JP5131320B2 - Suspension substrate and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、金属支持基板が存在する領域と存在しない領域との境界領域で、絶縁層にクラックが生じることを抑制したサスペンション用基板に関する。 The present invention relates to a suspension substrate that suppresses the occurrence of cracks in an insulating layer in a boundary region between a region where a metal support substrate is present and a region where a metal support substrate is not present.
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。そのため、ＨＤＤに用いられるサスペンション用基板（フレキシャー）にも高機能化が求められている。 In recent years, due to the spread of the Internet and the like, there has been a demand for an increase in the amount of information processing of personal computers and an increase in information processing speed, and along with this, the capacity of hard disk drives (HDD) incorporated in personal computers has increased. Increasing information transmission speed is required. For this reason, higher functions are also required for suspension substrates (flexures) used in HDDs.
このようなサスペンション用基板として、例えば特許文献１には、スライダ接着パッド部（タング部）と、アウトリガーと、クロスバーとを有するフレキシャーが開示されている。さらに、特許文献１では、アウトリガー上に配線が形成されている。また、特許文献２には、タング部およびアウトリガー部の間に、配線層を配置したディスク装置用サスペンションが開示されている。また、特許文献３においては、トレース部材（配線層）が、アウトリガー部の外側を迂回して通るアウトトレース型のフレキシャーが開示されている。また、特許文献４においては、導電トレース（配線層）を支持するトレースサポートタブを有するジンバル構造が開示されている。
As such a suspension substrate, for example,
従来のサスペンション用基板では、金属支持基板上に絶縁層を介して配線層が形成されていた。近年、サスペンション用基板の高機能化（例えば低剛性化）に伴って、金属支持基板の一部を積極的に除去することが行われている。金属支持基板の一部を除去すると、金属支持基板が存在する領域と存在しない領域との境界領域において、その上に存在する絶縁層に応力が集中しやすくなり、絶縁層にクラックが生じやすいという問題がある。 In a conventional suspension substrate, a wiring layer is formed on a metal support substrate via an insulating layer. In recent years, part of the metal support substrate has been actively removed along with the enhancement of the function of the suspension substrate (for example, the reduction in rigidity). If a part of the metal support substrate is removed, stress is likely to concentrate on the insulating layer present on the boundary region between the region where the metal support substrate is present and the region where the metal support substrate is not present, and cracks are likely to occur in the insulating layer. There's a problem.
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、金属支持基板が存在する領域と存在しない領域との境界領域で、絶縁層にクラックが生じることを抑制したサスペンション用基板を提供することを主目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and provides a suspension substrate that suppresses the occurrence of cracks in an insulating layer in a boundary region between a region where a metal support substrate is present and a region where a metal support substrate is not present. The main purpose.
上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、上記金属支持基板、上記絶縁層、上記配線層および上記カバー層を有する第一構造部と、上記第一構造部から連続的に形成され、上記金属支持基板が存在しない第二構造部とを有し、上記第一構造部および上記第二構造部の境界領域において、上記絶縁層の上端部の位置が、上記カバー層の下端部の位置と一致しているか、上記カバー層の下端部の位置よりも上記配線層側にあることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。 In order to solve the above problems, in the present invention, a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and the wiring layer are covered. A suspension substrate having a formed cover layer, wherein the metal support substrate, the insulating layer, the wiring layer, and the first structure portion having the cover layer are formed continuously from the first structure portion. And the second structure part in which the metal support substrate does not exist, and in the boundary region between the first structure part and the second structure part, the position of the upper end part of the insulating layer is the lower end part of the cover layer. There is provided a suspension substrate, wherein the suspension substrate is located on the wiring layer side of the lower end portion of the cover layer.
本発明によれば、境界領域において、絶縁層の上端部の位置が、カバー層の下端部の位置と一致しているか、カバー層の下端部の位置よりも配線層側にあることで、絶縁層にクラックが生じることを抑制できる。そのため、応力集中による配線層の断線を防止することができる。 According to the present invention, in the boundary region, the position of the upper end portion of the insulating layer coincides with the position of the lower end portion of the cover layer, or is located on the wiring layer side with respect to the position of the lower end portion of the cover layer. It can suppress that a crack arises in a layer. Therefore, disconnection of the wiring layer due to stress concentration can be prevented.
上記発明においては、上記金属支持基板が、素子を実装するタング部と、上記タング部の外側に位置するアウトリガー部とを有し、上記配線層は、平面視上、上記タング部および上記アウトリガー部の間に形成されていることが好ましい。このような配線層が形成された境界領域では、配線層下面の絶縁層にクラックが生じやすいが、その影響を効果的に小さくできるからである。 In the above invention, the metal support board includes a tongue portion for mounting an element and an outrigger portion positioned outside the tongue portion, and the wiring layer includes the tongue portion and the outrigger portion in plan view. It is preferable that it is formed between. This is because, in the boundary region where such a wiring layer is formed, cracks are likely to occur in the insulating layer on the lower surface of the wiring layer, but the influence can be effectively reduced.
上記発明においては、上記金属支持基板が、上記タング部および上記アウトリガー部を連結するクロスバーを有し、上記第一構造部の上記金属支持基板が、上記クロスバーであることが好ましい。 In the said invention, it is preferable that the said metal support substrate has a cross bar which connects the said tongue part and the said outrigger part, and the said metal support substrate of a said 1st structure part is the said cross bar.
上記発明においては、上記金属支持基板が、アウトリガー部の上記タング部側の端面にトレースサポートタブを有し、上記第一構造部の上記金属支持基板が、上記トレースサポートタブであることが好ましい。 In the said invention, it is preferable that the said metal support substrate has a trace support tab in the end surface at the side of the said tongue part of an outrigger part, and the said metal support substrate of a said 1st structure part is the said trace support tab.
上記発明においては、上記金属支持基板が、上記アウトリガー部の根元を支持するベース部を有し、上記第一構造部の上記金属支持基板が、上記ベース部であることが好ましい。 In the said invention, it is preferable that the said metal support substrate has a base part which supports the base of the said outrigger part, and the said metal support substrate of a said 1st structure part is the said base part.
上記発明においては、上記第一構造部の上記金属支持基板が、上記タング部であることが好ましい。 In the said invention, it is preferable that the said metal support substrate of a said 1st structure part is the said tongue part.
また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層を覆うように形成されたカバー層と、上記金属支持基板、上記絶縁層、上記配線層および上記カバー層を有する第一構造部と、上記第一構造部から連続的に形成され、上記金属支持基板が存在しない第二構造部とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記第一構造部および上記第二構造部の境界領域において、上記絶縁層の上端部の位置を、上記カバー層の下端部の位置と一致させるか、上記カバー層の下端部の位置よりも上記配線層側にするようにウェットエッチングを行い、上記絶縁層を形成する絶縁層形成工程を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。 In the present invention, a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and a cover layer formed so as to cover the wiring layer; A first structure portion having the metal support substrate, the insulating layer, the wiring layer, and the cover layer, and a second structure portion formed continuously from the first structure portion and having no metal support substrate. A method for manufacturing a suspension substrate, wherein the position of the upper end of the insulating layer coincides with the position of the lower end of the cover layer in the boundary region between the first structure and the second structure. There is provided a method for manufacturing a suspension substrate, comprising a step of forming an insulating layer by performing wet etching so as to be closer to the wiring layer side than a position of a lower end portion of the cover layer to form the insulating layer.
本発明によれば、絶縁層の上端部の位置を、カバー層の下端部の位置と一致させるか、カバー層の下端部の位置よりも配線層側にするようにウェットエッチングを行い、絶縁層を形成することで、絶縁層にクラックが生じることを抑制したサスペンション用基板を得ることができる。 According to the present invention, wet etching is performed so that the position of the upper end portion of the insulating layer coincides with the position of the lower end portion of the cover layer, or on the wiring layer side with respect to the position of the lower end portion of the cover layer. By forming the suspension substrate, it is possible to obtain a suspension substrate that suppresses occurrence of cracks in the insulating layer.
上記発明においては、素子を実装するタング部と、上記タング部の外側に位置するアウトリガー部とを有する上記金属支持基板を形成し、平面視上、上記タング部および上記アウトリガー部の間に、上記配線層を形成することが好ましい。このような配線層が形成された境界領域では、配線層下面の絶縁層にクラックが生じやすいが、その影響を効果的に小さくできるからである。 In the above invention, the metal support substrate having a tongue portion for mounting an element and an outrigger portion located outside the tongue portion is formed, and the planar view, between the tongue portion and the outrigger portion, It is preferable to form a wiring layer. This is because, in the boundary region where such a wiring layer is formed, cracks are likely to occur in the insulating layer on the lower surface of the wiring layer, but the influence can be effectively reduced.
上記発明においては、上記絶縁層形成工程において、上記カバー層をレジスト層として用いることが好ましい。別途にレジスト層を設ける必要がないからである。さらに、絶縁層とカバー層とは、製品としての耐久性を担保する観点から、通常、密着性が高い。そのため、両層の間にエッチング液が染み込むことを防止でき、絶縁層の下端部断面の角度θを大きくすることができる。 In the said invention, it is preferable to use the said cover layer as a resist layer in the said insulating layer formation process. This is because it is not necessary to provide a resist layer separately. Furthermore, the insulating layer and the cover layer usually have high adhesion from the viewpoint of ensuring durability as a product. Therefore, the etchant can be prevented from permeating between the two layers, and the angle θ of the lower end section of the insulating layer can be increased.
上記発明においては、上記カバー層の材料が、上記配線層の材料よりも、エッチング液に対するエッチングレートが低い材料であることが好ましい。レジスト層として有用だからである。 In the said invention, it is preferable that the material of the said cover layer is a material whose etching rate with respect to an etching liquid is lower than the material of the said wiring layer. This is because it is useful as a resist layer.
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板が存在する領域と存在しない領域との境界領域で、絶縁層にクラックが生じることを抑制できるという効果を奏する。 The suspension substrate of the present invention has an effect that it is possible to suppress the occurrence of cracks in the insulating layer in the boundary region between the region where the metal support substrate is present and the region where the metal support substrate is not present.
以下、本発明のサスペンション用基板、および、サスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。 Hereinafter, the suspension substrate and the method for manufacturing the suspension substrate of the present invention will be described in detail.
Ａ．サスペンション用基板
まず、本発明のサスペンション用基板について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、上記金属支持基板、上記絶縁層、上記配線層および上記カバー層を有する第一構造部と、上記第一構造部から連続的に形成され、上記金属支持基板が存在しない第二構造部とを有し、上記第一構造部および上記第二構造部の境界領域において、上記絶縁層の上端部の位置が、上記カバー層の下端部の位置と一致しているか、上記カバー層の下端部の位置よりも上記配線層側にあることを特徴とするものである。
A. First, the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate of the present invention includes a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and a cover layer formed so as to cover the wiring layer. A suspension substrate having the metal support substrate, the insulating layer, the wiring layer, and the cover layer, and the metal support substrate formed continuously from the first structure portion. And the position of the upper end portion of the insulating layer coincides with the position of the lower end portion of the cover layer in the boundary region between the first structure portion and the second structure portion. Or on the wiring layer side of the position of the lower end portion of the cover layer.
図１は、一般的なサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図１（ａ）はサスペンション用基板の概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ断面図である。なお、図１（ａ）では、便宜上、カバー層の記載は省略している。図１（ａ）に示されるサスペンション用基板１００は、一方の先端部分に形成された素子実装領域１０１と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域１０２と、素子実装領域１０１および外部回路基板接続領域１０２を電気的に接続する複数の配線層１０３ａ〜１０３ｄとを有するものである。配線層１０３ａおよび配線層１０３ｂは一対の配線層であり、同様に、配線層１０３ｃおよび配線層１０３ｄも一対の配線層である。これらの２つの配線層は、一方がライト用の配線層であり、他方がリード用の配線層である。一方、図１（ｂ）に示されるように、サスペンション用基板は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された配線層３と、配線層３を覆うカバー層４とを有するものである。
FIG. 1 is a schematic view showing an example of a general suspension substrate. FIG. 1A is a schematic plan view of a suspension substrate, and FIG. 1B is a sectional view taken along line XX of FIG. In FIG. 1A, the cover layer is not shown for convenience. A
図２は、本発明のサスペンション用基板の素子実装領域の近傍を示す概略平面図である。なお、図２では、便宜上、カバー層の記載は省略しており、図面の上半分における絶縁層および配線層は点線で示している。図２における金属支持基板１は、磁気ヘッドスライダ等の素子を実装するタング部１１と、タング部１１の外側に位置するアウトリガー部１２と、タング部１１およびアウトリガー部１２を連結するクロスバー１３と、アウトリガー部１２の根元を支持するベース部１５とを有している。さらに、図２における領域Ａ〜Ｄでは、それぞれ、金属支持基板１、絶縁層２、配線層３およびカバー層（図示せず）を有する第一構造部と、その第一構造部から連続的に形成され、金属支持基板１が存在しない第二構造部とが形成されている。
FIG. 2 is a schematic plan view showing the vicinity of the element mounting region of the suspension substrate of the present invention. In FIG. 2, for the sake of convenience, the description of the cover layer is omitted, and the insulating layer and the wiring layer in the upper half of the drawing are indicated by dotted lines. 2 includes a
また、本発明においては、図２に示すように、配線層３が、平面視上、タング部１１およびアウトリガー部１２の間に形成されていることが好ましい。このような配線層が形成された境界領域では、配線層下面の絶縁層にクラックが生じやすいが、その影響を効果的に小さくできるからである。また、上述した特許文献１では、アウトリガー部の上に配線層を設けることが記載されている。一方で、ジンバルのピッチ・ロール角を調整するために、アウトリガー部にレーザーを照射する技術がある。このような技術を特許文献１に適用すると、レーザー照射による熱の影響により、配線層の劣化が生じやすくなる。また、配線層の剛性が、ジンバルのピッチ・ロール角の調整に障害となる。そのため、配線層をアウトリガー部の外側または内側に配置することが好ましい。ここで、配線層をアウトリガー部の外側に配置すると、特許文献３に記載されているように、アウトトレース型のサスペンション用基板になるが、アウトトレース型のサスペンション用基板は、配線層が、ディスク回転時の風圧の影響を大きく受けるため、フライトハイトコントロールが難しくなる可能性がある。また、配線層の外側にアウトリガー部が無いので、配線層が損傷を受けやすい。このように、レーザー照射による配線層の劣化を防止するという観点、ディスク回転時の風圧の影響を緩和するという観点、および、配線層の損傷を防止するという観点から、配線層が、平面視上、タング部およびアウトリガー部の間に形成されていることが好ましい。
In the present invention, as shown in FIG. 2, the
一方、図３は、クロスバーの近傍を示す概略平面図である。図３では、クロスバー１３と交差するように、配線層３が配置されている。ここで、クロスバー１３、絶縁層２、配線層３およびカバー層（図示せず）がこの順に積層された第一構造部Ｓ１と、クロスバー１３が存在せず、絶縁層２、配線層３およびカバー層（図示せず）がこの順に積層された第二構造部Ｓ２との境界領域では、その上に存在する絶縁層２にクラック５１が生じやすいという問題がある。クラック５１が生じる理由としては、サスペンション用基板の使用時の応力集中（例えば、磁気ヘッドスライダ等の素子の振動による応力集中）、および、サスペンション用基板の製造時の応力集中（例えば、クロスバー１３を形成した後の液処理による応力集中、製造段階のサスペンション用基板の搬送時における応力集中）等が挙げられる。クラックが発生し、そのクラックが進展すると、応力が直接配線層に影響することが想定され、最悪の場合は、配線層の腐食や断線が生じ得る。
On the other hand, FIG. 3 is a schematic plan view showing the vicinity of the crossbar. In FIG. 3, the
図４は、図３のＸ−Ｘ断面図であり、第一構造部Ｓ１および第二構造部Ｓ２の境界領域の断面図である。本発明における絶縁層が、例えばウェットエッチングにより形成された場合、絶縁層の断面形状は、通常、台形になる。 Figure 4 is a sectional view taken along line X-X in FIG. 3 is a cross-sectional view of a boundary area of the first structural portion S 1 and the second structural portion S 2. When the insulating layer in the present invention is formed by wet etching, for example, the sectional shape of the insulating layer is usually a trapezoid.
本発明のサスペンション用基板は、境界領域において、絶縁層２の上端部２ａの位置が、カバー層４の下端部４ａの位置と一致しているか（図４（ａ））、カバー層４の下端部４ａの位置よりも配線層３側（内側）にあること（図４（ｂ））、を大きな特徴とする。これにより、絶縁層２の端部が補強され、クラックの発生を抑制することができる。また、絶縁層２とカバー層４とは、製品としての耐久性を担保する観点から、通常、密着性が高い。そのため、両層の間にエッチング液が染み込むことを防止でき、絶縁層２の下端部断面の角度θを大きくすることができ、この点からも、クラックの発生を抑制することができる。
In the suspension substrate of the present invention, in the boundary region, the position of the
これに対して、図４（ｃ）に示すように、絶縁層２の上端部２ａの位置が、カバー層４の下端部４ａの位置よりも大幅に外側にあると、絶縁層２の端部が補強されず、クラックが発生しやすい。また、絶縁層２と、ウェットエッチングの際のレジスト層とは、通常、密着性が高くないため、両層の間にエッチング液が染み込み、絶縁層２の下端部断面の角度θが小さくなり、この点からも、クラックが発生しやすい。
On the other hand, as shown in FIG. 4C, when the position of the
このように、本発明によれば、境界領域において、絶縁層の上端部の位置が、カバー層の下端部の位置と一致しているか、カバー層の下端部の位置よりも配線層側にあることで、絶縁層にクラックが生じることを抑制できる。そのため、応力集中による配線層の断線を防止することができる。特に、近年は絶縁層の薄膜化が求められており、絶縁層にクラックが生じやすくなる傾向にあるが、本発明によれば、そのような場合においても、クラックの発生を効果的に抑制することができる。
以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
As described above, according to the present invention, in the boundary region, the position of the upper end portion of the insulating layer coincides with the position of the lower end portion of the cover layer or is closer to the wiring layer side than the position of the lower end portion of the cover layer. Thereby, it can suppress that a crack arises in an insulating layer. Therefore, disconnection of the wiring layer due to stress concentration can be prevented. In particular, in recent years, there has been a demand for a thinner insulating layer, which tends to cause cracks in the insulating layer. According to the present invention, the occurrence of cracks can be effectively suppressed even in such a case. be able to.
Hereinafter, the suspension substrate of the present invention will be described separately for the suspension substrate member and the suspension substrate configuration.
