JP5119839B2 - 圧電薄膜共振子およびその製造方法 - Google Patents
圧電薄膜共振子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5119839B2 JP5119839B2 JP2007258686A JP2007258686A JP5119839B2 JP 5119839 B2 JP5119839 B2 JP 5119839B2 JP 2007258686 A JP2007258686 A JP 2007258686A JP 2007258686 A JP2007258686 A JP 2007258686A JP 5119839 B2 JP5119839 B2 JP 5119839B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- piezoelectric thin
- vibration
- lid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 76
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 87
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 7
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
第1の実施形態に係る圧電薄膜共振子について図2〜図5を参照して説明する。各図は圧電薄膜共振子の底面を水平面に設置した状態を示している。
図4(A)は犠牲層40の除去前の基板11を上面視した図であり、図4(B)は犠牲層40除去前のアーチ23Aの断面図であり、図4(C)は犠牲層40除去後のアーチ23Aの断面図である。
図5(A)は振動部20とブリッジ22A,22Bとの膜構造、図5(B)はアーチ23A,23Bの膜構造についてそれぞれ示している。
図6は第2の実施形態に係る圧電薄膜共振子102の断面図である。図3(B)に示した圧電薄膜共振子101と異なるのは、ポスト115A,115Bの構造、および天板112の構造である。
図7は第3の実施形態に係る圧電薄膜共振子103の主要部の斜視図である。図2に示した圧電薄膜共振子101と異なるのはアーチ123A,123Bの形状である。
振動部20は支持部121A,121Bによって両端が支持され、梁部124A,124Bによって、基板との間に所定の下部クリアランスが設けられている。支持部121Aは振動部20の一方の短辺中央から引き出したブリッジ22Aと一端が基板に接するアーチ123Aとで構成している。同様に支持部121Bは振動部20の他方の短辺中央から引き出したブリッジ22Bと一端が基板に接するアーチ123Bとで構成している。
図8は第4の実施形態に係る圧電薄膜共振子104の主要部の斜視図である。図2に示した圧電薄膜共振子101において振動部20の一方の短辺の中央からのみ支持部21Aで支持するようにしたものに相当する。
このような片持ち梁構造とすれば支持部の基板上での占有面積を縮小化でき全体に小型化が図れる。また、振動部の片側が支持されていないので、振動部での膜構造の上方部と下方部との残留応力を等しくしておけば、振動部は平坦な状態を実現できる。
図9は第5の実施形態に係る圧電薄膜共振子105の主要部の斜視図である。図2に示した圧電薄膜共振子101と異なるのは支持部131A,131Bの構造である。
振動部20は支持部131A,131Bによって両端が支持され、梁部134A,134Bによって、基板との間に所定の下部クリアランスが設けられている。梁部134A,134Bは振動部20の短辺中央から引き出し、一端が基板に接する半弓形状のものである。
13…下部電極
14…圧電薄膜
15…上部電極
20…振動部
21A,21B,121A,121B,131A,131B…支持部
22A,22B…ブリッジ
23A,23B…アーチ
24A,24B…梁部
25A,25B,115A,115B…ポスト
30…蓋体
32…天板
40…犠牲層
41…下部クリアランス
42…上部クリアランス
100…構造体
101〜105…圧電薄膜共振子
116A,116B…ビア
Claims (11)
- 基板と、一対の電極間に圧電薄膜が配置された振動部と、前記基板との内部空間に前記振動部を内包する蓋体と、前記振動部を支持する支持部と、を備える圧電薄膜共振子であって、
前記支持部は、前記基板との間に空隙を設けて前記振動部を弾性支持する梁部と、前記蓋体と前記梁部との間隔の変化を制限する制限部とを備える圧電薄膜共振子。 - 前記制限部は、柱形状であり前記梁部と前記蓋体との間に立設する、請求項1に記載の圧電薄膜共振子。
- 前記制限部は、前記梁部上に成膜形成された、請求項2に記載の圧電薄膜共振子。
- 前記制限部は、前記蓋体に接着された、請求項2または3に記載の圧電薄膜共振子。
- 前記制限部は、前記振動部の前記一対の電極の一方に導通する、前記蓋体側の一端から前記梁部側の一端まで設けられた導電部を備え、
前記蓋体は、スルーホールを介して前記導電部に導通する外部接続端子を備える、請求項2〜4のいずれかに記載の圧電薄膜共振子。 - 前記制限部は、樹脂、Au、Cu、Al、Snのうち、いずれかの材料で構成された、請求項2〜5のいずれかに記載の圧電薄膜共振子。
- 前記振動部は略矩形状であり、
前記支持部は、前記振動部の対向する2つの辺の一方、または両辺に設けられる、請求項1〜6のいずれかに記載の圧電薄膜共振子。 - 前記梁部は、第一端で前記基板に接続され第二端で前記振動部に接続されるアーチ形状、または、両端で前記基板に接続され略中央で前記振動部に接続されるアーチ形状である、請求項1〜7のいずれかに記載の圧電薄膜共振子。
- 前記振動部の膜の圧縮方向の残留応力の大きさが、前記梁部の膜の圧縮方向の残留応力の大きさに比べて小さい、請求項1〜8のいずれかに記載の圧電薄膜共振子。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の圧電薄膜共振子の製造方法であって、
基板上に、所定形状の犠牲層と、一対の電極間に圧電薄膜が配置された薄膜層と、前記制限部と、をこの積層順に形成し、基板上の膜構造を構成する工程と、
前記基板上から前記犠牲層を除去する工程と、
下層の犠牲層が除去されて前記基板から浮く所定形状の構造体を内包するように、前記基板上に蓋体を載置する工程と、を含む、圧電薄膜共振子の製造方法。 - 前記膜構造は、前記薄膜層に圧縮方向の残留応力をかけて形成する請求項10に記載の圧電薄膜共振子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007258686A JP5119839B2 (ja) | 2007-10-02 | 2007-10-02 | 圧電薄膜共振子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007258686A JP5119839B2 (ja) | 2007-10-02 | 2007-10-02 | 圧電薄膜共振子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009089231A JP2009089231A (ja) | 2009-04-23 |
JP5119839B2 true JP5119839B2 (ja) | 2013-01-16 |
Family
ID=40661987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007258686A Expired - Fee Related JP5119839B2 (ja) | 2007-10-02 | 2007-10-02 | 圧電薄膜共振子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5119839B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016098868A1 (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動子及び圧電振動装置 |
CN107431472B (zh) * | 2015-04-27 | 2020-05-12 | 株式会社村田制作所 | 谐振子以及谐振装置 |
CN107431476B (zh) | 2015-04-27 | 2020-06-12 | 株式会社村田制作所 | 谐振子以及谐振装置 |
JP6551706B2 (ja) | 2015-04-28 | 2019-07-31 | 株式会社村田製作所 | 共振子及び共振装置 |
US10812046B2 (en) | 2018-02-07 | 2020-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Micromechanical resonator having reduced size |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4853523B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2012-01-11 | 株式会社村田製作所 | 圧電薄膜共振子 |
-
2007
- 2007-10-02 JP JP2007258686A patent/JP5119839B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009089231A (ja) | 2009-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5119839B2 (ja) | 圧電薄膜共振子およびその製造方法 | |
US8922302B2 (en) | Acoustic resonator formed on a pedestal | |
JP5522796B2 (ja) | 圧電デバイス | |
JP4853523B2 (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
KR101922878B1 (ko) | 탄성파 공진기 장치 | |
JP5198322B2 (ja) | Mems素子及びmems素子の製造方法 | |
JP5871073B2 (ja) | 圧電発電装置 | |
WO2009122704A1 (ja) | 圧電振動部品 | |
US11764753B2 (en) | Elastic wave device and electronic component | |
US20170187351A1 (en) | Resonance device | |
JP2011041113A (ja) | 圧電振動素子及び圧電デバイス | |
KR100542557B1 (ko) | 박막 공진기와, 박막 공진기의 제조 방법 및 박막공진기를 구비하는 필터 | |
JP4398171B2 (ja) | 圧電振動子 | |
JP5825331B2 (ja) | 音叉型圧電振動片、および圧電振動子 | |
JP2007006375A (ja) | 圧電振動子及びその製造方法 | |
US7145416B2 (en) | Resonator device, electronic equipment provided with resonator device and method of manufacturing resonator device | |
JP4314826B2 (ja) | 圧電デバイスにおける圧電振動素子の保持構造、圧電振動子、圧電発振器、絶縁性パッケージ、及び圧電振動素子 | |
JP2011040981A (ja) | 圧電デバイス | |
JP5440161B2 (ja) | 圧電振動デバイス | |
JP4844855B2 (ja) | 音叉型圧電振動子 | |
KR20050070403A (ko) | Mems 기술로 제조된 방진구조물 및 그 제조 방법 | |
JP4039845B2 (ja) | 圧電振動子 | |
JP5768594B2 (ja) | 半導体装置、及び、その製造方法 | |
JP6991300B2 (ja) | 電子部品 | |
JP5804029B2 (ja) | 圧電ウェハ、圧電振動片、及び圧電振動子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100929 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120704 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120717 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120906 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120906 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120925 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121008 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5119839 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |