JP5099175B2 - 超音波センサ - Google Patents

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Description

この発明は、超音波センサに関し、特に、圧電素子およびそれに電気的に接続される入出力端子を有し、たとえば、自動車のコーナーソナーやバックソナーなどに用いられる超音波センサに関する。
超音波センサは、超音波を利用してセンシングを行うものであり、超音波パルス信号を間欠的に送信し、周辺に存在する障害物からの反射波を受信することにより物体を検知するものである。自動車のバックソナー、コーナーソナー、さらには、縦列駐車における側壁等の障害物とのスペースの有無を検知するパーキングスポットセンサ等には超音波センサが用いられる。
この種の超音波センサは特許文献1に示されている。図1は特許文献1の超音波センサ30の断面図である。この超音波センサ30は、底部32と側壁部34を有するケース31、圧電素子35、吸音材36、絶縁性材37、及びケーブル40等を備えている。ケース31の底部32の内面に圧電素子35が固着されて、圧電素子35の一方の電極がケース31に電気的に接続されている。ケース31の内部には吸音材36と、弾性を有する絶縁性材37とが充填されている。絶縁性材37内には、温度補償用の単板コンデンサ38が埋め込まれていて、単板コンデンサ38の一方の外部電極がケース31に接続され、単板コンデンサ38の他方の外部電極がリード線39によって圧電素子35の他方の電極に接続されている。ケーブル40を構成する信号入出力用の2本の信号線41は、単板コンデンサ38の各外部電極に接続されている。
特開2000−32594号公報
図1に示されるような従来の超音波センサにおいては、弾性を有する絶縁性材37を充填することで良好な残響特性が得られる。しかし、ケースからピン端子を突出させたピン端子構造の超音波センサにおいては次の二つの問題が生じる。
(1)ケースの側壁部の振動を抑制し、良好な残響特性を得るためには、ケース側壁部の振動を効果的に抑える弾性率の高い絶縁性材(以下、「充填材」という。)を充填する必要がある。しかし、弾性率の高い充填材を充填すると、ケース側壁部から充填材に伝わる振動が充填材で吸収しきれず、ピン端子に振動が伝わる。この振動がピン端子を経由し実装先の基板へ漏れてしまう。端子を経由する振動の漏れを、以下、単に「振動漏れ」という。このような振動漏れがあると不要な信号成分(擬似雑音)が検出されるため、物体を検知する超音波センサとしては大きな問題となる。
(2)上記の現象とは反対に、ピン端子に振動を伝えずに振動漏れが起こらない構成にするためには、弾性率の低い充填材を充填する必要がある。しかし、弾性率の低い充填材を充填すると、ケース側壁部の振動を充分に抑制することができず、残響時間が長くなってしてしまう。残響時間が長くなると近距離の障害物が検知できなくなる。
ここで、充填材の弾性率に対する残響特性と振動漏れ特性の概念図を図2に示す。図2において、曲線Rは残響特性、曲線Vは振動漏れ特性である。横軸は弾性率、縦軸は時間である。振動漏れ特性は、超音波センサ単体状態と基板への実装状態とでの残響時間の変化分である。このように、残響時間は充填材の弾性率が高くなるほど短くなり、振動漏れは弾性率が高くなるほど増大する。
弾性率がそれぞれ異なる3つの超音波センサの振動特性を図3に示す。図3の(a)は弾性率が相対的に低い弾性樹脂を充填した超音波センサの特性、(c)は弾性率が相対的に高い弾性樹脂を充填した超音波センサの特性、(b)は(a)と(c)の場合の中間的な弾性率の弾性樹脂を充填した超音波センサの特性である。(a)の例では単純な減衰パターンであるので振動漏れは発生していないが残響時間が長いことがわかる。(c)の例では複数の振動が干渉して複雑な減衰パターンとなっているので、振動漏れが生じていることが分かる。(b)の例は減衰パターンが(a)と(c)の中間的であるので、振動漏れが発生していて残響時間も長いことがわかる。
このように、単に適当な弾性率を選定しても残響特性と振動漏れの双方を充分に改善できない。
そこで、本発明の目的は、残響特性と振動漏れの双方を改善して高感度で近距離検知が可能な超音波センサを提供することにある。
本発明の超音波センサは、底部と側壁部とを有する有底筒状のケースと、前記ケースの内底面に貼り付けられた圧電素子と、前記ケースの外部へ引き出される端子と、前記端子と前記圧電素子の電極との間を接続する導通部材と、前記ケース内に充填された充填材と、を有し、
前記充填材は、前記ケースの側壁部に接する第1の充填材と、前記端子の周囲に接する第2の充填材とで構成され、第1の充填材の弾性率は第2の充填材の弾性率より高いことを特徴とする。
この構成により、第2の充填材はケース側壁部から受ける振動を吸収し、ピン端子等のケース内の端子に対する振動の伝搬が抑制され振動漏れが抑えられる。また、第1の充填材はケース側壁部の振動を抑え、良好な残響特性が得られる。
前記第2の充填材と前記圧電素子との間で、前記側壁部に接しない位置に弾性部材が配置され、前記第1の充填材は少なくとも前記側壁部と前記弾性部材との間に充填されていてもよい。
この構造により、ケースから伝わる振動が弾性部材の中で減衰し、端子に殆ど伝搬しなくなるので、振動漏れの抑制効果が高まる。
前記圧電素子と前記弾性部材との間に空間が形成され、前記弾性部材の前記圧電素子側の面に吸音材が設けられていてもよい。
この構造により、不要な音波が吸音材で吸収されて、圧電素子からケース内部へ伝達する不要な音波をより効率よく減衰させることができる。
本発明によれば、残響時間が短く、振動漏れも少ない超音波センサが得られ、高感度で近距離検知が可能な超音波センサが構成できる。
図1は特許文献1に係る超音波センサ30の断面図である。 図2は充填材の弾性率に対する振動特性と振動漏れ特性の概念図である。 図3は弾性率がそれぞれ異なる3つの超音波センサの振動特性を示す図である。 図4は第1の実施形態に係る超音波センサ101の断面図である。 図5は第1の実施形態に係る超音波センサ101の振動特性を示す図である。 図6は第2の実施形態に係る超音波センサ102の断面図である。 図7は第3の実施形態に係る超音波センサ103の断面図である。 図8は第4の実施形態に係る超音波センサ104の断面図である。 図9は第5の実施形態に係る超音波センサ105の断面図である。 図10は第6の実施形態に係る超音波センサ106の断面図である。
《第1の実施形態》
図4は第1の実施形態に係る超音波センサ101の断面図である。超音波センサ101は、底部51bと側壁部51aとを有する有底筒状のケース51と、このケース51内に設けられた複数の部材とで構成されている。ケース51は例えばアルミニウム材の成形体である。ケース51は側壁部51aと底部51bとで構成されている。側壁部51aは、開口部側に薄肉部51t、底部側に厚肉部51hをそれぞれ備えている。底部51bは長軸と短軸を有する長円形状にくり抜かれた形状であり、くり抜き部分の短軸方向の両端が厚肉部51hである。
ケース51の厚肉部51h上であって側壁部51aの薄肉部51tの内周面に接しない位置にリング状の補強材(錘)57が嵌合されている。この補強材(錘)57は、ケース51より音響インピーダンスが高い部材であればよい。例えばケース51と同じ材料(アルミニウム)であって、厚み・形状を調整してケース51よりも音響インピーダンスが高くなるように成形された成形体であってもよい。また、例えばSUS、亜鉛等、ケース51よりも密度が高い材料を用いて、音響インピーダンスが高くなるようにしてもよい。
ケース51の内底面には圧電素子52が貼り付けられている。
補強材57のリング状開口領域を覆うように、補強材57の上部に弾性部材53が嵌め込まれている。弾性部材53の周囲とケース51の内周面との間隙には第1の充填材55が充填されている。
端子保持部材61は2本のピンを保持している。この端子保持部材61が保持している2つのピンの一端が外部端子63、他端が内部端子62である。内部端子62と圧電素子52の電極との間は配線材(導通部材)54で接続されている。端子保持部材61は弾性部材53の上部に載置されていて、この端子保持部材61の周囲に第2の充填材56が充填されている。このように端子保持部材61の一部が第2の充填材56に埋設されることによって、端子保持部材61は第2の充填材56でケース51内に固定される。
弾性部材53の圧電素子側の面には吸音材58が設けられている。吸音材38は例えばポリエステルフェルトであり、接着剤で弾性部材33に接着されている。
第1の充填材55は、ケース51の側壁部51aに接するように構成されており、前記第2の充填材56は、端子保持部材61の周囲に接するに構成されている。ここで、第1の充填材55は、端子保持部材61の周囲に接しないように構成するのが効果的である。その場合、ケース51の側壁部51aから伝わってきた振動が、端子保持部材61に伝わることをより確実に抑制でき、振動漏れを抑制することができる。なお、振動漏れの効果がさほど厳しく求められない場合には、端子保持部材61の周囲の大部分が第2の充填材56で覆われていれば、第1の充填材55が端子保持部材61に多少接触していてもよい。第1の充填材55の弾性率は第2の充填材56の弾性率より高い弾性材である。例えば第1の充填材55はウレタン樹脂、第2の充填材56はシリコーン樹脂である。また、弾性率を異ならせれば、両者がウレタン樹脂であってもよい。第1の充填材55はケースの側壁部51aに対して制振性の高い弾性材であり、第2の充填材56は側壁部の振動を端子保持部材61に伝搬し難い弾性材であればよい。
図5は第1の実施形態に係る超音波センサ101の振動特性を示す図である。図5も図3も横軸と縦軸のスケールは同じである。測定条件も図3の結果を得た条件と同じであり、バースト波を送信した後の圧電素子に現れる電圧波形を観測したものである。実際には送信終了直後から振幅の減衰は始まっているが、しばらくは増幅回路のダイナミックレンジを超えているので、その間は波形が飽和している。
図5と図3とを比較すると、減衰パターンは図3の(a)と同様に単純であるので振動漏れは発生していないことがわかる。また、残響時間は図3の(a)に比べて短いので残響特性も優れていることがわかる。
《第2の実施形態》
図6は第2の実施形態に係る超音波センサ102の断面図である。この超音波センサ102では、弾性部材53の上面に凹部が形成されていて、その凹部内に端子保持部材61が配置されている。端子保持部材61の底部がケース51内の深い位置に達するので、この超音波センサ102が備える端子保持部材61は図4に示した端子保持部材61より長い。その他の構成は第1の実施形態で示した超音波センサ101と同様である。
図6に示した構造によれば、端子保持部材61が長い距離に亘って第2の充填材56と接しているが、その接している充填材56はケース51の側壁部からの振動を端子保持部材61及びその内部のピンに殆ど伝搬させない。そのため振動漏れが生じることなく端子保持部材61の抜けや剥離に対する耐久性を高めることができる。
《第3の実施形態》
図7は第3の実施形態に係る超音波センサ103の断面図である。この超音波センサ103では、第1の充填材55がケース側壁部の薄肉部51tの全面に亘って充填されている。そして、この第1の充填材55と端子保持部材61との間に第2の充填材56が充填されている。その他の構成は第1の実施形態で示した超音波センサ101と同様である。
図7に示した構造によれば、第1の充填材がケースの側壁部51aの広い範囲に接するので、残響特性がより優れた超音波センサを構成できる。
《第4の実施形態》
図8は第4の実施形態に係る超音波センサ104の断面図である。この超音波センサ104では、第1の充填材55がケース側壁部の薄肉部51tの全面に亘って充填されている。また、弾性部材53の上面に凹部が形成されていて、その凹部内に端子保持部材61が配置されている。端子保持部材61の底部がケース51内の深い位置に達するので、この超音波センサ104が備える端子保持部材61は図4に示した端子保持部材61より長い。第1の充填材55で充填されていない残余部分であって、端子保持部材61の周囲には第2の充填材56が充填されている。その他の構成は第1の実施形態で示した超音波センサ101と同様である。
図8に示した構造によれば、第1の充填材がケースの側壁部51aの広い範囲に接するので残響特性に優れた超音波センサを構成できる。また、端子保持部材61が長い距離に亘って充填材と接しているので、振動漏れが生じることなく端子保持部材61の抜けや剥離に対する耐久性を高めることができる。
《第5の実施形態》
図9は第5の実施形態に係る超音波センサ105の断面図である。この超音波センサ105は、底部51bと側壁部51aとを有する有底筒状のケース51と、このケース51内に設けられた複数の部材とで構成されている。
ケース51の内底面には圧電素子52が貼り付けられている。ケース51の内底面には所定厚さの吸音材58が設けられている。この吸音材58の上部には所定厚さの第1の充填材55が充填されている。第1の充填材55の上部には第2の充填材56が充填されている。端子保持部材61は2本のピンを保持している。この2つのピンの一端が外部端子63、他端が内部端子62である。端子保持部材61は第1の充填材55に接することなく、一部が第2の充填材56中に埋設されている。
このように、第2の充填材56と圧電素子52との間に弾性部材が配置されていないタイプについても適用できる。すなわち、端子保持部材61に接しないでケース51の側壁部51aに接するように第1の充填材55を充填し、端子保持部材61の周囲に接するように第2の充填材56を充填すればよい。
《第6の実施形態》
図10は第6の実施形態に係る超音波センサ106の断面図である。この超音波センサ106は、底部51bと側壁部51aとを有する有底筒状のケース51と、このケース51内に設けられた複数の部材とで構成されている。
ケース51の内底面には圧電素子52が貼り付けられている。ケース51の内底面には所定厚さの吸音材58が設けられている。この吸音材58の上部には、ケースの側壁部51aに接して第1の充填材55が充填されている。但し、ケース51の開口面側には第1の充填材55が充填されない凹部が形成されている。この凹部内に第2の充填材56が充填されている。端子保持部材61は、一端が外部端子63、他端が内部端子62である2本のピンを保持している。この端子保持部材61は第1の充填材55に接することなく、一部が第2の充填材56中に埋設されている。
このように、第1の充填材55がケースの側壁部51aの広い範囲に接するので、残響特性がより優れた超音波センサを構成できる。
なお、以上に示した例では、端子保持部材61がピン端子を保持するように構成したが、ピン端子の周囲に第2の充填材56が直接接していてもよい。
51…ケース
51a…側壁部
51b…底部
51h…厚肉部
51t…薄肉部
52…圧電素子
53…弾性部材
54…配線材(導通部材)
55…第1の充填材
56…第2の充填材
57…補強材
58…吸音材
61…端子保持部材
62…内部端子
63…外部端子
101〜106…超音波センサ

Claims (3)

  1. 底部と側壁部とを有する有底筒状のケースと、
    前記ケースの内底面に貼り付けられた圧電素子と、
    前記ケースの外部へ引き出される端子と、
    前記端子と前記圧電素子の電極との間を接続する導通部材と、
    前記ケース内に充填された充填材と、を有し、
    前記充填材は、前記ケースの側壁部に接する第1の充填材と、前記端子の周囲に接する第2の充填材とで構成され、
    第1の充填材の弾性率は第2の充填材の弾性率より高いことを特徴とする超音波センサ。
  2. 前記第2の充填材と前記圧電素子との間で、前記側壁部に接しない位置に弾性部材が配置され、
    前記第1の充填材は少なくとも前記側壁部と前記弾性部材との間に充填された、請求項1に記載の超音波センサ。
  3. 前記圧電素子と前記弾性部材との間に空間が形成され、前記弾性部材の前記圧電素子側の面に吸音材が設けられている、請求項1又は2に記載の超音波センサ。
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