出力部ON_p或いはOFF_pを形成し、他方では抵抗R5或いはR6を介して供給電圧(vdd_hs)と接続されていること、及び
DOWNレベルシフタブランチ(86)が2つの部分ブランチから形成され、これらの部分ブランチの方は、カスコード回路としてそれぞれ2つのpチャネルトランジスタM11、M13或いはM12、M14と、それぞれ1つのダイオードD11或いはD12と、それぞれ2つの抵抗R11、R15或いはR12、R16との直列装置から形成され、スイッチングトランジスタM11或いはM12のソース端子が抵抗R11或いはR12を介して一時側の供給電圧(vdd_pri)に接続されていて、M11或いはM12のゲートがDOWNレベルシフタブランチ(86)の制御入力部としてパルス発生回路(82)の反転ON出力部或いは反転OFF出力部と接続されていて、M13及びM14のゲートが一時側の基準電位(gnd_pri)に接続されていて、M13或いはM14のドレイン端子がダイオードD11或いはD12のアノードと接続されていて、D11或いはD12のカソードの方は、一方では信号評価回路(88)に対するDOWNレベルシフタブランチ(86)の出力部ON_n或いはOFF_nを形成し、他方では抵抗R15或いはR16を介して基準電位(gnd_hs)と接続されていること
を特徴とする駆動回路。 - TOPレベルシフタ(80)内でUPレベルシフタブランチ(84)が実質的にDOWNレベルシフタブランチ(86)と相補的に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の駆動回路。
- 駆動ロジック(20)とTOPレベルシフタ(80)とTOPドライバ(40)がモノリシック集積されていることを特徴とする、請求項1に記載の駆動回路。
- 機能損失が発生することなく、TOPドライバ(40)の基準電位(gnd_hs)が、UPレベルシフタブランチ(84)及びDOWNレベルシフタブランチ(86)の最大可能な耐電圧の値に至るまで駆動ロジック(20)の基準電位(gnd_pri)に対して変動できることを特徴とする、請求項1に記載の駆動回路。
- 請求項1に記載したTOPレベルシフタ(80)を有する駆動回路(10)内で駆動ロジック(20)からTOPドライバ(40)へと入力信号(U_IN)を伝達するための方法において、
UPレベルシフタブランチ(84)か又はDOWNレベルシフタブランチ(86)か又はこれらの両方のレベルシフタブランチが有効な制御信号(U_ON_p/U_OFF_p/U_ON_n/U_OFF_n)を信号評価回路(88)の各々付設の入力部へと与える場合に、この信号評価回路(88)が出力信号(U_OUT)をTOPドライバ(40)へと受け渡すことを特徴とする方法。 - 二次側の基準電位(gnd_hs)が一次側の基準電位(gnd_pri)とほぼ同じ又はそれよりも高い場合にUPレベルシフタブランチ(84)が有効な制御信号を信号評価回路(88)の付設の入力部へと与えること、及び、二次側の基準電位(gnd_hs)が一次側の基準電位(gnd_pri)とほぼ同じ又はそれよりも低い場合にDOWNレベルシフタブランチ(86)が有効な制御信号を信号評価回路(88)の付設の入力部へと与えることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
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JP4313658B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2009-08-12 | 三菱電機株式会社 | インバータ回路 |
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