JP5125950B2 - プラズマエッチング方法及び装置 - Google Patents
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Description
図1は本発明の実施の形態1に係るプラズマエッチング装置を示す概略図である。本発明の実施の形態1に係るプラズマエッチング装置は、外部アンテナ式のICPエッチング装置であり、プロセスチャンバ1の上部に配置されている誘電コイル2を具備し、誘電コイル2の周辺を覆う絶縁層3を具備している。また、プロセスチャンバ1の内部には、バイアス電極4が配置されている。バイアス電極4の上には、エッチングを行う被エッチング材である基板100が設置される。
次に、本発明の実施の形態2を図面に基づいて説明する。図2は本発明の実施の形態2に係るプラズマエッチング装置を示す概略図である。本発明の実施の形態2においては、本発明の実施の形態1と同じ構成要素には同じ参照符号を付してその説明を省略する。
次に、本発明の実施の形態3を図面に基づいて説明する。図3は本発明の実施の形態3に係るプラズマエッチング装置を示す概略図である。本発明の実施の形態3においては、本発明の実施の形態1と同じ構成要素には同じ参照符号を付してその説明を省略する。
次に、本発明の実施例1を図面に基づいて説明する。図4は、本発明の実施例1を示す概略図である。本発明の実施例1においては、本発明の実施の形態3と同じ構成要素には同じ参照符号を付してその説明を省略する。
2 誘導コイル
3 絶縁層
4 バイアス電極
5 ガス導入ライン
6 排気手段
7 誘導コイル電源
8 バイアス電源
9 窓
10 光源
11 光遮断手段
12 レーザ光源
13 パルスレーザ光源
14 誘導コイルパルス電源
15 パルスジェネレータ
20 電極
21 誘導結合型プラズマ発生装置
22 石英窓
23 Nd:YMGレーザ
24 色素レーザ
25 ダンパ
26 プラズマ発光分光装置
29 ICPコイル電源
100 基板
Claims (4)
- プロセスチャンバの内部にプロセスガスを一定の流量で導入する工程と、
前記プロセスチャンバの内部の圧力を一定に保つ工程と、
電源により前記プロセスチャンバの内部に存在するガスを励起しプラズマを発生させる工程と、
被エッチング材をプラズマによりエッチングする工程と、
を有するプラズマエッチング方法において、
前記電源は電力をパルス制御できるものであり、前記プロセスチャンバの内部にガス分子の光解離をさらに誘起する光を、波長可変なパルスレーザ光を放射する光源から前記プロセスチャンバの内部に導入し、前記電源の電力のパルスと前記パルスレーザ光のパルスとの重なりの遅延時間を制御することにより、前記プロセスチャンバ内部での光解離反応を制御し、光解離により生成したラジカルをエッチングに対して効率的に作用させる、
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記電源による前記ガスの励起によるプラズマの発生は、前記電源が前記プロセスチャンバの上部に設置された誘導コイルに電力を供給することでなされる、
ことを特徴とする請求項1記載のプラズマエッチング方法。 - プロセスチャンバの内部にプロセスガスを一定の流量で導入するガス導入手段と、
前記プロセスチャンバの内部の圧力を一定に保つ圧力保持手段と、
パルス制御可能な電源により前記プロセスチャンバの内部に存在するガスを励起しプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
被エッチング材を前記プラズマによりエッチングするエッチング手段と、
前記プロセスチャンバの内部にガス分子の光解離をさらに誘起する光を、波長可変なパルスレーザ光を放射する光源から前記プロセスチャンバの内部に導入する光導入手段と、
前記電源の電力のパルスと前記パルスレーザ光のパルスとの重なりの遅延時間を制御する手段と、
を具備すること特徴とするプラズマエッチング装置。 - 前記プラズマ発生手段は、前記プロセスチャンバの上部に設置され前記電源から電力が供給される誘導コイルを含んで構成されている、
ことを特徴とする請求項3記載のプラズマエッチング装置。
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