１．サスペンション用基板の部材
まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層、配線層およびカバー層を有するものである。
1. First, members of the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate of the present invention has a metal support substrate, an insulating layer, a wiring layer, and a cover layer.
本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはＳＵＳ等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば１０μｍ〜２０μｍの範囲内である。 The metal support substrate in the present invention functions as a support for the suspension substrate. The material of the metal support substrate is preferably a metal having spring properties, and specific examples include SUS. Moreover, although the thickness of a metal support substrate changes with kinds of the material, it exists in the range of 10 micrometers-20 micrometers, for example.
本発明における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがさらに好ましい。 The insulating layer in the present invention is formed on a metal support substrate. The material of the insulating layer is not particularly limited as long as it has insulating properties, and examples thereof include a resin. Examples of the resin include polyimide resin, polybenzoxazole resin, polybenzimidazole resin, acrylic resin, polyether nitrile resin, polyether sulfone resin, polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, and polyvinyl chloride resin. Of these, polyimide resin is preferred. It is because it is excellent in insulation, heat resistance and chemical resistance. In addition, the material of the insulating layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the insulating layer is, for example, preferably in the range of 5 μm to 30 μm, more preferably in the range of 5 μm to 18 μm, and still more preferably in the range of 5 μm to 12 μm.
本発明における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）が好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、９μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。また、配線層の一部の表面には、配線めっき部が形成されていても良い。配線めっき部を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できるからである。中でも、本発明においては、素子または外部回路基板との接続を行う端子部に配線めっき部が形成されていることが好ましい。配線めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えばＮｉめっき、Ａｕめっき等を挙げることができる。配線めっき部の厚さは、例えば０．１μｍ〜４．０μｍの範囲内である。 The wiring layer in the present invention is formed on the insulating layer. The material of the wiring layer is not particularly limited as long as it has conductivity, but for example, a metal can be cited, and copper (Cu) is particularly preferable. Moreover, the material of the wiring layer may be rolled copper or electrolytic copper. The thickness of the wiring layer is preferably in the range of 5 μm to 18 μm, for example, and more preferably in the range of 9 μm to 12 μm. A wiring plating portion may be formed on a part of the surface of the wiring layer. This is because the wiring layer can be prevented from being deteriorated (corrosion or the like) by providing the wiring plating portion. Among these, in the present invention, it is preferable that a wiring plating part is formed in a terminal part for connection to an element or an external circuit board. Although the kind of wiring plating part is not specifically limited, For example, Ni plating, Au plating, etc. can be mentioned. The thickness of the wiring plating portion is, for example, in the range of 0.1 μm to 4.0 μm.
本発明におけるカバー層は、配線層３を覆うように形成されるものである。カバー層を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できる。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載した樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば２μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜１０μｍの範囲内であることがより好ましい。
The cover layer in the present invention is formed so as to cover the
２．サスペンション用基板の構成
次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層、配線層およびカバー層がこの順に積層された第一構造部を有する。第一構造部における配線層には、種々の機能を有する複数の配線層を用いることができる。配線層としては、例えば、ライト用配線層、リード用配線層、ノイズシールド用配線層、クロストーク防止用配線層、電源用配線層、グランド用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、センサー用配線層、アクチュエータ用配線層、熱アシスト用配線層等を挙げることができる。また、本発明のサスペンション用基板は、第一構造部から連続的に形成され、金属支持基板が存在しない第二構造部を有する。第二構造部は、例えば、第一構造部から金属支持基板のみを除去した構造部に該当する。
2. Next, the configuration of the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate of the present invention has a first structure portion in which a metal support substrate, an insulating layer, a wiring layer, and a cover layer are laminated in this order. As the wiring layer in the first structure portion, a plurality of wiring layers having various functions can be used. Examples of wiring layers include a write wiring layer, a read wiring layer, a noise shield wiring layer, a crosstalk prevention wiring layer, a power supply wiring layer, a ground wiring layer, a flight height control wiring layer, and a sensor wiring. Layer, actuator wiring layer, heat assist wiring layer, and the like. In addition, the suspension substrate of the present invention has a second structure portion that is continuously formed from the first structure portion and does not have a metal support substrate. The second structure portion corresponds to, for example, a structure portion obtained by removing only the metal support substrate from the first structure portion.
また、本発明のサスペンション用基板は、図５（ａ）に示すように、第一構造部および第二構造部の境界領域において、絶縁層２の上端部２ａの位置が、カバー層４の下端部４ａの位置と一致していることを一つの特徴とする。本発明における「一致」とは、厳密な一致のみではなく、実質的な一致をも意味する。「実質的な一致」とは、カバー層４の下端部４ａの位置が、絶縁層２の上端部２ａの位置よりも配線層３側にあり、その幅が１０μｍ以下（好ましくは５μｍ以下）であることをいう。なお、後述する図７に示すように、レジストパターン５を用いて絶縁層２を形成すると、カバー層４の下端部４ａの位置が、絶縁層２の上端部２ａの位置よりも配線層３側にあるサスペンション用基板が得られる場合がある。また、配線層３の下端部３ａとカバー層４の下端部４ａとの間の幅をＷ１とした場合、Ｗ１の値は、例えば１０μｍ以上であることが好ましく、１５μｍ以上であることがより好ましい。Ｗ１の値が小さすぎると、配線層３上にカバー層４を形成する際に、配線層３に対するカバー層４の相対ズレにより、配線層２がカバー層４から露出する可能性があるからである。一方、Ｗ１の値は、例えば３０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましい。Ｗ１の値が大きすぎると、配線部の全体の幅が広くなり、スペースの制約上、レイアウトが困難となるからである。また、絶縁層２の下端部断面の角度θは、例えば、３０°以上であることが好ましく、４０°以上であることがより好ましく、５０°以上であることがさらに好ましい。
Further, as shown in FIG. 5A, the suspension substrate of the present invention is such that the position of the
また、本発明のサスペンション用基板は、図５（ｂ）に示すように、第一構造部および第二構造部の境界領域において、絶縁層２の上端部２ａの位置が、カバー層４の下端部４ａの位置よりも配線層３側にあることを一つの特徴とする。ここで、カバー層４の下端部４ａと絶縁層２の上端部２ａとの間の幅をＷ２とした場合、Ｗ２の値は、１５μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以下であることがさらに好ましい。上記範囲内であれば、クラックの発生をより効果的に抑制できるからである。
Further, as shown in FIG. 5B, the suspension substrate of the present invention is such that the position of the
また、本発明においては、絶縁層の材料およびカバー層の材料が、同種の材料であることが好ましい。両層の間の密着性がより高くなるからである。密着性が高いと、両層の間にエッチング液が染み込むことを防止でき、絶縁層の下端部断面の角度θを大きくすることができる。その結果、絶縁層にクラックが生じることを抑制できる。本発明における同種の材料とは、基本骨格が共通した材料をいう。特に、本発明においては、絶縁層の材料およびカバー層の材料が、ともにポリイミド樹脂であることが好ましい。さらに、カバー材の材料は、絶縁層の材料よりも、エッチング液に対するエッチングレートが低い材料であることが好ましい。 In the present invention, the insulating layer material and the cover layer material are preferably the same type of material. This is because the adhesion between the two layers becomes higher. When the adhesiveness is high, the etchant can be prevented from permeating between both layers, and the angle θ of the lower end section of the insulating layer can be increased. As a result, generation of cracks in the insulating layer can be suppressed. The same kind of material in the present invention refers to a material having a common basic skeleton. In particular, in the present invention, it is preferable that the material of the insulating layer and the material of the cover layer are both polyimide resins. Furthermore, the cover material is preferably a material having a lower etching rate with respect to the etchant than the material of the insulating layer.
次に、本発明における境界領域について説明する。本発明における境界領域は、上述した第一構造部および第二構造部の境界の領域であれば特に限定されるものではない。境界領域を例示すると、上述した図２の領域Ａ〜Ｄを挙げることができる。図２の領域Ａは、第一構造部の金属支持基板が、クロスバー１３である態様である。クロスバー１３の両端が、金属支持基板が存在する領域と存在しない領域との境界になる。特に、領域Ａは、サスペンション用基板の使用時に、素子の振動の影響を大きく受けるため、この境界領域において、絶縁層の上端部の位置が、カバー層の下端部の位置と一致しているか、カバー層の下端部の位置よりも配線層側にあることが好ましい。さらに、領域Ａの中でも、タング部１１に近い側の境界領域では、捻じれ等の影響を受けやすいことから、タング部１１に近い側の境界領域において、絶縁層の上端部の位置が、カバー層の下端部の位置と一致しているか、カバー層の下端部の位置よりも配線層側にあることが好ましい。
Next, the boundary area in the present invention will be described. The boundary region in the present invention is not particularly limited as long as it is a boundary region between the first structure portion and the second structure portion described above. Examples of the boundary area include the above-described areas A to D in FIG. Region A in FIG. 2 is an embodiment in which the metal support substrate of the first structure portion is the
また、本発明におけるクロスバーの位置は、タング部およびアウトリガー部を連結できる位置であれば特に限定されるものではないが、サスペンション用基板の短手方向におけるタング部の端面に形成されていることが好ましい。特に、本発明においては、図６に示されるように、素子の振動中心１６におけるサスペンション用基板の短手方向と重複するように、クロスバー１３が形成されていることが好ましい。例えばＨＤＩ（Head Disk Interface）の発生時において素子の振動を最小化することができるからである。
Further, the position of the cross bar in the present invention is not particularly limited as long as it is a position where the tongue part and the outrigger part can be connected, but it is formed on the end face of the tongue part in the short direction of the suspension substrate. Is preferred. In particular, in the present invention, as shown in FIG. 6, it is preferable that the
また、図２の領域Ｂは、第一構造部の金属支持基板が、トレースサポートタブ１４である態様である。トレースサポートタブ１４の両端が、金属支持基板が存在する領域と存在しない領域との境界領域になる。同様に、図２の領域Ｃは、第一構造部の金属支持基板が、ベース部１５である態様であり、図２の領域Ｄは、第一構造部の金属支持基板が、タング部である態様である。
Moreover, the area | region B of FIG. 2 is an aspect whose metal support board | substrate of a 1st structure part is the
また、本発明において、素子実装領域に実装される素子としては、例えば、磁気ヘッドスライダ、アクチュエータ、半導体等を挙げることができる。また、上記アクチュエータは、磁気ヘッドを有するものであっても良く、磁気ヘッドを有しないものであっても良い。 In the present invention, examples of the element mounted in the element mounting region include a magnetic head slider, an actuator, and a semiconductor. The actuator may have a magnetic head or may not have a magnetic head.
Ｂ．サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層を覆うように形成されたカバー層と、上記金属支持基板、上記絶縁層、上記配線層および上記カバー層を有する第一構造部と、上記第一構造部から連続的に形成され、上記金属支持基板が存在しない第二構造部とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記第一構造部および上記第二構造部の境界領域において、上記絶縁層の上端部の位置を、上記カバー層の下端部の位置と一致させるか、上記カバー層の下端部の位置よりも上記配線層側にするようにウェットエッチングを行い、上記絶縁層を形成する絶縁層形成工程を有することを特徴とするものである。
B. Next, a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention will be described. The suspension substrate manufacturing method of the present invention is formed so as to cover a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and the wiring layer. A cover layer, a first structure portion having the metal support substrate, the insulating layer, the wiring layer, and the cover layer, and a second structure that is continuously formed from the first structure portion and does not have the metal support substrate. And a position of the upper end portion of the insulating layer in a boundary region between the first structure portion and the second structure portion, and a position of the lower end portion of the cover layer. Insulating layer forming step of forming the insulating layer by performing wet etching so as to match or to be closer to the wiring layer side than the position of the lower end portion of the cover layer is characterized.
図７は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図７は図４と同様に、図３のＸ−Ｘ断面図に相当するものである。図７においては、まず、金属支持部材１Ｘと、金属支持部材１上に形成された絶縁部材２Ｘと、絶縁部材２Ｘ上に形成された導体部材３Ｘとを有する積層部材を準備する（図７（ａ））。次に、導体部材３Ｘの表面に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を用いて、所定のレジストパターン（パターン状のレジスト層）を形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材３Ｘをウェットエッチングすることにより、配線層３を形成する（図７（ｂ））。この際、金属支持部材１Ｘの表面に、同様のレジストパターンを形成し、上記のウェットエッチングと同時に、治具孔等を形成しても良い。
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention. FIG. 7 corresponds to the XX cross-sectional view of FIG. 3 like FIG. In FIG. 7, first, a laminated member having a
その後、配線層３を覆うようにカバー層４を形成する（図７（ｃ））。次に、ＤＦＲを用いてカバー層４を覆うように、レジストパターン５を形成する（図７（ｄ））。この際、カバー層４の下端部と、レジストパターン５の下端部との間の幅Ｗ３は、例えば１０μｍ以下であることが好ましく、４μｍ〜６μｍの範囲内であることがより好ましい。Ｗ３の値が大きすぎると、絶縁層２とレジストパターン５との界面にエッチング液が染み込む領域が広くなり、絶縁層２の下端部断面の角度θが低くなる傾向にある。次に、レジストパターン５から露出する絶縁部材２Ｘをウェットエッチングすることにより、絶縁層２を形成する（図７（ｅ））。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、このウェットエッチングの際に、絶縁層２の上端部２ａの位置を、カバー層４の下端部４ａの位置と一致させるか、カバー層４の下端部４ａの位置よりも配線層３側にすることを大きな特徴とする。なお、図７（ｅ）では、ウェットエッチングにより、金属支持部材１Ｘの外形加工を行い、金属支持基板１を形成している。
Thereafter, a
また、図８は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。図８における製造方法は、基本的には、図７における製造方法と同様であるが、図８（ｃ）において、ＤＦＲ等を用いてレジストパターンを形成せず、カバー層４をレジスト層として用いて、絶縁部材２Ｘのウェットエッチングを行う。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing another example of the method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention. The manufacturing method in FIG. 8 is basically the same as the manufacturing method in FIG. 7, but in FIG. 8C, a resist pattern is not formed using DFR or the like, and the
このように、本発明によれば、絶縁層の上端部の位置を、カバー層の下端部の位置と一致させるか、カバー層の下端部の位置よりも配線層側にするようにウェットエッチングを行い、絶縁層を形成することで、絶縁層にクラックが生じることを抑制したサスペンション用基板を得ることができる。また、本発明における絶縁層およびカバー層は、製品としての耐久性を担保する観点から、通常、密着性が高い。そのため、両層の間にエッチング液が染み込むことを防止でき、絶縁層の下端部断面の角度θを大きくすることができ、この点からも、クラックの発生を抑制することができる。 As described above, according to the present invention, wet etching is performed so that the position of the upper end portion of the insulating layer coincides with the position of the lower end portion of the cover layer or closer to the wiring layer side than the position of the lower end portion of the cover layer. By carrying out and forming an insulating layer, the board | substrate for suspensions which suppressed that a crack arises in an insulating layer can be obtained. In addition, the insulating layer and the cover layer in the present invention usually have high adhesion from the viewpoint of ensuring durability as a product. Therefore, it is possible to prevent the etchant from permeating between the two layers, to increase the angle θ of the lower end portion cross section of the insulating layer, and also from this point, the occurrence of cracks can be suppressed.
これに対して、図９に示すように、絶縁層２の上端部２ａの位置がカバー層４の下端部４ａの位置よりも大幅に外側にあると（図９（ｅ））、絶縁層２の端部が補強されず、クラックが発生しやすい。また、図９（ｄ）に示すように、絶縁層２と、レジストパターン５とは、通常、密着性が高くないため、両層の間にエッチング液が染み込み、絶縁層２の下端部断面の角度θが小さくなり、この点からも、クラックが発生しやすい。絶縁層の形成時に、溶剤型フォトレジストまたはアルカリ現像剥離型フォトレジストをレジスト層として使用すると、特にポリイミド樹脂のエッチング液として一般的に用いられるアルカリ系エッチング液が、レジスト層を溶解させ、絶縁層とレジスト層との密着性が低下する場合がある。そのため、絶縁層とレジスト層との間にエッチング液が浸透し、浸透した部分の絶縁層がエッチングされることにより、絶縁層のテーパー形状が顕著になる。
On the other hand, as shown in FIG. 9, when the position of the
また、本発明のサスペンション用基板の製造方法は、絶縁層形成工程を有するものであれば特に限定されるものではない。本発明のサスペンション用基板の製造方法の例示として、上述した図７および図８に示した各工程について説明する。 Moreover, the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of this invention will not be specifically limited if it has an insulating layer formation process. As an example of the method for manufacturing the suspension substrate of the present invention, the steps shown in FIGS. 7 and 8 will be described.
１．積層部材準備工程
本発明における積層部材準備工程は、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する工程である。本発明における積層部材は、市販の積層部材を用いても良く、金属支持部材上に、絶縁部材および導体部材を形成することによって形成しても良い。
1. Laminated member preparation step The laminated member preparation step in the present invention is a step of preparing a laminated member having a metal supporting member, an insulating member formed on the metal supporting member, and a conductor member formed on the insulating member. It is. The laminated member in the present invention may be a commercially available laminated member, or may be formed by forming an insulating member and a conductor member on a metal support member.
２．配線層形成工程
本発明における配線層形成工程は、上記積層部材の上記導体部材上に、レジストパターンを形成し、上記レジストパターンから露出する上記導体部材をウェットエッチングし、配線層を形成する工程である。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料が銅である場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。また、その他の層が、上記エッチング液によりエッチングされる場合は、必要に応じてエッチング液から保護するレジストを形成することが好ましい。
2. Wiring layer forming step The wiring layer forming step in the present invention is a step in which a resist pattern is formed on the conductor member of the laminated member, the conductor member exposed from the resist pattern is wet-etched, and a wiring layer is formed. is there. The type of etchant used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of conductor member. For example, when the material of the conductor member is copper, an iron chloride-based etchant or the like can be used. In addition, when other layers are etched with the above-described etching solution, it is preferable to form a resist that protects from the etching solution as necessary.
３．カバー層形成工程
本発明におけるカバー層形成工程は、上記配線層を覆うカバー層を形成する工程である。カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。
3. Cover layer forming step The cover layer forming step in the present invention is a step of forming a cover layer covering the wiring layer. The method for forming the cover layer is not particularly limited, and is preferably selected as appropriate according to the material of the cover layer. For example, when the material of the cover layer is a photosensitive material, a patterned cover layer can be obtained by exposing and developing the cover layer formed on the entire surface. In addition, when the cover layer material is a non-photosensitive material, a predetermined resist pattern is formed on the entire surface of the cover layer, and a portion exposed from the resist pattern is removed by wet etching. The cover layer can be obtained.
４．絶縁層形成工程
本発明における絶縁層形成工程は、上記第一構造部および上記第二構造部の境界領域において、上記絶縁層の上端部の位置を、上記カバー層の下端部の位置と一致させるか、上記カバー層の下端部の位置よりも上記配線層側にするようにウェットエッチングを行い、上記絶縁層を形成する工程である。
4). Insulating layer forming step In the insulating layer forming step of the present invention, the position of the upper end portion of the insulating layer coincides with the position of the lower end portion of the cover layer in the boundary region between the first structure portion and the second structure portion. Alternatively, the insulating layer is formed by wet etching so as to be closer to the wiring layer than the position of the lower end of the cover layer.
ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁層の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁層の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。 The type of etching solution used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of insulating layer. For example, when the material of the insulating layer is a polyimide resin, an alkaline etching solution or the like can be used.
本発明においては、絶縁層形成工程において、カバー層をレジスト層として用いることが好ましい。別途にレジスト層を設ける必要がないからである。さらに、絶縁層とカバー層とは、製品としての耐久性を担保する観点から、通常、密着性が高い。そのため、両層の間にエッチング液が染み込むことを防止でき、絶縁層の下端部断面の角度θを大きくすることができる。カバー層をレジスト層として用いる場合、カバー層の材料が、配線層の材料よりも、エッチング液に対するエッチングレートが低い材料であることが好ましい。レジスト層として有用だからである。なお、カバー層の材料のエッチングレートが、配線層の材料のエッチングレートと同じ場合、または、配線層の材料のエッチングレートよりも高い場合であっても、例えば、カバー層の厚さを十分に確保すれば、カバー層をレジスト層として用いることは可能である。 In the present invention, it is preferable to use the cover layer as a resist layer in the insulating layer forming step. This is because it is not necessary to provide a resist layer separately. Furthermore, the insulating layer and the cover layer usually have high adhesion from the viewpoint of ensuring durability as a product. Therefore, the etchant can be prevented from permeating between the two layers, and the angle θ of the lower end section of the insulating layer can be increased. When the cover layer is used as a resist layer, the cover layer material is preferably a material having a lower etching rate with respect to the etchant than the wiring layer material. This is because it is useful as a resist layer. Even if the etching rate of the material of the cover layer is the same as the etching rate of the material of the wiring layer or higher than the etching rate of the material of the wiring layer, for example, the thickness of the cover layer is sufficiently If secured, the cover layer can be used as a resist layer.
また、本発明においては、カバー層をレジスト層として用いなくても良い。この場合は、カバー層を覆うように別途レジスト層を設ける必要があるが、カバー層の材料のエッチングレート等を考慮しなくて良いため、材料選択の幅が広くなるという利点がある。 In the present invention, the cover layer may not be used as the resist layer. In this case, it is necessary to provide a separate resist layer so as to cover the cover layer, but there is an advantage that the range of material selection is widened because it is not necessary to consider the etching rate of the material of the cover layer.
５．金属支持基板形成工程
本発明における金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をウェットエッチングし、金属支持基板を形成する工程である。通常、本工程において、金属支持部材の外形加工を行う。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がＳＵＳである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。また、その他の層が、上記エッチング液によりエッチングされる場合は、必要に応じてエッチング液から保護するレジストを形成することが好ましい。
5. Metal Support Substrate Formation Step The metal support substrate formation step in the present invention is a step of wet etching the metal support member to form a metal support substrate. Usually, in this step, the outer shape of the metal support member is processed. The type of etchant used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of metal support member. For example, when the material of the metal support member is SUS, an iron chloride-based etchant or the like can be used. . In addition, when other layers are etched with the above-described etching solution, it is preferable to form a resist that protects from the etching solution as necessary.
６．その他の工程
本発明のサスペンション用基板の製造方法は、上述した工程の他に、配線層の一部に配線めっき部を形成する配線めっき部形成工程を有していても良い。配線めっき部の形成方法は、電解めっき法であっても良く、無電解めっき法であっても良いが、電解めっき法であることが好ましい。また、本発明のサスペンション用基板の製造方法は、絶縁層を貫通し、配線層および金属支持基板を電気的に接続するビア部を形成するビア部形成工程を有していても良い。ビア部の形成方法としては、例えばめっき法（電解めっき法、無電解めっき法）を挙げることができる。
6). Other Steps In addition to the steps described above, the method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention may include a wiring plating portion forming step in which a wiring plating portion is formed in a part of the wiring layer. The method for forming the wiring plating portion may be an electrolytic plating method or an electroless plating method, but is preferably an electrolytic plating method. Moreover, the manufacturing method of the suspension substrate according to the present invention may include a via portion forming step of forming a via portion that penetrates the insulating layer and electrically connects the wiring layer and the metal supporting substrate. Examples of the method for forming the via portion include a plating method (electrolytic plating method, electroless plating method).
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.
［実施例１］
まず、厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４（金属支持部材）、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂層（絶縁部材）、厚さ９μｍの電解銅層（導体部材）を有する積層部材を準備した（図７（ａ））。次に、ＳＵＳ側で位置精度が重要な治具孔と、電解銅側で配線層とを形成できるように、ドライフィルムレジストを用いて同時にパターニングし、レジストパターンを形成した。その後、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った（図７（ｂ））。
[Example 1]
First, a laminated member having SUS304 (metal support member) having a thickness of 18 μm, a polyimide resin layer (insulating member) having a thickness of 10 μm, and an electrolytic copper layer (conductor member) having a thickness of 9 μm was prepared (FIG. 7A). . Next, a resist pattern was formed by simultaneously patterning using a dry film resist so that a jig hole whose positional accuracy is important on the SUS side and a wiring layer on the electrolytic copper side can be formed. Then, it etched using the ferric chloride liquid, and resist stripping was performed after the etching (FIG.7 (b)).
次に、パターニングされた配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にポリイミド前駆体膜をエッチングし、その後、窒素雰囲気下、加熱することにより硬化（イミド化）させ、カバー層を形成した（図７（ｃ））。カバー層は配線層を覆うように形成され、配線層上に形成されたカバー層の厚さは５μｍであった。 Next, a polyimide precursor solution is coated on the patterned wiring layer with a die coater, dried, resist plate-making, etched at the same time as the polyimide precursor film, and then cured by heating in a nitrogen atmosphere. (Imidization) to form a cover layer (FIG. 7C). The cover layer was formed so as to cover the wiring layer, and the thickness of the cover layer formed on the wiring layer was 5 μm.
次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングで除去した（図７（ｄ））。この際、図７（ｄ）におけるＷ３は５μｍとした。また、このウェットエッチングにより、絶縁層の上端部の位置を、カバー層の下端部の位置と一致させた。最後に、金属支持部材の外形加工を行うために、レジスト製版し、露出する部位のＳＵＳをウェットエッチングで除去し、サスペンション用基板を得た（図７（ｅ））。絶縁層の下端部断面の角度θは、５０°であった。 Next, in order to pattern the insulating member, resist plate-making was performed, and the exposed polyimide resin was removed by wet etching (FIG. 7D). At this time, W 3 in FIG. 7D was set to 5 μm. Moreover, the position of the upper end part of an insulating layer was made to correspond with the position of the lower end part of a cover layer by this wet etching. Finally, in order to carry out the outer shape processing of the metal support member, resist plate-making was performed, and SUS in the exposed portion was removed by wet etching to obtain a suspension substrate (FIG. 7E). The angle θ of the lower end section of the insulating layer was 50 °.
［実施例２］
カバー層の材料として、絶縁部材のポリイミド樹脂よりもエッチングレートの低いポリイミド樹脂を用い、カバー層をレジストとして用いたこと以外は、実施例１と同様にしてサスペンション用基板を得た（図８参照）。絶縁層の下端部断面の角度θは、６０°であった。
[Example 2]
A suspension substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that a polyimide resin having an etching rate lower than that of the polyimide resin of the insulating member was used as the material for the cover layer, and the cover layer was used as a resist (see FIG. 8). ). The angle θ of the lower end section of the insulating layer was 60 °.
１…金属支持基板、 ２…絶縁層、 ２ａ…絶縁層の上端部、 ３…配線層、 ４…カバー層、 ４ａ…カバー層の下端部、 ５…レジスト層（レジストパターン）、 １１…タング部、 １２…アウトリガー部、 １３…クロスバー、 １４…トレースサポートタブ、 １５…ベース部、 １６…振動中心、 ５１…クラック
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記金属支持基板、前記絶縁層、前記配線層および前記カバー層を有する第一構造部と、前記第一構造部から連続的に形成され、前記金属支持基板が存在しない第二構造部とを有し、
前記第一構造部および前記第二構造部の境界領域において、前記絶縁層の上端部の位置が、前記カバー層の下端部の位置と一致しているか、前記カバー層の下端部の位置よりも前記配線層側にあり、
前記第一構造部および前記第二構造部の前記絶縁層がテーパー形状を有し、
前記境界領域を跨ぐように前記カバー層が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板。 A suspension substrate having a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and a cover layer formed to cover the wiring layer. And
A first structure portion having the metal support substrate, the insulating layer, the wiring layer, and the cover layer; and a second structure portion formed continuously from the first structure portion and having no metal support substrate. And
In the boundary region between the first structure portion and the second structure portion, the position of the upper end portion of the insulating layer coincides with the position of the lower end portion of the cover layer, or more than the position of the lower end portion of the cover layer. Ri the wiring layer side near,
The insulating layers of the first structure part and the second structure part have a tapered shape;
The suspension substrate , wherein the cover layer is formed so as to straddle the boundary region .
前記配線層は、平面視上、前記タング部および前記アウトリガー部の間に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。 The metal support substrate has a tongue portion for mounting an element, and an outrigger portion located outside the tongue portion;
The suspension board according to claim 1, wherein the wiring layer is formed between the tongue portion and the outrigger portion in plan view.
前記第一構造部の前記金属支持基板が、前記クロスバーであることを特徴とする請求項２に記載のサスペンション用基板。 The metal support board has a cross bar that connects the tongue part and the outrigger part,
The suspension substrate according to claim 2, wherein the metal support substrate of the first structure portion is the crossbar.
前記第一構造部の前記金属支持基板が、前記トレースサポートタブであることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のサスペンション用基板。 The metal support board has a trace support tab on an end face of the outrigger portion on the tongue portion side,
4. The suspension substrate according to claim 2, wherein the metal support substrate of the first structure portion is the trace support tab. 5.
前記第一構造部の前記金属支持基板が、前記ベース部であることを特徴とする請求項２から請求項４までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。 The metal support substrate has a base portion that supports the base of the outrigger portion,
The suspension substrate according to any one of claims 2 to 4, wherein the metal support substrate of the first structure portion is the base portion.
前記第一構造部および前記第二構造部の境界領域において、前記絶縁層の上端部の位置を、前記カバー層の下端部の位置と一致させるか、前記カバー層の下端部の位置よりも前記配線層側にするようにウェットエッチングを行い、前記絶縁層を形成する絶縁層形成工程を有し、
前記第一構造部および前記第二構造部の前記絶縁層がテーパー形状を有し、
前記境界領域を跨ぐように前記カバー層が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。 A metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, a cover layer formed to cover the wiring layer, the metal support substrate, A suspension substrate manufacturing method comprising: a first structure portion having an insulating layer, the wiring layer, and the cover layer; and a second structure portion formed continuously from the first structure portion and having no metal support substrate. Because
In the boundary region between the first structure part and the second structure part, the position of the upper end part of the insulating layer is made to coincide with the position of the lower end part of the cover layer, or the position of the lower end part of the cover layer by wet etching so that the wiring layer side, have a insulating layer forming step of forming the insulating layer,
The insulating layers of the first structure part and the second structure part have a tapered shape;
The method for manufacturing a suspension substrate , wherein the cover layer is formed so as to straddle the boundary region .
平面視上、前記タング部および前記アウトリガー部の間に、前記配線層を形成することを特徴とする請求項７に記載のサスペンション用基板の製造方法。 Forming the metal support substrate having a tongue portion for mounting an element and an outrigger portion located outside the tongue portion;
The method for manufacturing a suspension board according to claim 7, wherein the wiring layer is formed between the tongue portion and the outrigger portion in plan view.
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