JP5101874B2 - 無機配向膜と無機配向膜の形成方法と光偏向素子及び液晶装置 - Google Patents
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また、この無機配向膜を水平電界によって液晶を駆動する光偏向素子や液晶装置に使用して電界の均一性を高め、光偏向素子や液晶装置の特性を向上させることを目的とする。
6;電源、7;スペーサ、8;液晶層。
Claims (8)
- 少なくとも二種類の透光性金属酸化物からなり、複数の金属元素のうち少なくとも2つの元素に対し、一方の元素の膜中に含まれる元素数をA、他方をBとしたとき、0.3≦A/(A+B)≦0.7として表面抵抗率を106Ω/□以上1012Ω/□以下としたことを特徴とする無機配向膜。
- 前記透光性金属酸化物には、酸化インジウムと酸化スズとを有する請求項1記載の無機配向膜。
- 基板表面に少なくとも二種類の金属酸化物前駆体を含む溶液を塗布して焼成する無機配向膜の形成方法であって、
前記少なくとも二種類の金属酸化物前駆体を含む溶液中に含まれる複数の金属元素のうち少なくとも2つの元素に対し、一方の元素の元素数をA、他方をBとしたとき、0.3≦A/(A+B)≦0.7としたことを特徴とする無機配向膜の形成方法。 - 前記溶液には、少なくとも酸化インジウムと酸化スズの金属酸化物前駆体を含む請求項3記載の無機配向膜の形成方法。
- 一対の基板と、各基板の表面に積層された複数の電極と無機配向膜と、各基板の無機配向膜の間隔内でキラルスメクチックC相を形成する液晶層と、前記複数の電極に異なる電位を与える電圧印加手段とを有する光偏向素子において、
前記無機配向膜は、少なくとも二種類の透光性金属酸化物からなり、複数の金属元素のうち少なくとも2つの元素に対し、一方の元素の膜中に含まれる元素数をA、他方をBとしたとき、0.3≦A/(A+B)≦0.7として、表面抵抗率が106Ω/□以上1012Ω/□以下であることを特徴とする光偏向素子。 - 前記透光性金属酸化物には、酸化インジウムと酸化スズとを有する請求項5記載の光偏向素子。
- 一対の無機配向膜と、該一対の無機配向膜の間に形成された液晶層と、該液晶層に電圧を印加する複数の電極とを有する液晶装置であって、
前記無機配向膜は、少なくとも二種類の透光性金属酸化物からなり、複数の金属元素のうち少なくとも2つの元素に対し、一方の元素の膜中に含まれる元素数をA、他方をBとしたとき、0.3≦A/(A+B)≦0.7として、表面抵抗率が106Ω/□以上1012Ω/□以下であることを特徴とする液晶装置。 - 前記透光性金属酸化物には、酸化インジウムと酸化スズとを有する請求項7記載の液晶装置。
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