JP5131804B2 - フラッシュメモリ素子の製造方法 - Google Patents
フラッシュメモリ素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5131804B2 JP5131804B2 JP2006143931A JP2006143931A JP5131804B2 JP 5131804 B2 JP5131804 B2 JP 5131804B2 JP 2006143931 A JP2006143931 A JP 2006143931A JP 2006143931 A JP2006143931 A JP 2006143931A JP 5131804 B2 JP5131804 B2 JP 5131804B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gas
- etching
- etching process
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 99
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 89
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 62
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 39
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 29
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 20
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 10
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910017903 NH3F Inorganic materials 0.000 claims 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 claims 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- -1 spacer nitride Chemical class 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/401—Multistep manufacturing processes
- H01L29/4011—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes
- H01L29/40114—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a conductor-insulator-conductor-insulator-semiconductor structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Element Separation (AREA)
Description
12 酸化膜
14 第1窒化膜
16 アモルファスカーボン膜
18 SiON膜
20 O−BAR膜
22 フォトレジストパターン
24 トレンチ
26 絶縁膜
26A 素子分離膜
28 第2窒化膜
28A 窒化膜スペーサ
30 リセス
32 トンネル酸化膜
34 ポリシリコン膜
34F フローティングゲート
Claims (21)
- 半導体基板に素子分離膜用トレンチを形成する段階と、
前記トレンチ内に、前記半導体基板上に一部が突出した素子分離膜を形成する段階と、
前記突出した素子分離膜の上端部および側壁に窒化膜スペーサを形成する段階と、
前記窒化膜スペーサをマスクとしたエッチング工程によって前記半導体基板にリセスを形成する段階と、
前記窒化膜スペーサを除去する段階と、
前記リセスの形成された半導体基板上にトンネル酸化膜を形成する段階と、
前記トンネル酸化膜上にフローティングゲートを形成し、これにより前記フローティングゲートは前記リセスによって前記半導体基板との接触面が増加する段階とを含むことを特徴とする、フラッシュメモリ素子の製造方法。 - 半導体基板上に、酸化膜、窒化膜、アモルファスカーボン膜、SiON膜およびO−BARC膜を積層してハードマスク層を形成する段階と、
前記O−BARC膜上にフォトレジストパターンを形成し、前記O−BARC膜、前記SiO膜、前記アモルファスカーボン膜、前記窒化膜および前記酸化膜を順次エッチングしてパターニングする段階と、
前記エッチング工程によって露出した前記半導体基板をエッチングして素子分離用トレンチを形成する段階と、
前記パターニングされたアモルファスカーボン膜を除去する段階と、
前記トレンチ内に素子分離膜を形成する段階と、
前記パターニングされた窒化膜を除去し、これにより前記素子分離膜が突出する段階と、前記突出した素子分離膜の側壁に窒化膜スペーサを形成する段階と、
前記窒化膜スペーサをマスクとしたエッチング工程によって前記半導体基板にリセスを形成する段階と、
前記窒化膜スペーサを除去する段階と、
前記リセスの形成された半導体基板上にトンネル酸化膜を形成する段階と、
前記トンネル酸化膜上にフローティングゲートを形成し、これにより前記フローティングゲートは前記リセスによって前記半導体基板との接触面が増加する段階とを含む、フラッシュメモリ素子の製造方法。 - 前記酸化膜は、しきい値電圧イオン注入用スクリーン酸化膜であることを特徴とする、請求項1または2に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記O−BARC膜のエッチング工程は、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとしてCF4ガス、CHF3ガスおよびO2ガスの混合ガスを用いて行い、前記エッチング工程中に前記フォトレジストパターンも一定の厚さ除去されることを特徴とする、請求項2に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記SiON膜のエッチング工程は、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとしてCF4ガスおよびCHF3ガスの混合ガスを用いて行い、前記エッチング工程中に前記フォトレジストパターンも一定の厚さ除去されることを特徴とする、請求項2に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記アモルファスカーボン膜のエッチング工程は、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとしてCOガスとN2ガスの混合ガス、またはNH3ガスとO2ガスの混合ガスを用いて行い、前記エッチング工程中に前記フォトレジストパターンも一定の厚さ除去されることを特徴とする、請求項2に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記窒化膜のエッチング工程は前記パターニングされたアモルファスカーボン膜をエッチングマスクとしてCF4ガス、CHF3ガス、O2ガスおよびArガスの混合ガスを用いて行い、前記エッチング工程中に、前記パターニングされたアモルファスカーボン膜上の前記フォトレジストパターン、前記パターニングされたO−BARC膜、前記パターニングされたSiON膜および前記窒化膜のエッチングによって露出する前記酸化膜は除去されることを特徴とする、請求項2に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記トレンチは、前記パターニングされたアモルファスカーボン膜をエッチングマスクとしたエッチング工程によって形成することを特徴とする、請求項2に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記トレンチは、トレンチエッチングプロファイルの傾斜角が86°以下に維持されるように、HBrガスおよびO2ガスの混合ガスを用いたエッチング工程によって形成することを特徴とする、請求項1、2、8のいずれか1項に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記パターニングされたアモルファスカーボン膜は、フォトレジストストリップ工程によって除去することを特徴とする、請求項2に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記O−BARC膜、前記SiON膜、前記アモルファスカーボン膜および前記窒化膜を順次エッチングする工程は、同一のエッチング装備でインシチュで行うことを特徴とする、請求項2に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記パターニングされた窒化膜は、NH3F+HFおよびH3PO4から