JP5109239B2 - Adhesive sheet, method for producing adhesive sheet, and method for producing semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明は、粘接着シート、粘接着シートの製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to an adhesive sheet, a method for manufacturing an adhesive sheet, and a method for manufacturing a semiconductor device.
従来、半導体装置の製造において、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接合に用いる接着剤層には銀ペーストが主に使用されている。しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化、細密化が要求されるようになってきている。そして、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、接着剤層の膜厚の制御困難性、及び接着剤層のボイド発生等などのため、上記要求に対処しきれなくなってきている。 Conventionally, in manufacturing a semiconductor device, a silver paste is mainly used for an adhesive layer used for bonding a semiconductor element and a semiconductor element mounting support member. However, with the recent miniaturization and high performance of semiconductor devices, the supporting members used are also required to be small and fine. With silver paste, the above requirements are addressed due to the occurrence of defects during wire bonding due to protrusions and inclination of semiconductor elements, difficulty in controlling the thickness of the adhesive layer, and generation of voids in the adhesive layer. It's getting out of place.
そこで、上記要求に対処するべく、近年、支持基材上にフィルム状の粘接着層を備えるウエハ貼着用粘接着シート（ダイシング・ダイボンディングテープ）が種々提案されている（例えば、特許文献１及び２を参照）。このような粘接着シートはウエハ固定機能と半導体素子接着機能とを併せ持ち、以下のようにして使用される。先ず、粘接着シートを半導体ウエハの回路面とは反対側の面（裏面）全体に貼り付けた後に、ダイサーにて半導体ウエハ及び粘接着シートを個片化する（ダイシング工程）。このダイシング工程後、チップ裏面に粘接着層が残存している状態で支持基材からチップをピックアップし、リードフレーム等にマウントした後、加熱などにより粘接着層を硬化させ接着を行う。 Therefore, in order to cope with the above requirements, various types of adhesive sheets (dicing / die bonding tapes) to be attached to a wafer having a film-like adhesive layer on a supporting substrate have been proposed in recent years (for example, patent documents). 1 and 2). Such an adhesive sheet has both a wafer fixing function and a semiconductor element bonding function, and is used as follows. First, after sticking the adhesive sheet on the entire surface (back surface) opposite to the circuit surface of the semiconductor wafer, the semiconductor wafer and the adhesive sheet are separated into pieces by a dicer (dicing step). After this dicing step, the chip is picked up from the support substrate in a state where the adhesive layer remains on the back surface of the chip, mounted on a lead frame, etc., and then the adhesive layer is cured and bonded by heating or the like.
上記の粘接着シートを用いることで、銀ペーストを使用する場合の問題を解消できるとともに接着剤の塗布工程を簡略化することが可能となるため、半導体装置の生産性の更なる向上が期待されている。 By using the above adhesive sheet, it is possible to solve the problem of using silver paste and simplify the adhesive application process, so further improvement in the productivity of semiconductor devices is expected. Has been.
ところで、上記の粘接着シートは以下の方法により製造されている。先ず、保護フィルム（以下、「剥離基材」という場合もある）上に、粘接着層形成用のワニスを塗工し、これを乾燥させて粘接着層を形成する。次に、形成された粘接着層上に、支持基材を所定の温度及び圧力をかけて貼り合わせること（以下、これを「熱転写」という場合もある）により、剥離基材（保護フィルム）／粘接着層／支持基材の積層構造を有する粘接着シートを得ることができる。このような方法で作製された粘接着シートは、剥離基材上に形成された粘接着層が熱と圧力をかけられて支持基材に転写されているため、支持基材と粘接着層との密着力が向上し、使用時に剥離基材を粘接着層からスムーズに剥離できる点において優れている。 By the way, said adhesive sheet is manufactured with the following method. First, a varnish for forming an adhesive layer is applied onto a protective film (hereinafter sometimes referred to as “peeling substrate”) and dried to form an adhesive layer. Next, the support substrate is bonded to the formed adhesive layer by applying a predetermined temperature and pressure (hereinafter, this may be referred to as “thermal transfer”), thereby releasing the substrate (protective film). An adhesive sheet having a laminate structure of / adhesive layer / supporting substrate can be obtained. The adhesive sheet produced by such a method has an adhesive layer formed on a release substrate, which is transferred to the support substrate by applying heat and pressure. Adhesive strength with an adhesion layer improves, and it is excellent in the point which can peel a peeling base material from an adhesive layer smoothly at the time of use.
しかしながら、上記の方法で製造される従来の粘接着シートは、以下の理由により実用に供するには必ずしも十分なものではない。すなわち、従来の粘接着シートはシート品として提供する場合、シートの反りが大きいためウエハラミネート時にフィルムがカールしやすく、シワや空気の巻き込みが発生してウエハラミネートを十分に行うことができない等の問題が生じる虞がある。このような問題が生じると半導体装置の生産性を十分に向上させることが困難となる。また一方で、ダイシング・ダイボンディングテープに要求される特性として、ダイシング工程においてはチップの脱落を十分に抑制できるダイシング性を有しつつ、粘接着層付きのチップを支持基材から容易にピックアップできるピックアップ性が必要とされているが、従来の粘接着シートでは、ダイシング性を確保しようとするとピックアップ性が不十分となる場合があった。 However, the conventional adhesive sheet produced by the above method is not necessarily sufficient for practical use for the following reasons. That is, when the conventional adhesive sheet is provided as a sheet product, since the warp of the sheet is large, the film is easily curled during wafer lamination, and wrinkles and air entrainment occur, and the wafer lamination cannot be performed sufficiently. There is a risk of problems. When such a problem occurs, it becomes difficult to sufficiently improve the productivity of the semiconductor device. On the other hand, as a characteristic required for dicing die bonding tape, in the dicing process, the chip with adhesive layer can be easily picked up from the support substrate while having the dicing property that can sufficiently prevent chip dropping. The pick-up property which can be performed is required, but the conventional adhesive sheet may have insufficient pick-up property when trying to secure the dicing property.
従って、粘接着シートを用いて半導体装置の生産性を向上させる上では、粘接着シートのダイシング性及びピックアップ性の双方を十分確保しつつシートの反りを抑制することが望ましいが、このような観点からの検討は未だ十分になされていないのが実情である。 Accordingly, in order to improve the productivity of the semiconductor device using the adhesive sheet, it is desirable to suppress the warpage of the sheet while sufficiently securing both the dicing property and the pickup property of the adhesive sheet. The fact is that it has not yet been fully studied from this point of view.
そこで、本発明は、上記実情に鑑み、反りが十分小さくシート品として提供可能であるとともに、ダイシング・ダイボンディングテープとして優れた機能を発揮できる粘接着シート、その製造方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, in view of the above circumstances, the present invention provides a pressure-sensitive adhesive sheet that can be provided as a sheet product with sufficiently small warpage and that can exhibit an excellent function as a dicing die bonding tape, a manufacturing method thereof, and a manufacturing method of a semiconductor device The purpose is to provide.
上記課題を解決するため、本発明の粘接着シートは、支持基材と、支持基材上に設けられた粘接着層とを備え、支持基材及び粘接着剤層は所定温度Ｔ１の熱履歴を受けることにより互いが貼り付けられている粘接着シートであって、支持基材が、５０ｍＮ／ｍ以下の表面自由エネルギー、及び、２５℃において２０００ＭＰａ以下の弾性率を有し、且つ、支持基材の所定温度Ｔ１（℃）における線膨張係数をα１（ｐｐｍ／℃）、支持基材の常温Ｔ２（℃）における線膨張係数をα２（ｐｐｍ／℃）とした場合、下記一般式（Ｉ）を満たすものであることを特徴とする。
［（Ｔ１×α１）−（Ｔ２×α２）］≦７０００ｐｐｍ …（Ｉ）
In order to solve the above-described problems, the adhesive sheet of the present invention includes a support substrate and an adhesive layer provided on the support substrate, and the support substrate and the adhesive layer have a predetermined temperature T1. The adhesive substrates are attached to each other by receiving the thermal history of the substrate, the supporting base material has a surface free energy of 50 mN / m or less, and an elastic modulus of 2000 MPa or less at 25 ° C., When the linear expansion coefficient at a predetermined temperature T1 (° C.) of the supporting base material is α1 (ppm / ° C.) and the linear expansion coefficient of the supporting base material at normal temperature T2 (° C.) is α2 (ppm / ° C.), It satisfies the formula (I).
[(T1 × α1) − (T2 × α2)] ≦ 7000 ppm (I)
ここで、上記「所定温度Ｔ１」は、粘接着層に支持基材を熱転写して貼り付けることによって本発明の粘接着シートを製造する場合の転写時にかかる温度を採用する。そして、かかる転写温度の設定方法は、粘接着シートがダイシング機能を満足する特性を有することを基準とする。ダイシング機能を満足する特性とは、ウエハに粘接着シートをラミネートした後に、１ｃｍ幅に切り込みをいれて切り出される、粘接着層が付着した半導体素子について、粘接着層と支持基材との界面の９０°ピール接着強度を引張り速度：３００ｍ／分の条件で測定することにより確認する。このようにして測定される９０°ピール接着強度が２０Ｎ／ｍ以上となる温度が転写温度に設定される。また、上記「常温Ｔ２」は、通常２５℃を採用するが、本発明の粘接着シートが使用される環境下の温度を採用してもよい。 Here, the above-mentioned “predetermined temperature T1” employs a temperature applied during transfer when the adhesive sheet of the present invention is produced by thermally transferring and sticking the support substrate to the adhesive layer. The transfer temperature setting method is based on the fact that the adhesive sheet has a characteristic that satisfies the dicing function. The characteristic satisfying the dicing function is that, after laminating the adhesive sheet on the wafer, the semiconductor element to which the adhesive layer is attached is cut out by cutting into a width of 1 cm. This is confirmed by measuring the 90 ° peel adhesive strength of the interface at a tensile speed of 300 m / min. The temperature at which the 90 ° peel adhesive strength measured in this way is 20 N / m or more is set as the transfer temperature. The “normal temperature T2” is usually 25 ° C., but may be a temperature under an environment where the adhesive sheet of the present invention is used.
また、本発明において、「支持基材の表面自由エネルギー」は、接触角計（協和界面化学（株）製：ＣＡ−Ｚ型）を用いて、水及びヨウ化メチレンに対する接触角θを２３〜２８℃の温度にて実測し、これらの値を用い下記式（１）〜（３）により算出した値である。
［式中、θ１は水に対する接触角（ｄｅｇ）を、θ２はヨウ化メチレンに対する接触角（ｄｅｇ）を、γは表面自由エネルギー（ｍＮ／ｍ）を、γｄは表面自由エネルギーの分散成分を、γｐは表面自由エネルギーの極性成分をそれぞれ示す。］
In the present invention, the “surface free energy of the supporting substrate” is a contact angle meter (Kyowa Interface Chemical Co., Ltd .: CA-Z type), and the contact angle θ with respect to water and methylene iodide is 23 to 23. It is a value calculated by the following formulas (1) to (3) by actually measuring at a temperature of 28 ° C. and using these values.
[Wherein θ 1 is the contact angle (deg) for water, θ 2 is the contact angle (deg) for methylene iodide, γ is the surface free energy (mN / m), and γ d is the dispersion of the surface free energy. Γ p represents the polar component of the surface free energy. ]
また、本発明において、「支持基材の線膨張係数」は、サンプル厚み：８０〜１２０μｍ、サンプルサイズ：４ｍｍ×２０ｍｍのサイズに裁断したものを測定用試料とし、この試料を、ＥＸＳＴＲＡ６０００（製品名、セイコーインスツルメンツ株式会社製）を用い、測定温度：−２０〜１８０℃、昇温速度：１０℃／分で測定したときの、荷重５．０ｇにて引張モードにより測定して得られた値である。 Further, in the present invention, the “linear expansion coefficient of the supporting substrate” is a sample for measurement that is cut into a sample thickness of 80 to 120 μm and a sample size of 4 mm × 20 mm, and this sample is called EXSTRA6000 (product name) , Manufactured by Seiko Instruments Inc.), measured at a measurement temperature of -20 to 180 ° C. and a heating rate of 10 ° C./min. is there.
また、本発明において、「支持基材の２５℃における弾性率」は、１ｃｍ×５ｃｍの支持基材を測定用試料とし、この試料の両側１ｃｍずつを固定し、（株）オリエンテック製のテンシロンを用いて測定温度：２５℃、測定速度：１００ｍｍ／分の条件で引っ張り強度測定を行い、横軸：伸び（％）、縦軸：応力（ＭＰａ）の関係を求め、測定用試料を１ｍｍ伸ばしたとき（３．３％）の点Ａに対応する応力Ｂと原点とを結んだ直線の傾きである。 Further, in the present invention, “elastic modulus at 25 ° C. of supporting substrate” means that a supporting substrate of 1 cm × 5 cm is used as a measurement sample, 1 cm on both sides of this sample is fixed, and Tensilon manufactured by Orientec Co., Ltd. The tensile strength measurement was performed under the conditions of measurement temperature: 25 ° C., measurement speed: 100 mm / min, and the relationship of horizontal axis: elongation (%), vertical axis: stress (MPa) was determined, and the measurement sample was extended by 1 mm. (3.3%) is the slope of a straight line connecting the stress B corresponding to the point A and the origin.
本発明の粘接着シートによれば、上記構成を有することにより、シート品として提供する場合であってもシートの反りが十分に抑制されているとともにダイシング性及びピックアップ性の双方を高い水準で両立させることができるため、半導体装置の生産性の向上を図ることができる。 According to the adhesive sheet of the present invention, by having the above-described configuration, even when the sheet is provided as a sheet product, the warpage of the sheet is sufficiently suppressed and both the dicing property and the pickup property are at a high level. Since both can be achieved, the productivity of the semiconductor device can be improved.
本発明の粘接着シートにおいて、上記所定温度Ｔ１が３０℃以上であることが好ましい。支持基材がかかる所定温度Ｔ１において上記一般式（Ｉ）を満足するとともに、３０℃以上の熱履歴を受けて支持基材及び粘接着剤層が互いに貼着されることにより、本発明の粘接着シートは、シート品として提供する場合であっても反りが十分に抑制されるとともに、支持基材と粘接着層との密着力が向上することで優れたダイシング機能と使用時には剥離基材をよりスムーズに粘接着層から剥離できる利点を有することができる。 In the adhesive sheet of the present invention, the predetermined temperature T1 is preferably 30 ° C. or higher. The support base material satisfies the above general formula (I) at the predetermined temperature T1, and the support base material and the adhesive layer are bonded to each other upon receiving a thermal history of 30 ° C. or higher. Even when the adhesive sheet is provided as a sheet product, warping is sufficiently suppressed, and the adhesion between the support substrate and the adhesive layer is improved, resulting in an excellent dicing function and peeling when used It can have the advantage that the substrate can be more smoothly peeled from the adhesive layer.
また、本発明の粘接着シートにおいて、上記支持基材が、常温Ｔ２（℃）において２０％以上の降伏伸びを有するものであることが好ましい。かかる粘接着シートによれば、上記の降伏伸びを有する支持基材を備えることにより、ピックアップ時に滑らかなエキスパンドを行うことが可能となりチップとチップの間の距離を均一に開けることができ、その結果、ピックアップ性が更に向上する効果が得られる。 In the adhesive sheet of the present invention, the support base material preferably has a yield elongation of 20% or more at room temperature T2 (° C.). According to such an adhesive sheet, by providing the support base material having the above-described yield elongation, it is possible to perform a smooth expansion at the time of picking up, and it is possible to uniformly open the distance between the chips. As a result, an effect of further improving the pickup property can be obtained.
なお、本発明において、「降伏伸び」とは、引張り特性における、降伏点における伸び率を百分率で表した値を表す値である。より具体的には、上記弾性率を求める際に測定される伸び−応力の関係において、応力の第一ピーク値Ｃに対応する伸びＤの値を支持基材の降伏伸びとする。 In the present invention, “yield elongation” is a value representing a percentage value of the elongation at the yield point in the tensile properties. More specifically, in the elongation-stress relationship measured when obtaining the elastic modulus, the value of the elongation D corresponding to the first peak value C of the stress is defined as the yield elongation of the supporting base material.
また、本発明の粘接着シートにおいて、上記粘接着層が、（Ａ）官能基を有し重量平均分子量が１０００００以上である高分子、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、（Ｄ）紫外線照射により得られる硬化物のガラス転移温度が２５０℃以上である光反応性モノマー、（Ｅ）波長２００〜４５０ｎｍの紫外線照射により塩基とラジカルとを発生する光開始剤を含有してなることが好ましい。 In the adhesive sheet of the present invention, the adhesive layer is (A) a polymer having a functional group and a weight average molecular weight of 100,000 or more, (B) an epoxy resin, and (C) a phenol-based epoxy resin. A curing agent, (D) a photoreactive monomer having a glass transition temperature of 250 ° C. or higher of a cured product obtained by ultraviolet irradiation, and (E) a photoinitiator that generates a base and a radical by ultraviolet irradiation with a wavelength of 200 to 450 nm. It is preferable to contain.
なお、本発明において、重量平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンを用いた検量線により換算した値を示す。また、上記「硬化物のガラス転移温度」は、（Ｄ）成分としての光反応性モノマーに上記（Ｅ）光開始剤を添加し、照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線照射して得られた硬化物を５×５ｍｍ程度の大きさに成形したものを測定用試料とし、この測定用試料を「ＥＸＳＴＲＡ６０００」（製品名、セイコーインスツルメンツ株式会社製）を用いて圧縮モードにより測定した値である。 In the present invention, the weight average molecular weight is a value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted by a calibration curve using standard polystyrene. In addition, the above-mentioned “glass transition temperature of the cured product” is such that the (E) photoinitiator is added to the photoreactive monomer as the component (D), and the irradiation amount is 300 mJ at an illuminance of 15 to 100 mW / cm 2. A cured product obtained by irradiating with UV rays was molded into a size of about 5 × 5 mm and used as a measurement sample, and this measurement sample was compressed using “EXTRA6000” (product name, manufactured by Seiko Instruments Inc.). It is the value measured by the mode.
かかる粘接着シートによれば、上記構成を有する粘接着層を備えることにより、半導体装置の製造において、ダイシング性及びピックアップ性の双方をさらに高水準で両立させることができるとともに、半導体素子搭載用の支持部材に半導体素子をより確実に接着させることができる。これにより、半導体装置の生産性をさらに向上させることが可能となる。また、耐リフロークラック性が良好なフィルムとなる。 According to such an adhesive sheet, by providing the adhesive layer having the above-described configuration, both dicing and pickup properties can be achieved at a higher level in the manufacture of a semiconductor device, and the semiconductor element is mounted. Thus, the semiconductor element can be more reliably bonded to the supporting member. As a result, the productivity of the semiconductor device can be further improved. In addition, the film has good reflow crack resistance.
さらに、上記（Ｂ）成分及び上記（Ｃ）成分の含有量が、上記（Ａ）成分の含有量１００質量部に対して、合計で１２５質量部以下であることが好ましい。これにより、耐リフロークラック性をより一層向上させることができる。 Furthermore, the total content of the component (B) and the component (C) is preferably 125 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the component (A). Thereby, the reflow crack resistance can be further improved.
本発明の粘接着シートにおいて、上記粘接着層が熱硬化性であり、粘接着層の硬化後の熱時弾性率が１ＭＰａ以上であり、且つ、粘接着層の硬化後の熱時接着力が１．５ＭＰａ以上であることが好ましい。 In the adhesive sheet of the present invention, the adhesive layer is thermosetting, the thermal elastic modulus after curing of the adhesive layer is 1 MPa or more, and the heat after curing of the adhesive layer It is preferable that the adhesive force is 1.5 MPa or more.
なお、本発明において、上記の「熱時弾性率」は、粘接着層に対して照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線照射し、１７５℃で５時間加熱して硬化させた粘接着シートを４ｍｍ×３０ｍｍのサイズに裁断したものを測定用試料とし、この試料を動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、「ＤＶＥ−Ｖ４」）を用い、引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で−５０℃から３００℃まで測定したときの温度２６５℃における値を意味する。また、上記の「熱時接着力」は、以下のようにして求めた値を意味する。すなわち、粘接着シートを貼り付けた半導体ウエハをダイシング装置上に固定して、１０ｍｍ／秒の速度で３．２ｍｍ×３．２ｍｍにダイシングした後、粘接着層に対して照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線照射する。次いで、粘接着層付き半導体チップを支持基材からピックアップした後、このチップを有機基板（ＰＳＲ−４０００、ＳＲ−ＡＵＳ５、０．２ｍｍｔ）に１８０℃、２ＭＰａ、３０秒の条件でダイボンディングし、１７５℃で５時間加熱して粘接着層を硬化させたものを測定用試料とする。この試料を、２６５℃の熱板上で３０秒間保持した後に、速度：５０μｍ／秒、高さ：５０μmの測定条件でチップと有機基板との熱時接着力を「Ｓｅｒｉｅｓ４０００」（製品名、Ｄａｇｅ社製）を用いて測定する。このとき得られた値を上記の「熱時接着力」とする。 In the present invention, the above-mentioned “thermal modulus of elasticity” is such that the adhesive layer is irradiated with ultraviolet rays at an illuminance of 15 to 100 mW / cm 2 and an irradiation amount of 300 mJ, and heated at 175 ° C. for 5 hours. A cured visco-adhesive sheet cut to a size of 4 mm × 30 mm is used as a measurement sample, and this sample is used as a dynamic viscoelasticity measuring device (“DVE-V4” manufactured by Rheology), and the tensile load is set. The value at a temperature of 265 ° C. when measured from −50 ° C. to 300 ° C. under conditions of a frequency of 10 Hz and a heating rate of 10 ° C./min. Further, the above-mentioned “adhesive strength during heating” means a value obtained as follows. That is, the semiconductor wafer with the adhesive sheet attached thereto is fixed on a dicing apparatus and diced to 3.2 mm × 3.2 mm at a speed of 10 mm / second, and then the illuminance with respect to the adhesive layer is 15 to 15 mm. Irradiation with ultraviolet rays is performed so that the dose is 300 mJ at 100 mW / cm 2 . Next, after picking up the semiconductor chip with an adhesive layer from the support substrate, this chip was die-bonded to an organic substrate (PSR-4000, SR-AUS5, 0.2 mmt) at 180 ° C., 2 MPa, 30 seconds. A sample for measurement is heated at 175 ° C. for 5 hours to cure the adhesive layer. After holding this sample on a hot plate at 265 ° C. for 30 seconds, the adhesive force during heating between the chip and the organic substrate under the measurement conditions of speed: 50 μm / second and height: 50 μm is “Series 4000” (product name, Dage Measured by using a The value obtained at this time is referred to as the “hot adhesive force”.
本発明の粘接着シートにおいて、粘接着層の熱時弾性率及び熱時接着力が上記条件を満たすことにより、耐リフロークラック性がさらに良好となるため、かかる粘接着シートを用いることにより半導体装置の生産性をより一層向上させることができる。 In the adhesive sheet of the present invention, when the thermal elastic modulus and thermal adhesive force of the adhesive layer satisfy the above conditions, the reflow crack resistance is further improved, and therefore such an adhesive sheet is used. As a result, the productivity of the semiconductor device can be further improved.
また、本発明は、支持基材と、粘接着層と、剥離基材と、をこの順に備える粘接着シートの製造方法であって、粘接着層の構成成分を含む粘接着層形成用塗工液を調製する塗工液調製工程と、剥離基材上に粘接着層形成用塗工液を塗布して塗膜を形成する塗膜形成工程と、塗膜から溶媒を除去して粘接着層を形成する粘接着層形成工程と、形成された粘接着層上に支持基材を所定温度Ｔ１（℃）で熱転写することにより貼り付ける熱転写工程とを備え、支持基材が、５０ｍＮ／ｍ以下の表面自由エネルギー、及び、２５℃において２０００ＭＰａ以下の弾性率を有し、且つ、支持基材の所定温度Ｔ１（℃）における線膨張係数をα１（ｐｐｍ／℃）、支持基材の常温Ｔ２（℃）における線膨張係数をα２（ｐｐｍ／℃）とした場合、下記一般式（Ｉ）を満たすものであることを特徴とする粘接着シートの製造方法を提供する。
［（Ｔ１×α１）−（Ｔ２×α２）］≦７０００ｐｐｍ …（Ｉ）
Moreover, this invention is a manufacturing method of the adhesive sheet | seat provided with a support base material, an adhesive layer, and a peeling base material in this order, Comprising: The adhesive layer containing the structural component of an adhesive layer A coating liquid preparation process for preparing a coating liquid for forming, a coating film forming process for forming a coating film by applying a coating liquid for forming an adhesive layer on a release substrate, and removing the solvent from the coating film An adhesive layer forming step for forming an adhesive layer, and a thermal transfer step for attaching the support base material on the formed adhesive layer by thermal transfer at a predetermined temperature T1 (° C.). The substrate has a surface free energy of 50 mN / m or less and an elastic modulus of 2000 MPa or less at 25 ° C., and the linear expansion coefficient of the supporting substrate at a predetermined temperature T1 (° C.) is α1 (ppm / ° C.). When the linear expansion coefficient at normal temperature T2 (° C.) of the support substrate is α2 (ppm / ° C.), the following general formula Provided is a method for producing an adhesive sheet characterized by satisfying (I).
[(T1 × α1) − (T2 × α2)] ≦ 7000 ppm (I)
本発明の粘接着シートの製造方法によれば、シート品として提供する場合であってもシートの反りが十分に抑制されているとともに、ダイシング性及びピックアップ性の双方を両立できる粘接着シートを得ることができる。したがって、かかる粘接着シートを半導体装置の製造に利用することにより半導体装置の生産性の向上を図ることができる。 According to the method for producing an adhesive sheet of the present invention, even when provided as a sheet product, the warpage of the sheet is sufficiently suppressed, and both the dicing property and the pickup property are compatible. Can be obtained. Therefore, the productivity of the semiconductor device can be improved by using such an adhesive sheet for manufacturing the semiconductor device.
また、本発明は、上記本発明の粘接着シートの粘接着層を半導体ウエハに貼り付ける貼り付け工程と、半導体ウエハ及び粘接着層をダイシングすることにより、粘接着層が付着した半導体素子を得るダイシング工程と、粘接着層が付着した前記半導体素子を前記支持基材からピックアップするピックアップ工程と、半導体素子を、粘接着層を介して半導体素子搭載用の支持部材に接着する接着工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 In addition, the present invention has an adhesion process in which the adhesive layer of the adhesive sheet of the present invention is attached to a semiconductor wafer, and the adhesive layer is adhered by dicing the semiconductor wafer and the adhesive layer. A dicing process for obtaining a semiconductor element, a pick-up process for picking up the semiconductor element having an adhesive layer attached thereto from the support base material, and bonding the semiconductor element to a support member for mounting the semiconductor element via the adhesive layer A method for manufacturing a semiconductor device is provided.
本発明の半導体装置の製造方法によれば、上述の本発明の粘接着シートを用いることにより、半導体装置の生産性の向上が実現可能となる。すなわち、反りが十分に抑制された本発明の粘接着シートを用いることにより、ウエハラミネートの際にはフィルムのカールを十分抑制でき、シワや空気の巻き込みによるウエハラミネート不良を十分防止できる効果、上記ダイシング工程においてはチップ飛びを十分低減できる効果、上記ピックアップ工程においてはチップがピックアップされない不良を十分低減できる効果、及び、上記接着工程においては半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材との接着性を十分確保できる効果が得られ、その結果、信頼性に優れる半導体装置を歩留まりよく製造することができる。 According to the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the productivity of the semiconductor device can be improved by using the above-mentioned adhesive sheet of the present invention. That is, by using the adhesive sheet of the present invention in which warpage is sufficiently suppressed, the curling of the film can be sufficiently suppressed during wafer lamination, and the effect of sufficiently preventing wafer lamination defects due to wrinkles and air entrainment, The effect of sufficiently reducing chip jump in the dicing process, the effect of sufficiently reducing defects in which the chip is not picked up in the pickup process, and the adhesion between the semiconductor element and the support member for mounting the semiconductor element in the bonding process As a result, a highly reliable semiconductor device can be manufactured with a high yield.
本発明によれば、反りが十分小さくシート品として提供可能であるとともに、ダイシング・ダイボンディングテープとして優れた機能を発揮できる粘接着シート、その製造方法、及び、生産性に優れる半導体装置の製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the present invention, an adhesive sheet that can be provided as a sheet product with sufficiently small warpage and that can exhibit an excellent function as a dicing die bonding tape, a manufacturing method thereof, and manufacturing of a semiconductor device having excellent productivity A method can be provided.
（粘接着シート）
図１は、本発明の粘接着シートの好適な一実施形態を示す模式断面図である。図１に示される粘接着シート１は、支持基材１０と、支持基材１０上に設けられた粘接着層２０と、粘接着層２０上に設けられた保護フィルム（剥離基材）３０とから構成されている。
(Adhesive sheet)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a preferred embodiment of the adhesive sheet of the present invention. An
本実施形態の粘接着シート１は、支持基材１０と粘接着剤層２０とが、所定温度Ｔ１（℃）の熱履歴を受けることにより貼り合わされている。そして、支持基材１０が、５０ｍＮ／ｍ以下の表面自由エネルギー、及び、２５℃において２０００ＭＰａ以下の弾性率を有し、且つ、支持基材の所定温度Ｔ１（℃）における線膨張係数をα１（ｐｐｍ／℃）、支持基材の常温Ｔ２（℃）における線膨張係数をα２（ｐｐｍ／℃）とした場合、下記一般式（Ｉ）を満たすものであることが必要である。
［（Ｔ１×α１）−（Ｔ２×α２）］≦７０００ｐｐｍ …（Ｉ）
The
[(T1 × α1) − (T2 × α2)] ≦ 7000 ppm (I)
ここで、上記「所定温度Ｔ１」は、粘接着層に支持基材を熱転写して貼り付けることによって本実施形態の粘接着シートを製造する場合の転写時にかかる温度を採用する。そして、かかる転写温度の設定方法は、粘接着シートがダイシング機能を満足する特性を有することを基準とする。ダイシング機能を満足する特性とは、ウエハに粘接着シートをラミネートした後に、１ｃｍ幅に切り込みをいれて切り出される、粘接着層が付着した半導体素子について、粘接着層と支持基材との界面の９０°ピール接着強度を引張り速度：３００ｍ／分の条件で測定することにより確認する。このようにして測定される９０°ピール接着強度が２０Ｎ／ｍ以上となる温度が転写温度に設定される。本実施形態においては、９０°ピール接着強度が３０Ｎ／ｍ以上となる温度を転写温度として設定することが好ましい。 Here, as the “predetermined temperature T1”, a temperature applied at the time of transferring when the adhesive sheet of the present embodiment is manufactured by thermally transferring and sticking the supporting base material to the adhesive layer is adopted. The transfer temperature setting method is based on the fact that the adhesive sheet has a characteristic that satisfies the dicing function. The characteristic satisfying the dicing function is that, after laminating the adhesive sheet on the wafer, the semiconductor element to which the adhesive layer is attached is cut out by cutting into a width of 1 cm. This is confirmed by measuring the 90 ° peel adhesive strength of the interface at a tensile speed of 300 m / min. The temperature at which the 90 ° peel adhesive strength measured in this way is 20 N / m or more is set as the transfer temperature. In this embodiment, it is preferable to set the temperature at which the 90 ° peel adhesive strength is 30 N / m or more as the transfer temperature.
また、上記「常温Ｔ２」は、通常２５℃を採用するが、本発明の粘接着シートが使用される環境下の温度を採用してもよい。 The “normal temperature T2” is usually 25 ° C., but may be a temperature under an environment where the adhesive sheet of the present invention is used.
支持基材１０は、上記の条件を満たすものであればよく、その材質については特に限定されない。本実施形態で用いる支持基材１０としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。また、上記のフィルムは、光透過性が高いことが好ましく、具体的には、２００〜４５０ｎｍの波長域における最小光透過率が５０％以上であることが好ましい。
The
本実施形態において、支持基材１０の表面自由エネルギーは、ピックアップ性を十分良好な水準にする観点から５０ｍＮ／ｍ以下であることが必要であるが、好ましくは２０〜５０ｍＮ／ｍであり、より好ましくは３０〜４５ｍＮ／ｍである。支持基材１０の表面自由エネルギーが２０ｍＮ／ｍより小さいと、支持基材と粘接着層との界面の密着力が低いため、保護フィルム３０を剥がす際に粘接着層／支持基材界面の一部が剥離する可能性が高くなる。
In the present embodiment, the surface free energy of the
なお、上記支持基材の表面自由エネルギーは、接触角計（協和界面化学（株）製：ＣＡ−Ｚ型）を用いて、水及びヨウ化メチレンに対する接触角θを２３〜２８℃の温度にて実測し、これらの値を用い下記式（１）〜（３）により算出することができる。
［式中、θ１は水に対する接触角（ｄｅｇ）を、θ２はヨウ化メチレンに対する接触角（ｄｅｇ）を、γは表面自由エネルギー（ｍＮ／ｍ）を、γｄは表面自由エネルギーの分散成分を、γｐは表面自由エネルギーの極性成分をそれぞれ示す。］
In addition, the surface free energy of the said support base material uses contact angle meter (Kyowa Interface Chemical Co., Ltd. product: CA-Z type), and makes contact angle (theta) with respect to water and a methylene iodide to the temperature of 23-28 degreeC. It can be calculated by the following formulas (1) to (3) using these values.
[Wherein θ 1 is the contact angle (deg) for water, θ 2 is the contact angle (deg) for methylene iodide, γ is the surface free energy (mN / m), and γ d is the dispersion of the surface free energy. Γ p represents the polar component of the surface free energy. ]
本実施形態の粘接着シート１は、使用時に剥離基材を粘接着層からスムーズに剥離できるよう支持基材と粘接着層との密着力を向上させる目的で、剥離基材上に形成された粘接着層が支持基材に熱転写されている。この熱転写の観点から、支持基材１０は、２５℃において２０００ＭＰａ以下の弾性率を有することが必要である。支持基材の弾性率が２０００ＭＰａを超えると、支持基材１０と粘接着剤層２０とを熱により貼り合わせる場合、剥離基材側に形成された粘接着層２０を支持基材１０側に転写させることが十分にできない。本実施形態においては、支持基材の２５℃における弾性率が１０〜２０００ＭＰａであることが好ましい。弾性率が１０ＭＰａを下回ると、支持基材としての機能を十分維持することが困難となる傾向にある。さらに、転写性およびダイシング性をより一層向上させる観点から、支持基材の弾性率は１００〜５００ＭＰａであることがより好ましい。
The
なお、上記支持基材の２５℃における弾性率は、１ｃｍ×５ｃｍの支持基材を測定用試料とし、この試料の両側１ｃｍずつを固定し、（株）オリエンテック製のテンシロンを用いて測定温度：２５℃、測定速度：１００ｍｍ／分の条件で引っ張り強度測定を行い、横軸：伸び（％）、縦軸：応力（ＭＰａ）の関係を求め、測定用試料を１ｍｍ伸ばしたとき（３．３％）の点Ａに対応する応力Ｂと原点とを結んだ直線の傾きから算出できる。 Note that the elastic modulus at 25 ° C. of the support substrate is a measurement temperature using a 1 cm × 5 cm support substrate as a measurement sample, fixing 1 cm on both sides of this sample, and using Tensilon manufactured by Orientec Co., Ltd. : Tensile strength measurement was performed under the conditions of 25 ° C. and measurement speed: 100 mm / min, the relationship of horizontal axis: elongation (%), vertical axis: stress (MPa) was determined, and the measurement sample was stretched by 1 mm (3. 3%) can be calculated from the slope of a straight line connecting the stress B corresponding to the point A and the origin.
上記支持基材の線膨張係数α１及び線膨張係数α２は、サンプル厚み：８０〜１２０μｍ、サンプルサイズ：４ｍｍ×２０ｍｍのサイズに裁断したものを測定用試料とし、この試料を、ＥＸＳＴＲＡ６０００（製品名、セイコーインスツルメンツ株式会社製）を用い、測定温度：−２０〜１８０℃、昇温速度：１０℃／分で測定したときの、荷重５．０ｇにて引張モードにより測定して得られた値である。 The linear expansion coefficient α1 and the linear expansion coefficient α2 of the support base material were sample thickness: 80 to 120 μm, sample size: 4 mm × 20 mm cut into a measurement sample, and this sample was used as EXSTRA6000 (product name, This is a value obtained by measuring in a tensile mode at a load of 5.0 g when measured at a measurement temperature of -20 to 180 ° C. and a heating rate of 10 ° C./min using Seiko Instruments Inc. .
また、本実施形態においては、上記［（Ｔ１×α１）−（Ｔ２×α２）］が５０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、３０００ｐｐｍ以下であることがより好ましい。 In the present embodiment, the above [(T1 × α1) − (T2 × α2)] is preferably 5000 ppm or less, and more preferably 3000 ppm or less.
さらに、上記Ｔ１が３０℃以上であることが好ましく、４０℃以上であることがより好ましい。 Furthermore, T1 is preferably 30 ° C. or higher, and more preferably 40 ° C. or higher.
また、本実施形態の粘接着シートにおいて上記支持基材が、常温Ｔ２（℃）において５〜１００％の降伏伸びを有するものであることが好ましく、２０〜８０％の降伏伸びを有するものであることがより好ましい。 In the adhesive sheet of this embodiment, the support substrate preferably has a yield elongation of 5 to 100% at room temperature T2 (° C.), and has a yield elongation of 20 to 80%. More preferably.
なお、上記支持基材の降伏伸びとは、引張り特性における、降伏点における伸び率を百分率で表した値を表す値である。より具体的には、上記弾性率を求める際に測定される伸び−応力の関係において、応力の第一ピーク値Ｃに対応する伸びＤの値を意味する。 In addition, the yield elongation of the said support base material is a value showing the value which represented the elongation rate in the yield point in percentage in the tensile characteristic. More specifically, it means the value of elongation D corresponding to the first peak value C of stress in the relationship of elongation-stress measured when obtaining the elastic modulus.
支持基材の常温Ｔ２（℃）における降伏伸びが５％未満であると、良好なエキスパンド性を得ることが困難となり、ピックアップ性が不十分となる傾向にある。 If the yield elongation at room temperature T2 (° C.) of the supporting substrate is less than 5%, it becomes difficult to obtain good expandability, and the pickup property tends to be insufficient.
支持基材１０は、厚みが５〜２５０μｍであることが好ましく、５０〜１５０μｍであることがより好ましく、７０〜１２０μｍであることが特に好ましい。この厚みが５μｍより薄いとダイシング時に支持基材まで切込みを入れた場合に支持基材が切れ易くなる傾向にあり、２５０μｍより厚いと経済的に不利となる傾向にある。
The
次に、粘接着層２０について説明する。
Next, the
本実施形態の粘接着シート１が備える粘接着層２０は、（Ａ）官能基を有し重量平均分子量（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンを用いた検量線により換算した値）が１０００００以上である高分子、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、（Ｄ）紫外線照射により得られる硬化物のガラス転移温度が２５０℃以上である光反応性モノマー、（Ｅ）波長２００〜４５０ｎｍの紫外線照射により塩基とラジカルとを発生する光開始剤を含有してなる。以下、粘接着層２０に含まれる各成分について詳細に説明する。
The
＜（Ａ）成分＞
官能基を有し重量平均分子量が１０００００以上である高分子としては、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接着性向上の点で、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、カルボキシル基、水酸基、エピスルフィド基などの官能基を含有するものが好ましく、中でも架橋性の点でグリシジル基を含有するものが好ましい。具体的には、原料モノマーとして少なくともグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを重合させて得られる重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体を挙げることができる。
<(A) component>
As a polymer having a functional group and a weight average molecular weight of 100,000 or more, a glycidyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a carboxyl group, a hydroxyl group, in terms of improving the adhesion between a semiconductor element and a semiconductor element mounting support member, Those containing a functional group such as an episulfide group are preferred, and those containing a glycidyl group are particularly preferred in terms of crosslinkability. Specific examples include a glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 100,000 or more obtained by polymerizing at least glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate as a raw material monomer.
また、上記（Ａ）成分は、耐リフロー性の点で、上記（Ｂ）成分であるエポキシ樹脂と非相溶であることが好ましい。ただし、相溶性は（Ａ）高分子量成分の特性のみでは決定しないので、両者が相溶しない組み合わせを選択することになる。本実施形態において、上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体とは、グリシジル基含有アクリル共重合体とグリシジル基含有メタクリル共重合体の両方を示す語句である。 The component (A) is preferably incompatible with the epoxy resin as the component (B) from the viewpoint of reflow resistance. However, since the compatibility is not determined only by the characteristics of the (A) high molecular weight component, a combination in which both are not compatible is selected. In the present embodiment, the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer is a phrase indicating both a glycidyl group-containing acrylic copolymer and a glycidyl group-containing methacrylic copolymer.
上記の共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴムなどが挙げられ、アクリルゴムを用いることがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレート及びアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレート及びアクリロニトリルなどの共重合体などからなるゴムである。共重合体モノマーとしては、例えば、ブチルアクリレート、エチルアクリレートアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、アクリロニトリル等を挙げることができる。 Examples of the copolymer include (meth) acrylic ester copolymers and acrylic rubber, and it is more preferable to use acrylic rubber. The acrylic rubber is a rubber mainly composed of an acrylate ester and mainly composed of a copolymer such as butyl acrylate and acrylonitrile or a copolymer such as ethyl acrylate and acrylonitrile. Examples of the copolymer monomer include butyl acrylate, ethyl acrylate methyl acrylate, ethyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, acrylonitrile and the like.
官能基としてグリシジル基を選択する場合、共重合体モノマー成分としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等を使用することが好ましい。このような重量平均分子量が１０００００以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体は、上記のモノマーから適宜モノマーを選択して製造することができる。また、商業的に入手可能な市販品（例えば、ナガセケムテックス（株）製、商品名「ＨＴＲ−８６０Ｐ−３」及び「ＨＴＲ−８６０Ｐ−５」等）を用いてもよい。 When a glycidyl group is selected as the functional group, it is preferable to use glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate as the copolymer monomer component. Such a glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 100,000 or more can be produced by appropriately selecting a monomer from the above monomers. Commercially available products (for example, trade names “HTR-860P-3” and “HTR-860P-5” manufactured by Nagase ChemteX Corporation) may also be used.
（Ａ）成分において、高分子を構成する成分の種類によっても異なるが、高分子に含まれる官能基の数は架橋密度に影響するので、上記高分子を複数のモノマーの共重合体として得る場合、原料として使用する官能基含有モノマーの量は、共重合体中に０．５〜６．０質量％含まれるように設定することが好ましい。 In the component (A), the number of functional groups contained in the polymer affects the crosslink density although it varies depending on the type of the component constituting the polymer. Therefore, when the polymer is obtained as a copolymer of a plurality of monomers The amount of the functional group-containing monomer used as a raw material is preferably set so that the copolymer contains 0.5 to 6.0% by mass.
（Ａ）成分としてグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体を使用する場合、原料として使用するグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のグリシジル基含有モノマーの量は、共重合体に０．５〜６．０質量％含まれるように設定することが好ましく、０．５〜５．０質量％がより好ましく、０．８〜５．０質量％が特に好ましい。共重合体におけるグリシジル基含有モノマーの含有量をかかる範囲とすることで、グリシジル基の緩やかな架橋によって接着力を十分確保できるとともにゲル化を防止することができる。また、（Ｂ）エポキシ樹脂と非相溶になるため、粘接着層が応力緩和性に優れるようになる。 When the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer is used as the component (A), the amount of the glycidyl group-containing monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate used as a raw material is 0.5 to 6.0 in the copolymer. It is preferable to set so that it may be contained by mass%, 0.5 to 5.0 mass% is more preferable, and 0.8 to 5.0 mass% is particularly preferable. By setting the content of the glycidyl group-containing monomer in the copolymer in such a range, it is possible to ensure sufficient adhesive force and prevent gelation by gentle crosslinking of the glycidyl groups. Moreover, since it becomes incompatible with the (B) epoxy resin, the adhesive layer becomes excellent in stress relaxation properties.
また、上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等以外に他の官能基が組み込まれていてもよい。その場合の混合比率は、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のガラス転移温度を考慮して決定することが好ましい。具体的には、かかる重合体のガラス転移温度が−１０℃以上となるように混合比率を設定することが好ましい。重合体のガラス転移温度が−１０℃以上であると、Ｂステージ状態での粘接着層のタック性が適当であり、取り扱い性に問題を生じないため好ましい。 In addition to the glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate, other functional groups may be incorporated in the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer. In this case, the mixing ratio is preferably determined in consideration of the glass transition temperature of the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer. Specifically, it is preferable to set the mixing ratio so that the glass transition temperature of the polymer is -10 ° C or higher. It is preferable for the glass transition temperature of the polymer to be −10 ° C. or higher because the tackiness of the adhesive layer in the B-stage state is appropriate, and no problem is caused in handleability.
（Ａ）成分として、上記グリシジル基含有モノマーを重合させて得られるグリシジル基含有アクリル共重合体を使用する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合などの方法を使用することができる。 When the glycidyl group-containing acrylic copolymer obtained by polymerizing the glycidyl group-containing monomer is used as the component (A), the polymerization method is not particularly limited, and examples thereof include methods such as pearl polymerization and solution polymerization. Can be used.
本実施形態において、（Ａ）成分の重量平均分子量は１０００００以上であるが、３０００００〜３００００００であることが好ましく、４０００００〜２５０００００がより好ましく、５０００００〜２００００００であることが特に好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、粘接着層の強度、可とう性及びタック性を良好にバランスさせることが容易となるとともに粘接着層のフロー性が良好となるため、配線の回路充填性を十分確保できる。 In this embodiment, the weight average molecular weight of the component (A) is 100,000 or more, preferably 300,000 to 3,000,000, more preferably 400,000 to 2,500,000, and particularly preferably 500,000 to 2,000,000. When the weight average molecular weight is within this range, it is easy to balance the strength, flexibility and tackiness of the adhesive layer, and the flow property of the adhesive layer is improved. A sufficient filling property can be secured.
＜（Ｂ）成分＞
（Ｂ）成分として用いるエポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されず、例えばエポキシ樹脂ハンドブック（新保正樹編、日刊工業新聞社）等に記載されるエポキシ樹脂を広く使用することができる。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。
<(B) component>
The epoxy resin used as the component (B) is not particularly limited as long as it is cured and has an adhesive action. For example, a wide variety of epoxy resins described in the Epoxy Resin Handbook (edited by Masaki Shinbo, Nikkan Kogyo Shimbun), etc. Can be used. Specifically, for example, bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy, novolac type epoxy resins such as phenol novolac type epoxy resin and cresol novolac type epoxy resin, and the like can be used. Moreover, what is generally known, such as a polyfunctional epoxy resin, a glycidyl amine type epoxy resin, a heterocyclic ring-containing epoxy resin, or an alicyclic epoxy resin, can be applied.
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製のエピコート８０７，８１５，８２５，８２７，８２８，８３４，１００１，１００４，１００７及び１００９、ダウケミカル社製のＤＥＲ−３３０，３０１及び３６１、東都化成（株）製のＹＤ８１２５及びＹＤＦ８１７０等が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製のエピコート１５２及び１５４、日本化薬（株）製のＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製のＤＥＮ−４３８等が挙げられる。また、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬（株）製のＥＯＣＮ−１０２Ｓ，１０３Ｓ，１０４Ｓ，１０１２，１０２５及び１０２７、東都化成（株）製のＹＤＣＮ７０１，７０２，７０３及び７０４等が挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製のＥｐｏｎ１０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイト０１６３、ナガセ化成（株）製のデナコールＥＸ−６１１，６１４，６１４Ｂ，６２２，５１２，５２１，４２１，４１１及び３２１等が挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製のエピコート６０４、東都化成（株）製のＹＨ−４３４、三菱ガス化学（株）製のＴＥＴＲＡＤ−Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学（株）製のＥＬＭ−１２０等が挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイトＰＴ８１０、ＵＣＣ社製のＥＲＬ４２３４，４２９９，４２２１及び４２０６等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。 Examples of the bisphenol A type epoxy resin include Epicoat 807, 815, 825, 827, 828, 834, 1001, 1004, 1007 and 1009 manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., and DER-330, 301 and 361 manufactured by Dow Chemical Company. YD8125 and YDF8170 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd. can be mentioned. Examples of the phenol novolac type epoxy resin include Epicoat 152 and 154 manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., EPPN-201 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., DEN-438 manufactured by Dow Chemical Company, and the like. Moreover, as an o-cresol novolak type epoxy resin, Nippon Kayaku Co., Ltd. EOCN-102S, 103S, 104S, 1012, 1025 and 1027, Toto Kasei Co., Ltd. YDCN701,702,703,704, etc. Can be mentioned. As the polyfunctional epoxy resin, Epon 1031S manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., Araldite 0163 manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd., Denacol EX-611, 614, 614B, 622, 512, 521 manufactured by Nagase Chemical Co., Ltd. 421, 411, 321 and the like. As the amine type epoxy resin, Epicoat 604 manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., YH-434 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., TETRAD-X and TETRAD-C manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., Sumitomo Chemical Co., Ltd. ) ELM-120 and the like. Examples of the heterocyclic ring-containing epoxy resin include Araldite PT810 manufactured by Ciba Specialty Chemicals, ERL4234, 4299, 4221 and 4206 manufactured by UCC. These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.
本実施形態においては、粘接着層に高接着力を付与する観点から、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びフェノールノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。 In the present embodiment, bisphenol A type epoxy resin and phenol novolac type epoxy resin are preferable from the viewpoint of imparting high adhesive force to the adhesive layer.
既に述べたように、（Ｂ）エポキシ樹脂は、（Ａ）成分と相溶しないものであることが好ましい。 As already described, it is preferable that the (B) epoxy resin is incompatible with the component (A).
＜（Ｃ）成分＞
粘接着層２０に含まれるフェノール系エポキシ樹脂硬化剤は、エポキシ樹脂と組み合わせることによって、硬化後の粘接着層の高温高圧下における耐衝撃性を優れたものとし、厳しい熱吸湿下においても十分な接着物性を保持することを可能とする。
<(C) component>
The phenolic epoxy resin curing agent contained in the
かかるフェノール系エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂等が挙げられる。より具体的には、例えば、「フェノライトＬＦ２８８２」、「フェノライトＬＦ２８２２」、「フェノライトＴＤ−２０９０」、「フェノライトＴＤ−２１４９」、「フェノライトＶＨ−４１５０」、「フェノライトＶＨ４１７０」（以上、大日本インキ化学工業（株）製、商品名）等が挙げられ、これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。 Examples of the phenolic epoxy resin curing agent include phenol resins such as phenol novolac resin, bisphenol A novolac resin, and cresol novolac resin. More specifically, for example, “Phenolite LF2882”, “Phenolite LF2822”, “Phenolite TD-2090”, “Phenolite TD-2149”, “Phenolite VH-4150”, “Phenolite VH4170” ( As mentioned above, Dainippon Ink & Chemicals, Inc., a brand name) etc. are mentioned, These can be used individually or in combination of 2 or more types.
＜（Ｄ）成分＞
本実施形態の粘接着シート１において、粘接着層２０が（Ｄ）紫外線照射によって得られる硬化物のガラス転移温度が２５０℃以上である光反応性モノマーを含むことにより、紫外線照射後の粘接着層の耐熱性が向上するため、熱時接着力及び耐リフロークラック性が良好になる。本実施形態においては、上記硬化物のガラス転移温度が、鉛フリーハンダ対応の２６０℃以上である光反応性モノマーを粘接着層に含有させることが好ましい。一方、上記硬化物のガラス転移温度が高すぎる光反応性モノマーは、紫外線照射後の粘接着シートの常温貼り付け性が劣るようになる傾向があるので、かかるガラス転移温度の上限としては３５０℃程度である。
<(D) component>
In the
ここで、（Ｄ）成分のガラス転移温度を測定する方法としては、（Ｄ）成分としての光反応性モノマーに後述する（Ｅ）光開始剤を添加し、照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線照射して得られた硬化物を５×５ｍｍ程度の大きさに成形したものを測定用試料とし、この測定用試料を「ＥＸＳＴＲＡ６０００」（製品名、セイコーインスツルメンツ株式会社製）を用いて圧縮モードにより測定した値である。 Here, as a method for measuring the glass transition temperature of component (D), (E) photoinitiator described later is added to the photoreactive monomer as component (D), and the illuminance is 15 to 100 mW / cm 2 . A cured product obtained by irradiating with ultraviolet rays so as to give an irradiation amount of 300 mJ was molded into a size of about 5 × 5 mm, and this measurement sample was called “EXTRA6000” (product name, Seiko Instruments Inc.). The value measured by the compression mode using
上記（Ｄ）成分の具体例としては、例えば、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート及びペンタエリスリトールテトラアクリレートなどのような多官能アクリレート等が挙げられる。これらの光反応性モノマーは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。紫外線照射後の残存モノマーをより低減させる観点から、多官能であるもののなかでも、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートやジペンタエリスリトールペンタアクリレートなどが好ましい。より具体的には、「Ａ−ＤＰＨ」及び「Ａ−９３００」（以上、新中村化学社製、商品名）等が挙げられる。 Specific examples of the component (D) include pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, trimethylolpropane triacrylate, isocyanuric acid EO-modified triacrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, and penta. Examples include polyfunctional acrylates such as erythritol tetraacrylate. These photoreactive monomers can be used alone or in combination of two or more. Of these polyfunctional ones, dipentaerythritol hexaacrylate and dipentaerythritol pentaacrylate are preferred from the viewpoint of further reducing the residual monomer after ultraviolet irradiation. More specifically, "A-DPH" and "A-9300" (above, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name) and the like can be mentioned.
なお複数の（Ｄ）成分を使用する場合、硬化物のガラス転移温度は複数の光反応性モノマーの混合物を上記測定方法で測定したときに得られる値であり、それぞれのモノマーの硬化物のガラス転移温度が２５０℃以上であることを要しない。 In addition, when using several (D) component, the glass transition temperature of hardened | cured material is a value obtained when the mixture of a several photoreactive monomer is measured with the said measuring method, The glass of the hardened | cured material of each monomer It is not necessary that the transition temperature is 250 ° C. or higher.
＜（Ｅ）成分＞
本実施形態において用いる波長２００〜４５０ｎｍの紫外線照射により塩基とラジカルとを発生する光開始剤（以下、「光塩基発生剤」という場合もある）は、一般的にはα−アミノケトン化合物と呼ばれるものである。このような化合物は、例えば、Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｖｏｌ．１３，Ｎｏ１，２００１等に記載されているもので、紫外線を照射すると下記一般式（ＩＩ）のように反応する。
<(E) component>
The photoinitiator that generates a base and a radical upon irradiation with ultraviolet rays having a wavelength of 200 to 450 nm used in this embodiment (hereinafter sometimes referred to as “photobase generator”) is generally called an α-aminoketone compound. It is. Such compounds are described, for example, in J. Org. Photopolym. Sci. Technol. , Vol. 13, No. 1, 2001, etc. When irradiated with ultraviolet rays, it reacts as shown in the following general formula (II).
本実施形態の粘接着シートは、粘接着層に上記の光開始剤を含むことにより、室温での保存安定性と、接着性とを高水準で両立することが可能となる。このような効果が得られる理由としては、本発明者らは以下のとおり推察する。すなわち、α−アミノケトン化合物は、紫外線照射する前は、ラジカルが存在しないため光反応性モノマーの重合反応は起きない。また、立体障害のため熱硬化性樹脂の硬化も促進しない。しかし、紫外線が照射されると、α−アミノケトン化合物の解離が起こり、ラジカルの発生に伴い、光反応性モノマーの重合反応が起こる。また、α−アミノケトン化合物の解離により、立体障害が低下し活性化したアミンが存在するようになる。そのため、アミンが熱硬化性樹脂の硬化促進作用を有するようになり、以後加熱により硬化促進作用が働くと類推される。このような作用により、紫外線照射する以前には、ラジカルや活性化したアミンが存在しないため室温での保存安定性に非常に優れ、紫外線照射後には、優れた接着性を発揮できる粘接着シートが実現可能になるものと考えられる。 The adhesive sheet of this embodiment can achieve both storage stability at room temperature and adhesiveness at a high level by including the photoinitiator in the adhesive layer. As the reason why such an effect is obtained, the present inventors infer as follows. That is, since the α-aminoketone compound does not have radicals before being irradiated with ultraviolet rays, the polymerization reaction of the photoreactive monomer does not occur. In addition, curing of the thermosetting resin is not accelerated due to steric hindrance. However, when irradiated with ultraviolet rays, dissociation of the α-aminoketone compound occurs, and with the generation of radicals, a polymerization reaction of the photoreactive monomer occurs. In addition, dissociation of the α-aminoketone compound causes steric hindrance to be reduced and activated amines to be present. For this reason, it is presumed that the amine has a curing accelerating action of the thermosetting resin, and the heating accelerating action works by heating. Because of this action, before UV irradiation, there are no radicals or activated amines, so it has excellent storage stability at room temperature. After UV irradiation, it can exhibit excellent adhesive properties. Is thought to be feasible.
上記光塩基発生剤としては、例えば、２−メチル−１（４−（メチルチオ）フェニル−２−モルフォリノプロパン−１−オン（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製、商品名「イルガキュア９０７」）、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１−オン（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製、商品名「イルガキュア３６９」）、ヘキサアリールビスイミダゾール誘導体（ハロゲン、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等の置換基がフェニル基に置換されても良い）及びベンゾイソオキサゾロン誘導体等が挙げられる。 Examples of the photobase generator include 2-methyl-1 (4- (methylthio) phenyl-2-morpholinopropan-1-one (Ciba Specialty Chemicals, trade name “Irgacure 907”), 2-benzyl. 2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1-one (trade name “Irgacure 369” manufactured by Ciba Specialty Chemicals), hexaarylbisimidazole derivative (halogen, alkoxy group, nitro group, Substituents such as a cyano group may be substituted with a phenyl group) and benzoisoxazolone derivatives.
なお、紫外線照射により生じるラジカル及びアミンの構造によって光反応性モノマーやエポキシ樹脂の硬化速度が変化するので、熱による硬化速度を調節する場合、粘接着層に含まれる上記（Ｂ）〜（Ｄ）成分に応じて（Ｅ）光塩基発生剤を適宜選択することが好ましい。 In addition, since the cure rate of a photoreactive monomer or an epoxy resin changes with the radical and amine structure which arise by ultraviolet irradiation, when adjusting the cure rate by heat, said (B)-(D It is preferable to select the (E) photobase generator as appropriate according to the component.
上記塩基発生剤のほかに、光フリース転位、光クライゼン転位、クルチウス転位、スチーブンス転位によって塩基を発生させる方法を用いることができる。 In addition to the above base generator, a method of generating a base by optical Fries rearrangement, optical Claisen rearrangement, Curtius rearrangement, and Stevens rearrangement can be used.
上記塩基発生剤は、分子量５００以下の低分子化合物として用いるほか、高分子の主鎖及び側鎖に導入した化合物を用いても良い。この場合の分子量としては、粘接着層の粘接着性及び流動性を向上させる観点から、重量平均分子量１０００〜１０００００が好ましく、より好ましくは５０００〜３００００である。 The base generator may be a low molecular compound having a molecular weight of 500 or less, or a compound introduced into the main chain and side chain of a polymer. The molecular weight in this case is preferably a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000, more preferably 5,000 to 30,000, from the viewpoint of improving the adhesiveness and fluidity of the adhesive layer.
粘接着層における上記（Ｂ）エポキシ樹脂の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、５〜５０質量部が好ましい。（Ｂ）成分の含有量がかかる範囲にあると、粘接着層の弾性率及び成型時のフロー性抑制を十分確保でき、高温での取り扱い性を良好にできる。さらに、上記（Ｂ）エポキシ樹脂の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して１０〜５０質量部がより好ましく、２０〜４０質量部が特に好ましい。 As for content of the said (B) epoxy resin in an adhesive layer, 5-50 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of (A) component. When the content of the component (B) is within such a range, the elastic modulus of the adhesive layer and the flowability during molding can be sufficiently secured, and the handleability at high temperatures can be improved. Furthermore, as for content of the said (B) epoxy resin, 10-50 mass parts is more preferable with respect to 100 mass parts of (A) component, and 20-40 mass parts is especially preferable.
また、粘接着層における上記（Ｃ）成分の含有量は、（Ｂ）エポキシ樹脂のエポキシ基１個当たりフェノール性水酸基の当量比が０．５〜１．５の範囲となるように設定することが好ましく、当量比が０．８〜１．２の範囲となるように設定することがより好ましい。かかる当量比で（Ｃ）成分を含有させることにより、硬化後の粘接着層の高温高圧下における耐衝撃性を優れたものとし、厳しい熱吸湿下においても十分な接着物性を保持する効果がより確実に得られる。また、（Ｃ）成分の含有量が上記の条件を満足することにより、エポキシ樹脂の硬化（橋かけ）を十分なレベルまで進行させることができ、硬化物のガラス転移温度を十分高めることがより確実にできる。これにより、硬化した粘接着層の耐湿性及び高温での接続信頼性を十分確保でき、その結果、吸湿時の耐電食性がより確実に向上する。 Moreover, content of the said (C) component in an adhesive layer is set so that the equivalent ratio of the phenolic hydroxyl group per epoxy group of (B) epoxy resin may become the range of 0.5-1.5. It is preferable that the equivalence ratio is set in the range of 0.8 to 1.2. By containing the component (C) at such an equivalent ratio, the cured adhesive layer has excellent impact resistance under high temperature and high pressure, and has the effect of maintaining sufficient adhesive properties even under severe thermal moisture absorption. It is obtained more reliably. In addition, when the content of the component (C) satisfies the above condition, the curing (crosslinking) of the epoxy resin can proceed to a sufficient level, and the glass transition temperature of the cured product can be sufficiently increased. You can be sure. Thereby, the moisture resistance of the cured adhesive layer and the connection reliability at high temperature can be sufficiently secured, and as a result, the electric corrosion resistance at the time of moisture absorption is more reliably improved.
また、粘接着層における上記（Ｄ）成分の含有量は、上記（Ａ）成分１００質量部に対して、５〜１００質量部が好ましい。かかる含有量が５質量部未満であると、紫外線照射による光反応性モノマーの重合反応が不十分となる傾向にあり、粘接着シートのピックアップ性が不十分となる傾向にある。また、かかる含有量が５質量部未満であると、紫外線照射後の粘接着層の耐熱性を十分向上させることが困難となる傾向にあり、熱時接着力及び耐リフロークラック性を十分向上させることが困難となる傾向にある。一方、粘接着層における上記（Ｄ）成分の含有量が上記（Ａ）成分１００質量部に対して１００重量部より多くなると、（Ａ）成分の低弾性が機能しにくくなり、フィルムが脆くなることで耐湿性や高温の電気特性などが劣る傾向にある。本実施形態においては、更に上記（Ｄ）成分の含有量が、（Ａ）成分１００質量部に対して１０〜７０質量部がより好ましく、２０〜５０質量部が特に好ましい。 Moreover, as for content of the said (D) component in an adhesive layer, 5-100 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of said (A) component. When the content is less than 5 parts by mass, the polymerization reaction of the photoreactive monomer by ultraviolet irradiation tends to be insufficient, and the pick-up property of the adhesive sheet tends to be insufficient. In addition, if the content is less than 5 parts by mass, it tends to be difficult to sufficiently improve the heat resistance of the adhesive layer after ultraviolet irradiation, and the adhesive force during heat and reflow crack resistance are sufficiently improved. This tends to be difficult. On the other hand, when the content of the component (D) in the adhesive layer is more than 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (A), the low elasticity of the component (A) becomes difficult to function and the film becomes brittle. As a result, moisture resistance and high-temperature electrical characteristics tend to be inferior. In the present embodiment, the content of the component (D) is more preferably 10 to 70 parts by mass and particularly preferably 20 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A).
また、粘接着層における上記（Ｅ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１〜２０質量部が好ましい。かかる含有量が０．１質量部より少ないと、上記（Ｂ）エポキシ樹脂及び（Ｄ）光反応性モノマーを十分に反応させることが困難となり残存モノマーが残りやすく、これにより耐リフロークラック性が劣る傾向にある。一方、かかる含有量が２０質量部より多いと、重合反応によって分子量を十分に増加させることが困難となり、低分子量成分が多く存在する傾向にある。この場合、耐リフロー性に影響を及ぼす可能性がある。本実施形態においては、更に上記（Ｅ）成分の含有量が、（Ａ）成分１００質量部に対して０．５〜１５質量部がより好ましく、１〜５質量部が特に好ましい。 Moreover, as for content of the said (E) component in an adhesive bond layer, 0.1-20 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of (A) component. When the content is less than 0.1 parts by mass, it is difficult to sufficiently react the (B) epoxy resin and (D) the photoreactive monomer, and the residual monomer is likely to remain, resulting in poor reflow crack resistance. There is a tendency. On the other hand, when the content is more than 20 parts by mass, it is difficult to sufficiently increase the molecular weight by the polymerization reaction, and there is a tendency that many low molecular weight components exist. In this case, reflow resistance may be affected. In the present embodiment, the content of the component (E) is more preferably 0.5 to 15 parts by mass and particularly preferably 1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A).
また、粘接着層における上記（Ｂ）成分及び上記（Ｃ）成分の含有量が、上記（Ａ）成分１００質量部に対して、合計で１２５質量部以下であることが好ましい。これにより、耐リフロークラック性をより一層向上させることができる。 Moreover, it is preferable that content of the said (B) component and said (C) component in an adhesive bond layer is 125 mass parts or less in total with respect to 100 mass parts of said (A) component. Thereby, the reflow crack resistance can be further improved.
本実施形態の粘接着シート１において、粘着剤層２０は、上記（Ａ）〜（Ｅ）成分以外に、その他の成分を必要に応じて更に含むことができる。以下、その他の成分について説明する。
In the pressure-
本実施形態の粘接着シート１が備える粘接着層２０には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、（Ｆ）エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。
For the purpose of improving flexibility and reflow crack resistance, (F) a high molecular weight resin compatible with an epoxy resin is added to the
このような高分子量樹脂としては、上記（Ａ）成分と非相溶になるものが耐リフロークラック性をより確実に向上させることができるため、接続信頼性向上の観点から好ましく、例えば、フェノキシ樹脂、高分子量エポキシ樹脂、超高分子量エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することもできる。 As such a high molecular weight resin, those which are incompatible with the component (A) can improve the reflow crack resistance more reliably, and therefore are preferable from the viewpoint of improving connection reliability. For example, phenoxy resin , High molecular weight epoxy resin, ultra high molecular weight epoxy resin, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.
粘接着層に上記（Ｆ）成分を含有させることにより、上記（Ｂ）エポキシ樹脂が（Ａ）成分と相溶性がある場合であっても、（Ｂ）エポキシ樹脂が上記（Ａ）成分よりも上記（Ｆ）成分と相溶しやすい場合、結果的に（Ｂ）エポキシ樹脂と（Ａ）成分とを非相溶にすることが可能となる場合がある。このような作用によって、耐リフロークラック性をより確実に向上させることができる。 Even if the (B) epoxy resin is compatible with the (A) component by including the (F) component in the adhesive layer, the (B) epoxy resin is more than the (A) component. If it is easily compatible with the component (F), as a result, it may be possible to make the (B) epoxy resin and the component (A) incompatible. Such an action can improve the reflow crack resistance more reliably.
粘接着層におけるエポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂の含有量は、上記（Ｂ）成分及び上記（Ｃ）成分の合計１００質量部に対して、４０質量部以下とすることが好ましい。この範囲であると、硬化後の粘接着層のガラス転移温度を十分高い値に確保できる。 The content of the high molecular weight resin having compatibility with the epoxy resin in the adhesive layer is preferably 40 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass in total of the component (B) and the component (C). Within this range, the glass transition temperature of the cured adhesive layer can be secured at a sufficiently high value.
また、粘接着層２０には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整及びチキソトロピック性付与などを目的として、無機フィラーを添加することができる。無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。なお、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
Moreover, an inorganic filler can be added to the
上記の無機フィラーの中でも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。 Among the above inorganic fillers, aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, amorphous silica and the like are preferable for improving thermal conductivity. For the purpose of adjusting melt viscosity and imparting thixotropic properties, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, crystallinity Silica, amorphous silica and the like are preferable.
粘接着層における無機フィラーの含有量は、粘接着層１００質量部に対して１〜４０質量部が好ましい。含有量が１質量部未満であると、上記の添加効果が得られにくくなる傾向にあり、４０質量部を超えると、粘接着層の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題が発生し易くなる傾向にある。 As for content of the inorganic filler in an adhesive layer, 1-40 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of adhesive layers. When the content is less than 1 part by mass, the above-described additive effect tends to be difficult to obtain. When the content exceeds 40 parts by mass, the storage elastic modulus of the adhesive layer increases, the adhesiveness decreases, and voids remain. Problems such as deterioration of electrical characteristics tend to occur.
また、粘接着層２０には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することができる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられる。
In addition, various coupling agents can be added to the
上記シラン系カップリング剤としては、特に制限はなく、例えば、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。これらは、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。商業的に入手可能なものとしては、例えば、「Ａ−１８９」及び「Ａ−１１６０」（日本ユニカー社製、商品名）が挙げられる。 The silane coupling agent is not particularly limited. For example, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltriethoxysilane, Examples include 3-aminopropylmethyldiethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, and 3-ureidopropyltrimethoxysilane. These can be used alone or in combination of two or more. Examples of commercially available products include “A-189” and “A-1160” (trade name, manufactured by Nihon Unicar).
粘接着層における上記カップリング剤の含有量は、その添加効果、耐熱性及びコストの観点から、上記（Ａ）成分１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部が好ましい。 The content of the coupling agent in the adhesive layer is preferably 0.01 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A) from the viewpoint of the addition effect, heat resistance and cost.
また、粘接着層２０には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性をよくするために、イオン捕捉剤を更に添加することができる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物及びビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。
Further, an ion scavenger can be further added to the
粘接着層における上記イオン捕捉剤の含有量は、その添加効果、耐熱性及びコストの観点から、上記（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１〜１０質量部が好ましい。 The content of the ion scavenger in the adhesive layer is preferably 0.1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A) from the viewpoint of the effect of addition, heat resistance, and cost.
また、本実施形態の粘接着シート１が備える粘接着層２０は、熱硬化性であり、硬化後の熱時弾性率が１ＭＰａ以上であり、且つ、硬化後の熱時接着力が１．５ＭＰａ以上であることが好ましい。これにより、接続信頼性を更に向上させることが可能となるため、かかる粘接着シートを用いることにより半導体装置の生産性をより一層向上させることができる。
In addition, the
なお、上記粘接着層の熱時弾性率は、粘接着層に対して照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線を照射し、１７５℃で５時間加熱して硬化させた粘接着シートを４ｍｍ×３０ｍｍのサイズに裁断したものを測定用試料とし、この試料を動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、「ＤＥＶ−Ｖ４」）を用い、引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で−５０℃から３００℃まで測定したときの温度２６５℃における値を意味する。また、上記念接着層の熱時接着力は、以下のようにして求めた値を意味する。すなわち、粘接着シートを貼り付けた半導体ウエハをダイシング装置上に固定して、１０ｍｍ／秒の速度で３．２ｍｍ×３．２ｍｍにダイシングした後、粘接着層に対して照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線を照射する。次いで、粘接着層付き半導体チップを支持基材からピックアップした後、このチップを有機基板（ＰＳＲ−４０００、ＳＲ−ＡＵＳ５、０．２ｍｍｔ）に１８０℃、２ＭＰａ、３０秒の条件でダイボンディングし、１７５℃で５時間加熱して粘接着層を硬化させたものを測定用試料とする。この試料を、２６５℃の熱板上で３０秒間保持した後に、速度：５０μｍ／秒、高さ：５０μmの測定条件でチップと有機基板との熱時接着力を（Ｄａｇｅ社製、「Ｓｅｒｉｅｓ４０００」）を用いて測定する。このとき得られた値を上記の熱時接着力とする。 The thermal elastic modulus of the adhesive layer is such that the adhesive layer is irradiated with ultraviolet rays at an illuminance of 15 to 100 mW / cm 2 and an irradiation amount of 300 mJ, and heated at 175 ° C. for 5 hours. A cured visco-adhesive sheet cut to a size of 4 mm x 30 mm is used as a measurement sample, and this sample is subjected to a tensile load using a dynamic viscoelasticity measuring device ("DEV-V4" manufactured by Rheology). The value at a temperature of 265 ° C. when measured from −50 ° C. to 300 ° C. under conditions of a frequency of 10 Hz and a heating rate of 10 ° C./min. Moreover, the hot adhesive force of the upper memorial adhesive layer means a value obtained as follows. That is, the semiconductor wafer with the adhesive sheet attached thereto is fixed on a dicing apparatus and diced to 3.2 mm × 3.2 mm at a speed of 10 mm / second, and then the illuminance with respect to the adhesive layer is 15 to 15 mm. Irradiation with ultraviolet rays is performed so that the irradiation dose is 300 mJ at 100 mW / cm 2 . Next, after picking up the semiconductor chip with an adhesive layer from the support substrate, this chip was die-bonded to an organic substrate (PSR-4000, SR-AUS5, 0.2 mmt) at 180 ° C., 2 MPa, 30 seconds. A sample for measurement is heated at 175 ° C. for 5 hours to cure the adhesive layer. After holding this sample on a hot plate at 265 ° C. for 30 seconds, the adhesive force during heating between the chip and the organic substrate was measured under the measurement conditions of speed: 50 μm / second and height: 50 μm (manufactured by Dage, “Series 4000”). ) To measure. The value obtained at this time is taken as the above-mentioned adhesive strength during heating.
粘接着層２０の厚みは、特に制限はないが、３〜２５０μｍであることが好ましい。厚みが３μｍより薄いと応力緩和効果が乏しくなる傾向にあり、２５０μｍより厚いと経済的に不利となる上に、半導体装置の小型化に対応しにくくなる傾向にある。
The thickness of the
保護フィルム３０としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルムを用いることができる。市販のものとして、例えば、帝人社製の「Ａ−３１」等のポリエチレンテレフタレートフィルム等が挙げられる。
As the
保護フィルムは、厚みが１０〜１００μｍであることが好ましく、３０〜７５μｍであることがより好ましく、３５〜５０μｍであることが特に好ましい。この厚みが１０μｍ未満では塗工の際、保護フィルムが破れる傾向があり、１００μｍを超えると廉価性に劣る傾向がある。 The thickness of the protective film is preferably 10 to 100 μm, more preferably 30 to 75 μm, and particularly preferably 35 to 50 μm. If the thickness is less than 10 μm, the protective film tends to be broken during coating, and if it exceeds 100 μm, the cost tends to be inferior.
＜粘接着シートの製造方法＞
図２（ａ）〜（ｃ）は、粘接着シート１の製造方法の好適な一実施形態を説明するための断面図である。本実施形態の粘接着シートの製造方法は、上記した粘接着層２０の構成成分を含む粘接着層形成用塗工液を調製する塗工液調製工程と、塗工用基材上に粘接着層形成用塗工液を塗布して塗膜を形成する塗膜形成工程と、塗膜から溶媒を除去して粘接着層を形成する粘接着層形成工程と、形成された粘接着層上に支持基材を所定温度Ｔ１（℃）で加熱加圧しながら貼り付ける（積層する）熱転写工程とを備える。
<Method for producing adhesive sheet>
2A to 2C are cross-sectional views for explaining a preferred embodiment of the method for producing the
なお、本実施形態においては、塗工用基材として上述の保護フィルム３０を用いる。
In the present embodiment, the
また、支持基材として、５０ｍＮ／ｍ以下の表面自由エネルギー、及び、２５℃において２０００ＭＰａ以下の弾性率を有し、且つ、支持基材の所定温度Ｔ１（℃）における線膨張係数をα１（ｐｐｍ／℃）、支持基材の常温Ｔ２（℃）における線膨張係数をα２（ｐｐｍ／℃）とした場合、下記一般式（Ｉ）を満たすものを用いることが必要である。
［（Ｔ１×α１）−（Ｔ２×α２）］≦７０００ｐｐｍ …（Ｉ）
Further, the support base material has a surface free energy of 50 mN / m or less and an elastic modulus of 2000 MPa or less at 25 ° C., and the linear expansion coefficient of the support base material at a predetermined temperature T1 (° C.) is α1 (ppm / ° C.), when the linear expansion coefficient of the supporting substrate at room temperature T2 (° C.) is α2 (ppm / ° C.), it is necessary to use a material satisfying the following general formula (I).
[(T1 × α1) − (T2 × α2)] ≦ 7000 ppm (I)
より具体的には、上述した支持基材１０を用いることができる。
More specifically, the
塗工液調製工程では、粘接着層２０の構成成分を所定の溶媒に公知の混合手段により溶解・分散させることにより粘接着層形成用塗工液を調製する。用いる溶媒は、特に限定されないが、粘接着層形成時の揮発性などを沸点から考慮して決めることが好ましい。具体的には、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒は粘接着層形成時に粘接着層の硬化が進みにくい点で好ましい。また、塗工性を向上させるなどの目的では、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較例高沸点の溶媒を使用することが好ましい。これらの溶媒は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
In the coating liquid preparation step, the adhesive layer forming coating liquid is prepared by dissolving and dispersing the constituent components of the
塗膜形成工程では、上記で得られた粘接着層形成用塗工液を保護フィルム３０上に公知の塗工手段により塗布する。塗工手段としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法などが挙げられる。
In the coating film forming step, the adhesive layer forming coating solution obtained above is applied onto the
上記の塗工液調製工程、塗膜形成工程及び粘接着層形成工程を経ることによる、図２（ａ）に示されるように、保護フィルム３０上に粘接着層２０が形成される。
As shown in FIG. 2A, the
次に、図２（ｂ）に示されるように、上記で形成された粘接着層２０上に支持基材１０を加熱加圧しながら貼り付ける（積層する）熱転写工程を行う。
Next, as shown in FIG. 2B, a thermal transfer process is performed in which the supporting
なお、本実施形態では、粘接着層２０上に支持基材１０を積層した積層体がロールに巻取られる直前に、ロール手段５により支持基材１０に粘接着層２０を転写する加熱転写が行われているが、例えば、加熱することなく上記積層体をロールに巻取り、その後あらためてその積層体を加熱ロールに通すことによっても熱転写を行うことができる。
In the present embodiment, the
熱転写の温度（所定温度Ｔ１（℃））は、シートの反りの抑制及び支持基材と粘接着層との密着力向上を両立させる観点から、３０℃〜８０℃が好ましく、３０〜５０℃がより好ましく、３０〜４０℃が特に好ましい。 The temperature of the thermal transfer (predetermined temperature T1 (° C.)) is preferably 30 ° C. to 80 ° C., preferably 30 ° C. to 50 ° C. from the viewpoint of achieving both suppression of the warpage of the sheet and improvement of the adhesion between the support substrate and the adhesive layer. Is more preferable, and 30 to 40 ° C. is particularly preferable.
上記熱転写工程を経て、図２（ｃ）に示される反りが十分抑制された粘接着シート１が作製される。
Through the thermal transfer step, the
なお、支持基材１０を塗工用基材として用い、支持基材１０上に粘接着層を形成した後、熱転写工程を経てもかまわない。
In addition, after using the
次に、粘接着シート１を用いて半導体装置（半導体パッケージ）を製造する方法について説明する。
Next, a method for manufacturing a semiconductor device (semiconductor package) using the
＜半導体装置（半導体パッケージ）の製造方法＞
図３（ａ）〜（ｆ）及び図４は、粘接着シート１を用いる半導体装置の製造方法の好適な一実施形態を説明するための断面図である。本実施形態の半導体装置の製造方法は、上述の粘接着シート１の粘接着層を半導体ウエハに貼り付ける貼り付け工程（ウエハラミネート工程）と、半導体ウエハ及び粘接着層をダイシングすることにより粘接着層が付着した半導体素子を得るダイシング工程と、粘接着層に放射線を照射する放射線照射工程と、粘接着層が付着した半導体素子を支持基材からピックアップするピックアップ工程と、半導体素子を粘接着層を介して半導体素子搭載用の支持部材に接着する接着工程とを備える。以下、図面を参照しながら、各工程について説明する。
<Method for Manufacturing Semiconductor Device (Semiconductor Package)>
FIGS. 3A to 3F and FIG. 4 are cross-sectional views for explaining a preferred embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device using the
（貼り付け工程）
先ず、粘接着シート１を所定の装置に配置して保護シート３０を剥がす。このとき、反りが十分抑制されているとともに粘接着層と支持基材との密着性に十分優れる本発明に係る粘接着シート１を用いることにより、粘接着シートを装置に配置する際の作業性が良好となるとともに保護シート３０を容易に剥がすことができる。続いて、図３（ａ）及び（ｂ）に示されるように、半導体ウエハＷの主面Ｗｓに、粘接着層２０を介して粘接着シート１を貼り付ける。また、半導体ウエハＷの回路面は、主面Ｗｓとは反対側の面であることが好ましい。この貼り付け工程においては、粘接着シート１のカールが十分抑制されているので、シワや空気の巻き込みの発生に起因するウエハラミネート不良を十分防止することが可能となる。
(Attaching process)
First, the
（ダイシング工程）
次に、図３（ｃ）に示されるように、半導体ウエハＷ及び粘接着層２０をダイシングする。このとき、支持基材１０を途中までダイシングするとしてもよい。このように、粘接着シート１は、ダイシングシートとしても機能する。
(Dicing process)
Next, as shown in FIG. 3C, the semiconductor wafer W and the
（放射線照射工程）
次に、図３（ｄ）に示されるように、粘接着層２０に放射線を照射することにより粘接着層２０を硬化させ、粘接着層２０と支持基材１０との間の接着力を低下させる。ここで、使用される放射線としては、例えば、紫外線、電子線、赤外線等が挙げられる。本実施形態においては、波長２００〜４５０ｎｍの紫外線を用いることが好ましく、その照射条件としては、照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ２で照射量３００ｍＪとなるように照射することが好ましい。
(Radiation irradiation process)
Next, as shown in FIG. 3 (d), the
（ピックアップ工程）
放射線を照射した後、図３（ｅ）に示されるように、支持基材１０をエキスパンド（拡張）することにより、切断により得られた各半導体素子５０を互いに離間させつつ、支持基材１０側からニードル４２で突き上げられた粘接着層付き半導体素子５０を吸引コレット４４で吸引してピックアップする。なお、粘接着付き半導体素子５０は、半導体素子Ｗａと粘接着層２０ａとを有する。また、半導体素子Ｗａは半導体ウエハＷを分割して得られるものであり、粘接着層２０ａは粘接着層２０を分割して得られるものである。ピックアップ工程では、必ずしもエキスパンドを行わなくてもよいが、エキスパンドすることによりピックアップ性をより向上させることができる。なお、本実施形態にかかる粘接着シートにおいて、支持基材が、常温Ｔ２（℃）において２０％以上の降伏伸びを有するものであれば、ピックアップ時に滑らかなエキスパンドを行うことが可能となりチップとチップの間の距離を均一に開けることができ、その結果、ピックアップ性が更に向上する効果が得られる。
(Pickup process)
After irradiating the radiation, as shown in FIG. 3 (e), the supporting
また、ニードル４２による突き上げも必要に応じて行うことが好ましい。さらに、極薄ウエハに対しても十分なピックアップ性を確保する観点から、例えば、２段又は３段ピックアップ法を行ってもよい。 Further, it is preferable that the needle 42 is pushed up as necessary. Furthermore, from the viewpoint of ensuring sufficient pickup performance even for an ultra-thin wafer, for example, a two-stage or three-stage pickup method may be performed.
また、本実施形態においては、吸引コレット４４以外の方法によって半導体素子５０のピックアップを行うこともできる。
In the present embodiment, the
（接着工程）
粘接着層付き半導体素子５０をピックアップした後、図３（ｆ）に示されるように、粘接着層付き半導体素子５０を、熱圧着により、粘接着層２０ａを介して半導体素子搭載用の支持部材６０に接着する。
(Adhesion process)
After picking up the
粘接着付き半導体素子５０を粘接着層２０ａを介して支持部材６０上に搭載した後、再び、接着層付き半導体素子５０を、熱圧着により、粘接着層２０ａを介して半導体素子Ｗａに接着するとしてもよい。これにより、複数の半導体素子Ｗａを支持部材５０上に搭載することができる。この場合、粘接着層２０ａの熱履歴は大きくなるが、本実施形態に係る粘接着層２０ａによれば、半導体素子Ｗａと支持部材６０との接着性を十分維持することができ、また、支持部材６０の表面６０ａに形成された凹凸の凹部に対して粘接着層２０ａを十分良好に充填可能である。
After mounting the
続いて、図４に示されるように、必要に応じて半導体素子Ｗａと支持部材６０とをワイヤボンディング７０により電気的に接続することが好ましい。このとき、半導体素子Ｗａ、粘接着層２０ａ及び支持部材６０は、例えば、１７０℃で１５〜６０分程度加熱される。さらに、ワイヤボンディングにより接続した後、必要に応じて半導体素子Ｗａを樹脂封止することが好ましい。このとき、樹脂封止材８０を支持部材６０の表面６０ａに形成するが、支持部材６０の表面６０ａとは反対側の面にも樹脂封止材を形成するとしてもよい。
Subsequently, as shown in FIG. 4, it is preferable to electrically connect the semiconductor element Wa and the
また、樹脂封止する際に粘接着層２０ａは半硬化の状態であることが好ましい。これにより、樹脂封止する際に支持部材６０の表面６０ａに形成された凹凸の凹部に粘接着層２０ａをより良好に充填することができる。なお、半硬化の状態とは、粘接着層２０ａが完全には硬化していない状態を意味する。
Moreover, it is preferable that the
以上の工程を経ることにより、粘接着シート１を用いて半導体装置１００を製造することができる。
Through the above steps, the
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.
（実施例１）
＜粘接着層形成用塗工液−１の調製＞
先ず、シクロヘキサノンに、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（帝国化学産業（株）製商品名、グリシジル基含有アクリルゴム、分子量：１００万、Ｔｇ：−７℃）１００質量部、ＹＤＣＮ−７０３（東都化成（株）製商品名、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量：２１０）５．４質量部、ＹＤＣＮ−８１７０Ｃ（東都化成（株）製商品名、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１５７）１６．２質量部、プライオーフェンＬＦ２８８２（大日本インキ化学工業（株）製商品名、ビスフェノールＡノボラック樹脂）１５．３質量部、ＮＵＣＡ−１８９（日本ユニカー（株）製商品名、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）０．１質量部、ＮＵＣＡ−１１６０（日本ユニカー（株）製商品名、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン）０．３質量部、Ａ−ＤＰＨ（新中村化学工業（株）製商品名、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート）３０質量部、及び、イルガキュア３６９（チバスペシャリティーケミカルズ社製商品名、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１−オン：Ｉ−３６９）１．５質量部を加えて攪拌混合し、さらに真空脱気することにより接着剤ワニスを得た。このワニスを「粘接着層形成用塗工液−１」とした。
Example 1
<Preparation of coating solution-1 for forming an adhesive layer>
First, cyclohexanone, HTR-860P-3 (trade name manufactured by Teikoku Chemical Industry Co., Ltd., glycidyl group-containing acrylic rubber, molecular weight: 1 million, Tg: −7 ° C.) 100 parts by mass, YDCN-703 (Toto Kasei Co., Ltd.) ) Product name, o-cresol novolak type epoxy resin, epoxy equivalent: 210) 5.4 parts by mass, YDCN-8170C (trade name, bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent: 157) manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd. 16. 2 parts by mass, Priofen LF2882 (trade name, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc., bisphenol A novolak resin) 15.3 parts by mass, NUCA-189 (trade name, manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd., γ-mercaptopropyltrimethoxy) Silane) 0.1 parts by mass, NUCA-1160 (Nippon Unicar Co., Ltd. trade name, γ-ureidopropi Rutriethoxysilane) 0.3 parts by mass, A-DPH (trade name, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., dipentaerythritol hexaacrylate) 30 parts by mass, and Irgacure 369 (trade name, manufactured by Ciba Specialty Chemicals, Inc. 2 -Benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1-one: I-369) 1.5 parts by mass was added, stirred and mixed, and further vacuum degassed to form an adhesive varnish. Got. This varnish was designated as “Adhesive layer forming coating solution-1”.
＜粘接着シートの作製＞
次に、上記で得られた粘接着層形成用塗工液−１を、保護フィルムとしての厚さ３８μｍの表面離型処理ポリエチレンテレフタレート（帝人（株）製、テイジンテトロンフィルム：Ａ−３１）上に塗布し、８０℃で３０分間加熱乾燥することにより粘接着層を形成した。そして、形成した粘接着層上に、厚さ１００μｍの光透過性の軟質ポリオレフィンフィルム（ロンシール社製、商品名「ＰＯＦ−１２０Ａ」）（以下、これを「支持基材−１」という）を積層し、加熱されたロールを用いて温度４０℃、速度２．０ｍ／分、線圧０．５〜５ｋｇｆ／ｃｍの条件で加熱圧着することにより、保護フィルム（表面離型処理ポリエチレンテレフタレート）、粘接着層及び光透過性の支持基材の３層構成を有する実施例１の粘接着シートを作製した。なお、上記加熱圧着での温度が転写温度Ｔ１である。
<Production of adhesive sheet>
Next, the adhesive layer-forming coating liquid-1 obtained above was used as a protective film having a surface release treatment of polyethylene terephthalate with a thickness of 38 μm (manufactured by Teijin Limited, Teijin Tetron Film: A-31). The adhesive layer was formed by applying on the top and drying by heating at 80 ° C. for 30 minutes. Then, on the formed adhesive layer, a light-transmitting soft polyolefin film (trade name “POF-120A” manufactured by Ron Seal Co., Ltd.) having a thickness of 100 μm (hereinafter referred to as “support base material-1”) is provided. A protective film (surface release treatment polyethylene terephthalate) is obtained by laminating and thermocompression bonding under the conditions of a temperature of 40 ° C., a speed of 2.0 m / min, and a linear pressure of 0.5 to 5 kgf / cm using a heated roll. An adhesive sheet of Example 1 having a three-layer structure of an adhesive layer and a light-transmitting support substrate was produced. Note that the temperature in the thermocompression bonding is the transfer temperature T1.
（実施例２）
支持基材として、軟質ポリオレフィンフィルム「ＰＯＦ−１２０Ａ」の代わりに、厚さ１００μｍの光透過性のポリエチレン系フィルム（オカモト（株）社製、商品名「フィッシュアイ」）（以下、これを「支持基材−２」という）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例２の粘接着シートを作製した。
(Example 2)
Instead of the soft polyolefin film “POF-120A” as a supporting substrate, a light-transmitting polyethylene film having a thickness of 100 μm (trade name “Fisheye” manufactured by Okamoto Co., Ltd.) (hereinafter referred to as “supporting”) The adhesive sheet of Example 2 was produced in the same manner as in Example 1 except that “Substrate-2” was used.
（比較例１）
支持基材として、軟質ポリオレフィンフィルム「ＰＯＦ−１２０Ａ」の代わりに、厚さ１００μｍの低密度ポリエチレンテレフタレート／酢酸ビニル／低密度ポリエチレンテレフタレートの三層フィルム（サーモ（株）製、商品名「ＦＨＦ−１００」）（以下、これを「支持基材−３」という）を用い、加熱圧着の条件を温度６０℃とした、すなわち転写温度Ｔ１を６０℃としたこと以外は実施例１と同様にして、比較例１の粘接着シートを作製した。
(Comparative Example 1)
Instead of the soft polyolefin film “POF-120A” as a supporting substrate, a three-layer film of low-density polyethylene terephthalate / vinyl acetate / low-density polyethylene terephthalate having a thickness of 100 μm (trade name “FHF-100” manufactured by Thermo Co., Ltd.) )) (Hereinafter referred to as “support substrate-3”), and the thermocompression bonding conditions were set to 60 ° C., that is, the transfer temperature T1 was set to 60 ° C. The adhesive sheet of Comparative Example 1 was produced.
（比較例２）
支持基材として、軟質ポリオレフィンフィルム「ＰＯＦ−１２０Ａ」の代わりに、水添加ポリプロピレン（日合商事社製、商品名「ダイナソフト」）（以下、これを「支持基材−４」という）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、比較例２の粘接着シートを作製した。
(Comparative Example 2)
Instead of the flexible polyolefin film “POF-120A”, a water-added polypropylene (manufactured by Nichiai Corporation, trade name “Dynasoft”) (hereinafter referred to as “supporting substrate-4”) is used as the supporting substrate. A tacky adhesive sheet of Comparative Example 2 was produced in the same manner as in Example 1 except that.
（比較例３）
支持基材として、軟質ポリオレフィンフィルム「ＰＯＦ−１２０Ａ」の代わりに、ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人（株）製、商品名「Ｇ２」）（以下、これを「支持基材−５」という）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、比較例３の粘接着シートを作製した。
(Comparative Example 3)
Instead of the soft polyolefin film “POF-120A”, a polyethylene terephthalate film (manufactured by Teijin Ltd., trade name “G2”) (hereinafter referred to as “supporting substrate-5”) was used as the supporting substrate. A sticky adhesive sheet of Comparative Example 3 was produced in the same manner as in Example 1 except that.
（比較例４）
支持基材として、軟質ポリオレフィンフィルム「ＰＯＦ−１２０Ａ」の代わりに、厚さ９０μｍのポリプロピレン／ＡＰＡＯ系軟質ポリオレフィン／ポリプロピレン（グンゼ社製、商品名「ＤＤＤ」）（以下、これを「支持基材−６」という）を用い、加熱圧着の条件を温度６０℃、すなわち転写温度Ｔ１を６０℃としたこと以外は実施例１と同様にして、比較例４の粘接着シートを作製した。
(Comparative Example 4)
Instead of the soft polyolefin film “POF-120A” as a supporting substrate, a 90 μm thick polypropylene / APAO-based soft polyolefin / polypropylene (manufactured by Gunze, trade name “DDD”) (hereinafter referred to as “supporting substrate— The adhesive sheet of Comparative Example 4 was produced in the same manner as in Example 1 except that the conditions of thermocompression bonding were 60 ° C., that is, the transfer temperature T1 was 60 ° C.
（実施例３）
実施例１の粘接着層形成用塗工液−１の調製において、ＹＤＣＮ−７０３、ＹＤＣＮ−８１７０Ｃ、及びプライオーフェンＬＦ２８８２の配合量をそれぞれ、５５質量部、１８質量部、及び、５２質量部に変更し、これら（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の合計を１２５質量部としたこと以外は実施例１と同様にして接着剤ワニスを得た。このワニスを「粘接着層形成用塗工液−２」とした。そして、粘接着層形成用塗工液−１の代わりに粘接着層形成用塗工液−２を用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例３の粘接着シートを作製した。
(Example 3)
In the preparation of the adhesive layer-forming coating liquid-1 of Example 1, the blending amounts of YDCN-703, YDCN-8170C, and Pryofen LF2882 were 55 parts by mass, 18 parts by mass, and 52 parts by mass, respectively. The adhesive varnish was obtained in the same manner as in Example 1 except that the total of these components (B) and (C) was 125 parts by mass. This varnish was designated as “Adhesive layer forming coating solution-2”. Then, the adhesive sheet of Example 3 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the adhesive liquid forming coating liquid-2 was used instead of the adhesive liquid forming coating liquid-1. Produced.
（実施例４）
実施例１の粘接着層形成用塗工液−１の調製において、光反応性モノマーとしてＡ−ＤＰＨの代わりにＢＰＥ−２００（新中村化学工業（株）製商品名、２．２−ビス〔４−（メタクリロキシジエトキシ）フェニル〕プロパン）を用いたこと以外は実施例１と同様にして接着剤ワニスを得た。このワニスを「粘接着層形成用塗工液−３」とした。そして、粘接着層形成用塗工液−１の代わりに粘接着層形成用塗工液−３を用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例４の粘接着シートを作製した。
Example 4
In the preparation of the coating solution-1 for forming an adhesive layer of Example 1, BPE-200 (trade name, 2.2-bis, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) instead of A-DPH as a photoreactive monomer. An adhesive varnish was obtained in the same manner as in Example 1 except that [4- (methacryloxydiethoxy) phenyl] propane) was used. This varnish was designated as “Adhesive layer forming coating solution-3”. Then, the adhesive sheet of Example 4 was prepared in the same manner as in Example 1, except that the adhesive liquid forming coating liquid-3 was used instead of the adhesive liquid forming coating liquid-1. Produced.
＜支持基材の特性＞
支持基材１〜６について、以下に示す方法で、表面自由エネルギー、線膨張係数、２５℃における弾性率、及び降伏伸びを算出した。得られた結果を表１に示す。
<Characteristics of supporting substrate>
About the support base materials 1-6, the surface free energy, the linear expansion coefficient, the elastic modulus in 25 degreeC, and the yield elongation were computed by the method shown below. The obtained results are shown in Table 1.
［表面自由エネルギー］
接触角計（協和界面化学（株）製：ＣＡ−Ｚ型）を用いて、水及びヨウ化メチレンに対する接触角θを２３〜２８℃の温度にて実測し、これらの値を用い下記式（１）〜（３）により表面自由エネルギー（ｍＮ／ｍ）を算出した。
［式中、θ１は水に対する接触角（ｄｅｇ）を、θ２はヨウ化メチレンに対する接触角（ｄｅｇ）を、γは表面自由エネルギー（ｍＮ／ｍ）を、γｄは表面自由エネルギーの分散成分を、γｐは表面自由エネルギーの極性成分をそれぞれ示す。］
[Surface free energy]
Using a contact angle meter (manufactured by Kyowa Interface Chemical Co., Ltd .: CA-Z type), the contact angle θ with respect to water and methylene iodide was measured at a temperature of 23 to 28 ° C., and the following formula ( The surface free energy (mN / m) was calculated from 1) to (3).
[Wherein θ 1 is the contact angle (deg) for water, θ 2 is the contact angle (deg) for methylene iodide, γ is the surface free energy (mN / m), and γ d is the dispersion of the surface free energy. Γ p represents the polar component of the surface free energy. ]
［線膨張係数］
サンプル厚み：８０〜１２０μｍ、サンプルサイズ：４ｍｍ×２０ｍｍのサイズに裁断したものを測定用試料とし、この試料を、ＥＸＳＴＲＡ６０００（製品名、セイコーインスツルメンツ株式会社製）を用い、測定温度：−２０〜１８０℃、昇温速度：１０℃／分で測定したときの、荷重５．０ｇにて引張モードにより測定することで、転写温度Ｔ１における線膨張係数α１（ｐｐｍ／℃）及び常温Ｔ２（２５℃）における線膨張係数α２（ｐｐｍ／℃）を算出した。
[Linear expansion coefficient]
Sample thickness: 80 to 120 μm, sample size: cut to 4 mm × 20 mm size is used as a measurement sample, and this sample is used as EXSTRA6000 (product name, manufactured by Seiko Instruments Inc.), measurement temperature: −20 to 180 ℃, temperature increase rate: when measured at a load of 5.0 g in a tensile mode when measured at 10 ℃ / min, linear expansion coefficient α1 (ppm / ° C) at transfer temperature T1 and normal temperature T2 (25 ℃) The linear expansion coefficient α2 at (ppm / ° C.) was calculated.
［２５℃における弾性率］
１ｃｍ×５ｃｍの大きさに切出したものを試験片とし、この試験片の両側１ｃｍをテンシロン（（株）オリエンテック製）に固定し、温度：２５℃、測定速度：１００ｍｍ／ｍｉｎで引張強度の測定を行った。そして、測定により得られた伸び（％）（横軸）と応力（ＭＰａ）（縦軸）との関係から、測定サンプルを１ｍｍ伸ばしたとき（３．３％）の点Ａに対応する応力Ｂを結んだ直線の傾きを算出し、この値を支持基材の２５℃における弾性率（ＭＰａ）とした。
[Elastic modulus at 25 ° C]
A specimen cut to a size of 1 cm × 5 cm was used as a test piece, and 1 cm on both sides of this test piece was fixed to Tensilon (manufactured by Orientec Co., Ltd.), temperature: 25 ° C., measurement speed: 100 mm / min. Measurements were made. Then, from the relationship between the elongation (%) (horizontal axis) and the stress (MPa) (vertical axis) obtained by the measurement, the stress B corresponding to the point A when the measurement sample is extended by 1 mm (3.3%) The slope of the straight line connecting the two was calculated, and this value was taken as the elastic modulus (MPa) at 25 ° C. of the support substrate.
［降伏伸び］
上記の弾性率を算出したときの測定において、応力の第一ピーク値Ｃに対応する伸びＤの値（伸び率）を支持基材の降伏伸び（％）とした。
[Yield elongation]
In the measurement when the above elastic modulus was calculated, the value of elongation D (elongation rate) corresponding to the first peak value C of stress was defined as the yield elongation (%) of the supporting substrate.
＜粘接着シートの評価＞
実施例１〜４及び比較例１〜４の粘接着シートについて、以下に示す方法により、粘接着層の熱時接着力及び熱時弾性率を測定、並びに、反り性、ダイシング性及びピックアップ性の評価を行った。
<Evaluation of adhesive sheet>
About the adhesive sheets of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4, the adhesive strength and thermal elastic modulus of the adhesive layer were measured by the methods described below, and warpage, dicing properties and pickup were measured. Sexuality was evaluated.
［粘接着層の熱時接着力］
熱時接着力は半導体ウエハをダイシング装置上に固定して、１０ｍｍ／ｓｅｃの速度で３．２ｍｍ×３．２ｍｍにダイシングした後に、照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線照射し、粘接着層付き半導体チップを支持基材からピックアップした後、有機基板（ＰＳＲ−４０００、ＳＲ−ＡＵＳ５、０．２ｍｍｔ）に１８０℃−２ＭＰａ−３０ｓｅｃの条件でダイボンディングし、１７５℃、５時間の後硬化を加え評価サンプルを得た。その評価サンプルを２６５℃の熱板上で３０ｓｅｃ保持した後、速度：５０μｍ／秒、高さ：５０μmの測定条件でチップと有機基板との熱時接着力を「Ｓｅｒｉｅｓ４０００」（製品名、Ｄａｇｅ社製）により測定した。
[Heat adhesion force of adhesive layer]
The adhesive force during heating is such that the semiconductor wafer is fixed on a dicing apparatus and diced to 3.2 mm × 3.2 mm at a speed of 10 mm / sec, and then the irradiation amount is 300 mJ at an illuminance of 15 to 100 mW / cm 2. After irradiating with ultraviolet rays and picking up the semiconductor chip with the adhesive layer from the supporting base material, die bonding is performed on an organic substrate (PSR-4000, SR-AUS5, 0.2 mmt) at 180 ° C.−2 MPa−30 sec. An evaluation sample was obtained after post-curing at 5 ° C. After holding the evaluation sample on a hot plate at 265 ° C. for 30 sec, the adhesive force during heating between the chip and the organic substrate was measured under the measurement conditions of speed: 50 μm / second and height: 50 μm, “Series 4000” (product name, Dage) Manufactured).
［粘接着層の熱時弾性率］
熱時弾性率は、粘接着層に対して照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線照射し、１７５℃、５時間加熱して硬化させた粘接着シートを４ｍｍ×３０ｍｍのサイズに裁断したものを測定用試料とし、この試料を動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、「ＤＶＥ−Ｖ４」）を用い、引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で−５０℃から３００℃まで測定したときの温度２６５℃の値を熱時弾性率とした。
[Heat elastic modulus of adhesive layer]
The elastic modulus during heat is 4 mm for the adhesive sheet obtained by irradiating the adhesive layer with ultraviolet rays so that the irradiation amount is 300 mJ at an illumination intensity of 15 to 100 mW / cm 2 and heating and curing at 175 ° C. for 5 hours. A sample cut to a size of 30 mm was used as a measurement sample, and this sample was subjected to a tensile load using a dynamic viscoelasticity measuring device (manufactured by Rheology, “DVE-V4”), with a frequency of 10 Hz and a heating rate of 10 The value at a temperature of 265 ° C. when measured from −50 ° C. to 300 ° C. under the condition of ° C./min was defined as the thermal elastic modulus.
［反り性の評価］
粘接着シートを塗工方向に３０ｃｍ、塗工方向と垂直方向に１ｃｍのサイズに切断し、手を放したときの巻数によって反り性を評価した。なお、評価は下記の判定基準に基づいて行った。
○：反り巻数が０で実用上障害とならないもの。
×：反り巻数が１以上で実用上障害となりうるもの。
[Evaluation of warpage]
The adhesive sheet was cut into a size of 30 cm in the coating direction and 1 cm in the direction perpendicular to the coating direction, and the warpage was evaluated by the number of turns when the hand was released. The evaluation was performed based on the following criteria.
○: The number of warp turns is 0, and there is no practical problem.
X: The number of warp turns is 1 or more, which can be a practical obstacle.
［ダイシング性の評価］
粘接着シートを厚さ２８０μｍのシリコンウエハ上に貼付け、粘接着シート付きシリコンウエハをダイシング装置上に載置した。次いで、半導体ウエハをダイシング装置上に固定して、２０ｍｍ／ｓｅｃの速度で３．２ｍｍ×３．２ｍｍにダイシングした後に、粘着力が弱いために粘接着シート上から剥離する半導体チップの個数を計測することにより評価した。
○：チップ飛びが５％未満である
×：チップ飛びが５％以上である
[Evaluation of dicing]
The adhesive sheet was stuck on a silicon wafer having a thickness of 280 μm, and the silicon wafer with the adhesive sheet was placed on a dicing apparatus. Next, after fixing the semiconductor wafer on the dicing apparatus and dicing at a speed of 20 mm / sec to 3.2 mm × 3.2 mm, the number of semiconductor chips to be peeled off from the adhesive sheet because the adhesive force is weak is determined. Evaluation was made by measuring.
○: Chip skip is less than 5% ×: Chip skip is 5% or more
［ピックアップ性の評価］
半導体ウエハをダイシング装置上に固定して、２０ｍｍ／ｓｅｃの速度で３．２ｍｍ×
３．２ｍｍにダイシングした後に、フュージョン社製露光機（ＡＥＬ―１Ｂ／Ｍ）を使用
して、照度５０ｍＷ／ｃｍ２の地点に照射体を置き、粘接着シートの基材フィルム側から
８秒照射し、粘接着層付き半導体チップを光透過性の支持基材からピックアップが可能であるかを評価した。
○：９０％以上のチップがピックアップ可能
△：ダイシングしたチップの５０％を超え９０％未満がピックアップ可能なもの
×：ダイシングしたチップのピックアップ可能なチップが５０％以下のもの
[Evaluation of pickup properties]
A semiconductor wafer is fixed on a dicing machine and is 3.2 mm × 20 mm / sec.
After dicing to 3.2 mm, using an exposure machine manufactured by Fusion (AEL-1B / M), an irradiation body is placed at a point with an illuminance of 50 mW / cm 2 and 8 seconds from the base film side of the adhesive sheet. Irradiation was conducted to evaluate whether the semiconductor chip with an adhesive layer could be picked up from a light-transmitting support base material.
○: 90% or more of chips can be picked up △: More than 50% of diced chips can be picked up and less than 90% ×: Chips of diced chips that can be picked up are 50% or less
表１に示されるように、実施例１〜４の粘接着シートは、シート品として提供する場合であってもシートの反りが十分に抑制されているとともにダイシング性及びピックアップ性の双方を高い水準で両立させることができることがわかった。従って、本願の粘接着シートによれば、半導体装置の生産性の向上を図ることができる。
As shown in Table 1, the adhesive sheets of Examples 1 to 4 have both the dicing property and the pickup property being high while the warpage of the sheet is sufficiently suppressed even when provided as a sheet product. It was found that both levels can be achieved. Therefore, according to the adhesive sheet of the present application, the productivity of the semiconductor device can be improved.
１…粘接着シート、５…ロール、１０…支持基材、２０…粘接着層、３０…保護フィルム（剥離基材）、５０…粘接着層付き半導体素子、６０…支持部材、７０…ワイヤボンディング、８０…樹脂封止材、１００…半導体装置、Ｗ…半導体ウエハ。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
粘接着層の構成成分として
（Ａ）官能基を有し重量平均分子量が１０００００以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体、
（Ｂ）エポキシ樹脂、
（Ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、
（Ｄ）紫外線照射により得られる硬化物のガラス転移温度が２５０℃以上である多官能アクリレート、
（Ｅ）波長２００〜４５０ｎｍの紫外線照射により塩基とラジカルとを発生するα−アミノケトン化合物、
を含む粘接着層形成用塗工液を調製する塗工液調製工程と、
剥離基材上に前記粘接着層形成用塗工液を塗布して塗膜を形成する塗膜形成工程と、
前記塗膜から溶媒を除去して粘接着層を形成する粘接着層形成工程と、
形成された前記粘接着層上に支持基材を３０℃〜４０℃の所定温度Ｔ１（℃）で熱転写することにより貼り付ける熱転写工程と、
を備え、
前記支持基材が、５０ｍＮ／ｍ以下の表面自由エネルギー、及び、２５℃において１０００ＭＰａ以下の弾性率を有し、且つ、前記支持基材の前記所定温度Ｔ１（℃）における線膨張係数をα１（ｐｐｍ／℃）、前記支持基材の常温Ｔ２（℃）における線膨張係数をα２（ｐｐｍ／℃）とした場合、下記一般式（Ｉ）を満たすプラスチックフィルムである、粘接着シートの製造方法。
［（Ｔ１×α１）−（Ｔ２×α２）］≦７０００ｐｐｍ …（Ｉ） A method for producing an adhesive sheet comprising a support substrate, an adhesive layer, and a release substrate in this order,
As a component of the adhesive layer
(A) a glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer having a functional group and a weight average molecular weight of 100,000 or more,
(B) epoxy resin,
(C) a phenolic epoxy resin curing agent,
(D) a polyfunctional acrylate having a glass transition temperature of 250 ° C. or higher of a cured product obtained by ultraviolet irradiation;
(E) an α-aminoketone compound that generates a base and a radical upon irradiation with ultraviolet rays having a wavelength of 200 to 450 nm,
A coating liquid preparation step for preparing a coating liquid for forming an adhesive layer containing
A coating film forming step of forming a coating film by applying the adhesive layer forming coating solution on a release substrate;
An adhesive layer forming step of forming an adhesive layer by removing the solvent from the coating film;
A thermal transfer step of attaching the support base material by thermal transfer at a predetermined temperature T1 (° C.) of 30 ° C. to 40 ° C. on the formed adhesive layer;
With
The supporting substrate has a surface free energy of 50 mN / m or less and an elastic modulus of 1000 MPa or less at 25 ° C., and a linear expansion coefficient of the supporting substrate at the predetermined temperature T1 (° C.) is α1 ( ppm / ° C.), when the coefficient of linear expansion at normal temperature T2 (° C.) of the support substrate is α2 (ppm / ° C.), a method for producing an adhesive sheet, which is a plastic film satisfying the following general formula (I) .
[(T1 × α1) − (T2 × α2)] ≦ 7000 ppm (I)
前記半導体ウエハ及び前記粘接着層をダイシングすることにより、前記粘接着層が付着した半導体素子を得るダイシング工程と、
前記粘接着層が付着した前記半導体素子を前記支持基材からピックアップするピックアップ工程と、
前記半導体素子を、前記粘接着層を介して半導体素子搭載用の支持部材に接着する接着工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。 A sticking step of manufacturing an adhesive sheet by the method according to any one of claims 1 to 4 , and attaching the adhesive layer of the adhesive sheet to a semiconductor wafer;
A dicing step of obtaining a semiconductor element to which the adhesive layer is attached by dicing the semiconductor wafer and the adhesive layer;
A pickup step of picking up the semiconductor element to which the adhesive layer is attached from the support substrate;
Adhering step of adhering the semiconductor element to a supporting member for mounting the semiconductor element via the adhesive layer;
A method for manufacturing a semiconductor device.
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