JP5127265B2 - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に関する。

液晶表示装置に代表される平面表示装置は、ＣＲＴディスプレイに対して、薄型、軽量、低消費電力の特徴を活かして、需要が急速に伸びてきており、携帯情報機器を始め、大型テレビ等の種々のディスプレイに利用されるようになってきている。そして、近年では、液晶表示装置に比べて、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラスト、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。

有機ＥＬ素子は、正孔注入電極（陽極）から正孔を、電子注入電極（陰極）から電子を注入し、発光層で正孔と電子を再結合させて発光を得るが、フルカラー表示装置の場合は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）にそれぞれ発光する画素を有し、それぞれの画素に構成される有機ＥＬ素子の発光層には発光スペクトルの異なる発光材料が用いられる。このようなフルカラーパネルで、ＲＧＢ画素のそれぞれの発光効率を最大にするためには、光学設計の観点からは発光スペクトルの波長に応じた膜厚設計が必要である。例えば、発光層から出た発光は、陽極側に進む光と陰極側に進む光があるが、一方の光が反射特性を有する陽極または陰極で反射され、他方の光と干渉を起こす。ここで有機ＥＬ素子の膜厚を適切に設計すれば、光学干渉を最適化でき、それにより有効に素子外部へ光を取り出すことが出きるため、発光効率を最大にできるが、ＲＧＢはそれぞれ発光スペクトル波長が異なるので、ＲＧＢ各画素の最適膜厚は異なる。

これを実現するために、一般には、最も電気特性に影響しない、ホール輸送層（ＨＴＬ）または電子輸送層（ＥＭＬ）の膜厚をＲＧＢ各画素で変えて、干渉条件の最適化を図っている。しかしながら、この方法では、ＨＴＬ蒸着またはＥＴＬ蒸着がＲＧＢ画素毎に３回必要となり、プロセス工程数が多くなり好ましくない。

一方、ＨＴＬ、ＥＭＬをＲＧＢ各画素で共通とする場合には、発光層の厚みをＲＧＢ各画素で変える必要がある。この場合は、ＲＧＢどれか一つの発光層以外は、発光に必要な最低限の膜厚よりも極めて厚く蒸着しなければならず、材料使用量が必要以上に多くなり好ましくない。
特開２００３−１５７９７３号公報

本発明の目的は、工程数の増加や材料使用量の増加を防ぎ、かつ、ＲＧＢ各画素の膜厚をそれぞれの効率が最大になるように最適化することで、高生産性で環境に優しく、かつ、低電力のフルカラー有機EL表示装置を提供することにある。

本発明の第１側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に位置した走査信号線と、前記絶縁基板の上方に位置し、各々が前記走査信号線と交差した第１及び第２映像信号線と、前記絶縁基板の上方で、前記走査信号線と前記第１及び第２映像信号線との交差部に対応してそれぞれ配列した第１及び第２トランジスタと、前記絶縁基板の上方で前記第１及び第２トランジスタに対応してそれぞれ配列した第１及び第２画素電極と、前記走査信号線、前記第１及び第２映像信号線、並びに前記第１及び第２トランジスタの上方に位置し、前記第１及び第２画素電極の位置で開口しており、前記第１及び第２画素電極間の領域に対応した部分は、前記第１及び第２画素電極の配列方向に対して垂直な断面が先細りしている隔壁絶縁層と、前記第１及び第２画素電極並びに前記隔壁絶縁層の上方に形成された対向電極と、一部が前記第１画素電極と前記対向電極との間に介在し、他の一部が前記第２画素電極と前記対向電極との間に介在し、前記第１及び第２画素電極を含む領域に亘って広がった第１発光層と、前記第１及び第２画素電極のうち前記第２画素電極に対応した領域にのみ設けられ、前記第２画素電極と前記対向電極との間で前記第１発光層と重なり合った第２発光層とを具備し、前記第１画素電極と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成し、前記第２画素電極と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成している有機ＥＬ表示装置が提供される。

本発明の第２側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に位置した走査信号線と、前記絶縁基板の上方に位置し、各々が前記走査信号線と交差した第１乃至第３映像信号線と、前記絶縁基板の上方で、前記走査信号線と前記第１乃至第３映像信号線との交差部に対応してそれぞれ配列した第１乃至第３トランジスタと、前記絶縁基板の上方で前記第１乃至第３トランジスタに対応してそれぞれ配列した第１乃至第３画素電極と、前記走査信号線、前記第１乃至第３映像信号線、及び前記第１乃至第３トランジスタの上方に位置し、前記第１乃至第３画素電極の位置で開口しており、前記第１及び第２画素電極間の領域に対応した部分は、前記第１及び第２画素電極の配列方向に対して垂直な断面が先細りしており、前記第２及び第３画素電極間の領域に対応した部分は、前記第２及び第３画素電極の配列方向に対して垂直な断面が先細りしている隔壁絶縁層と、前記第１乃至第３画素電極及び前記隔壁絶縁層の上方に形成された対向電極と、一部が前記第１画素電極と前記対向電極との間に介在し、他の一部が前記第２画素電極と前記対向電極との間に介在し、更に他の一部が前記第３画素電極と前記対向電極との間に介在し、前記第１乃至第３画素電極を含む領域に亘って広がった第１発光層と、前記第１乃至第３画素電極のうち前記第２画素電極に対応した領域又は前記第２及び第３画素電極に対応した領域にのみ設けられ、少なくとも前記第２画素電極と前記対向電極との間で前記第１発光層と重なり合った第２発光層と、前記第１乃至第３画素電極のうち前記第３画素電極に対応した領域にのみ設けられ、前記第３画素電極と前記対向電極との間で前記第１発光層と重なり合った第３発光層とを具備し、前記第１画素電極と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成し、前記第２画素電極と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成し、前記第３画素電極と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成している有機ＥＬ表示装置が提供される。

本発明の第３側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板の上方で、第１方向に各々が延び、前記第１方向と交差する第２方向に配列した第１乃至第３映像信号線と、前記絶縁基板の上方で前記第１乃至第３映像信号線と交差した複数の走査信号線と、前記絶縁基板の上方で、前記複数の走査信号線と前記第１映像信号線との交差部に対応して配列した複数の第１トランジスタと、前記絶縁基板の上方で、前記複数の走査信号線と前記第２映像信号線との交差部に対応して配列した複数の第２トランジスタと、前記絶縁基板の上方で、前記複数の走査信号線と前記第３映像信号線との交差部に対応して配列した複数の第３トランジスタと、前記絶縁基板の上方で前記複数の第１トランジスタに対応して前記第１方向に配列した複数の第１画素電極からなる第１列と、前記絶縁基板の上方で前記複数の第２トランジスタに対応して前記第１方向に配列した複数の第２画素電極からなり、前記第１列に対して前記第２方向に隣り合った第２列と、前記絶縁基板の上方で前記複数の第３トランジスタに対応して前記第１方向に配列した複数の第３画素電極からなり、前記第２列に対して前記第２方向に隣り合った第３列と、前記複数の走査信号線、前記複数の第１乃至第３映像信号線、及び前記複数の第１乃至第３トランジスタの上方に位置し、前記複数の第１乃至第３画素電極の位置で開口しており、前記第１及び第２画素電極間の領域に対応した部分は、前記第１及び第２画素電極の配列方向に対して垂直な断面が先細りしており、前記第２及び第３画素電極間の領域に対応した部分は、前記第２及び第３画素電極の配列方向に対して垂直な断面が先細りしている隔壁絶縁層と、前記第１乃至第３列及び前記隔壁絶縁層の上方に形成された対向電極と、前記第１乃至第３列と前記対向電極との間に介在し、前記第１乃至第３列を含む領域に亘って広がった第１発光層と、前記第１方向に延びた形状を有し、前記第１乃至第３列のうち前記第２列に対応した領域にのみ設けられ、前記第２列と前記対向電極との間で前記第１発光層と重なり合った第２発光層と、前記第１方向に延びた形状を有し、前記第１乃至第３列のうち前記第３列に対応した領域にのみ設けられ、前記第３列と前記対向電極との間で前記第１発光層と重なり合った第３発光層とを具備し、前記複数の第１画素電極の各々と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成し、前記複数の第２画素電極の各々と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成し、前記複数の第３画素電極の各々と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成している有機ＥＬ表示装置が提供される。

本発明の第４側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板の上方で、第１方向に各々が延び、前記第１方向と交差する第２方向に配列した第１乃至第３映像信号線と、前記絶縁基板の上方で前記第１乃至第３映像信号線と交差した複数の走査信号線と、前記絶縁基板の上方で、前記複数の走査信号線と前記第１映像信号線との交差部に対応して配列した複数の第１トランジスタと、前記絶縁基板の上方で、前記複数の走査信号線と前記第２映像信号線との交差部に対応して配列した複数の第２トランジスタと、前記絶縁基板の上方で、前記複数の走査信号線と前記第３映像信号線との交差部に対応して配列した複数の第３トランジスタと、前記絶縁基板の上方で前記複数の第１トランジスタに対応して前記第１方向に配列した複数の第１画素電極からなる第１列と、前記絶縁基板の上方で前記複数の第２トランジスタに対応して前記第１方向に配列した複数の第２画素電極からなり、前記第１列に対して前記第２方向に隣り合った第２列と、前記絶縁基板の上方で前記複数の第３トランジスタに対応して前記第１方向に配列した複数の第３画素電極からなり、前記第２列に対して前記第２方向に隣り合った第３列と、前記複数の走査信号線、前記複数の第１乃至第３映像信号線、及び前記複数の第１乃至第３トランジスタの上方に位置し、前記複数の第１乃至第３画素電極の位置で開口しており、前記第１及び第２画素電極間の領域に対応した部分は、前記第１及び第２画素電極の配列方向に対して垂直な断面が先細りしており、前記第２及び第３画素電極間の領域に対応した部分は、前記第２及び第３画素電極の配列方向に対して垂直な断面が先細りしている隔壁絶縁層と、前記第１乃至第３列及び前記隔壁絶縁層の上方に形成された対向電極と、前記第１乃至第３列と前記対向電極との間に介在し、前記第１乃至第３列を含む領域に亘って広がった第１発光層と、前記第１方向に延びた形状を有し、前記第１乃至第３列のうち前記第２及び第３列に対応した領域にのみ設けられ、前記第２列と前記対向電極との間及び前記第３列と前記対向電極との間で前記第１発光層と重なり合った第２発光層と、前記第１方向に延びた形状を有し、前記第１乃至第３列のうち前記第３列に対応した領域にのみ設けられ、前記第３列と前記対向電極との間で前記第１発光層と重なり合った第３発光層とを具備し、前記複数の第１画素電極の各々と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成し、前記複数の第２画素電極の各々と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成し、前記複数の第３画素電極の各々と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成している有機ＥＬ表示装置が提供される。

本発明によると、工程数の増加や材料使用量の増加を防ぎ、かつ、ＲＧＢ各画素の膜厚をそれぞれの効率が最大になるように最適化することで、高生産性で環境に優しく、かつ、低電力のフルカラー有機EL表示装置を提供することが可能となる。

以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。図３は、図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。図４は、図２の表示装置で採用可能な発光層の配置の一例を概略的に示す平面図である。

図１及び図２の表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置である。この表示装置は、表示パネルＤＰと、映像信号線ドライバＸＤＲと、走査信号線ドライバＹＤＲとを含んでいる。

表示パネルＤＰは、図１及び図２に示すように、例えば、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。基板ＳＵＢ上には、図示しないアンダーコート層が形成されている。アンダーコート層は、例えば、基板ＳＵＢ上にＳｉＮ_x層とＳｉＯ_x層とをこの順に積層してなる。

アンダーコート層上には、例えば不純物を含有したポリシリコンからなる半導体パターンが形成されている。この半導体パターンの一部は、図２の半導体層ＳＣとして利用している。半導体層ＳＣには、ソース及びドレインとして利用する不純物拡散領域が形成されている。また、この半導体パターンの他の一部は、後述するキャパシタＣの下部電極として利用している。下部電極は、後述する画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に対応して配列している。

なお、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３は、この順にＸ方向に並んでおり、トリプレットを構成している。表示領域内では、このトリプレットがＸ方向とＹ方向とに配列している。すなわち、表示領域内では、画素ＰＸ１をＹ方向に並べてなる画素列と、画素ＰＸ２をＹ方向に並べてなる画素列と、画素ＰＸ３をＹ方向に並べてなる画素列とがこの順にＸ方向に並べられ、さらに、これら３つの画素列がＸ方向に繰り返し並べられている。

半導体パターンは、図２に示すゲート絶縁膜ＧＩで被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）などを用いて形成することができる。

ゲート絶縁膜ＧＩ上には、図１に示す走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が形成されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、各々がＸ方向に延びており、Ｙ方向に交互に配列している。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、例えばＭｏＷなどからなる。

ゲート絶縁膜ＧＩ上には、キャパシタＣの上部電極がさらに配置されている。上部電極は、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に対応して配列しており、下部電極と向き合っている。上部電極は、例えばＭｏＷなどからなり、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２と同一の工程で形成することができる。

走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、半導体層ＳＣと交差している。走査信号線ＳＬ１と半導体層ＳＣとの交差部は図１及び図２に示すスイッチングトランジスタＳＷａを構成しており、走査信号線ＳＬ２と半導体層ＳＣとの交差部は図１に示すスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを構成している。また、下部電極と上部電極とそれらの間に介在した絶縁膜ＧＩとは図１に示すキャパシタＣを構成している。上部電極は半導体層ＳＣと交差した延長部を含んでおり、延長部と半導体層ＳＣとの交差部は図１に示す駆動トランジスタＤＲを構成している。

なお、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。また、図２に参照符号Ｇで示す部分は、スイッチングトランジスタＳＷａのゲートである。

ゲート絶縁膜ＧＩ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びに上部電極は、図２に示す層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により堆積させたＳｉＯ_xなどからなる。

層間絶縁膜ＩＩ上には、図１に示す映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとが形成されている。映像信号線ＤＬは、図１に示すように、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。電源線ＰＳＬは、例えば、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。

層間絶縁膜ＩＩ上には、図２に示すソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥがさらに形成されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の各々において素子同士を接続している。

また、ソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥは、層間絶縁膜ＩＩに空けられたコンタクトホールにより、半導体層ＳＣに設けられた不純物拡散領域に接続されている。

映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。これらは、同一工程で形成可能である。

映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、図２に示すパッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばＳｉＮ_xなどからなる。

パッシベーション膜ＰＳ上では、図２に示す画素電極ＰＥが、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に対応して配列している。各画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳに設けたコンタクトホールを介してドレイン電極ＤＥに接続されており、このドレイン電極はスイッチングトランジスタＳＷａのドレインに接続されている。

画素電極ＰＥは、この例では背面電極である。また、画素電極ＰＥは、この例では陽極である。画素電極ＰＥの材料としては、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）などの透明導電性酸化物を使用することができる。この場合、典型的には、図３に示すように、画素電極ＰＥと基板ＳＵＢとの間に、例えばアルミニウムなどの金属材料からなる反射層ＲＥＦを配置する。

パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、図２に示す隔壁絶縁層ＰＩが形成されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、画素電極ＰＥが形成する列に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。

隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。

各画素電極ＰＥ上には、有機物層ＯＲＧが形成されている。有機物層ＯＲＧは、典型的には、図２に示すように、全ての画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を含む表示領域に亘って広がった連続膜である。すなわち、典型的には、有機物層ＯＲＧは画素電極ＰＥと隔壁絶縁層ＰＩとを被覆している。

図３に示すように、有機物層ＯＲＧのうち、画素ＰＸ１の画素電極ＰＥに対応した部分は、発光層ＥＭＬ１を含んでいる。有機物層ＯＲＧのうち、画素ＰＸ１の画素電極ＰＥに対応した部分は、画素電極ＰＥと発光層ＥＭＬ１との間に正孔輸送層ＨＴＬをさらに含むことができる。また、有機物層ＯＲＧのうち、画素ＰＸ１の画素電極ＰＥに対応した部分は、発光層ＥＭＬ１と後述する対向電極ＣＥとの間に電子輸送層ＥＴＬをさらに含むことができる。

有機物層ＯＲＧのうち、画素ＰＸ２の画素電極ＰＥに対応した部分は、発光層ＥＭＬ１と発光層ＥＭＬ２とを含んでいる。発光層ＥＭＬ２は、画素電極ＰＥと発光層ＥＭＬ１との間に介在している。有機物層ＯＲＧのうち、画素ＰＸ２の画素電極ＰＥに対応した部分は、画素電極ＰＥと発光層ＥＭＬ２との間に正孔輸送層ＨＴＬをさらに含むことができる。また、有機物層ＯＲＧのうち、画素ＰＸ２の画素電極ＰＥに対応した部分は、発光層ＥＭＬ１と対向電極ＣＥとの間に電子輸送層ＥＴＬをさらに含むことができる。

有機物層ＯＲＧのうち、画素ＰＸ３の画素電極ＰＥに対応した部分は、発光層ＥＭＬ１と発光層ＥＭＬ３とを含んでいる。発光層ＥＭＬ３は、画素電極ＰＥと発光層ＥＭＬ１との間に介在している。有機物層ＯＲＧのうち、画素ＰＸ３の画素電極ＰＥに対応した部分は、画素電極ＰＥと発光層ＥＭＬ３との間に正孔輸送層ＨＴＬをさらに含むことができる。また、有機物層ＯＲＧのうち、画素ＰＸ３の画素電極ＰＥに対応した部分は、発光層ＥＭＬ１と対向電極ＣＥとの間に電子輸送層ＥＴＬをさらに含むことができる。

発光層ＥＭＬ１は、発光色が青色のルミネセンス性有機化合物又は組成物を含んだ薄膜である。発光層ＥＭＬ１は、例えば、ホスト材料とドーパント材料との混合物からなる。発光層ＥＭＬ１は、例えば、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に対応してＸ方向とＹ方向とに配列している。或いは、発光層ＥＭＬ１は、Ｙ方向に延びた帯形状を有しており、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の列に対応してＸ方向に配列している。或いは、発光層ＥＭＬ１は、図４に示すように、全ての画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を含む表示領域に亘って広がった連続膜である。一例として、発光層ＥＭＬ１は連続膜であるとする。

発光層ＥＭＬ２は、発光色が緑色のルミネセンス性有機化合物又は組成物を含んだ薄膜である。発光層ＥＭＬ２は、例えば、ホスト材料とドーパント材料との混合物からなる。発光層ＥＭＬ２は、例えば、画素ＰＸ２に対応してＸ方向とＹ方向とに配列している。或いは、発光層ＥＭＬ２は、図４に示すように、Ｙ方向に延びた帯形状を有しており、画素ＰＸ２の列に対応してＸ方向に配列している。一例として、発光層ＥＭＬ２は、後者の構造を有しているとする。

発光層ＥＭＬ３は、発光色が赤色のルミネセンス性有機化合物又は組成物を含んだ薄膜である。発光層ＥＭＬ３は、例えば、ホスト材料とドーパント材料との混合物からなる。発光層ＥＭＬ３は、例えば、画素ＰＸ３に対応してＸ方向とＹ方向とに配列している。或いは、発光層ＥＭＬ３は、図４に示すように、Ｙ方向に延びた帯形状を有しており、画素ＰＸ１の列に対応してＸ方向に配列している。一例として、発光層ＥＭＬ３は、後者の構造を有しているとする。

なお、波長が４００ｎｍ乃至４３５ｎｍの範囲内にある光の色を紫、波長が４３５ｎｍ乃至４８０ｎｍの範囲内にある光の色を青、波長が４８０ｎｍ乃至４９０ｎｍの範囲内にある光の色を緑青、波長が４９０ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲内にある光の色を青緑、波長が５００ｎｍ乃至５６０ｎｍの範囲内にある光の色を緑、波長が５６０ｎｍ乃至５８０ｎｍの範囲内にある光の色を黄緑、波長が５８０ｎｍ乃至５９５ｎｍの範囲内にある光の色を黄、波長が５９５ｎｍ乃至６１０ｎｍの範囲内にある光の色を橙、波長が６１０ｎｍ乃至７５０ｎｍの範囲内にある光の色を赤、波長が７５０ｎｍ乃至８００ｎｍの範囲内にある光の色を赤紫と定義するのが一般的である。ここでは、主波長が４００ｎｍ乃至４９０ｎｍの範囲内にある光の色を青色、主波長が４９０ｎｍより長く且つ５９５ｎｍよりも短い光の色を緑色、主波長が５９５ｎｍ乃至８００ｎｍの範囲内にある光の色を赤色と定義する。

正孔輸送層ＨＴＬ及び電子輸送層ＥＴＬは、典型的には、表示領域に亘って広がった連続膜である。正孔輸送層ＨＴＬ及び電子輸送層ＥＴＬは、例えば、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に対応して或いはそれらの行又は列に対応してパターニングされていてもよい。

有機物層ＯＲＧは、正孔輸送層ＨＴＬと発光層ＥＭＬ１との間、正孔輸送層ＨＴＬと発光層ＥＭＬ２との間、正孔輸送層ＨＴＬと発光層ＥＭＬ３との間に、電子ブロッキング層をさらに含むことができる。また、有機物層ＯＲＧは、発光層ＥＭＬ３と電子輸送層ＥＴＬとの間に、正孔ブロッキング層をさらに含むことができる。電子ブロッキング層及び正孔ブロッキング層は、典型的には、表示領域に亘って広がった連続膜である。電子ブロッキング層及び正孔ブロッキング層は、例えば、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に対応して或いはそれらの行又は列に対応してパターニングされていてもよい。

隔壁絶縁層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、対向電極ＣＥで被覆されている。この例では、対向電極ＣＥは、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３で共用する共通電極である。また、この例では、対向電極ＣＥは、陰極であり且つ光透過性の前面電極で、マグネシウムＭｇと銀Ａｇの合金薄膜を使用する。対向電極ＣＥは、例えば、パッシベーション膜ＰＳと隔壁絶縁層ＰＩとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。

画素電極ＰＥと有機物層ＯＲＧと対向電極ＣＥとは、画素電極ＰＥに対応して配列した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成している。なお、図４において、参照符号ＥＡ１乃至ＥＡ３は、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光部をそれぞれ示している。発光部ＥＡ１乃至ＥＡ３の各々は、Ｙ方向に延びた直角四辺形である。図４の構造では、発光部ＥＡ１乃至ＥＡ３の面積は、互いに等しい。

図３に示すように、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極ＰＥと有機物層ＯＲＧとの間に正孔注入層ＨＩＬをさらに含むことができる。また、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、有機物層ＯＲＧと対向電極ＣＥとの間に電子注入層ＥＩＬをさらに含むことができる。正孔注入層ＨＩＬ及び電子注入層ＥＩＬは、典型的には、表示領域に亘って広がった連続膜である。正孔注入層ＨＩＬ及び電子注入層ＥＩＬは、例えば、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に対応して或いはそれらの行又は列に対応してパターニングされていてもよい。

画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の各々は、図１に示すように、駆動トランジスタＤＲと、スイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネル薄膜トランジスタである。また、この例では、画素ＰＸ１が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは青色に発光し、画素ＰＸ２が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは緑色に発光し、画素ＰＸ３が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは赤色に発光する。

駆動トランジスタＤＲとスイッチングトランジスタＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。

スイッチングトランジスタＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｂは映像信号線ＤＬと駆動トランジスタＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｃは駆動トランジスタＤＲのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。

キャパシタＣは、駆動トランジスタＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。この例では、定電位端子ＮＤ１’は、電源端子ＮＤ１に接続されている。

映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、基板ＳＵＢ上に配置されている。すなわち、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、ＣＯＧ（chip on glass）実装している。映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、ＣＯＧ実装する代わりに、ＴＣＰ（tape carrier package）実装してもよい。或いは、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、基板ＳＵＢ上に形成してもよい。

映像信号線ドライバＸＤＲには、映像信号線ＤＬが接続されている。この例では、映像信号線ドライバＸＤＲには、電源線ＰＳＬがさらに接続されている。映像信号線ドライバＸＤＲは、映像信号線ＤＬに映像信号として電流信号を出力するとともに、電源線ＰＳＬに電源電圧を供給する。

走査信号線ドライバＹＤＲには、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が接続されている。走査信号線ドライバＹＤＲは、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２にそれぞれ第１及び第２走査信号として電圧信号を出力する。

この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、走査信号線ＳＬ２を順次走査する。すなわち、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を行毎に選択する。或る行を選択している選択期間では、その行が含む画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に対して書込動作を行う。そして、その行を選択していない非選択期間では、その行が含む画素ＰＸ１乃至ＰＸ３で表示動作を行う。

或る行の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を選択する選択期間では、走査信号線ドライバＹＤＲは、先の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチングトランジスタＳＷａを開く（非導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる（導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＸＤＲは、映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号（書込電流）Ｉ_sigとして出力し、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖ_gsを、先の映像信号Ｉ_sigに対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲは、先の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチングトランジスタＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。これにより、選択期間を終了する。

選択期間に続く非選択期間では、スイッチングトランジスタＳＷａは閉じたままとし、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃは開いたままとする。非選択期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖ_gsに対応した大きさの駆動電流Ｉ_drvが流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流Ｉ_drvの大きさに対応した輝度で発光する。ここで、Ｉ_drv≒Ｉ_sigとなり、各画素で、電流信号（書込電流）Ｉ_sigに対応した発光を得ることができる。

この有機ＥＬ表示装置は、例えば、以下の方法により製造することができる。
まず、先に説明した表示パネルＤＰから対向電極ＣＥと電子注入層ＥＩＬと有機物層ＯＲＧと正孔注入層ＨＩＬとを除いた構造，すなわちアレイ基板，を準備する。

次に、画素電極ＰＥ上に、正孔注入層ＨＩＬを形成する。正孔注入層ＨＩＬは、例えば、表示領域に亘って広がった連続膜とする。

次いで、正孔注入層ＨＩＬ上に、有機物層ＯＲＧが含む各層を真空蒸着法によって形成する。発光層ＥＭＬ２及びＥＭＬ３は、例えば、ファインマスクを用いた真空蒸着法により形成する。正孔注入層ＨＩＬと正孔輸送層ＨＴＬと発光層ＥＭＬ１と電子輸送層ＥＴＬと電子注入層ＥＩＬとは、例えば、ラフマスクを使用した真空蒸着法により形成する。

なお、発光層ＥＭＬ２の形成に使用するファインマスクとしては、例えば、発光層ＥＭＬ２に対応して複数のスリットが形成されたものを使用する。また、発光層ＥＭＬ３の形成に使用するファインマスクとしては、例えば、発光層ＥＭＬ３に対応して複数のスリットが形成されたものを使用する。そして、先のラフマスクとしては、例えば、表示領域に対応した開口が形成されたものを使用する。

その後、電子輸送層ＥＴＬ上に、電子注入層ＥＩＬ及び対向電極ＣＥを順次形成する。さらに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを封止し、表示パネルＤＰに映像信号線ドライバＸＤＲと走査信号線ドライバＹＤＲとを実装する。以上のようにして、図１及び図２の有機ＥＬ表示装置を得る。

ところで、１つの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光層ＥＭＬ２又はＥＭＬ３と発光層ＥＭＬ１とを含んでいると、発光層ＥＭＬ２又はＥＭＬ３だけでなく、発光層ＥＭＬ１も発光する可能性がある。この場合、画素ＰＸ２又はＰＸ３の発光色の純度が低下する。

これを防止するために、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに、発光層ＥＭＬ１及びＥＭＬ２のうち発光層ＥＭＬ２のみが発光する設計を採用する。同様に、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、発光層ＥＭＬ１及びＥＭＬ３のうち発光層ＥＭＬ３のみが発光する設計を採用する。

例えば、電子輸送層ＥＴＬの電子移動度を、正孔輸送層ＨＴＬの正孔移動度と比較してより大きくする。そして、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤでは、電子輸送層ＥＴＬと発光層ＥＭＬ１との界面における電子に対する障壁を、正孔輸送層ＨＴＬと発光層ＥＭＬ２との界面における正孔の障壁と比較してより小さくする。また、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤでは、電子輸送層ＥＴＬと発光層ＥＭＬ１との界面における電子に対する障壁を、正孔輸送層ＨＴＬと発光層ＥＭＬ３との界面における正孔の障壁と比較してより小さくする。こうすると、画素ＰＸ２及びＰＸ３において、発光層ＥＭＬ１が発光するのを抑制することができる。

上述した構造では、発光層ＥＭＬ１は発光色が青色のルミネセンス性有機化合物又は組成物を含み、発光層ＥＭＬ２及びＥＭＬ３は発光色が緑及び赤色のルミネセンス性有機化合物又は組成物をそれぞれ含んでいる。

但し、発光色が赤色及び緑色のルミネセンス性有機化合物又は組成物は、それぞれ、青色光によって励起されて赤色及び緑色に発光することがある。それゆえ、上述した構造を採用した場合、画素ＰＸ２及びＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤで発光層ＥＭＬ１が発光したとしても、画素ＰＸ２又はＰＸ３の発光色の純度は低下し難い。

また、発光色が青色のルミネセンス性有機化合物又は組成物を含んだ薄膜を発光層ＥＭＬ１とした構造は、以下に説明するように、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに光共振器としての機能を与えるうえでも有利である。

図３の構造では、画素電極ＰＥと反射層ＲＥＦとの界面及び電子輸送層ＥＴＬと電子注入層ＥＩＬとの界面は、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３が放出する光の一部を反射する。それゆえ、反射層ＲＥＦと電子注入層ＥＩＬとの間の光路長を最適化すれば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ内で繰り返し反射干渉を生じさせること，すなわち、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに光共振器としての機能を与えること，ができる。

光共振器の共振波長は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに要求される発光色に基づいて定める。換言すれば、先の光路長は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに要求される発光色に基づいて定める。典型的には、発光色が緑色の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤでは、発光色が青色の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと比較して先の光路長をより長くし、発光色が赤色の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤでは、発光色が緑青色の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと比較して先の光路長をより長くする。

図３から明らかなように、画素ＰＸ１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤでは、画素ＰＸ２及び画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと比較して、先の光路長がより短い。それゆえ、発光色が青色のルミネセンス性有機化合物又は組成物を含んだ薄膜を発光層ＥＭＬ１とした構造を採用すると、工程数の増加を伴うことなく、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに光共振器としての機能を与えることができる。

また、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３のうち発光層ＥＭＬ２のみを含み且つ画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３のうち発光層ＥＭＬ３のみを含んでいる場合、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに光共振器としての機能を与えるためには、発光層ＥＭＬ２及びＥＭＬ３をより厚く形成しなければならない。すなわち、この場合、発光層ＥＭＬ２及びＥＭＬ３を形成するために、より多くの蒸発材料が必要である。これに対し、図３の構造では、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは発光層ＥＭＬ１及びＥＭＬ２を含み、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは発光層ＥＭＬ１及びＥＭＬ３を含んでいる。すなわち、これら有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、複数の発光層を含んでいる。そのため、この構造を採用すると、発光層ＥＭＬ２及びＥＭＬ３を形成するための蒸発材料の使用量を低減することができる。

図３の構造では、発光層ＥＭＬ２の厚さと発光層ＥＭＬ３の厚さとは等しいが、それらは異なっていてもよい。

図５は、図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図である。この構造では、発光層ＥＭＬ３は、発光層ＥＭＬ２と比較してより厚い。それゆえ、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤでは、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと比較して、先の光路長がより長い。この構造を採用すると、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに光共振器としての機能を与えるうえで、設計の自由度がより大きくなる。

図３の構造では、画素ＰＸ３は発光層ＥＭＬ２を含んでいないが、画素ＰＸ３は発光層ＥＭＬ２をさらに含んでいてもよい。

図６は、図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図である。図７は、有機ＥＬ素子に図６の構造を採用した場合に、図２の表示装置で採用可能な発光層の配置の一例を概略的に示す平面図である。

図６の構造では、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、発光層ＥＭＬ１と発光層ＥＭＬ３との間に発光層ＥＭＬ２をさらに含んでいる。この構造を採用すると、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに光共振器としての機能を与えるうえで、設計の自由度がより大きくなる。

そして、図６の構造では、画素ＰＸ２及びＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、複数の発光層を含んでいる。そのため、この構造を採用すると、図３の構造を採用した場合と同様、発光層ＥＭＬ２及びＥＭＬ３を形成するための蒸発材料の使用量を低減することができる。

また、図６の構造を採用した場合、隣接した画素ＰＸ２及びＰＸ３間で発光層ＥＭＬ２を繋げることができる。したがって、例えば、発光層ＥＭＬ２は、図７に示すように、互いに隣接した画素ＰＸ２と画素ＰＸ３との組が形成する列と向き合うようにパターニングされたストライプパターンとすることができる。

図６の構造には、様々な変形が可能である。以下、これについて説明する。
図８は、図６の構造の一変形例を示す断面図である。図８の構造は、図６の構造から正孔注入層ＨＩＬと正孔輸送層ＨＴＬと電子注入層ＥＩＬと電子輸送層ＥＴＬとを省略したものに相当している。

この構造を採用した場合、例えば、対向電極ＣＥと発光層ＥＭＬ１との界面における電子の障壁を、画素電極ＰＥと発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３の各々との界面における正孔の障壁と比較してより小さくする。すなわち、対向電極ＣＥから有機物層ＯＲＧへの電子の注入を生じさせるために電極ＰＥ及びＣＥ間に印加すべき順方向バイアスの最小値を、画素電極ＰＥから有機物層ＯＲＧへの正孔の注入を生じさせるために電極ＰＥ及びＣＥ間に印加すべき順方向バイアスの最小値と比較してより小さくする。或いは、発光層ＥＭＬ２の正孔移動度をその電子移動度よりも小さくし、発光層ＥＭＬ３の正孔移動度をその電子移動度よりも小さくする。或いは、これら設計の双方を採用する。

こうすると、例えば、画素ＰＸ２では、発光層ＥＭＬ１と比較して発光層ＥＭＬ２において励起子の密度をより高くすることができ、画素ＰＸ３では、発光層ＥＭＬ１及びＥＭＬ２と比較して発光層ＥＭＬ３において励起子の密度をより高くすることができる。したがって、画素ＰＸ２において発光層ＥＭＬ１が発光するのを抑制できると共に、画素ＰＸ３において発光層ＥＭＬ１及びＥＭＬ２が発光するのを抑制できる。なお、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３の電子移動度は、例えば、ドーパント濃度を低くすると大きくなり、ドーパント濃度を高めると小さくなる。

図９は、図６の構造の他の変形例を示す断面図である。図９の構造は、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３の積層順を逆にしたこと以外は図８の構造と同様である。

この構造を採用した場合、例えば、画素電極ＰＥと発光層ＥＭＬ１との界面における正孔の障壁を、対向電極ＣＥと発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３との界面における電子の障壁と比較してより小さくする。或いは、発光層ＥＭＬ１の正孔移動度をその電子移動度よりも大きくし、発光層ＥＭＬ２の正孔移動度をその電子移動度よりも大きくする。或いは、これら設計の双方を採用する。こうすると、画素ＰＸ２において発光層ＥＭＬ１が発光するのを抑制できると共に、画素ＰＸ３において発光層ＥＭＬ１及びＥＭＬ２が発光するのを抑制できる。

図１０は、図６の構造の他の変形例を示す断面図である。図１０の構造は、対向電極ＣＥが光学マッチング層ＭＣで被覆されていること以外は図８の構造と同様である。

光学マッチング層ＭＣは、光透過性の層であって、絶縁基板ＳＵＢと封止基板ＳＵＢ２との間隙にある窒素などの気体層との光学的なマッチングを図る。光学マッチング層ＭＣの屈折率は有機物層ＯＲＧの屈折率とほぼ等しい。例えば、光学マッチング層ＭＣとしては、ＳｉＯＮ層などの透明無機絶縁層、ＩＴＯ層などの透明無機導電層、有機物層ＯＲＧが含んでいる層などの透明有機物層を使用することができる。光学マッチング層ＭＣを使用すると、光取り出し効率を高めることができる。

図１１は、図６の構造の他の変形例を示す断面図である。図１１の構造は、対向電極ＣＥが光学マッチング層ＭＣで被覆されていること以外は図９の構造と同様である。

図１２は、図６の構造の他の変形例を示す断面図である。図１２の構造は、正孔注入層ＨＩＬと電子注入層ＥＩＬとを省略し且つ対向電極ＣＥを光学マッチング層ＭＣで被覆したこと以外は図６の構造と同様である。

この構造を採用した場合、例えば、対向電極ＣＥから電子輸送層ＥＴＬへの電子の注入を生じさせるために電極ＰＥ及びＣＥ間に印加すべき順方向バイアスの最小値を、画素電極ＰＥから正孔輸送層ＨＴＬへの正孔の注入を生じさせるために電極ＰＥ及びＣＥ間に印加すべき順方向バイアスの最小値と比較してより小さくする。或いは、電子輸送層ＥＴＬと発光層ＥＭＬ１との界面における電子に対する障壁を、正孔輸送層ＨＴＬと発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３との界面における正孔の障壁と比較してより小さくする。或いは、正孔輸送層ＨＴＬ及び電子輸送層ＥＴＬとの組み合わせとして、正孔輸送層ＨＴＬの正孔移動度が電子輸送層ＥＴＬの電子移動度と比較してより小さいものを使用する。或いは、発光層ＥＭＬ２の正孔移動度をその電子移動度よりも小さくし、発光層ＥＭＬ３の正孔移動度をその電子移動度よりも小さくする。或いは、これら設計の２以上を採用する。こうすると、画素ＰＸ２において発光層ＥＭＬ１が発光するのを抑制できると共に、画素ＰＸ３において発光層ＥＭＬ１及びＥＭＬ２が発光するのを抑制できる。

図１３は、図６の構造の他の変形例を示す断面図である。図１３の構造は、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３の積層順を逆にしたこと以外は図１２の構造と同様である。

この構造を採用した場合、例えば、画素電極ＰＥから正孔輸送層ＨＴＬへの正孔の注入を生じさせるために電極ＰＥ及びＣＥ間に印加すべき順方向バイアスの最小値を、対向電極ＣＥから電子輸送層ＥＴＬへの電子の注入を生じさせるために電極ＰＥ及びＣＥ間に印加すべき順方向バイアスの最小値と比較してより小さくする。或いは、正孔輸送層ＨＴＬと発光層ＥＭＬ１との界面における正孔に対する障壁を、電子輸送層ＥＴＬと発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３との界面における電子の障壁と比較してより小さくする。或いは、正孔輸送層ＨＴＬ及び電子輸送層ＥＴＬとの組み合わせとして、電子輸送層ＥＴＬの電子移動度が正孔輸送層ＨＴＬの正孔移動度と比較してより小さいものを使用する。或いは、発光層ＥＭＬ１の正孔移動度をその電子移動度よりも大きくし、発光層ＥＭＬ２の正孔移動度をその電子移動度よりも大きくする。或いは、これら設計の２以上を採用する。こうすると、画素ＰＸ２において発光層ＥＭＬ１が発光するのを抑制できると共に、画素ＰＸ３において発光層ＥＭＬ１及びＥＭＬ２が発光するのを抑制できる。

図１４は、図６の構造の他の変形例を示す断面図である。図１４の構造は、正孔注入層ＨＩＬを省略し且つ対向電極ＣＥを光学マッチング層ＭＣで被覆したこと以外は図６の構造と同様である。

図１４の構造は、電子注入層ＥＩＬを使用すると共に、正孔注入層ＨＩＬを省略している。そのため、この構造は、対向電極ＣＥから電子輸送層ＥＴＬへの電子の注入を生じさせるために電極ＰＥ及びＣＥ間に印加すべき順方向バイアスの最小値を、画素電極ＰＥから正孔輸送層ＨＴＬへの正孔の注入を生じさせるために電極ＰＥ及びＣＥ間に印加すべき順方向バイアスの最小値と比較してより小さくするうえで有利である。したがって、この構造を採用すると、より容易に、画素ＰＸ２において発光層ＥＭＬ１が発光するのを抑制できると共に、画素ＰＸ３において発光層ＥＭＬ１及びＥＭＬ２が発光するのを抑制できる。

図１５は、図６の構造の他の変形例を示す断面図である。図１５の構造は、正孔輸送層ＨＴＬと発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３との間に介在した電子ブロッキング層ＥＢＬをさらに含んでいること以外は図１４の構造と同様である。

この構造は、図１４の構造と同様、対向電極ＣＥから電子輸送層ＥＴＬへの電子の注入を生じさせるために電極ＰＥ及びＣＥ間に印加すべき順方向バイアスの最小値を、画素電極ＰＥから正孔輸送層ＨＴＬへの正孔の注入を生じさせるために電極ＰＥ及びＣＥ間に印加すべき順方向バイアスの最小値と比較してより小さくするうえで有利である。また、この構造を採用すると、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３のうち電子ブロッキング層ＥＢＬに隣接している層における電子の密度が高くなる。したがって、この構造を採用すると、より容易に、画素ＰＸ２において発光層ＥＭＬ１が発光するのを抑制できると共に、画素ＰＸ３において発光層ＥＭＬ１及びＥＭＬ２が発光するのを抑制できる。加えて、この構造を採用すると、より高い発光効率を実現することができる。

図１６は、図６の構造の他の変形例を示す断面図である。図１６の構造は、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３の積層順を逆にし、電子注入層ＥＩＬを省略し、対向電極ＣＥを光学マッチング層ＭＣで被覆したこと以外は図６の構造と同様である。

図１６の構造は、正孔注入層ＨＩＬを使用すると共に、電子注入層ＥＩＬを省略している。そのため、この構造は、画素電極ＰＥから正孔輸送層ＨＴＬへの正孔の注入を生じさせるために電極ＰＥ及びＣＥ間に印加すべき順方向バイアスの最小値を、対向電極ＣＥから電子輸送層ＥＴＬへの電子の注入を生じさせるために電極ＰＥ及びＣＥ間に印加すべき順方向バイアスの最小値と比較してより小さくするうえで有利である。したがって、この構造を採用すると、より容易に、画素ＰＸ２において発光層ＥＭＬ１が発光するのを抑制できると共に、画素ＰＸ３において発光層ＥＭＬ１及びＥＭＬ２が発光するのを抑制できる。

図１７は、図６の構造の他の変形例を示す断面図である。図１７の構造は、電子輸送層ＥＴＬと発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３との間に介在した正孔ブロッキング層ＨＢＬをさらに含んでいること以外は図１６の構造と同様である。

この構造は、図１６の構造と同様、画素電極ＰＥから正孔輸送層ＨＴＬへの正孔の注入を生じさせるために電極ＰＥ及びＣＥ間に印加すべき順方向バイアスの最小値を、対向電極ＣＥから電子輸送層ＥＴＬへの電子の注入を生じさせるために電極ＰＥ及びＣＥ間に印加すべき順方向バイアスの最小値と比較してより小さくするうえで有利である。また、この構造を採用すると、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３のうち正孔ブロッキング層ＨＢＬに隣接している層における正孔の密度が高くなる。したがって、この構造を採用すると、より容易に、画素ＰＸ２において発光層ＥＭＬ１が発光するのを抑制できると共に、画素ＰＸ３において発光層ＥＭＬ１及びＥＭＬ２が発光するのを抑制できる。加えて、この構造を採用すると、より高い発光効率を実現することができる。

図１８は、図６の構造の他の変形例を示す断面図である。図１８の構造は、対向電極ＣＥを光学マッチング層ＭＣで被覆したこと以外は図６の構造と同様である。

この構造を採用した場合、例えば、対向電極ＣＥから電子輸送層ＥＴＬへの電子の注入を生じさせるために電極ＰＥ及びＣＥ間に印加すべき順方向バイアスの最小値を、画素電極ＰＥから正孔輸送層ＨＴＬへの正孔の注入を生じさせるために電極ＰＥ及びＣＥ間に印加すべき順方向バイアスの最小値と比較してより小さくする。或いは、電子輸送層ＥＴＬと発光層ＥＭＬ１との界面における電子に対する障壁を、正孔輸送層ＨＴＬと発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３との界面における正孔の障壁と比較してより小さくする。或いは、正孔輸送層ＨＴＬ及び電子輸送層ＥＴＬとの組み合わせとして、正孔輸送層ＨＴＬの正孔移動度が電子輸送層ＥＴＬの電子移動度と比較してより小さいものを使用する。或いは、発光層ＥＭＬ２の正孔移動度をその電子移動度よりも小さくし、発光層ＥＭＬ３の正孔移動度をその電子移動度よりも小さくする。或いは、これら設計の２以上を採用する。こうすると、画素ＰＸ２において発光層ＥＭＬ１が発光するのを抑制できると共に、画素ＰＸ３において発光層ＥＭＬ１及びＥＭＬ２が発光するのを抑制できる。

図１９は、図６の構造の他の変形例を示す断面図である。図１９の構造は、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３の積層順を逆にしたこと以外は図１８の構造と同様である。

この構造を採用した場合、例えば、画素電極ＰＥから正孔輸送層ＨＴＬへの正孔の注入を生じさせるために電極ＰＥ及びＣＥ間に印加すべき順方向バイアスの最小値を、対向電極ＣＥから電子輸送層ＥＴＬへの電子の注入を生じさせるために電極ＰＥ及びＣＥ間に印加すべき順方向バイアスの最小値と比較してより小さくする。或いは、正孔輸送層ＨＴＬと発光層ＥＭＬ１との界面における正孔に対する障壁を、電子輸送層ＥＴＬと発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３との界面における電子の障壁と比較してより小さくする。或いは、正孔輸送層ＨＴＬ及び電子輸送層ＥＴＬとの組み合わせとして、電子輸送層ＥＴＬの電子移動度が正孔輸送層ＨＴＬの正孔移動度と比較してより小さいものを使用する。或いは、発光層ＥＭＬ１の正孔移動度をその電子移動度よりも大きくし、発光層ＥＭＬ２の正孔移動度をその電子移動度よりも大きくする。或いは、これら設計の２以上を採用する。こうすると、画素ＰＸ２において発光層ＥＭＬ１が発光するのを抑制できると共に、画素ＰＸ３において発光層ＥＭＬ１及びＥＭＬ２が発光するのを抑制できる。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが図６及び図８乃至図１９に示す構造を有している場合、発光層には、図７に示したのとは異なる配置を採用することができる。

図２０は、発光層の配置の他の例を概略的に示す平面図である。
この配置では、発光部ＥＡ３は直角四辺形である。発光層ＥＭＬ３は、発光部ＥＡ３が占有している直角四辺形領域に対応した直角四辺形である。発光層ＥＭＬ３は、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が構成しているトリプレットに対応してＸ方向とＹ方向とに配列している。

発光部ＥＡ２は、発光部ＥＡ３が占有している直角四辺形領域の辺に沿って折れ曲がっている。発光部ＥＡ２及びＥＡ３は、Ｘ方向に配列すると共に、Ｙ方向に配列している。これら発光部ＥＡ２及びＥＡ３は、直角四辺形の領域内に配置されている。発光層ＥＭＬ２は、発光部ＥＡ２及びＥＡ３が占有している領域に対応して直角四辺形である。発光層ＥＭＬ２は、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が構成しているトリプレットに対応してＸ方向とＹ方向とに配列している。

発光部ＥＡ１は、発光部ＥＡ２及びＥＡ３が占有している直角四辺形領域の辺に沿って折れ曲がっている。発光部ＥＡ１乃至ＥＡ３は、Ｘ方向に配列すると共に、Ｙ方向に配列している。これら発光部ＥＡ１乃至ＥＡ３は、直角四辺形の領域内に配置されている。発光層ＥＭＬ１は、表示領域に亘って広がった連続膜である。

図２０の配置では、発光部ＥＡ２は、発光部ＥＡ１と比較して面積がより大きく、発光部ＥＡ１は、発光部ＥＡ２及びＥＡ３と比較して面積がより大きい。それゆえ、図２０の配置を採用すると、発光部ＥＡ２の一定開口率での通電による輝度劣化が、発光部ＥＡ３と比較して大きい場合には、画素ＰＸ２及び画素ＰＸ３の間で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの寿命をほぼ等しくすることができる。また、発光部ＥＡ１の一定開口率での通電による輝度劣化が、発光部ＥＡ２及びＥＡ３と比較して大きい場合には、画素ＰＸ１と画素ＰＸ２乃至画素ＰＸ３の間で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの寿命をほぼ等しくすることができる。

これにより、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３間で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの通電による輝度劣化をほぼ等しくすることができ、各色の輝度劣化の差による白色の色シフトが無くなり、製品寿命を大幅に向上させることができる。

ところで、図７の配置を採用した場合、発光部ＥＡ１の面積を発光部ＥＡ２及びＥＡ３の面積と比較してより大きくするには、通常、発光部ＥＡ１のＸ方向の寸法を大きくし、発光部ＥＡ２及びＥＡ３のＸ方向の寸法を小さくする。発光部ＥＡ２及びＥＡ３のＸ方向の寸法を小さくする場合、これに対応して、発光層ＥＭＬ２及びＥＭＬ３のＸ方向の寸法も小さくする必要がある。すなわち、発光層ＥＭＬ２及びＥＭＬ３を形成するために使用する蒸着マスクに設けられたスリットの幅をより小さくすることが必要である。しかしながら、幅の狭いスリットを形成することは難しく、それゆえ、そのようなスリットが設けられたマスクは高価である。

これに対し、図２０の配置を採用した場合、発光部ＥＡ１の寸法Ｌ_x１及びＬ_y１と、発光部ＥＡ２の寸法Ｌ_x２及びＬ_y２と、発光部ＥＡ３の寸法Ｌ_x３及びＬ_y３を同じにしても、発光部ＥＡ１の面積を発光部ＥＡ２と比較して大きく、発光部ＥＡ２の面積を発光部ＥＡ３の面積と比較してより大きくすることができる。すなわち、図２０の配置を採用した場合、Ｙ方向の寸法Ｌ_y１及びＬ_y２を大きくすることにより、発光層ＥＭＬ３およびＥＭＬ２のＸ方向の寸法を、図７の配置を採用した場合より大きくすることができる。すなわち、図２０の配置を採用した場合、蒸着マスクに設けられたスリットの幅をより小さくすることなく、製造が容易な蒸着マスクを使用して、発光部ＥＡ１の面積を発光部ＥＡ２と比較して大きく、発光部ＥＡ１の面積を発光部ＥＡ３の面積と比較してより大きくすることができる。

図２０の配置には、様々な変形が可能である。
図２１は、発光層の配置の他の例を概略的に示す平面図である。

この配置では、発光部ＥＡ３は直角四辺形である。発光層ＥＭＬ３は、発光部ＥＡ３が占有している直角四辺形領域に対応した直角四辺形である。発光層ＥＭＬ３は、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が構成しているトリプレットに対応してＸ方向とＹ方向とに配列している。

発光部ＥＡ２は、発光部ＥＡ３を取り囲んでいる。具体的には、発光部ＥＡ２は、発光部ＥＡ３が占有している直角四辺形領域の四辺に沿って折れ曲がっている。発光部ＥＡ２は、Ｘ方向に配列すると共に、Ｙ方向に配列している。発光部ＥＡ２は、直角四辺形の領域内に配置されている。発光層ＥＭＬ２は、発光部ＥＡ２及びＥＡ３が占有している領域に対応して直角四辺形である。発光層ＥＭＬ２は、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が構成しているトリプレットに対応してＸ方向とＹ方向とに配列している。

発光部ＥＡ１は、発光部ＥＡ２を取り囲んでいる。具体的には、発光部ＥＡ１は、発光部ＥＡ２及びＥＡ３が占有している直角四辺形領域の四辺に沿って折れ曲がっている。発光部ＥＡ１は、Ｘ方向に配列すると共に、Ｙ方向に配列している。発光部ＥＡ１は、直角四辺形の領域内に配置されている。発光層ＥＭＬ１は、表示領域に亘って広がった連続膜である。

図２１の配置を採用した場合も、図２０を参照しながら説明したのと同様の効果を得ることができる。

発光部ＥＡ１乃至ＥＡ３の面積は、図２０及び図２１を参照しながら説明した関係を満足していなくてもよい。例えば、図４及び図７に示すように、発光部ＥＡ１乃至ＥＡ３の面積は互いに等しくてもよい。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに光共振器としての機能を与える場合、光共振器の反射面間の光路長は、例えば、０次干渉モード：ファーストピークモード（光路長をゼロから大きくしたときに、法線方向に進行する光の強度が最初に極大値を示す光路長）の整数倍に設定する。たとえば、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の発光色が、それぞれ、青、緑、赤色である場合、画素ＰＸ１では先の光路長を６６ｎｍ乃至８７ｎｍの整数倍の範囲内とし、画素ＰＸ２では先の光路長を８７ｎｍより大きく且つ１１３ｎｍ未満の整数倍のとし、画素ＰＸ３では先の光路長を１１３ｎｍ乃至１６０ｎｍの範囲内の整数倍のとする。

また、光路長を可能な限り短くする、すなわち、より次数の低い干渉モードに設定する、理想的には０次干渉モードに設定することで、有機物層ＯＲＧを薄くすることができるため、それに使用する材料の量を低減することができる。加えて、この場合、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の各々において、共振条件の最適化が容易になる。加えて、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを駆動する電圧を低くすることができ、より低消費電力化が図れる。

なお、先の光路長は、光共振器の反射面間に介在している層の屈折率や厚さを変更することにより変化する。但し、多くの場合、これら層の屈折率を自由に変更することはできない。例えば、通常、有機物層ＯＲＧ及び画素電極ＰＥに使用する材料の屈折率は１．５乃至３．０である。したがって、通常、先の光路長は、光共振器の反射面間に介在している層の厚さで調節する。尚、材料の屈折率は、波長分散性も考慮する。

典型的には、青色発光層と緑色発光層と赤色発光層とは、この順に形成するか、又は、これとは逆の順に形成する。この場合、画素ＰＸ２及びＰＸ３で発光色の純度が低下するのを防止し易い。

本態様では、本発明を上面発光型の有機ＥＬ表示装置に適用したが、本発明は下面発光型の有機ＥＬ表示装置にも適用可能である。但し、上面発光型の有機ＥＬ表示装置では、下面発光型の有機ＥＬ表示装置と比較して、光共振器構造を採用することにより得られる効果が大きい。

本態様では、画素回路に映像信号として電流信号を書き込む構成を採用したが、画素回路に映像信号として電圧信号を書き込む構成を採用することも可能である。また、本態様では、ｐチャネル薄膜トランジスタを使用したが、ｎチャネル薄膜トランジスタを使用してもよい。

以下、本発明の実施例を説明する。
（実施例１）
以下に説明する方法により、図１及び図２に示す有機ＥＬ表示装置を製造した。なお、本例では、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、図５に示す構造を採用した。また、本例では、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３に、図４に示す構造を採用した。また、本例では、０次干渉モードの２倍、すなわち１次干渉モードで膜厚を設定した。

まず、上述したアレイ基板を準備した。ここでは、基板ＳＵＢとしてガラス基板を使用した。反射層ＲＥＦ及び画素電極ＰＥとしては、厚さ１３０ｎｍのアルミニウム層及び厚さ５０ｎｍのＩＴＯ層をそれぞれ使用した。隔壁絶縁層ＰＩのＸ方向についての開口幅は２２．５μｍとした。

次に、画素電極ＰＥ及び隔壁絶縁層ＰＩ上に、正孔注入層ＨＩＬとして、厚さ１０ｎｍのアモルファスカーボン層を形成した。この正孔注入層ＨＩＬは、表示領域に亘って広がった連続膜とした。

次いで、正孔注入層ＨＩＬ上に、正孔輸送層ＨＴＬとして、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）からなる厚さ３０ｎｍの層を真空蒸着法により形成した。正孔輸送層ＨＴＬは、表示領域に亘って広がった連続膜とした。

その後、正孔輸送層ＨＴＬ上であって、画素ＰＸ３の画素電極ＰＥに対応した位置に、ホスト材料としてトリス（８−ヒドロキシキノラート）アルミニウム（Ａｌｑ₃）を含み、ドーパントとして２−（１，１−ジメチルエチル）−６（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）を含んだ厚さ８０ｎｍの赤色発光層ＥＭＬ３を形成した。発光層ＥＭＬ３は、画素ＰＸ３の列に対応して開口が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着法により形成した。発光層ＥＭＬ３の位置は、基板ＳＵＢ上の目標位置に正確に一致させた。

次に、正孔輸送層ＨＴＬ上であって、画素ＰＸ３の画素電極ＰＥに対応した位置に、ホスト材料としてＡｌｑ₃を含み、ドーパントとしてＣｏｕｍａｒｉｎ ６を含んだ厚さ３０ｎｍの緑色発光層ＥＭＬ２を形成した。発光層ＥＭＬ２は、隣接した画素ＰＸ２と画素ＰＸ３との組が形成する列に対応して開口が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着法により形成した。発光層ＥＭＬ２の位置は、基板ＳＵＢ上の目標位置に正確に一致させた。

次いで、発光層ＥＭＬ２及びＥＭＬ３と正孔輸送層ＨＴＬとの上に、ホスト材料として４，４’−ビス（２，２’−ジフェニル−エテン−１−イル）−ジフェニル（ＢＰＶＢＩ）を含み、ドーパントとしてペリレンを含んだ厚さ３０ｎｍの青色発光層ＥＭＬ１を形成した。発光層ＥＭＬ１は、表示領域に対応した開口が形成されたラフマスクを用いた真空蒸着法により形成した。

その後、発光層ＥＭＬ１上に、電子輸送層ＥＴＬとして、厚さ３０ｎｍのＡｌｑ₃層を真空蒸着法により形成した。電子輸送層ＥＴＬは、表示領域に亘って広がった連続膜とした。

次に、電子輸送層ＥＴＬ上に、電子注入層ＥＩＬとして、厚さ１ｎｍの弗化リチウム層を形成した。電子注入層ＥＩＬは、表示領域に亘って広がった連続膜とした。

続いて、電子注入層ＥＩＬ上に、光透過性の対向電極ＣＥとして、厚さ２０ｎｍのＭｇＡｇ層を形成した。マグネシウムと銀の比率は、高光透過性を有するためには、銀を６０〜９８％含有する構成とした。対向電極ＣＥは、表示領域に亘って広がった連続膜とした。

その後、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを封止し、表示パネルＤＰに映像信号線ドライバＸＤＲと走査信号線ドライバＹＤＲとを実装した。以上のようにして、図１及び図２の有機ＥＬ表示装置を得た。この有機ＥＬ表示装置をサンプル１と呼ぶ。

サンプル１を、その画面を正面から観察したときに１００ｃｄ／ｍ²の輝度で（ｕ’，ｖ’）＝（０．２０，０．４６）の基準白色（Ｃ）が表示されるように駆動した。

次に、この状態で、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を順次点灯し、発光色毎に輝度と色度（ｕ’，ｖ’）とを測定した。その結果、画素ＰＸ１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、３ｃｄ／Ａ、（０．１４，０．２３）であった。また、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、１０ｃｄ／Ａ、（０．０８，０．５５）であった。そして、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、赤色が２ｃｄ／Ａ、（０．３９，０．５４）であった。

次に、この状態で、画面の法線に対して６０°の方向から画面を観察し、表示色の基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’を測定した。その結果、色ずれΔｕ’ｖ’は、０．０５０であった。なお、色ずれΔｕ’ｖ’は、色度座標ｕ’の変位Δｕ’の二乗と色度座標ｖ’の変位Δｖ’の二乗との和の１／２乗である。

（比較例１）
図２２は、比較例１に係る有機ＥＬ表示装置が含む有機ＥＬ素子の構造を概略的に示す断面図である。

本例では、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３に図２２の構造を採用したこと以外はサンプル１について説明したのと同様の方法により、図１及び図２の有機ＥＬ表示装置を製造した。具体的には、本例では、発光層ＥＭＬ３は、正孔輸送層ＨＴＬ上であって、画素ＰＸ３の画素電極ＰＥに対応した位置に形成した。発光層ＥＭＬ３は、画素ＰＸ３の列に対応して開口が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着法により形成した。発光層ＥＭＬ３の位置は、基板ＳＵＢ上の目標位置に正確に一致させた。発光層ＥＭＬ３の厚さは３０ｎｍとした。発光層ＥＭＬ２は、正孔輸送層ＨＴＬ上であって、画素ＰＸ２の画素電極ＰＥに対応した位置に形成した。発光層ＥＭＬ２は、画素ＰＸ２の列に対応して開口が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着法により形成した。発光層ＥＭＬ２の位置は、基板ＳＵＢ上の目標位置に正確に一致させた。発光層ＥＭＬ２の厚さは３０ｎｍとした。発光層ＥＭＬ１は、正孔輸送層ＨＴＬ上であって、画素ＰＸ１の画素電極ＰＥに対応した位置に形成した。発光層ＥＭＬ１は、画素ＰＸ１の列に対応して開口が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着法により形成した。発光層ＥＭＬ１の位置は、基板ＳＵＢ上の目標位置に正確に一致させた。発光層ＥＭＬ１の厚さは３０ｎｍとした。この有機ＥＬ表示装置をサンプル２と呼ぶ。

サンプル１と同様の試験を、サンプル２に対しても行った。具体的には、サンプル２を、サンプル１と消費電流が等しくなり、且つ、その画面を正面から観察したときに基準白色（Ｃ）が表示されるように駆動した。その結果、画面を正面から観察したときの輝度は８ｃｄ／ｍ²であった。

次に、この状態で、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を順次点灯し、発光色毎に輝度と色度（ｕ’，ｖ’）とを測定した。その結果、画素ＰＸ１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、３ｃｄ／Ａ、（０．１４，０．２３）であった。また、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、５ｃｄ／Ａ、（０．１３，０．５５）であった。そして、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、赤色が０．１ｃｄ／Ａ、（０．３３，０．５４）であった。

そして、この状態で、画面の法線に対して６０°の方向から画面を観察し、表示色の基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’を測定した。その結果、色ずれΔｕ’ｖ’は、０．２００であった。

（実施例２）
以下に説明する方法により、図１及び図２に示す有機ＥＬ表示装置を製造した。なお、本例では、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、図６に示す構造を採用した。また、本例では、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３に、図７に示す構造を採用した。また、本例では、０次干渉モードで膜厚を設定した。

まず、上述したアレイ基板を準備した。ここでは、基板ＳＵＢとしてガラス基板を使用した。反射層ＲＥＦ及び画素電極ＰＥとしては、厚さ１３０ｎｍのアルミニウム層及び厚さ１２．５ｎｍのＩＴＯ層をそれぞれ使用した。隔壁絶縁層ＰＩのＸ方向についての開口幅は２２．５μｍとした。

次に、画素電極ＰＥ及び隔壁絶縁層ＰＩ上に、正孔注入層ＨＩＬとして、厚さ３ｎｍのアモルファスカーボン層を形成した。この正孔注入層ＨＩＬは、表示領域に亘って広がった連続膜とした。

次いで、正孔注入層ＨＩＬ上に、正孔輸送層ＨＴＬとして、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）からなる厚さ２７．５ｎｍの層を真空蒸着法により形成した。正孔輸送層ＨＴＬは、表示領域に亘って広がった連続膜とした。

その後、正孔輸送層ＨＴＬ上であって、画素ＰＸ３の画素電極ＰＥに対応した位置に、ホスト材料としてトリス（８−ヒドロキシキノラート）アルミニウム（Ａｌｑ₃）を含み、ドーパントとして２−（１，１−ジメチルエチル）−６（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）を含んだ厚さ３０ｎｍの赤色発光層ＥＭＬ３を形成した。発光層ＥＭＬ３は、画素ＰＸ３の列に対応して開口が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着法により形成した。発光層ＥＭＬ３の位置は、基板ＳＵＢ上の目標位置に正確に一致させた。

次に、正孔輸送層ＨＴＬ上であって、画素ＰＸ２及びＰＸ３の画素電極ＰＥに対応した位置に、ホスト材料としてＡｌｑ₃を含み、ドーパントとしてＣｏｕｍａｒｉｎ ６を含んだ厚さ３０ｎｍの緑色発光層ＥＭＬ２を形成した。発光層ＥＭＬ２は、隣接した画素ＰＸ２と画素ＰＸ３との組が形成する列に対応して開口が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着法により形成した。発光層ＥＭＬ２の位置は、基板ＳＵＢ上の目標位置に正確に一致させた。

次いで、発光層ＥＭＬ２及びＥＭＬ３と正孔輸送層ＨＴＬとの上に、ホスト材料として４，４’−ビス（２，２’−ジフェニル−エテン−１−イル）−ジフェニル（ＢＰＶＢＩ）を含み、ドーパントとしてペリレンを含んだ厚さ２０ｎｍの青色発光層ＥＭＬ１を形成した。発光層ＥＭＬ１は、表示領域に対応した開口が形成されたラフマスクを用いた真空蒸着法により形成した。

その後、発光層ＥＭＬ１上に、電子輸送層ＥＴＬとして、厚さ１５ｎｍのＡｌｑ₃層を真空蒸着法により形成した。電子輸送層ＥＴＬは、表示領域に亘って広がった連続膜とした。

次に、電子輸送層ＥＴＬ上に、電子注入層ＥＩＬとして、厚さ１ｎｍの弗化リチウム層を形成した。電子注入層ＥＩＬは、表示領域に亘って広がった連続膜とした。

続いて、電子注入層ＥＩＬ上に、光透過性の対向電極ＣＥとして、厚さ２０ｎｍのＭｇＡｇ層を形成した。マグネシウムと銀の比率は、高光透過性を有するためには、銀を６０〜９８％含有する構成とした。対向電極ＣＥは、表示領域に亘って広がった連続膜とした。

その後、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを封止し、表示パネルＤＰに映像信号線ドライバＸＤＲと走査信号線ドライバＹＤＲとを実装した。以上のようにして、図１及び図２の有機ＥＬ表示装置を得た。この有機ＥＬ表示装置をサンプル３と呼ぶ。

サンプル１と同様の試験を、サンプル３に対しても行った。具体的には、サンプル３を、サンプル１と消費電流が等しくなり、且つ、その画面を正面から観察したときに基準白色（Ｃ）が表示されるように駆動した。その結果、画面を正面から観察したときの輝度は３００ｃｄ／ｍ²であった。

次に、この状態で、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を順次点灯し、発光色毎に輝度と色度（ｕ’，ｖ’）とを測定した。その結果、画素ＰＸ１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、４ｃｄ／Ａ、（０．１４，０．２３）であった。また、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、２０ｃｄ／Ａ、（０．０７，０．５７）であった。そして、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、赤色が１０ｃｄ／Ａ、（０．４４，０．５３）であった。

そして、この状態で、画面の法線に対して６０°の方向から画面を観察し、表示色の基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’を測定した。その結果、色ずれΔｕ’ｖ’は、０．０１５であった。

また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの電圧が下がり、消費電力はサンプル１の０．８倍であった。
また、サンプル１と比較して、有機層ＯＲＧの材料使用量が、０．５倍になった。

（実施例３）
以下に説明する方法により、図１及び図２に示す有機ＥＬ表示装置を製造した。なお、本例では、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、図１０に示す構造を採用した。また、本例では、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３に、図７に示す構造を採用した。本実施例では、０次干渉モードの２倍、すなわち１次干渉モードで膜厚を設定した。

まず、上述したアレイ基板を準備した。ここでは、基板ＳＵＢとしてガラス基板を使用した。反射層ＲＥＦ及び画素電極ＰＥとしては、厚さ１００ｎｍのアルミニウム層及び厚さ８５ｎｍのＩＴＯ層をそれぞれ使用した。隔壁絶縁層ＰＩのＸ方向についての開口幅は２２．５μｍとした。

次に、画素ＰＸ３の画素電極ＰＥに対応した位置に、ホスト材料としてＡｌｑ₃を含み、ドーパントとして４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ジュロリジン−４−イル−ビニル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ２）を含んだ厚さ５０ｎｍの赤色発光層ＥＭＬ３を形成した。発光層ＥＭＬ３は、画素ＰＸ３の列に対応して開口が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着法により形成した。発光層ＥＭＬ３の位置は、基板ＳＵＢ上の目標位置に正確に一致させた。

次いで、画素ＰＸ２及びＰＸ３の画素電極ＰＥに対応した位置に、ホスト材料としてＡｌｑ₃を含み、ドーパントとしてＣｏｕｍａｒｉｎ ６を含んだ厚さ３０ｎｍの緑色発光層ＥＭＬ２を形成した。発光層ＥＭＬ２は、隣接した画素ＰＸ２と画素ＰＸ３との組が形成する列に対応して開口が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着法により形成した。発光層ＥＭＬ２の位置は、基板ＳＵＢ上の目標位置に正確に一致させた。

続いて、発光層ＥＭＬ２及びＥＭＬ３と画素ＰＸ１の画素電極ＰＥとの上に、ホスト材料としてビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ−フェニル−フェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）を含み、ドーパントとして４，４’−ビス（（２−カルバゾール）ビニレン）ビフェニル）（ＢｃｚＶＢｉ）を含んだ厚さ６５ｎｍの青色発光層ＥＭＬ１を形成した。発光層ＥＭＬ１は、表示領域に対応した開口が形成されたラフマスクを用いた真空蒸着法により形成した。

なお、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３の各々において、ドーパント材料の濃度は２０％以下にした。また、ホスト材料として使用したＡｌｑ₃及びＢＡｌｑは、正孔移動度よりも電子移動度が大きな材料である。

次に、発光層ＥＭＬ１上に、光透過性の対向電極ＣＥとして、厚さ２０ｎｍのＭｇＡｇ層を形成した。対向電極ＣＥは、表示領域に亘って広がった連続膜とした。また、高い光透過性を実現するために、対向電極ＣＥにおける銀の濃度は６０乃至９８原子％とした。

次いで、対向電極ＣＥ上に、ＳｉＯＮからなる厚さ１４０ｎｍの光学マッチング層ＭＣを形成した。その後、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを封止し、表示パネルＤＰに映像信号線ドライバＸＤＲと走査信号線ドライバＹＤＲとを実装した。さらに、表示面に、図示しない円偏光板を貼り付けた。以上のようにして、図１及び図２の有機ＥＬ表示装置を得た。以下、この有機ＥＬ表示装置をサンプル４と呼ぶ。

サンプル１と同様の試験を、サンプル４に対しても行った。具体的には、サンプル４を、サンプル１と消費電流が等しくなり、且つ、その画面を正面から観察したときに基準白色（Ｃ）が表示されるように駆動した。その結果、画面を正面から観察したときの輝度は１５０ｃｄ／ｍ²であった。

次に、この状態で、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を順次点灯し、発光色毎に輝度と色度（ｕ’，ｖ’）とを測定した。その結果、画素ＰＸ１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、４．５ｃｄ／Ａ、（０．１４，０．２３）であった。また、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、１５ｃｄ／Ａ、（０．０８，０．５５）であった。そして、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、赤色が３ｃｄ／Ａ、（０．３９，０．５４）であった。

次に、この状態で、画面の法線に対して６０°の方向から画面を観察し、表示色の基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’を測定した。その結果、色ずれΔｕ’ｖ’は、０．０３０であった。

（実施例４）
以下に説明する方法により、図１及び図２に示す有機ＥＬ表示装置を製造した。なお、本例では、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、図１２に示す構造を採用した。また、本例では、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３に、図７に示す構造を採用した。本実施例では、０次干渉モードの２倍、すなわち１次干渉モードで膜厚を設定した。

まず、サンプル４で使用したのと同様のアレイ基板を準備した。
次に、画素電極ＰＥ及び隔壁絶縁層ＰＩ上に、真空蒸着法により、α−ＮＰＤからなる厚さ３０ｎｍの正孔輸送層ＨＴＬを形成した。正孔輸送層ＨＴＬは、表示領域に対応した開口が形成されたラフマスクを用いた真空蒸着法により形成した。なお、α−ＮＰＤの正孔移動度は、５×１０^-4ｃｍ²／Ｖ・ｓである。

次に、サンプル４について説明したのと同様の方法により発光層ＥＭＬ３及びＥＭＬ２を順次形成した。続いて、厚さを２０ｎｍとしたこと以外はサンプル４について説明したのと同様の方法により発光層ＥＭＬ１を形成した。

次に、発光層ＥＭＬ１上に、３−メチルフェニルを有している２，５−ジ（アリール）シロール誘導体（ＰＳＰ）からなる厚さ１５ｎｍの電子輸送層ＥＴＬを形成した。電子輸送層ＥＴＬは、表示領域に対応した開口が形成されたラフマスクを用いた真空蒸着法により形成した。なお、ＰＳＰの電子移動度は、α−ＮＰＤの正孔移動度と比較して遥かに大きい。

次いで、電子輸送層ＥＴＬ上に、サンプル４について説明したのと同様の方法により、対向電極ＣＥ及び光学マッチング層ＭＣを順次形成した。

その後、サンプル４について説明したのと同様の方法により、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを封止し、表示パネルＤＰに映像信号線ドライバＸＤＲと走査信号線ドライバＹＤＲとを実装した。さらに、表示面に、図示しない円偏光板を貼り付けた。以上のようにして、図１及び図２の有機ＥＬ表示装置を得た。以下、この有機ＥＬ表示装置をサンプル５と呼ぶ。

サンプル１と同様の試験を、サンプル５に対しても行った。具体的には、サンプル５を、サンプル１と消費電流が等しくなり、且つ、その画面を正面から観察したときに基準白色（Ｃ）が表示されるように駆動した。その結果、画面を正面から観察したときの輝度は２２０ｃｄ／ｍ²であった。

次に、この状態で、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を順次点灯し、発光色毎に輝度と色度（ｕ’，ｖ’）とを測定した。その結果、画素ＰＸ１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、４．５ｃｄ／Ａ、（０．１４，０．２３）であった。また、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、１８ｃｄ／Ａ、（０．０７，０．５６）であった。そして、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、赤色が５ｃｄ／Ａ、（０．４２，０．５４）であった。

次に、この状態で、画面の法線に対して６０°の方向から画面を観察し、表示色の基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’を測定した。その結果、色ずれΔｕ’ｖ’は、０．０３０であった。

（実施例５）
本例では、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに図１４に示す構造を採用したこと以外はサンプル５について説明したのと同様の方法により、図１及び図２に示す有機ＥＬ表示装置を製造した。具体的には、対向電極ＣＥを形成するのに先立ち、電子輸送層ＥＴＬ上に、真空蒸着法により、弗化リチウムからなる厚さ１ｎｍの電子注入層ＥＩＬを形成した。電子注入層ＥＩＬは、表示領域に対応した開口が形成されたラフマスクを用いた真空蒸着法により形成した。以下、このようにして得られた有機ＥＬ表示装置をサンプル６と呼ぶ。

サンプル１と同様の試験を、サンプル６に対しても行った。具体的には、サンプル６を、サンプル１と消費電流が等しくなり、且つ、その画面を正面から観察したときに基準白色（Ｃ）が表示されるように駆動した。その結果、画面を正面から観察したときの輝度は３００ｃｄ／ｍ²であった。

次に、この状態で、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を順次点灯し、発光色毎に輝度と色度（ｕ’，ｖ’）とを測定した。その結果、画素ＰＸ１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、４．５ｃｄ／Ａ、（０．１４，０．２３）であった。また、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、２２ｃｄ／Ａ、（０．０７，０．５７）であった。そして、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、赤色が８ｃｄ／Ａ、（０．４６，０．５３）であった。

次に、この状態で、画面の法線に対して６０°の方向から画面を観察し、表示色の基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’を測定した。その結果、色ずれΔｕ’ｖ’は、０．０３０であった。

（実施例６）
本例では、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに図１５に示す構造を採用したこと以外はサンプル６について説明したのと同様の方法により、図１及び図２に示す有機ＥＬ表示装置を製造した。具体的には、発光層ＥＭＬ３を形成するのに先立ち、正孔輸送層ＨＴＬ上に、真空蒸着法により、厚さ５ｎｍの電子ブロッキング層ＥＢＬを形成した。電子ブロッキング層ＥＢＬは、表示領域に対応した開口が形成されたラフマスクを用いた真空蒸着法により形成した。以下、このようにして得られた有機ＥＬ表示装置をサンプル７と呼ぶ。

サンプル１と同様の試験を、サンプル７に対しても行った。具体的には、サンプル７を、サンプル１と消費電流が等しくなり、且つ、その画面を正面から観察したときに基準白色（Ｃ）が表示されるように駆動した。その結果、画面を正面から観察したときの輝度は３４０ｃｄ／ｍ²であった。

次に、この状態で、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を順次点灯し、発光色毎に輝度と色度（ｕ’，ｖ’）とを測定した。その結果、画素ＰＸ１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、５ｃｄ／Ａ、（０．１４，０．２３）であった。また、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、２４ｃｄ／Ａ、（０．０７，０．５７）であった。そして、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、赤色が９ｃｄ／Ａ、（０．４８，０．５３）であった。

次に、この状態で、画面の法線に対して６０°の方向から画面を観察し、表示色の基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’を測定した。その結果、色ずれΔｕ’ｖ’は、０．０３０であった。

（実施例７）
以下に説明する方法により、図１及び図２に示す有機ＥＬ表示装置を製造した。なお、本例では、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、図１１に示す構造を採用した。また、本例では、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３に、図７に示す構造を採用した。

まず、サンプル４で使用したのと同様のアレイ基板を準備した。
次に、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の画素電極ＰＥに対応した位置に、ホスト材料としてα−ＮＰＤを含み、ドーパントとしてＢｃｚＶＢｉを含んだ厚さ６５ｎｍの青色発光層ＥＭＬ１を形成した。発光層ＥＭＬ１は、表示領域に対応した開口が形成されたラフマスクを用いた真空蒸着法により形成した。

次いで、発光層ＥＭＬ１上であって画素ＰＸ２及びＰＸ３の画素電極ＰＥに対応した位置に、ホスト材料としてα−ＮＰＤを含み、ドーパントとしてＣｏｕｍａｒｉｎ ６を含んだ厚さ３０ｎｍの緑色発光層ＥＭＬ２を形成した。発光層ＥＭＬ２は、隣接した画素ＰＸ２と画素ＰＸ３との組が形成する列に対応して開口が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着法により形成した。発光層ＥＭＬ２の位置は、基板ＳＵＢ上の目標位置に正確に一致させた。

続いて、発光層ＥＭＬ１上であって画素ＰＸ３の画素電極ＰＥに対応した位置に、ホスト材料としてα−ＮＰＤを含み、ドーパントとしてＤＣＭ２を含んだ厚さ５０ｎｍの発光層ＥＭＬ３を形成した。発光層ＥＭＬ３は、画素ＰＸ３が形成する列に対応して開口が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着法により形成した。発光層ＥＭＬ３の位置は、基板ＳＵＢ上の目標位置に正確に一致させた。

なお、ホスト材料として使用したα−ＮＰＤは、電子移動度よりも正孔移動度が大きな材料である。

次いで、電子輸送層ＥＴＬ上に、サンプル４について説明したのと同様の方法により、対向電極ＣＥ及び光学マッチング層ＭＣを順次形成した。

その後、サンプル４について説明したのと同様の方法により、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを封止し、表示パネルＤＰに映像信号線ドライバＸＤＲと走査信号線ドライバＹＤＲとを実装した。さらに、表示面に、図示しない円偏光板を貼り付けた。以上のようにして、図１及び図２の有機ＥＬ表示装置を得た。以下、この有機ＥＬ表示装置をサンプル８と呼ぶ。

サンプル１と同様の試験を、サンプル８に対しても行った。具体的には、サンプル８を、サンプル１と消費電流が等しくなり、且つ、その画面を正面から観察したときに基準白色（Ｃ）が表示されるように駆動した。その結果、画面を正面から観察したときの輝度は１５０ｃｄ／ｍ²であった。

次に、この状態で、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を順次点灯し、発光色毎に輝度と色度（ｕ’，ｖ’）とを測定した。その結果、画素ＰＸ１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、４．５ｃｄ／Ａ、（０．１４，０．２３）であった。また、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、１５ｃｄ／Ａ、（０．０８，０．５５）であった。そして、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、赤色が３ｃｄ／Ａ、（０．３９，０．５４）であった。

次に、この状態で、画面の法線に対して６０°の方向から画面を観察し、表示色の基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’を測定した。その結果、色ずれΔｕ’ｖ’は、０．０３０であった。

（実施例８）
以下に説明する方法により、図１及び図２に示す有機ＥＬ表示装置を製造した。なお、本例では、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、図１３に示す構造を採用した。また、本例では、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３に、図７に示す構造を採用した。

まず、サンプル８で使用したのと同様のアレイ基板を準備した。
次に、画素電極ＰＥ及び隔壁絶縁層ＰＩ上に、真空蒸着法により、α−ＮＰＤからなる厚さ３０ｎｍの正孔輸送層ＨＴＬを形成した。正孔輸送層ＨＴＬは、表示領域に対応した開口が形成されたラフマスクを用いた真空蒸着法により形成した。

次いで、サンプル８について説明したのと同様の方法により発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３を順次形成した。

次に、発光層ＥＭＬ３上に、Ａｌｑ₃からなる厚さ１５ｎｍの電子輸送層ＥＴＬを形成した。電子輸送層ＥＴＬは、表示領域に対応した開口が形成されたラフマスクを用いた真空蒸着法により形成した。なお、Ａｌｑ₃の電子移動度は、α−ＮＰＤの正孔移動度と比較して小さい。

次いで、電子輸送層ＥＴＬ上に、サンプル４について説明したのと同様の方法により、対向電極ＣＥ及び光学マッチング層ＭＣを順次形成した。

その後、サンプル４について説明したのと同様の方法により、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを封止し、表示パネルＤＰに映像信号線ドライバＸＤＲと走査信号線ドライバＹＤＲとを実装した。さらに、表示面に、図示しない円偏光板を貼り付けた。以上のようにして、図１及び図２の有機ＥＬ表示装置を得た。以下、この有機ＥＬ表示装置をサンプル９と呼ぶ。

サンプル１と同様の試験を、サンプル９に対しても行った。具体的には、サンプル９を、サンプル１と消費電流が等しくなり、且つ、その画面を正面から観察したときに基準白色（Ｃ）が表示されるように駆動した。その結果、画面を正面から観察したときの輝度は２２０ｃｄ／ｍ²であった。

次に、この状態で、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を順次点灯し、発光色毎に輝度と色度（ｕ’，ｖ’）とを測定した。その結果、画素ＰＸ１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、４．５ｃｄ／Ａ、（０．１４，０．２３）であった。また、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、１８ｃｄ／Ａ、（０．０７，０．５６）であった。そして、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、赤色が５ｃｄ／Ａ、（０．４２，０．５４）であった。

次に、この状態で、画面の法線に対して６０°の方向から画面を観察し、表示色の基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’を測定した。その結果、色ずれΔｕ’ｖ’は、０．０３０であった。

（実施例９）
本例では、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに図１６に示す構造を採用したこと以外はサンプル９について説明したのと同様の方法により、図１及び図２に示す有機ＥＬ表示装置を製造した。具体的には、正孔輸送層ＨＴＬを形成するのに先立ち、画素電極ＰＥ上に、真空蒸着法により、アモルファスカーボンからなる厚さ５ｎｍの正孔注入層ＨＩＬを形成した。正孔注入層ＨＩＬは、表示領域に対応した開口が形成されたラフマスクを用いた真空蒸着法により形成した。以下、このようにして得られた有機ＥＬ表示装置をサンプル１０と呼ぶ。

サンプル１と同様の試験を、サンプル１０に対しても行った。具体的には、サンプル１０を、サンプル１と消費電流が等しくなり、且つ、その画面を正面から観察したときに基準白色（Ｃ）が表示されるように駆動した。その結果、画面を正面から観察したときの輝度は３００ｃｄ／ｍ²であった。

次に、この状態で、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を順次点灯し、発光色毎に輝度と色度（ｕ’，ｖ’）とを測定した。その結果、画素ＰＸ１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、４．５ｃｄ／Ａ、（０．１４，０．２３）であった。また、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、２２ｃｄ／Ａ、（０．０７，０．５７）であった。そして、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、赤色が８ｃｄ／Ａ、（０．４６，０．５３）であった。

次に、この状態で、画面の法線に対して６０°の方向から画面を観察し、表示色の基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’を測定した。その結果、色ずれΔｕ’ｖ’は、０．０３０であった。

（実施例１０）
本例では、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに図１７に示す構造を採用したこと以外はサンプル１０について説明したのと同様の方法により、図１及び図２に示す有機ＥＬ表示装置を製造した。具体的には、電子輸送層ＥＴＬを形成するのに先立ち、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３上に、真空蒸着法により、ＢＡｌｑからなる厚さ５ｎｍの正孔ブロッキング層ＨＢＬを形成した。正孔ブロッキング層ＨＢＬは、表示領域に対応した開口が形成されたラフマスクを用いた真空蒸着法により形成した。以下、このようにして得られた有機ＥＬ表示装置をサンプル１１と呼ぶ。

サンプル１と同様の試験を、サンプル７に対しても行った。具体的には、サンプル７を、サンプル１と消費電流が等しくなり、且つ、その画面を正面から観察したときに基準白色（Ｃ）が表示されるように駆動した。その結果、画面を正面から観察したときの輝度は３４０ｃｄ／ｍ²であった。

次に、この状態で、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を順次点灯し、発光色毎に輝度と色度（ｕ’，ｖ’）とを測定した。その結果、画素ＰＸ１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、５ｃｄ／Ａ、（０．１４，０．２３）であった。また、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、２４ｃｄ／Ａ、（０．０７，０．５７）であった。そして、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、赤色が９ｃｄ／Ａ、（０．４８，０．５３）であった。

次に、この状態で、画面の法線に対して６０°の方向から画面を観察し、表示色の基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’を測定した。その結果、色ずれΔｕ’ｖ’は、０．０３０であった。

（実施例１１）
本例では、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに図１８に示す構造を採用したこと以外はサンプル６について説明したのと同様の方法により、図１及び図２に示す有機ＥＬ表示装置を製造した。具体的には、正孔輸送層ＨＴＬを形成するのに先立ち、画素電極ＰＥ上に、真空蒸着法により、アモルファスカーボンからなる厚さ５ｎｍの正孔注入層ＨＩＬを形成した。正孔注入層ＨＩＬは、表示領域に対応した開口が形成されたラフマスクを用いた真空蒸着法により形成した。以下、このようにして得られた有機ＥＬ表示装置をサンプル１２と呼ぶ。

サンプル１と同様の試験を、サンプル１２に対しても行った。具体的には、サンプル１２を、サンプル１と消費電流が等しくなり、且つ、その画面を正面から観察したときに基準白色（Ｃ）が表示されるように駆動した。その結果、画面を正面から観察したときの輝度は３４０ｃｄ／ｍ²であった。

次に、この状態で、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を順次点灯し、発光色毎に輝度と色度（ｕ’，ｖ’）とを測定した。その結果、画素ＰＸ１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、５ｃｄ／Ａ、（０．１４，０．２３）であった。また、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、２４ｃｄ／Ａ、（０．０７，０．５７）であった。そして、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、赤色が９ｃｄ／Ａ、（０．４８，０．５３）であった。

次に、この状態で、画面の法線に対して６０°の方向から画面を観察し、表示色の基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’を測定した。その結果、色ずれΔｕ’ｖ’は、０．０３０であった。

（実施例１２）
本例では、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに図１９に示す構造を採用したこと以外はサンプル１０について説明したのと同様の方法により、図１及び図２に示す有機ＥＬ表示装置を製造した。具体的には、対向電極ＣＥを形成するのに先立ち、電子輸送層ＥＴＬ上に、真空蒸着法により、弗化リチウムからなる厚さ１ｎｍの電子注入層ＥＩＬを形成した。電子注入層ＥＩＬは、表示領域に対応した開口が形成されたラフマスクを用いた真空蒸着法により形成した。以下、このようにして得られた有機ＥＬ表示装置をサンプル１３と呼ぶ。

サンプル１と同様の試験を、サンプル１３に対しても行った。具体的には、サンプル１３を、サンプル１と消費電流が等しくなり、且つ、その画面を正面から観察したときに基準白色（Ｃ）が表示されるように駆動した。その結果、画面を正面から観察したときの輝度は３４０ｃｄ／ｍ²であった。

次に、この状態で、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を順次点灯し、発光色毎に輝度と色度（ｕ’，ｖ’）とを測定した。その結果、画素ＰＸ１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、５ｃｄ／Ａ、（０．１４，０．２３）であった。また、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、２４ｃｄ／Ａ、（０．０７，０．５７）であった。そして、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、赤色が９ｃｄ／Ａ、（０．４８，０．５３）であった。

次に、この状態で、画面の法線に対して６０°の方向から画面を観察し、表示色の基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’を測定した。その結果、色ずれΔｕ’ｖ’は、０．０３０であった。

（実施例１３）
本例では、以下の構成を採用したこと以外はサンプル３について説明したのと同様の方法により、図１及び図２に示す有機ＥＬ表示装置を製造した。具体的には、対向電極ＣＥ上に、ＳｉＯＮからなる厚さ７０ｎｍの光学マッチング層ＭＣを形成した。以下、このようにして得られた有機ＥＬ表示装置をサンプル１４と呼ぶ。

サンプル１と同様の試験を、サンプル１４に対しても行った。具体的には、サンプル１４を、サンプル１と消費電流が等しくなり、且つ、その画面を正面から観察したときに基準白色（Ｃ）が表示されるように駆動した。その結果、画面を正面から観察したときの輝度は５００ｃｄ／ｍ2であった。

次に、この状態で、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を順次点灯し、発光色毎に輝度と色度（ｕ’，ｖ’）とを測定した。その結果、画素ＰＸ１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、６ｃｄ／Ａ、（０．１４，０．２３）であった。また、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、３０ｃｄ／Ａ、（０．０８，０．５８）であった。そして、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、赤色が１５ｃｄ／Ａ、（０．４８，０．５３）であった。

次に、この状態で、画面の法線に対して６０°の方向から画面を観察し、表示色の基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’を測定した。その結果、色ずれΔｕ’ｖ’は、０．０１５であった。

（実施例１４）
本例では、図７に示す構造の代わりに図２０に示す構造を採用したこと以外はサンプル１３について説明したのと同様の方法により、図１及び図２に示す有機ＥＬ表示装置を製造した。

具体的には、寸法Ｌ_x１及びＬ_y１はそれぞれ２２．５μｍ及び１５μｍとした。寸法Ｌ_x２及びＬ_y２はそれぞれ２２．５μｍ及び１５μｍとした。寸法Ｌ_x３及びＬ_y３はそれぞれ２２．５μｍ及び３７．５μｍとした。以下、このようにして得られた有機ＥＬ表示装置をサンプル１５と呼ぶ。

サンプル１と同様の試験を、サンプル１５に対しても行った。具体的には、サンプル１５を、サンプル１と消費電流が等しくなり、且つ、その画面を正面から観察したときに基準白色（Ｃ）が表示されるように駆動した。その結果、画面を正面から観察したときの輝度は５００ｃｄ／ｍ2であった。

次に、この状態で、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を順次点灯し、発光色毎に輝度と色度（ｕ’，ｖ’）とを測定した。その結果、画素ＰＸ１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、６ｃｄ／Ａ、（０．１４，０．２３）であった。また、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、３０ｃｄ／Ａ、（０．０８，０．５８）であった。そして、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、赤色が１５ｃｄ／Ａ、（０．４８，０．５３）であった。

次に、この状態で、画面の法線に対して６０°の方向から画面を観察し、表示色の基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’を測定した。その結果、色ずれΔｕ’ｖ’は、０．０１５であった。

また、白色点灯時の通電による基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’を測定した。その結果、１００００時間経過後で、色ずれΔｕ’ｖ’は、サンプル１３の０．１５０に対し、０．０３０であった。

（実施例１５）
本例では、図７に示す構造の代わりに図２１に示す構造を採用したこと以外はサンプル１３について説明したのと同様の方法により、図１及び図２に示す有機ＥＬ表示装置を製造した。このようにして得られた有機ＥＬ表示装置をサンプル１５と呼ぶ。

サンプル１と同様の試験を、サンプル１５に対しても行った。具体的には、サンプル１５を、サンプル１と消費電流が等しくなり、且つ、その画面を正面から観察したときに基準白色（Ｃ）が表示されるように駆動した。その結果、画面を正面から観察したときの輝度は５００ｃｄ／ｍ2であった。

次に、この状態で、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を順次点灯し、発光色毎に輝度と色度（ｕ’，ｖ’）とを測定した。その結果、画素ＰＸ１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、６ｃｄ／Ａ、（０．１４，０．２３）であった。また、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、３０ｃｄ／Ａ、（０．０８，０．５８）であった。そして、画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについては、赤色が１５ｃｄ／Ａ、（０．４８，０．５３）であった。

次に、この状態で、画面の法線に対して６０°の方向から画面を観察し、表示色の基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’を測定した。その結果、色ずれΔｕ’ｖ’は、０．０１５であった。

また、白色点灯時の通電による基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’を測定した。その結果、１００００時間経過後で、色ずれΔｕ’ｖ’は、サンプル１３の０．１５０に対し、０．０３０であった。

（比較例２）
図２３は、比較例２に係る有機ＥＬ表示装置が含む有機ＥＬ素子の構造を概略的に示す断面図である。

本例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに図２３の構造を採用したこと以外はサンプル２について説明したのと同様の方法により、図１及び図２の有機ＥＬ表示装置を製造した。具体的には、本例では、以下の方法により正孔輸送層ＨＴＬ及び発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３を形成した。

すなわち、画素ＰＸ３の画素電極ＰＥに対応した位置に、厚さ１１０ｎｍの第１正孔輸送材料層を形成した。第１正孔輸送材料層は、画素ＰＸ３の列に対応して開口が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着法により形成した。そして、画素ＰＸ２の画素電極ＰＥに対応した位置に、厚さ６０ｎｍの第２正孔輸送材料層を形成した。第２正孔輸送材料層２は、画素ＰＸ２の列に対応して開口が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着法により形成した。さらに、画素ＰＸ１の正孔注入層ＨＩＬとの上に、厚さ３０ｎｍの第３正孔輸送材料層を形成した。

発光層ＥＭＬ３は、正孔輸送層ＨＴＬ上であって、画素ＰＸ３の画素電極ＰＥに対応した位置に形成した。発光層ＥＭＬ３は、画素ＰＸ３の列に対応して開口が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着法により形成した。発光層ＥＭＬ２は、正孔輸送層ＨＴＬ上であって、画素ＰＸ２の画素電極ＰＥに対応した位置に形成した。発光層ＥＭＬ２は、画素ＰＸ２の列に対応して開口が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着法により形成した。発光層ＥＭＬ２の厚さは、発光層ＥＭＬ３の厚さと等しくした。発光層ＥＭＬ１は、正孔輸送層ＨＴＬ上であって、画素ＰＸ１の画素電極ＰＥに対応した位置に形成した。発光層ＥＭＬ１は、画素ＰＸ１の列に対応して開口が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着法により形成した。発光層ＥＭＬ１の厚さは、発光層ＥＭＬ３の厚さと等しくした。以下、このようにして得られた有機ＥＬ表示装置をサンプル１６と呼ぶ。

サンプル１と同様の試験を、サンプル１６に対しても行った。具体的には、サンプル１６を、サンプル１と消費電流が等しくなり、且つ、その画面を正面から観察したときに基準白色（Ｃ）が表示されるように駆動した。その結果、画面を正面から観察したときの輝度、発光色毎に輝度と色度（ｕ’，ｖ’）、画面の法線に対して６０°の方向からの表示色の基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’は、サンプル１と同等であった。
しかし、サンプル１と比較して、正孔輸送材料の使用量が，１０．５倍必要であった。

（比較例３）
図２４は、比較例３に係る有機ＥＬ表示装置が含む有機ＥＬ素子の構造を概略的に示す断面図である。

本例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに図２４の構造を採用したこと以外はサンプル２について説明したのと同様の方法により、図１及び図２の有機ＥＬ表示装置を製造した。具体的には、本例では、発光層ＥＭＬ３は、正孔輸送層ＨＴＬ上であって、画素ＰＸ３の画素電極ＰＥに対応した位置に形成した。発光層ＥＭＬ３は、画素ＰＸ３の列に対応して開口が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着法により形成した。発光層ＥＭＬ３の厚さを１１０ｎｍとした。発光層ＥＭＬ２は、正孔輸送層ＨＴＬ上であって、画素ＰＸ２の画素電極ＰＥに対応した位置に形成した。発光層ＥＭＬ２は、画素ＰＸ２の列に対応して開口が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着法により形成した。発光層ＥＭＬ２の位置は、基板ＳＵＢ上の目標位置に正確に一致させた。発光層ＥＭＬ２の厚さは６０ｎｍとした。発光層ＥＭＬ１は、正孔輸送層ＨＴＬ上であって、画素ＰＸ１の画素電極ＰＥに対応した位置に形成した。発光層ＥＭＬ１は、画素ＰＸ１の列に対応して開口が設けられたファインマスクを用いた真空蒸着法により形成した。発光層ＥＭＬ１の位置は、基板ＳＵＢ上の目標位置に正確に一致させた。発光層ＥＭＬ１の厚さは３０ｎｍとした。この有機ＥＬ表示装置をサンプル１７と呼ぶ。

サンプル１と同様の試験を、サンプル１７に対しても行った。具体的には、サンプル１７を、サンプル１と消費電流が等しくなり、且つ、その画面を正面から観察したときに基準白色（Ｃ）が表示されるように駆動した。その結果、画面を正面から観察したときの輝度、発光色毎に輝度と色度（ｕ’，ｖ’）、画面の法線に対して６０°の方向からの表示色の基準白色（Ｃ）からの色ずれΔｕ’ｖ’は、サンプル１と同等であった。
しかし、サンプル１と比較して、発光層ＥＭＬ３の材料使用量は、１．５倍、発光層ＥＭＬ２の材料使用量は、２倍必要であった。

本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図。 図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。 図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。 図２の表示装置で採用可能な発光層の配置の一例を概略的に示す平面図。 図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図。 図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図。 有機ＥＬ素子に図６の構造を採用した場合に、図２の表示装置で採用可能な発光層の配置の一例を概略的に示す平面図。 図６の構造の一変形例を示す断面図。 図６の構造の他の変形例を示す断面図。 図６の構造の他の変形例を示す断面図。 図６の構造の他の変形例を示す断面図。 図６の構造の他の変形例を示す断面図。 図６の構造の他の変形例を示す断面図。 図６の構造の他の変形例を示す断面図。 図６の構造の他の変形例を示す断面図。 図６の構造の他の変形例を示す断面図。 図６の構造の他の変形例を示す断面図。 図６の構造の他の変形例を示す断面図。 図６の構造の他の変形例を示す断面図。 発光層の配置の他の例を概略的に示す平面図。 発光層の配置の他の例を概略的に示す平面図。 比較例１に係る有機ＥＬ表示装置が含む有機ＥＬ素子の構造を概略的に示す断面図。 比較例２に係る有機ＥＬ表示装置が含む有機ＥＬ素子の構造を概略的に示す断面図。 比較例３に係る有機ＥＬ表示装置が含む有機ＥＬ素子の構造を概略的に示す断面図。

符号の説明

Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…対向電極、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＰ…表示パネル、ＤＲ…駆動トランジスタ、ＥＡ１…発光部、ＥＡ２…発光部、ＥＡ３…発光部、ＥＩＬ…電子注入層、ＥＭＬ１…発光層、ＥＭＬ２…発光層、ＥＭＬ３…発光層、ＥＴＬ…電子輸送層、Ｇ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＨＩＬ…正孔注入層、ＨＴＬ…正孔輸送層、ＩＩ…層間絶縁膜、ＭＣ…マッチング層、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＯＲＧ…有機物層、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ１…画素、ＰＸ２…画素、ＰＸ３…画素、ＲＥＦ…反射層、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷａ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｂ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｃ…スイッチングトランジスタ、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。

Claims (14)

1. 絶縁基板と、
   前記絶縁基板の上方に位置した走査信号線と、
   前記絶縁基板の上方に位置し、各々が前記走査信号線と交差した第１及び第２映像信号線と、
   前記絶縁基板の上方で、前記走査信号線と前記第１及び第２映像信号線との交差部に対応してそれぞれ配列した第１及び第２トランジスタと、
   前記絶縁基板の上方で前記第１及び第２トランジスタに対応してそれぞれ配列した第１及び第２画素電極と、
   前記走査信号線、前記第１及び第２映像信号線、並びに前記第１及び第２トランジスタの上方に位置し、前記第１及び第２画素電極の位置で開口しており、前記第１及び第２画素電極間の領域に対応した部分は、前記第１及び第２画素電極の配列方向に対して垂直な断面が先細りしている隔壁絶縁層と、
   前記第１及び第２画素電極並びに前記隔壁絶縁層の上方に形成された対向電極と、
   一部が前記第１画素電極と前記対向電極との間に介在し、他の一部が前記第２画素電極と前記対向電極との間に介在し、前記第１及び第２画素電極を含む領域に亘って広がった第１発光層と、
   前記第１及び第２画素電極のうち前記第２画素電極に対応した領域にのみ設けられ、前記第２画素電極と前記対向電極との間で前記第１発光層と重なり合った第２発光層と
   を具備し、
   前記第１画素電極と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成し、前記第２画素電極と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成している有機ＥＬ表示装置。
2. 前記第１及び第２画素電極は陽極であり、前記対向電極は陰極であり、前記第２発光層は前記第１発光層と前記第２画素電極との間に介在している請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. 前記第１画素電極に対応した第１部分は青色に発光し、前記第２画素電極に対応した第２部分は赤色又は緑色に発光する請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. 前記第１画素及び第２画素電極は厚さが等しい請求項１乃至３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
5. 絶縁基板と、
   前記絶縁基板の上方に位置した走査信号線と、
   前記絶縁基板の上方に位置し、各々が前記走査信号線と交差した第１乃至第３映像信号線と、
   前記絶縁基板の上方で、前記走査信号線と前記第１乃至第３映像信号線との交差部に対応してそれぞれ配列した第１乃至第３トランジスタと、
   前記絶縁基板の上方で前記第１乃至第３トランジスタに対応してそれぞれ配列した第１乃至第３画素電極と、
   前記走査信号線、前記第１乃至第３映像信号線、及び前記第１乃至第３トランジスタの上方に位置し、前記第１乃至第３画素電極の位置で開口しており、前記第１及び第２画素電極間の領域に対応した部分は、前記第１及び第２画素電極の配列方向に対して垂直な断面が先細りしており、前記第２及び第３画素電極間の領域に対応した部分は、前記第２及び第３画素電極の配列方向に対して垂直な断面が先細りしている隔壁絶縁層と、
   前記第１乃至第３画素電極及び前記隔壁絶縁層の上方に形成された対向電極と、
   一部が前記第１画素電極と前記対向電極との間に介在し、他の一部が前記第２画素電極と前記対向電極との間に介在し、更に他の一部が前記第３画素電極と前記対向電極との間に介在し、前記第１乃至第３画素電極を含む領域に亘って広がった第１発光層と、
   前記第１乃至第３画素電極のうち前記第２画素電極に対応した領域又は前記第２及び第３画素電極に対応した領域にのみ設けられ、少なくとも前記第２画素電極と前記対向電極との間で前記第１発光層と重なり合った第２発光層と、
   前記第１乃至第３画素電極のうち前記第３画素電極に対応した領域にのみ設けられ、前記第３画素電極と前記対向電極との間で前記第１発光層と重なり合った第３発光層と
   を具備し、
   前記第１画素電極と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成し、前記第２画素電極と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成し、前記第３画素電極と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成している有機ＥＬ表示装置。
6. 前記第２発光層は、前記第１乃至第３画素電極のうち前記第２画素電極に対応した領域にのみ設けられている請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
7. 前記第２発光層は、前記第１乃至第３画素電極のうち前記第２及び第３画素電極に対応した領域にのみ設けられている請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
8. 前記絶縁基板の主面に垂直な方向から観察した場合に、前記第３画素電極に対応した発光部は直角四辺形であり、前記第１画素電極に対応した発光部及び前記第２画素電極に対応した発光部の少なくとも一部は前記直角四辺形の辺に沿って折れ曲がっている請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
9. 絶縁基板と、
   前記絶縁基板の上方で、第１方向に各々が延び、前記第１方向と交差する第２方向に配列した第１乃至第３映像信号線と、
   前記絶縁基板の上方で前記第１乃至第３映像信号線と交差した複数の走査信号線と、
   前記絶縁基板の上方で、前記複数の走査信号線と前記第１映像信号線との交差部に対応して配列した複数の第１トランジスタと、
   前記絶縁基板の上方で、前記複数の走査信号線と前記第２映像信号線との交差部に対応して配列した複数の第２トランジスタと、
   前記絶縁基板の上方で、前記複数の走査信号線と前記第３映像信号線との交差部に対応して配列した複数の第３トランジスタと、
   前記絶縁基板の上方で前記複数の第１トランジスタに対応して前記第１方向に配列した複数の第１画素電極からなる第１列と、
   前記絶縁基板の上方で前記複数の第２トランジスタに対応して前記第１方向に配列した複数の第２画素電極からなり、前記第１列に対して前記第２方向に隣り合った第２列と、
   前記絶縁基板の上方で前記複数の第３トランジスタに対応して前記第１方向に配列した複数の第３画素電極からなり、前記第２列に対して前記第２方向に隣り合った第３列と、
   前記複数の走査信号線、前記複数の第１乃至第３映像信号線、及び前記複数の第１乃至第３トランジスタの上方に位置し、前記複数の第１乃至第３画素電極の位置で開口しており、前記第１及び第２画素電極間の領域に対応した部分は、前記第１及び第２画素電極の配列方向に対して垂直な断面が先細りしており、前記第２及び第３画素電極間の領域に対応した部分は、前記第２及び第３画素電極の配列方向に対して垂直な断面が先細りしている隔壁絶縁層と、
   前記第１乃至第３列及び前記隔壁絶縁層の上方に形成された対向電極と、
   前記第１乃至第３列と前記対向電極との間に介在し、前記第１乃至第３列を含む領域に亘って広がった第１発光層と、
   前記第１方向に延びた形状を有し、前記第１乃至第３列のうち前記第２列に対応した領域にのみ設けられ、前記第２列と前記対向電極との間で前記第１発光層と重なり合った第２発光層と、
   前記第１方向に延びた形状を有し、前記第１乃至第３列のうち前記第３列に対応した領域にのみ設けられ、前記第３列と前記対向電極との間で前記第１発光層と重なり合った第３発光層と
   を具備し、
   前記複数の第１画素電極の各々と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成し、前記複数の第２画素電極の各々と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成し、前記複数の第３画素電極の各々と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成している有機ＥＬ表示装置。
10. 絶縁基板と、
    前記絶縁基板の上方で、第１方向に各々が延び、前記第１方向と交差する第２方向に配列した第１乃至第３映像信号線と、
    前記絶縁基板の上方で前記第１乃至第３映像信号線と交差した複数の走査信号線と、
    前記絶縁基板の上方で、前記複数の走査信号線と前記第１映像信号線との交差部に対応して配列した複数の第１トランジスタと、
    前記絶縁基板の上方で、前記複数の走査信号線と前記第２映像信号線との交差部に対応して配列した複数の第２トランジスタと、
    前記絶縁基板の上方で、前記複数の走査信号線と前記第３映像信号線との交差部に対応して配列した複数の第３トランジスタと、
    前記絶縁基板の上方で前記複数の第１トランジスタに対応して前記第１方向に配列した複数の第１画素電極からなる第１列と、
    前記絶縁基板の上方で前記複数の第２トランジスタに対応して前記第１方向に配列した複数の第２画素電極からなり、前記第１列に対して前記第２方向に隣り合った第２列と、
    前記絶縁基板の上方で前記複数の第３トランジスタに対応して前記第１方向に配列した複数の第３画素電極からなり、前記第２列に対して前記第２方向に隣り合った第３列と、
    前記複数の走査信号線、前記複数の第１乃至第３映像信号線、及び前記複数の第１乃至第３トランジスタの上方に位置し、前記複数の第１乃至第３画素電極の位置で開口しており、前記第１及び第２画素電極間の領域に対応した部分は、前記第１及び第２画素電極の配列方向に対して垂直な断面が先細りしており、前記第２及び第３画素電極間の領域に対応した部分は、前記第２及び第３画素電極の配列方向に対して垂直な断面が先細りしている隔壁絶縁層と、
    前記第１乃至第３列及び前記隔壁絶縁層の上方に形成された対向電極と、
    前記第１乃至第３列と前記対向電極との間に介在し、前記第１乃至第３列を含む領域に亘って広がった第１発光層と、
    前記第１方向に延びた形状を有し、前記第１乃至第３列のうち前記第２及び第３列に対応した領域にのみ設けられ、前記第２列と前記対向電極との間及び前記第３列と前記対向電極との間で前記第１発光層と重なり合った第２発光層と、
    前記第１方向に延びた形状を有し、前記第１乃至第３列のうち前記第３列に対応した領域にのみ設けられ、前記第３列と前記対向電極との間で前記第１発光層と重なり合った第３発光層と
    を具備し、
    前記複数の第１画素電極の各々と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成し、前記複数の第２画素電極の各々と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成し、前記複数の第３画素電極の各々と前記対向電極とそれらに挟まれた部分とは光共振器を構成している有機ＥＬ表示装置。
11. 前記第１乃至第３画素電極は陽極であり、前記対向電極は陰極であり、前記第２発光層は前記第１発光層と前記第２画素電極との間に介在し、前記第３発光層は前記第１発光層と前記第３画素電極との間に介在している請求項５乃至１０の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
12. 前記第１画素電極に対応した第１部分は青色に発光し、前記第２画素電極に対応した第２部分は緑色に発光し、前記第３画素電極に対応した第３部分は赤色に発光する請求項５乃至１１の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
13. 前記第１乃至第３画素電極は厚さが等しい請求項５乃至１２の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
14. 正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び正孔ブロッキング層の少なくとも１つを更に具備した請求項１乃至１３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。

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