JP5100403B2 - 磁気トンネル接合素子およびその製造方法 - Google Patents
磁気トンネル接合素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5100403B2 JP5100403B2 JP2008004862A JP2008004862A JP5100403B2 JP 5100403 B2 JP5100403 B2 JP 5100403B2 JP 2008004862 A JP2008004862 A JP 2008004862A JP 2008004862 A JP2008004862 A JP 2008004862A JP 5100403 B2 JP5100403 B2 JP 5100403B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- tunnel junction
- magnetic tunnel
- seed
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/26—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
- H01F10/30—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the intermediate layers, e.g. seed, buffer, template, diffusion preventing, cap layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE]
- H01F41/302—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
- H10N50/85—Magnetic active materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
- H01F10/3259—Spin-exchange-coupled multilayers comprising at least a nanooxide layer [NOL], e.g. with a NOL spacer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3295—Spin-exchange coupled multilayers wherein the magnetic pinned or free layers are laminated without anti-parallel coupling within the pinned and free layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12903—Cu-base component
- Y10T428/1291—Next to Co-, Cu-, or Ni-base component
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
図1は、本発明における第1の実施の形態としてのトンネル接合型(TMR)再生ヘッド(以下、単にTMRヘッドという。)1の断面を表している。図1に示したように、TMRヘッド1は、複数の磁性層の積層体であり側壁21を有する磁気トンネル接合(MTJ)素子2と、そのMTJ素子2を積層方向において挟むように設けられた下部シールド層10および上部シールド層25とを備えている。下部シールド層10は、例えばパーマロイ(NiFe)からなる下層と、α相のタンタルが窒化したα−TaNからなる上層との2層構造を有している。一般に、下部シールド層10は、AlTiCなどによって構成される基体の上に設けられている。上部シールド層25は、例えばパーマロイ(NiFe)によって構成されている。MTJ素子2の両隣に位置し、下部シールド層10および上部シールド層25に挟まれた空間領域には、側壁21から下部シールド層10の上面に亘って延在する第1の誘電体層22と、第1の誘電体層22の上に設けられたハードバイアス層23と、このハードバイアス層23を覆う第2の誘電体層24とが充填されている。第1および第2の誘電体層22,24はいずれも酸化アルミニウム(Al2 O3 )などからなり、ハードバイアス層23は、例えばチタンタングステン合金(TiW)層とコバルトクロム白金合金(CoCrPt)層とタンタル(Ta)層とが順に積層された3層構造(TiW\CoCrPt\Ta)を有するものである。ハードバイアス層23は、フリー層18(後出)の単磁区化を図るためのバイアス磁界を付与するものである。
次に、図4を参照して、本発明における第2の実施の形態としてのMRAM構造40について説明する。図4は、MRAM構造40の断面図である。このMRAM構造40は、上記第1の実施の形態と同様のシード層14の上にMTJスタック3が設けられたMTJ素子2と、積層方向においてMTJ素子2を挟むように配置された下部導体30および上部導体32とを備えている。MRAM構造40は、互いに平行に延びる複数のワードライン(第1の導体)と、これらと交差すると共に互いに平行に延びる複数のビットライン(第2の導体)と、それらワードラインとビットラインとの交差点において挟まれるように配置される。
本発明の効果を確認するため、実施例1として図2のMTJ素子2を作製すると共に、その特性の調査を行った。また、比較例1−1および比較例1−2として、2層構造のシード層を有することを除いては図2のMTJ素子2と同様の構成を有するMTJ素子を作製し、同様の評価を行った。実施例1および比較例1−1,1−2の各サンプルの具体的な構成は以下の通りである。なお、MTJ素子はAlTiCからなる基体上に形成し、各層が複数層からなる場合は、左側に表示したものが基体側となる。また、材料種に続いて表記した括弧内の数値は、その層の厚み(nm)である。
反強磁性層:IrMn(7.0)
SyAPピンド層:CoFe(2.3)\Ru(0.75)\CoFe(2.1)
トンネルバリア層:MgO(0.3nm厚のマグネシウム層の表面を自然酸化処理したのち0.6nm厚のマグネシウム層をさらに積層したもの)
フリー層:CoFe\NiFe(全体として4.0nm厚)
キャップ層:Ta(5.0)\Ru(3.0)
次に、反強磁性層とSyAPピンド層との間に生じる交換結合磁界Hexの大きさへのシード層の寄与を確認するため、以下の実験を行った。ここでは、実施例2のサンプルとして、シード層、反強磁性層、第1ピンド層(強磁性層)およびキャップ層のみからなる積層体を作製し、反強磁性層と第1ピンド層(強磁性層)との間に生じる交換結合磁界Hexを測定した。その結果を表2に示す。また、比較例2−1および比較例2−2として、2層構造のシード層を有することを除いては実施例2と同様の構成を有する積層体を作製し、同様の評価を行った。なお、実施例2および比較例2−1,2−2の具体的な構成は以下の通りである。
反強磁性層:IrMn(7.0)
第1ピンド層(強磁性層):CoFe(2.3)
キャップ層:Ta(5.0)\Ru(3.0)
図5および図6は、それぞれ比較例2−1および実施例2のサンプルについて、試料振動型磁力計(VSM:Vibrating Sample Magnetometer)によって測定した磁化曲線(磁気モーメントM−磁界H)を示したものである。3層構造のシード層を有する実施例2では、ピン散乱が低減されていることがわかる。ピン散乱は、図5における距離d(磁気モーメントMが0の位置での曲線51と曲線52との磁界Hの値の差分)と、図6における距離e(磁気モーメントMが0の位置での曲線61と曲線62との磁界Hの値の差分)とを測定することで決定される。図6における距離eは図5における距離dよりも小さくなっていることから、実施例2では、比較例2−1よりもピン散乱が低減されていることがわかる。また、実施例2において、反強磁性層やSyAPピンド層に対して磁気的な悪影響を及ぼすことがない(図6において磁化曲線にダブル・ループが見られない)ことも重要である。
Claims (13)
- 基体上に、シード層と、積層構造をなすトンネル接合型の磁気抵抗効果膜とを順に備え、
前記シード層は、
前記基体の側から、
タンタル(Ta)からなる下部層と、
ハフニウム(Hf)からなる中間層と、
ニッケルの含有率が30原子%以上のニッケル鉄合金(NiFe)からなり、自らの上に形成される層の<111>方向の結晶成長を促進する上部層と
を順に含む
ことを特徴とする磁気トンネル接合素子。 - 前記基体は磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスにおける下部電極、またはトンネル接合型再生ヘッドにおけるシールド層である
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。 - 前記下部層は、0.5nm以上10nm以下の厚みを有する
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。 - 前記中間層は、0.5nm以上10nm以下の厚みを有する
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。 - 前記上部層は、1nm以上10nm以下の厚みを有する
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。 - 基体上に、
シード層と、
前記シード層の側からイリジウムマンガン合金からなる反強磁性層と、ピンド層と、トンネルバリア層と、フリー層と、キャップ層とが順に積層されてなるトンネル接合型の磁気抵抗効果膜と
を順に備え、
前記シード層は、
前記基体の側から、
タンタル層と、
ハフニウム層と、
ニッケルの含有率が30原子%以上のニッケル鉄合金(NiFe)からなり、自らの上に形成される層の<111>方向の結晶成長を促進する上部層と
が順に積層されたものである
ことを特徴とする磁気トンネル接合素子。 - 基体上に、タンタルからなる下部層と、ハフニウムからなる中間層と、ニッケルの含有率が30原子%以上のニッケル鉄合金からなり、自らの上に形成される層の<111>方向の結晶成長を促進する上部層とを順に積層してシード層を形成する工程と、
前記シード層の上に、積層構造をなすトンネル接合型の磁気抵抗効果膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする磁気トンネル接合素子の製造方法。 - スパッタ蒸着用チャンバと酸化処理用チャンバとエッチング処理用チャンバとを全て備えたスパッタ蒸着装置を用いて前記シード層および磁気抵抗効果膜を形成する
ことを特徴とする請求項7に記載の磁気トンネル接合素子の製造方法。 - 前記基体として、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスにおける下部電極、またはトンネル接合型再生ヘッドにおけるシールド層を用いる
ことを特徴とする請求項7に記載の磁気トンネル接合素子の製造方法。 - 前記下部層を、0.5nm以上10nm以下の厚みとなるように形成する
ことを特徴とする請求項7に記載の磁気トンネル接合素子の製造方法。 - 前記中間層を、0.5nm以上10nm以下の厚みとなるように形成する
ことを特徴とする請求項7に記載の磁気トンネル接合素子の製造方法。 - 前記上部層を、1nm以上10nm以下の厚みとなるように形成する
ことを特徴とする請求項7に記載の磁気トンネル接合素子の製造方法。 - 基体上に、タンタル層と、ハフニウム層と、ニッケルの含有率が30原子%以上のニッケル鉄合金(NiFe)からなり、自らの上に形成される層の<111>方向の結晶成長を促進する上部層とを順に積層してシード層を形成する工程と、
前記シード層の上に、イリジウムマンガン合金からなる反強磁性層と、ピンド層と、トンネルバリア層と、フリー層と、キャップ層とを順に積層することで磁気抵抗効果膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする磁気トンネル接合素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/652,740 | 2007-01-12 | ||
US11/652,740 US7476954B2 (en) | 2007-01-12 | 2007-01-12 | TMR device with Hf based seed layer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008172247A JP2008172247A (ja) | 2008-07-24 |
JP5100403B2 true JP5100403B2 (ja) | 2012-12-19 |
Family
ID=39618019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008004862A Expired - Fee Related JP5100403B2 (ja) | 2007-01-12 | 2008-01-11 | 磁気トンネル接合素子およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7476954B2 (ja) |
JP (1) | JP5100403B2 (ja) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100612854B1 (ko) * | 2004-07-31 | 2006-08-21 | 삼성전자주식회사 | 스핀차지를 이용한 자성막 구조체와 그 제조 방법과 그를구비하는 반도체 장치 및 이 장치의 동작방법 |
JP2007299880A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子,および磁気抵抗効果素子の製造方法 |
US7476954B2 (en) * | 2007-01-12 | 2009-01-13 | Headway Technologies, Inc. | TMR device with Hf based seed layer |
US7978439B2 (en) | 2007-06-19 | 2011-07-12 | Headway Technologies, Inc. | TMR or CPP structure with improved exchange properties |
US8057925B2 (en) * | 2008-03-27 | 2011-11-15 | Magic Technologies, Inc. | Low switching current dual spin filter (DSF) element for STT-RAM and a method for making the same |
US8482966B2 (en) * | 2008-09-24 | 2013-07-09 | Qualcomm Incorporated | Magnetic element utilizing protective sidewall passivation |
US8537502B1 (en) | 2009-01-30 | 2013-09-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a magnetic transducer having improved shield-to-shield spacing |
US8611055B1 (en) | 2009-07-31 | 2013-12-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic etch-stop layer for magnetoresistive read heads |
US8202572B2 (en) * | 2010-11-22 | 2012-06-19 | Headway Technologies, Inc. | TMR device with improved MgO barrier |
JP5601181B2 (ja) * | 2010-12-02 | 2014-10-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
US9659585B2 (en) | 2010-12-15 | 2017-05-23 | Seagate Technology Llc | Magnetic sensor seed layer with magnetic and nonmagnetic layers |
US8557610B2 (en) | 2011-02-14 | 2013-10-15 | Qualcomm Incorporated | Methods of integrated shielding into MTJ device for MRAM |
US8541855B2 (en) * | 2011-05-10 | 2013-09-24 | Magic Technologies, Inc. | Co/Ni multilayers with improved out-of-plane anisotropy for magnetic device applications |
KR101457511B1 (ko) * | 2011-08-18 | 2014-11-04 | 코넬 유니버시티 | 스핀 홀 효과 자기 장치, 방법, 및 적용 |
US8422176B1 (en) | 2011-11-15 | 2013-04-16 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a magnetic read transducer having a bilayer magnetic seed layer |
US8493693B1 (en) | 2012-03-30 | 2013-07-23 | Western Digital (Fremont), Llc | Perpendicular magnetic recording transducer with AFM insertion layer |
US8900884B2 (en) * | 2012-06-18 | 2014-12-02 | Headway Technologies, Inc. | MTJ element for STT MRAM |
CN105009211B (zh) * | 2012-10-18 | 2019-11-19 | 希捷科技有限公司 | 包括中间层的物品以及形成的方法 |
US8901687B2 (en) | 2012-11-27 | 2014-12-02 | Industrial Technology Research Institute | Magnetic device with a substrate, a sensing block and a repair layer |
US8743507B1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-06-03 | Seagate Technology Llc | Seed trilayer for magnetic element |
US9341685B2 (en) | 2013-05-13 | 2016-05-17 | HGST Netherlands B.V. | Antiferromagnetic (AFM) grain growth controlled random telegraph noise (RTN) suppressed magnetic head |
US9361913B1 (en) | 2013-06-03 | 2016-06-07 | Western Digital (Fremont), Llc | Recording read heads with a multi-layer AFM layer methods and apparatuses |
US9196825B2 (en) | 2013-09-03 | 2015-11-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Reversed stack MTJ |
US9529060B2 (en) * | 2014-01-09 | 2016-12-27 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance element with improved response to magnetic fields |
KR102132215B1 (ko) * | 2014-04-03 | 2020-07-09 | 삼성전자주식회사 | 자기 터널 접합 구조물 형성 방법 및 이를 이용한 자기 메모리 소자의 제조 방법 |
CN107004440B (zh) | 2014-07-17 | 2021-04-16 | 康奈尔大学 | 基于用于有效自旋转移矩的增强自旋霍尔效应的电路和装置 |
US9508365B1 (en) | 2015-06-24 | 2016-11-29 | Western Digital (Fremont), LLC. | Magnetic reader having a crystal decoupling structure |
KR102465539B1 (ko) | 2015-09-18 | 2022-11-11 | 삼성전자주식회사 | 자기 터널 접합 구조체를 포함하는 반도체 소자 및 그의 형성 방법 |
US9963780B2 (en) * | 2015-12-03 | 2018-05-08 | International Business Machines Corporation | Growth of metal on a dielectric |
WO2019090060A2 (en) * | 2017-11-02 | 2019-05-09 | Everspin Technologies, Inc. | Magnetoresistive stacks and methods therefor |
US10374147B2 (en) * | 2017-12-30 | 2019-08-06 | Spin Memory, Inc. | Perpendicular magnetic tunnel junction having improved reference layer stability |
US10658589B2 (en) | 2018-06-27 | 2020-05-19 | International Business Machines Corporation | Alignment through topography on intermediate component for memory device patterning |
US10818837B1 (en) | 2019-05-09 | 2020-10-27 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Seed layers for a non-volatile memory element |
US11538856B2 (en) | 2020-05-13 | 2022-12-27 | Globalfoundries U.S. Inc. | MRAM device and methods of making such an MRAM device |
CN114812627A (zh) * | 2021-01-18 | 2022-07-29 | Tdk株式会社 | 光检测元件、接收装置和光传感器装置 |
KR20220161605A (ko) | 2021-05-27 | 2022-12-07 | 삼성전자주식회사 | 자기 기억 소자 |
US11719771B1 (en) | 2022-06-02 | 2023-08-08 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistive sensor having seed layer hysteresis suppression |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3050189B2 (ja) * | 1997-10-30 | 2000-06-12 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
JP3694440B2 (ja) * | 2000-04-12 | 2005-09-14 | アルプス電気株式会社 | 交換結合膜の製造方法、及び前記交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子の製造方法、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
JP3756758B2 (ja) * | 2000-07-11 | 2006-03-15 | アルプス電気株式会社 | 交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド |
US7050275B2 (en) * | 2001-02-20 | 2006-05-23 | Alps Electric Co., Ltd. | Exchange coupled film having improved current-carrying reliability and improved rate of change in resistance and magnetic sensing element using same |
JP3774388B2 (ja) * | 2001-09-14 | 2006-05-10 | アルプス電気株式会社 | 磁気検出素子 |
JP2003318463A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-07 | Alps Electric Co Ltd | 交換結合膜及びこの交換結合膜の製造方法並びに前記交換結合膜を用いた磁気検出素子 |
JP3931876B2 (ja) * | 2002-11-01 | 2007-06-20 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗デバイス及びその製造方法 |
US6992359B2 (en) * | 2004-02-26 | 2006-01-31 | Grandis, Inc. | Spin transfer magnetic element with free layers having high perpendicular anisotropy and in-plane equilibrium magnetization |
US6960480B1 (en) * | 2004-05-19 | 2005-11-01 | Headway Technologies, Inc. | Method of forming a magnetic tunneling junction (MTJ) MRAM device and a tunneling magnetoresistive (TMR) read head |
US7476954B2 (en) * | 2007-01-12 | 2009-01-13 | Headway Technologies, Inc. | TMR device with Hf based seed layer |
-
2007
- 2007-01-12 US US11/652,740 patent/US7476954B2/en active Active
-
2008
- 2008-01-11 JP JP2008004862A patent/JP5100403B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-01-12 US US12/319,734 patent/US7829963B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7829963B2 (en) | 2010-11-09 |
US20090194833A1 (en) | 2009-08-06 |
US20080171223A1 (en) | 2008-07-17 |
US7476954B2 (en) | 2009-01-13 |
JP2008172247A (ja) | 2008-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5100403B2 (ja) | 磁気トンネル接合素子およびその製造方法 | |
JP5674744B2 (ja) | 磁気メモリ構造およびトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッドならびにそれらの製造方法 | |
US10347828B2 (en) | Magnetoresistive stack and method of fabricating same | |
JP5750211B2 (ja) | Tmr素子およびその形成方法 | |
JP5069034B2 (ja) | 磁気トンネル接合素子およびその形成方法 | |
JP5618474B2 (ja) | ボトムスピンバルブ型磁気トンネル接合素子、mram、stt−ram、mramの製造方法、stt−ramの製造方法 | |
JP6251130B2 (ja) | 磁気メモリ素子 | |
JP5451977B2 (ja) | 磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気ランダムアクセスメモリ | |
JP5630963B2 (ja) | 複合シード層およびこれを有する磁気再生ヘッド、ならびにtmrセンサおよびccp−cpp−gmrセンサの形成方法 | |
JP5377547B2 (ja) | 磁気トンネル接合素子 | |
JP5138204B2 (ja) | トンネルバリア層の形成方法、ならびにtmrセンサおよびその製造方法 | |
JP5433284B2 (ja) | Mtj素子およびその形成方法、stt−ramの製造方法 | |
JP5172472B2 (ja) | ピンド層およびこれを用いたtmrセンサ並びにtmrセンサの製造方法 | |
JP5815204B2 (ja) | Tmr素子およびその形成方法 | |
JP2006005356A (ja) | 磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気メモリ構造ならびにトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド | |
JP2008004944A (ja) | 強磁性構造、スピンバルブ構造およびその製造方法、磁気抵抗効果素子およびその製造方法 | |
JP2008085208A (ja) | トンネル磁気抵抗素子、磁気ヘッドおよび磁気メモリ | |
JP5647406B2 (ja) | フリー層およびその形成方法、磁気抵抗効果素子 | |
US7609489B2 (en) | Magnetic sensor using NiFe alloy for pinned layer | |
TWI311758B (en) | A novel capping structure for enhancing dr/r of the mtj device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090213 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110824 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110830 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111130 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111205 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111228 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120130 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120622 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120629 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120828 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120925 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151005 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |