CN116390578A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本公开涉及有机发光显示装置及其制造方法。根据本公开的一方面，有机发光显示装置包括：基板，在该基板上设置有被配置成发射第一颜色的第一子像素、被配置成发射第二颜色的第二子像素和被配置成发射第三颜色的第三子像素；第一电极，该第一电极限定第一子像素、第二子像素和第三子像素的发光区域，并且设置在基板上；有机发光二极管，该有机发光二极管位于第一电极上；堤部，该堤部限定第一子像素、第二子像素和第三子像素的发光区域，并且设置在非发光区域中并暴露第一电极的上部；以及第二电极，该第二电极位于有机发光二极管上。有机发光二极管包括设置在非发光区域中的路径阻挡层。

Description

有机发光显示装置及其制造方法

技术领域

本公开涉及有机发光显示装置及其制造方法，并且更具体地涉及具有抑制由于漏电流引起的异常发光的串联结构的有机发光显示装置及其制造方法。

背景技术

有机发光显示装置(OLED)是自发光显示装置，并且使用有机发光二极管，其中，来自用于注入电子的阴极和用于注入空穴的阳极的电子和空穴被注入到发光材料层中，并且通过耦合注入的电子和空穴而形成的激子从激发态下降到基态以发光。

这种有机发光显示装置不需要单独光源，这与液晶显示装置(LCD)不同。因此，有机发光显示装置可以被制造成具有轻重量和小厚度。此外，由于有机发光显示装置以低电压驱动，因此不仅在功耗方面有优势，而且在颜色实现、响应速度、视角和对比度(CR)方面有优势。因此，正在研究有机发光显示装置作为下一代显示器。

发明内容

本发明人已经认识到随着显示器发展到高分辨率，单位区域中的像素数量增加并且需要高亮度。然而，由于有机发光显示装置的发光结构，在单位面积电流(A)中存在限制，并且由于施加的电流的增大，存在有机发光二极管的可靠性降低并且功耗增加的问题。

因此，需要克服作为阻碍有机发光显示装置的质量和生产率的因素的提高有机发光二极管的发光效率和寿命以及降低功耗的技术限制。此外，正在进行各种研究以开发在保持色域的同时提高发光效率、有机发光材料层的寿命和视角特性的有机发光二极管。

本公开要实现的目的是提供一种有机发光显示装置及其制造方法，该有机发光显示装置阻挡在低灰度级导致非预期相邻子像素的发光的漏电流流过的路径。

本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员可以通过以下描述清楚地理解上述未提及的其它目的。

根据本公开的一个方面，提供了一种有机发光显示装置。该有机发光显示装置包括：基板，在该基板中设置有被配置成发射第一颜色的第一子像素、被配置成发射第二颜色的第二子像素和被配置成发射第三颜色的第三子像素；第一电极，该第一电极限定第一子像素、第二子像素和第三子像素的发光区域，并且设置在基板上的发光区域中；有机发光二极管，该有机发光二极管位于第一电极上；堤部，该堤部限定第一子像素、第二子像素和第三子像素的发光区域，并且设置在非发光区域中并暴露第一电极的上部；以及第二电极，该第二电极位于有机发光二极管上。有机发光二极管包括设置在非发光区域中的路径阻挡层。

根据本公开的另一方面，提供了一种有机发光显示装置的制造方法。该有机发光显示装置的制造方法包括以下步骤：在形成有电路元件层的基板上形成第一电极；在第一电极上形成堤部以覆盖所述第一电极的端部；通过沿着第一电极和堤部沉积第一有机发光材料来形成第一发光单元；仅在堤部上方沉积有机材料以形成路径阻挡层；在第一发光单元和路径阻挡层上方沉积n型电荷产生材料；分离沉积在路径阻挡层上方的n型电荷产生材料以形成第一电荷产生层；在第一电荷产生层和路径阻挡层上方沉积p型电荷产生材料以形成第二电荷产生层；以及通过在第二电荷产生层上方沉积第二有机发光材料来形成第二发光单元。

示例性实施方式的其它详细内容包括在具体实施方式和附图中。

根据本公开，包括有机材料的路径阻挡层在与发光区域的第一电荷产生层相同的水平处形成在非发光区域中，以阻挡由于包括在第一电荷产生层中的金属材料引起的水平漏电流流动路径。通过这样做，阻止了非预期子像素发光的异常发光，从而提高有机发光显示装置的显示质量。

根据本公开的效果不限于以上示例的内容，并且在本说明书中包括更多的各种效果。

附图说明

从下面结合附图进行的详细描述中，将更清楚地理解本公开的上述及其它方面、特征及其它优势，在附图中：

图1是根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的平面图；

图2是例示图1的像素的示例的平面图；

图3是沿着图2中的线III-III'截取的截面图；

图4是示意性例示根据本公开的示例性实施方式的像素的发光区域的图；

图5是示意性例示根据本公开的示例性实施方式的像素的非发光区域的图；

图6A至图6F是例示根据本公开的示例性实施方式的有机发光材料层的制造方法的图；

图7是例示图1的像素的另一示例的平面图；以及

图8是例示图1的像素的又一示例的平面图。

具体实施方式

通过参照在下文中详细描述的示例性实施方式和附图，本公开的优势和特征以及实现这些优势和特征的方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文中公开的示例性实施方式，而是将被实现成各种形式。通过仅示例的方式来提供例示性实施方式，使得本领域普通技术人员能够完全理解本公开所公开的内容和本公开的范围。

附图中所例示的用于描述本公开的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等等仅仅是示例，并且本公开不限于此。除非另有说明，否则相同的附图标记在整个说明书中通常表示相同的元件。此外，在本公开的下面的描述中，为了避免不必要地模糊本公开的主题，可以省略或可以简略提供已知相关技术的详细说明。本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“由...组成”的用语一般旨在允许添加其它组件，除非该用语与用于“仅”一起使用。除非另有明确陈述，否则任何单数的引用可以包括复数。

即使没有明确说明，组件也被解释成包括普通的误差范围。

当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“靠近”的用语来描述两个部件之间的位置关系时，除非使用这些用语与用于“紧接着”或“直接”一起使用，否则在该两个部件之间可以定位有一个或更多个部件。

当元件或层设置在另一元件或层“上”时，该元件或层可以直接设置在另一元件或层上，或者其它元件或层可以插置在该元件或层与另一元件或层之间。

尽管用语“第一”、“第二”等被用于描述各种组件，但是这些组件不受这些用语的约束。这些用语仅用于将一个组件与其它组件区分开。因此，下文提及的第一组件在本公开的技术概念中可以是第二组件。

相同的附图标记在整个说明书中通常表示相同的元件。

为了便于描述，例示了附图中所示的每个组件的尺寸和厚度，并且本公开不限于所示的组件的尺寸和厚度。

本公开的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此附接或组合，并且可以以技术上各种方式互锁和操作，并且这些示例实施方式可以彼此独立地或相关联地执行。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的示例性实施方式的显示装置。

图1是根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的平面图。参照图1，根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置100包括显示面板110、选通驱动器120、数据驱动器130、柔性膜140、电路板150和定时控制器160。

显示面板110包括第一基板和第二基板。第一基板可以是塑料薄膜或玻璃基板，并且选通线、数据线和多个像素P设置在第一基板上。第二基板定位成与第一基板相对，并且可以是塑料薄膜、玻璃基板或封装基板。

显示面板110可以被划分成显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。在显示区域DA中，可以设置选通线、数据线和像素，并且在非显示区域NDA中，可以设置选通驱动器120和焊盘。

像素P中的每个像素可以包括薄膜晶体管和有机发光二极管，有机发光二极管包括第一电极、有机发光材料层和第二电极。这里，有机发光材料层是其中第一发光单元和第二发光单元顺序地层叠的串联有机发光材料层。当从选通线输入选通信号时，每个像素使用薄膜晶体管根据数据线的数据电压向有机发光二极管提供预定或选定的电流。通过这样做，每个像素的有机发光二极管可以根据预定或选定的电流发射具有预定或选定的亮度的光。将参照图2至图5更详细地描述每个像素的结构。

选通驱动器120根据从定时控制器160输入的选通控制信号来向选通线提供选通信号。选通驱动器120可以以面板内栅极(GIP)方式设置在显示面板110的显示区域DA的一个外侧或两个外侧处的非显示区域NDA中。另选地，选通驱动器120可以被制造成驱动芯片以安装在柔性膜中，或者以带式自动接合(TAB)方式附接在显示面板110的显示区域DA的一个外侧或两个外侧处的非显示区域NDA处。

数据驱动器130从定时控制器160接收数字视频数据和源极控制信号。数据驱动器130根据源极控制信号来将数字视频数据转换成模拟数据电压，以将模拟数据电压提供给数据线。

在显示面板110的非显示区域NDA中，可以形成例如数据焊盘的焊盘。在柔性膜140中，可以设置将焊盘和数据驱动器130连接起来的布线以及将焊盘和电路板150的布线连接起来的布线。柔性膜140使用各向异性导电膜附接在焊盘上，以连接焊盘和柔性膜140的布线。

电路板150可以附接到柔性膜140。在电路板150中，可以安装通过驱动芯片实现的多个电路。例如，定时控制器160可以安装在电路板150上。电路板150可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。

定时控制器160借助电路板150的线缆从外部***板接收数字视频数据和定时信号。定时控制器160基于定时信号来生成用于控制选通驱动器120的操作定时的选通控制信号和用于控制数据驱动器130的源极控制信号。定时控制器160向选通驱动器120提供选通控制信号，并向数据驱动器130提供源极控制信号。

接下来，将参照图2至图5更详细地描述根据本公开的示例性实施方式的设置在有机发光显示装置100的显示区域DA中的像素的结构。

图2是例示图1的像素的示例的平面图。图3是沿着图2中的线III-III'截取的截面图。图4是示意性例示根据本公开的示例性实施方式的像素的发光区域的图。图5是示意性例示根据本公开的示例性实施方式的像素的非发光区域的图。参照图2至图5，根据本公开的示例性实施方式的设置在有机发光显示装置100的显示区域DA中的每个像素P包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。

第一子像素SP1是发射作为第一颜色光的红光的红色子像素，第二子像素SP2是发射作为第二颜色光的绿光的绿色子像素，并且第三子像素SP3是发射作为第三颜色光的蓝光的蓝色子像素。这里，在本公开的示例性实施方式中，描述了每个像素包括三个子像素，但不限于此。例如，每个像素可以包括四个子像素，并且进一步包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素以及白色子像素。

每个子像素SP1、SP2或SP3包括发光区域EA和非发光区域NEA。

发光区域EA是其中设置有机发光二极管以发光的区域，并且由设置在发光区域EA中的第一电极或有机发光二极管限定。

非发光区域NEA是从像素P排除发光区域EA的区域。在非发光区域中，不设置发光二极管，从而光不被发射。换句话说，非发光区域NEA可以是围绕发光区域EA的区域，并且可以是其中设置有限定每个子像素SP1、SP2或SP3的区域的堤部的区域。此外，在非发光区域NEA中，可以形成路径阻挡层423，路径阻挡层423抑制由于漏电流而在相邻像素中产生的非预期发光。

如图2所示，路径阻挡层423可以沿垂直方向(也就是说，Y轴方向)以条纹图案形成在沿水平方向(也就是说，X轴方向)设置的子像素SP1、SP2和SP3之间。即，垂直方向是垂直于水平方向(第二方向)的第一方向。路径阻挡层423包括被图案化的有机材料，例如，可以包括包含二氧化碳、二苯基二氟硅烷、蒽、芘和全氟乙烯的有机材料。此外，路径阻挡层423使用精细金属掩模(FMM)形成。因此，在根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置100中，路径阻挡层423形成在限定每个子像素SP1、SP2或SP3的堤部上。因此，水平方向上的漏电流流动路径被阻挡以使非预期相邻子像素的异常发光最小化和/或减少。

如图3所示，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个子像素包括位于第一基板111上的电路元件层200、第一电极300、有机发光材料层400和第二电极500。

第一基板111可以包括玻璃或塑料，但不必限于此，并且可以包括例如硅晶片的半导体材料。第一基板111可以包括透明材料或不透明材料。根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置100可以形成为其中发射的光出射到上部的顶部发光型，但不必限于此。如果根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置100形成为其中发射的光朝向上部出射的顶部发光型，则第一基板111不仅可以使用透明材料，而且可以使用不透明材料。相比之下，如果根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置100形成为其中发射的光朝向下部出射的底部发光型，则第一基板111可以使用透明材料。

电路元件层200形成在第一基板111上。在电路元件层200中，可以针对每个子像素SP1、SP2或SP3设置包括各种信号线、薄膜晶体管和电容器的电路元件。信号线可以包括选通线、数据线、电源线和参考线，并且薄膜晶体管可以包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管TFT和感测薄膜晶体管。

开关薄膜晶体管根据提供给选通线的选通信号进行切换，以将从数据线提供的数据电压提供给驱动薄膜晶体管TFT。

驱动薄膜晶体管TFT根据从开关薄膜晶体管提供的数据电压进行切换，以根据从电源线提供的电力产生数据电流，从而将数据电流提供给第一电极300。

感测薄膜晶体管用于感测作为图像质量劣化的原因的驱动薄膜晶体管TFT的阈值电压偏差，以响应于从选通线或单独的感测线提供的感测控制信号而将驱动薄膜晶体管TFT的电流提供给参考线。

电容器用于在一帧内维持提供给驱动薄膜晶体管TFT的数据电压，并且连接到驱动薄膜晶体管TFT的栅极端子和源极端子。

在电路元件层200上，绝缘层211可以形成在薄膜晶体管与第一电极300之间。更具体地，绝缘层211可以是用于保护薄膜晶体管TFT的保护层或者用于使由于薄膜晶体管TFT引起的台阶平坦化的平坦化层。

在这种电路元件层200中，针对每个子像素SP1、SP2或SP3设置穿过绝缘层211的接触孔CH，以通过接触孔CH将驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子与第一电极300电连接。

第一电极300形成在电路元件层200上，以针对每个子像素SP1、SP2或SP3图案化。第一电极300通过接触孔CH连接到驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子。因此，通过接触孔CH从驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子向第一电极300施加高电位电压。

第一电极300可以限定第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个子像素的发光区域EA。也就是说，在每个子像素SP1、SP2或SP3中，形成第一电极300的区域可以是发光区域EA。相比之下，在每个子像素SP1、SP2或SP3中，未形成第一电极300的区域可以是非发光区域NEA。

第一电极300可以包括透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射率的金属材料。当有机发光显示装置100形成为顶部发光型时，第一电极300可以包括具有高反射率的金属材料形成，诸如铝和钛的层压结构Ti/Al/Ti、铝和ITO的层压结构ITO/AL/ITO、Ag合金以及Ag合金和ITO的层压结构(ITO/Ag合金/ITO)。Ag合金可以是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。此外，当有机发光显示装置100形成为底部发光型时，第一电极300可以包括诸如ITO或IZO之类的透射光的透明金属材料(TCO，透明导电材料)或者诸如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金之类的半透射导电材料。这种第一电极300可以是阳极。

堤部350可以形成在电路元件层200上以覆盖第一电极300的每个端部。也就是说，堤部350可以位于子像素SP1、SP2和SP3之间，因此堤部350可以限定每个子像素(SP1、SP2、SP3)区域或发光区域EA。堤部350可以包括无机绝缘层和/或有机绝缘层。在堤部350中，接触孔被形成为暴露每个子像素SP1、SP2或SP3的第一电极300的上表面。

有机发光材料层400设置在第一电极300和堤部350上。如图4和图5所示，有机发光材料层400可以包括第一发光单元410、电荷产生单元420和第二发光单元430。更具体地，有机发光材料层400可以具有通过顺序层压第一发光单元410和第二发光单元430而配置的双叠层结构。

第一发光单元410位于第一电极300与电荷产生单元420之间，并且包括空穴注入层(HIL)411、第一空穴传输层(HTL)412、第一发光材料层(EML)413和第一电子传输层(ETL)414。更具体地，第一发光单元410可以通过顺序层压空穴注入层411、第一空穴传输层412、第一发光材料层413和第一电子传输层414来配置。

电荷产生单元420位于第一发光单元410与第二发光单元430之间，并且控制第一发光单元410与第二发光单元430之间的电荷平衡。

电荷产生单元420可以包括第一电荷产生层421、第二电荷产生层422和路径阻挡层423。电荷产生单元420可以在发光区域EA与非发光区域NEA中具有不同的层压结构。更具体地，在发光区域EA中，层压与第一发光单元410相邻的第一电荷产生层421和与第二发光单元430相邻的第二电荷产生层422。在非发光区域NEA中，层压与第一发光单元410相邻的路径阻挡层423和与第二发光单元430相邻的第二电荷产生层422。

第一电荷产生层421用作n型电荷产生层n-CGL，该n型电荷产生层n-CGL有助于将电子注入位于第一电荷产生层421下方的第一发光单元410中，并且在发光区域EA中位于第一发光单元410与第二电荷产生层422之间。第一电荷产生层421可以包括用于注入电子的碱金属、碱金属化合物或有机材料或其化合物。此外，第一电荷产生层421的主体材料可以包括与第一电子传输层414的材料相同的材料。例如，主体材料可以包括混合层，其中例如蒽衍生物的有机材料掺杂有例如锂的掺杂剂，但不限于此。

第二电荷产生层422用作p型电荷产生层p-CGL，其有助于将空穴注入到位于第二电荷产生层422上方的第二发光单元430中。在发光区域EA中，第二电荷产生层422位于第一电荷产生层421与第二发光单元430之间，并且在非发光区域NEA中，第二电荷产生层422位于路径阻挡层423与第二发光单元430之间。第二电荷产生层422的主体材料可以包括与空穴注入层411和第一空穴传输层412的材料相同的材料。例如，第二电荷产生层的主体材料可以包括混合层，其中诸如1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲六腈(HATCN)、酞菁铜(CuPc)和三(4-溴苯基)六氯锑酸铝(TBAHA)之类的有机材料掺杂有p型掺杂剂，但不限于此。此外，p型掺杂剂包括F4-TCNQ或NDP-9中的任一种，但不限于此。

路径阻挡层423用于阻挡由于形成在发光区域EA中的第一电荷产生层421中所包括的金属材料而导致的漏电流路径，并且可以使用精细金属掩模(FMM)在非发光区域NEA中仅位于堤部350上。更具体地，路径阻挡层423位于第一发光单元410的第一电子传输层414与第二电荷产生层422之间，形成在堤部350上。也就是说，路径阻挡层423可以与第一电荷产生层421位于同一水平。因此，在发光区域EA中，第一电荷产生层421位于第一电子传输层414与第二电荷产生层422之间。此外，在非发光区域NEA中，路径阻挡层423位于第一电子传输层414与第二电荷产生层422之间。路径阻挡层423包括有机材料，例如，可以包括包含二氧化碳、二苯基二氟硅烷、蒽、芘、全氟乙烯等的有机材料。

第二发光单元430在发光区域EA中位于电荷产生单元420与第二电极500之间，并且包括第二空穴传输层(HTL)431、第二发光材料层EML 432和第二电子传输层(ETL)433。更具体地，第二发光单元430可以通过顺序层压第二空穴传输层431、第二发光材料层432和第二电子传输层433来配置。

第二电极500可以位于第二发光单元430上。第二电极500可以包括透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射率的金属材料。当根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置100形成为顶部发光型时，第二电极500可以包括诸如ITO或IZO之类的透射光的透明金属材料(TCO，透明导电材料)或者诸如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金之类的半透射导电材料形成。当有机发光显示装置100形成为底部发光型时，第二电极500可以包括具有高反射率的金属材料，诸如铝和钛的层压结构Ti/Al/Ti、铝和ITO的层压结构ITO/AL/ITO、Ag合金以及Ag合金和ITO的层压结构(ITO/Ag合金/ITO)。这种第二电极500可以是阴极。

将参照图6A至图6F更详细地描述根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置100的有机发光材料层400的形成工艺。

图6A至图6F是例示根据本公开的示例性实施方式的有机发光材料层的制造方法的图。

首先，参照图6A，在形成有电路元件层200的第一基板111上形成第一电极300和用于限定每个子像素SP1、SP2或SP3或发光区域EA的堤部350。此时，第一电极300可以包括具有高反射率的金属材料，诸如铝和钛的层压结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的层压结构(ITO/Al/ITO)、APC合金以及APC合金和ITO的层压结构(ITO/APC/ITO)。第一电极可以通过例如溅射的物理气相沉积方法来形成。此外，堤部350可以包括有机材料和/或无机材料，并且通过在形成第一电极300之后沉积无机材料和/或有机材料并蚀刻无机材料和/或有机材料以暴露第一电极300的上表面而形成。

接下来，如图6B所示，根据第一电极300和堤部350的形状在第一基板111上沉积第一有机发光材料(EL材料)，以形成有机发光材料层400的第一发光单元410。这里，可以使用其中开口形成在整个显示区域中的开口金属掩模(OMM)来沉积第一有机发光材料。

接下来，如图6C所示，在其上形成有第一发光单元410的第一基板111上沉积路径阻挡材料(PC材料)，以在堤部350上的第一发光单元410上形成路径阻挡层423。此时，可以使用精细金属掩模M来仅在非发光区域NEA中沉积路径阻挡材料，该非发光区域NEA是堤部350上的区域。路径阻挡材料可以包括有机材料，该有机材料包括二氧化碳、二苯基二氟硅烷、蒽、芘和全氟乙烯。

接下来，如图6D所示，根据第一发光单元410的形状在第一基板111上沉积n型电荷产生材料。此时，n型电荷产生材料可以是用于注入电子的碱金属、碱金属化合物或有机材料或其化合物。可以通过路径阻挡层423和n型电荷产生材料的表面力差来中断膜形成，使得n型电荷产生材料可以不沉积在路径阻挡层423上。因此，在发光区域EA中，第一电荷产生层421可以形成在第一发光单元410上，并且在非发光区域NEA中，第一电荷产生层421可以不形成在路径阻挡层423上。

接下来，如图6E所示，在第一基板111上的第一电荷产生层421和路径阻挡层423上沉积p型电荷产生材料(p-CGL材料)，以形成第二电荷产生层422。这里，使用其中开口形成在整个显示区域中的开口金属掩模OMM来沉积p型电荷产生材料，并且p型电荷产生材料包括混合层，其中，诸如1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲六腈(HATCN)、酞菁铜(CuPc)和三(4-溴苯基)六氯锑酸铝(TBAHA)之类的有机材料掺杂有p型掺杂剂。

接下来，如图6F所示，当在第一基板111的第二电荷产生层422上沉积第二有机发光材料(EL材料)以形成有机发光材料层400的第二发光单元430时，形成根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置100的有机发光材料层400。

提出了用于提高有机发光二极管的效率和寿命并降低功耗的各种有机发光二极管结构，以提高有机发光显示装置的质量和生产率。因此，已经提出了具有使用多个叠层(也就是说，多个发光单元的层压件)的串联结构的有机发光二极管，以实现改进的效率和寿命特性，以及应用一个叠层(也就是说，一个发光单元)的有机发光二极管。

在具有串联结构(也就是说，使用第一发光单元和第二发光单元的层压件的双叠层结构)的有机发光二极管中，通过电子和空穴的复合而发光的发光区域设置在第一发光单元和第二发光单元中的每个发光单元中。因此，与具有单叠层结构的有机发光二极管相比，从第一发光单元的第一有机发光材料层和第二发光单元的第二有机发光材料层发射的光导致相长干涉以提供高亮度。

此外，具有串联结构的有机发光二极管具有设置在第一发光单元与第二发光单元之间的提供正电荷和负电荷的电荷产生层CGL。

关于此，提供负电荷的n型电荷产生层通常包括例如锂(Li)的碱金属或碱金属化合物。这种n型电荷产生层沉积在整个表面上，使得包括在n型电荷产生层中的金属材料产生漏电流流过的路径。因此，不仅在低灰度级发射单色光时需要发光的子像素，而且不需要发光的相邻子像素发光以引起颜色混合缺陷。

为了解决非预期相邻子像素由于通过电荷产生层的漏电流而发光的异常发光问题，存在一种使用精细金属掩模在子像素中单独形成n型电荷产生层的方法。然而，n型电荷产生层包括金属材料，使得难以使用精细金属掩模来形成n型电荷产生层。

因此，根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置100的有机发光材料层400形成为具有串联结构。此外，在向第一发光单元410和第二发光单元430提供负电荷和正电荷的电荷产生单元420中，在非发光区域NEA中，不形成第一电荷产生层421，而是形成路径阻挡层423。通过这样做，水平漏电流路径被阻挡以抑制非预期子像素SP的异常发光。

图7是例示图1的像素的另一示例的平面图。参照图7，根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置700的像素P’在发光区域EA中可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3沿水平方向(也就是说，沿X轴方向)以恒定间隔平行地彼此间隔开。此外，在非发光区域NEA中，在子像素SP的边缘处沿水平方向(也就是说，沿X轴方向)设置第二路径阻挡层723-2，并且在子像素SP的边缘之间沿作为垂直方向的Y轴方向设置第一路径阻挡层723-1。也就是说，根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置700的像素P’可以设置有网状结构，以沿X轴方向和Y轴方向围绕子像素的边缘。

如上所述，在根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置700的像素P’中，路径阻挡层723沿水平方向和垂直方向设置成与每个子像素SP相邻。因此，流向与发光的子像素SP相邻的子像素SP的漏电流路径被阻挡，从而可以抑制由流入预期不发光的相邻子像素SP的漏电流引起的异常发光。

图8是例示图1的像素的又一示例的平面图。参照图8，根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置的像素P”具有其中红色(R)子像素、绿色(G)子像素、蓝色(B)子像素SP(例如，R13、R21和R25；G12、G14、G22和G24；B11、B15和B23)以菱形图案设置的菱形pentile像素排列结构。具有菱形图案的每个子像素SP可以包括第一方向上的边和与第一方向上的边交叉的第二方向上的边。这里，第一方向和第二方向可以是与X轴方向和Y轴方向不同的不同对角方向。如上所述，像素P”以菱形图案设置的pentile像素排列结构具有优异的感知图像质量。

如上所述，在具有pentile像素排列结构的像素P”中，在其中设置有选通线和数据线的非发光区域NEA中，路径阻挡层823被设置成与每个子像素SP相邻。路径阻挡层823可以包括沿第一方向设置的第三路径阻挡层823-1和沿第二方向设置的第四路径阻挡层823-2。因此，根据本公开的另一示例性实施方式的具有pentile像素排列结构的有机发光显示装置800抑制了由于流向相邻像素P”的漏电流导致的异常发光而引起的混合发光，以更清楚地显示有机发光显示装置800的发光颜色。

本公开的示例性实施方式还可以如下描述：

根据本公开的一方面，提供了一种有机发光显示装置。该有机发光显示装置包括：基板，在该基板中设置有发射第一颜色的第一子像素、发射第二颜色的第二子像素和发射第三颜色的第三子像素；第一电极，该第一电极限定第一子像素、第二子像素和第三子像素的发光区域，并且设置在基板上的发光区域中；有机发光二极管，该有机发光二极管位于第一电极上；堤部，该堤部限定第一子像素、第二子像素和第三子像素的发光区域，并且设置在非发光区域中以暴露第一电极的上部；以及第二电极，该第二电极位于有机发光二极管上。有机发光二极管包括设置在非发光区域中的路径阻挡层。

有机发光二极管可以包括：第一发光单元，该第一发光单元可以位于第一电极上；电荷产生单元，该电荷产生单元可以位于第一发光单元上；第二发光单元，该第二发光单元可以位于电荷产生单元上，并且电荷产生单元可以包括路径阻挡层。

电荷产生单元可以包括：第一电荷产生层，该第一电荷产生层可以位于发光区域中的第一发光单元上；路径阻挡层，该路径阻挡层可以位于非发光区域中的第一发光单元上；以及第二电荷产生层，该第二电荷产生层可以位于设置在发光区域中的第一电荷产生层以及设置在非发光区域中的路径阻挡层上。

第一电荷产生层和路径阻挡层可以位于同一水平。

路径阻挡层可以包括包含有机材料的有机材料层，并且有机材料可以包括二氧化碳、二苯基二氟硅烷、蒽、芘和全氟乙烯中的至少一种。

路径阻挡层可以包括有机材料层和金属颗粒层，有机材料层可以设置在非发光区域中的第一发光单元上并且可以包括有机材料，金属颗粒层可以设置在有机材料层上方并且可以包括金属颗粒。

金属颗粒可以是与包括在形成第一电荷产生层的材料中的金属材料相同的材料。

第一子像素、第二子像素和第三子像素可以设置在基板上以沿水平方向以恒定间隔彼此间隔开，并且路径阻挡层可以在子像素之间沿垂直方向以条纹形状设置在非发光区域中。也就是说，路径阻挡层可以形成或布置成条纹或平行线。

第一子像素、第二子像素和第三子像素可以设置在基板上以沿水平方向以恒定间隔彼此间隔开，并且路径阻挡层可以包括在非发光区域中在子像素的边缘之间可以沿垂直方向设置的第一路径阻挡层和可以沿水平方向设置的第二路径阻挡层。

第一子像素、第二子像素和第三子像素可以以菱形图案设置以具有菱形pentile形状或构造并且相邻的子像素可以设置成沿第一方向和与第一方向交叉的第二方向彼此间隔开，路径阻挡层可以包括在非发光区域中沿第一方向设置的第三路径阻挡层和沿第二方向设置的第四路径阻挡层。

根据本公开的另一方面，提供了一种有机发光显示装置的制造方法。该有机发光显示装置的制造方法可以包括以下步骤：在形成有电路元件层的基板上形成第一电极；在第一电极上形成堤部以覆盖所述第一电极的端部；通过沿着第一电极和堤部沉积第一有机发光材料来形成第一发光单元；仅在堤部上方沉积有机材料以形成路径阻挡层；在第一发光单元和路径阻挡层上方沉积n型电荷产生材料；分离沉积在路径阻挡层上方的n型电荷产生材料以形成第一电荷产生层；在第一电荷产生层和路径阻挡层上方沉积p型电荷产生材料以形成第二电荷产生层；以及通过在第二电荷产生层上方沉积第二有机发光材料来形成第二发光单元。

在n型电荷产生材料的沉积的步骤中，可以使用开口金属掩模。

在通过沉积有机材料来形成路径阻挡层的步骤中，可以使用精细金属掩模。

虽然已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施方式，但是本公开不限于此，并且可以在不脱离本公开的技术概念的情况下以许多不同的形式实现。因此，提供本公开的示例性实施方式仅用于例示性目的，而不旨在限制本公开的技术概念。本公开的技术概念的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面是例示性的，并且不限制本公开。本公开的保护范围应当基于所附权利要求来解释，并且在其等效范围内的所有技术概念应当被解释为落入本公开的范围内。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年12月31日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0194334的优先权，其公开内容通过引用并入本文。

Claims (13)

1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：

基板，在所述基板上设置有被配置成发射第一颜色的第一子像素、被配置成发射第二颜色的第二子像素和被配置成发射第三颜色的第三子像素；

第一电极，所述第一电极限定所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的发光区域，并且设置在所述基板上；

有机发光二极管，所述有机发光二极管位于所述第一电极上；

堤部，所述堤部限定所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的所述发光区域，并且设置在非发光区域中并暴露所述第一电极的上部；以及

第二电极，所述第二电极位于所述有机发光二极管上，

其中，所述有机发光二极管包括设置在所述非发光区域中的路径阻挡层。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述有机发光二极管包括：

第一发光单元，所述第一发光单元位于所述第一电极上；

电荷产生单元，所述电荷产生单元位于所述第一发光单元上；以及

第二发光单元，所述第二发光单元位于所述电荷产生单元上，并且

所述电荷产生单元包括所述路径阻挡层。

3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述电荷产生单元包括：

第一电荷产生层，所述第一电荷产生层位于所述发光区域中的所述第一发光单元上并设置在所述发光区域中；

所述路径阻挡层，所述路径阻挡层位于所述非发光区域中的所述第一发光单元上；以及

第二电荷产生层，所述第二电荷产生层位于设置在所述发光区域中的所述第一电荷产生层和设置在所述非发光区域中的所述路径阻挡层上。

4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述第一电荷产生层和所述路径阻挡层位于同一水平。

5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述路径阻挡层包括包含有机材料的有机材料层，并且所述有机材料包括二氧化碳、二苯基二氟硅烷、蒽、芘和全氟乙烯中的至少一种。

6.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述路径阻挡层包括：

有机材料层，所述有机材料层设置在所述非发光区域中的所述第一发光单元上并且包括有机材料；以及

金属颗粒层，所述金属颗粒层设置在所述有机材料层上方并且包括金属颗粒。

7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中，所述金属颗粒是与包括在形成所述电荷产生单元的第一电荷产生层的材料中的金属材料相同的材料。

8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素设置在所述基板上以沿水平方向以恒定间隔彼此间隔开，并且所述路径阻挡层在子像素之间沿垂直方向以条纹形状设置在所述非发光区域中。

9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素设置在所述基板上以沿水平方向以恒定间隔彼此间隔开，并且所述路径阻挡层包括在所述非发光区域中的子像素的边缘之间沿垂直方向设置的第一路径阻挡层和沿水平方向设置的第二路径阻挡层。

10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素被设置成菱形图案以具有菱形pentile形状并且相邻的子像素被设置成沿第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向彼此间隔开，并且所述路径阻挡层包括在所述非发光区域中沿所述第一方向设置的第三路径阻挡层和沿所述第二方向设置的第四路径阻挡层。

11.一种有机发光显示装置的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：

在形成有电路元件层的基板上形成第一电极；

在所述第一电极上形成堤部以覆盖所述第一电极的端部；

通过沿着所述第一电极和所述堤部沉积第一有机发光材料来形成第一发光单元；

仅在所述堤部上方沉积有机材料以形成路径阻挡层；

在所述第一发光单元和所述路径阻挡层上方沉积n型电荷产生材料；

分离沉积在所述路径阻挡层上方的所述n型电荷产生材料以形成第一电荷产生层；

在所述第一电荷产生层和所述路径阻挡层上方沉积p型电荷产生材料以形成第二电荷产生层；以及

通过在所述第二电荷产生层上方沉积第二有机发光材料来形成第二发光单元。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，在沉积n型电荷产生材料的步骤中，使用开口金属掩模。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，在通过沉积有机材料来形成所述路径阻挡层的步骤中，使用精细金属掩模。

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