構成されたウェット化学溶液を用いて除去することを特徴とする、請求項2に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記窒化膜スペーサは、前記突出した素子分離膜を含んだ前記結果物の全面にわたって窒化膜を形成した後、スペーサエッチング工程を行って形成することを特徴とする、請求項1または2に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記スペーサエッチング工程は、CF4ガス、CHF3ガス、O2ガスおよびArガスの混合ガスを用いて酸化物エッチング装備で行うことを特徴とする、請求項13に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記リセスは、前記窒化物スペーサをエッチングマスクとしたセルフアラインエッチング工程を行って前記半導体基板の活性領域の中心に形成することを特徴とする、請求項1または2に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記セルフアラインエッチング工程は、Cl2ガスおよびHBrガスの混合ガスを用いてポリシリコンエッチング装備で行うことを特徴とする、請求項15に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記リセスを形成するエッチング工程の後にPET工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1または2に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記窒化膜スペーサは、NH3F+HFおよびH3PO4から構成されたウェット化学溶液を用いて除去することを特徴とする、請求項1または2に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記フローティングゲートは、前記トンネル酸化膜が形成された結果物上にポリシリコン膜を形成した後、化学的機械的研磨工程によって前記ポリシリコン膜を前記素子分離膜の上部が十分露出するまで研磨することを特徴とする、請求項1または2に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記フローティングゲート形成の後に前記素子分離膜の突出部分を除去する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項1または2に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記素子分離膜の突出部分除去工程は、H2O+HFおよびNH4OH+H2O2+H2Oのウェット化学溶液を用いて行うことを特徴とする、請求項20に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2005-0086189 | 2005-09-15 | ||
KR1020050086189A KR100632651B1 (ko) | 2005-09-15 | 2005-09-15 | 플래쉬 메모리소자의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007081367A JP2007081367A (ja) | 2007-03-29 |
JP5131804B2 true JP5131804B2 (ja) | 2013-01-30 |
Family
ID=37635524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006143931A Expired - Fee Related JP5131804B2 (ja) | 2005-09-15 | 2006-05-24 | フラッシュメモリ素子の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7601589B2 (ja) |
JP (1) | JP5131804B2 (ja) |
KR (1) | KR100632651B1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100672164B1 (ko) * | 2005-12-20 | 2007-01-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자의 제조 방법 |
US7588982B2 (en) * | 2006-08-29 | 2009-09-15 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor constructions and flash memory cells |
US7718546B2 (en) * | 2007-06-27 | 2010-05-18 | Sandisk 3D Llc | Method for fabricating a 3-D integrated circuit using a hard mask of silicon-oxynitride on amorphous carbon |
KR101344019B1 (ko) * | 2007-11-01 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | 이온 주입 방법 |
JP2009206394A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Nippon Zeon Co Ltd | 炭素系ハードマスクの形成方法 |
US8252653B2 (en) * | 2008-10-21 | 2012-08-28 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a non-volatile memory having a silicon nitride charge trap layer |
US8198671B2 (en) * | 2009-04-22 | 2012-06-12 | Applied Materials, Inc. | Modification of charge trap silicon nitride with oxygen plasma |
CN108962742B (zh) * | 2017-05-25 | 2021-05-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构的制造方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3775274A (en) * | 1970-06-30 | 1973-11-27 | Hughes Aircraft Co | Electrolytic anticompromise process |
JPS5846645A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-18 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2710194B2 (ja) * | 1993-09-24 | 1998-02-10 | 日本電気株式会社 | 不揮発性半導体記憶素子とその製造方法 |
US5496750A (en) * | 1994-09-19 | 1996-03-05 | Texas Instruments Incorporated | Elevated source/drain junction metal oxide semiconductor field-effect transistor using blanket silicon deposition |
US5605603A (en) * | 1995-03-29 | 1997-02-25 | International Business Machines Corporation | Deep trench process |
JP3381117B2 (ja) * | 1995-05-29 | 2003-02-24 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5963816A (en) * | 1997-12-01 | 1999-10-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for making shallow trench marks |
TW405265B (en) * | 1999-01-30 | 2000-09-11 | United Microelectronics Corp | Flash memory structure and its manufacture method |
US6284637B1 (en) * | 1999-03-29 | 2001-09-04 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method to fabricate a floating gate with a sloping sidewall for a flash memory |
US6461923B1 (en) * | 1999-08-18 | 2002-10-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Sidewall spacer etch process for improved silicide formation |
KR20010053905A (ko) | 1999-12-02 | 2001-07-02 | 윤종용 | 비휘발성 플래쉬 메모리 장치의 형성 방법 |
US6500274B2 (en) * | 2001-01-16 | 2002-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Apparatus and method for wet cleaning wafers without ammonia vapor damage |
JP2002270685A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR100426484B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2004-04-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 셀 및 그의 제조방법 |
US7419875B2 (en) * | 2002-12-06 | 2008-09-02 | Nxp B.V. | Shallow trench isolation in floating gate devices |
KR100958619B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2010-05-20 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 엔드 타입 플래시 메모리셀 제조방법 |
US7078351B2 (en) * | 2003-02-10 | 2006-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist intensive patterning and processing |
US7141851B2 (en) * | 2003-08-22 | 2006-11-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistors having a recessed channel region |
US6825526B1 (en) * | 2004-01-16 | 2004-11-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Structure for increasing drive current in a memory array and related method |
KR100611140B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2006-08-09 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터의 게이트, 이의 제조 방법 및 게이트 구조를포함하는 불휘발성 메모리 장치, 이의 제조 방법. |
US7390746B2 (en) * | 2005-03-15 | 2008-06-24 | Micron Technology, Inc. | Multiple deposition for integration of spacers in pitch multiplication process |
-
2005
- 2005-09-15 KR KR1020050086189A patent/KR100632651B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-05-24 JP JP2006143931A patent/JP5131804B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-16 US US11/454,594 patent/US7601589B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070059884A1 (en) | 2007-03-15 |
JP2007081367A (ja) | 2007-03-29 |
US7601589B2 (en) | 2009-10-13 |
KR100632651B1 (ko) | 2006-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100532503B1 (ko) | 쉘로우 트렌치 소자 분리막의 형성 방법 | |
KR100781033B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
US7297593B2 (en) | Method of manufacturing a floating gate of a flash memory device | |
JP5131804B2 (ja) | フラッシュメモリ素子の製造方法 | |
US10381358B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US20070232019A1 (en) | Method for forming isolation structure in nonvolatile memory device | |
JP2005026647A (ja) | フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法 | |
US20060276001A1 (en) | Method for manufacturing a semiconductor device having a STI structure | |
WO2006046301A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
KR100655289B1 (ko) | 플래시 메모리 제조 방법 | |
US7595252B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor memory device | |
JP2008010817A (ja) | ナンドフラッシュメモリ素子の製造方法 | |
KR100645195B1 (ko) | 플래쉬 메모리 소자의 제조방법 | |
US20060154439A1 (en) | Method of fabricating semiconductor device | |
KR100493065B1 (ko) | 트렌치 게이트형 트랜지스터를 구비하는 반도체 소자 및그 제조 방법 | |
US7468298B2 (en) | Method of manufacturing flash memory device | |
KR101085620B1 (ko) | 불휘발성 메모리 소자의 게이트 패턴 형성방법 | |
KR100898674B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
KR100554834B1 (ko) | 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 | |
KR100673154B1 (ko) | 플래쉬 메모리 소자의 소자 분리막 형성 방법 | |
KR20060074177A (ko) | 플래시 메모리 소자의 제조 방법 | |
KR100823694B1 (ko) | 불휘발성 메모리 장치의 플로팅 게이트 구조물의 형성 방법 | |
KR100709468B1 (ko) | 플래시 메모리 소자의 플로팅 게이트 형성방법 | |
KR20060066874A (ko) | 플래쉬 메모리 소자의 제조방법 | |
KR20050002413A (ko) | 플래시 메모리 소자의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120313 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120605 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121002 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121101 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |