JP5094006B2 - Liquid crystal composition and liquid crystal electro-optical device - Google Patents

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Description

本発明は、液晶表示素子に使用される液晶組成物とその液晶組成物を用いた電気光学装置に関する。   The present invention relates to a liquid crystal composition used for a liquid crystal display element and an electro-optical device using the liquid crystal composition.

近年、液晶電気光学装置は、軽量化、小型化、薄型化などが可能で、各種の用途に使用されつつあり、フィールドシーケンシャルカラー方式といった高速応答液晶を用いた駆動方法の開発に伴い応答速度の改善が特に要求されるようになってきている。また、液晶の応答時間は粘度に比例していることが知られており、粘度が下がることが応答時間の短縮を表している。このことを用い２種類以上の液晶を混合する等の方法で液晶の粘度を下げる試みがなされている。（特許文献１）
特開平７−２７８５４５号公報 In recent years, liquid crystal electro-optical devices can be reduced in weight, size, and thickness, and are being used in various applications. With the development of a driving method using a high-speed response liquid crystal such as a field sequential color method, the response speed has been reduced. Improvements are particularly required. Moreover, it is known that the response time of the liquid crystal is proportional to the viscosity, and a decrease in the viscosity represents a reduction in the response time. Attempts have been made to lower the viscosity of the liquid crystal by a method such as mixing two or more types of liquid crystals. (Patent Document 1)
JP-A-7-278545

しかしながら、上記のような２種類以上の液晶を混合する方法では、互いの液晶が影響し合い、電圧保持率や相転移温度等の液晶諸特性が変化してしまう。本発明が解決しようとする課題は、電圧保持率や相転移温度等の液晶諸特性を低下させることなく、応答速度の速い液晶組成物を提供することにある。   However, in the method of mixing two or more types of liquid crystals as described above, the liquid crystals influence each other, and various liquid crystal characteristics such as voltage holding ratio and phase transition temperature change. The problem to be solved by the present invention is to provide a liquid crystal composition having a high response speed without deteriorating various liquid crystal properties such as voltage holding ratio and phase transition temperature.

液晶材料としてネマティック液晶とフッ素を含む不活性液体（ＣｍＦｎ、又はＣｍＦｎＯ、但しｍ、ｎは自然数）の液晶組成物を使用したことを特徴とするものであり、このことにより、液晶の応答速度の早い液晶組成物を得られる。このとき、ネマティック液晶としてはビフェニル系、ターフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、ピリミジン系、フッ素系、トラン系またはエステル系等の材料を用いることができる。またフッ素系不活性溶液としては、パーフルオロ（２−ブチルテトラヒドロフラン）Ｃ８Ｆ１６Ｏ、Ｃ８Ｆ１８、Ｃ６Ｆ１４などを用いることができる。ただしこれらには限定されない。フッ素を含む不活性液体の量は、液晶組成物の量に対して１０〜６０ｗｔ％、好ましくは２０〜３０ｗｔ％程度で良い。 This is characterized by using a liquid crystal composition of nematic liquid crystal and an inert liquid containing fluorine (C m F n or C m F n O, where m and n are natural numbers) as the liquid crystal material. Thus, a liquid crystal composition having a high liquid crystal response speed can be obtained. At this time, as the nematic liquid crystal, materials such as biphenyl, terphenyl, phenylcyclohexane, pyrimidine, fluorine, tolan or ester can be used. Examples of the fluorine-based inert solution can be perfluoro (2-butyl tetrahydrofuran) C 8 F 16 O, and C 8 F 18, C 6 F 14. However, it is not limited to these. The amount of the inert liquid containing fluorine may be about 10 to 60 wt%, preferably about 20 to 30 wt% with respect to the amount of the liquid crystal composition.

本発明を用いることにより、液晶の応答時間を速くする事が出来る。またネマティック液晶とフッ素を含む不活性液体（ＣｍＦｎ、又はＣｍＦｎＯ、但しｍ、ｎは自然数）とを含有する液晶組成物を使用しているにも関わらず、電圧保持率の低下や、相転移温度の変化は見受けられない。 By using the present invention, the response time of the liquid crystal can be increased. The inert liquid containing a nematic liquid crystal and fluorine (C m F n, or C m F n O, where m, n are natural numbers) despite using a liquid crystal composition containing a voltage holding ratio No decrease in phase or change in phase transition temperature is observed.

以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the present invention can be implemented in many different modes, and those skilled in the art can easily understand that the modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Is done. Therefore, the present invention is not construed as being limited to the description of this embodiment mode. Note that in all the drawings for describing the embodiments, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals, and repetitive description thereof is omitted.

（実施の形態１）
以下に液晶電気光学装置の作製方法を示す。
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に本発明の液晶電気光学装置の断面図を示す。ここでは最も簡単な液晶電気光学装置に本発明を適用した場合を例に説明する。１０１、１０２は透光性を有する基板である。１０３は透光性導電膜、１０４は配向膜、１０５はシール材、１０６ａは柱状のスペーサ、１０６ｂは球状スペーサ、１０７は液晶組成物である。 (Embodiment 1)
A method for manufacturing a liquid crystal electro-optical device will be described below.
1A and 1B are cross-sectional views of the liquid crystal electro-optical device of the present invention. Here, a case where the present invention is applied to the simplest liquid crystal electro-optical device will be described as an example. 101 and 102 are translucent substrates. Reference numeral 103 denotes a light-transmitting conductive film, 104 denotes an alignment film, 105 denotes a sealing material, 106 a denotes a columnar spacer, 106 b denotes a spherical spacer, and 107 denotes a liquid crystal composition.

透光性を有する基板１０１、１０２上に、透光性導電膜１０３が形成されている。基板としては無アルカリガラスや石英基板からなる。なお透光性を有する基板であれば可撓性を有する材料、例えばポリイミド、ポリカーボネートなどプラスチック材料でもよい。このように透光性の導電性膜としては公知の材料により公知の方法で形成されるものを利用することができる。例えばインジウムと錫の酸化膜（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、酸化スズ、酸化亜鉛等でも良い。   A light-transmitting conductive film 103 is formed over the light-transmitting substrates 101 and 102. The substrate is made of an alkali-free glass or a quartz substrate. Note that a flexible material, for example, a plastic material such as polyimide or polycarbonate may be used as long as it is a light-transmitting substrate. Thus, what is formed by a well-known method with a well-known material can be utilized as a translucent conductive film. For example, an indium and tin oxide film (Indium Tin Oxide), tin oxide, zinc oxide, or the like may be used.

配向膜１０４はポリイミド、ポリアミドなど、一般的に液晶電気光学装置に利用されている材料を用いる事が出来る。配向膜の材料は利用する液晶の動作モードに対応して選択される。配向膜を基板上に塗布する場合には、印刷法によるもの、スピナーにより塗布するもの等を利用できる。   The alignment film 104 can be made of a material generally used for liquid crystal electro-optical devices, such as polyimide and polyamide. The material of the alignment film is selected according to the operation mode of the liquid crystal to be used. When the alignment film is applied on the substrate, it is possible to use a printing method or a spinner.

配向膜１０４には液晶を配向させるため配向処理が施されている。配向処理は利用する液晶の動作モードに対応して選択される。たとえばＴＮモードであれば基板に対して液晶分子の長軸が平行になるように処理される。また、紫外線等を利用した光配向処理を利用してもよい。 The alignment film 104 is subjected to an alignment process for aligning the liquid crystal. The alignment process is selected according to the operation mode of the liquid crystal to be used. For example, in the TN mode, processing is performed so that the major axis of the liquid crystal molecules is parallel to the substrate. Moreover, you may utilize the photo-alignment process using an ultraviolet-ray etc.

シール材１０５は基板間の液晶を最終的に封じこめ外部に漏れないようにすることと、一対の基板同士を接着することを目的として、接着性を有する材料を用いる。   The sealant 105 is made of an adhesive material for the purpose of finally sealing the liquid crystal between the substrates so as not to leak to the outside and bonding the pair of substrates together.

シール材１０５としては接着性を有する材料としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。硬化方式としては熱硬化型、光硬化型いずれでもよい。 As the sealing material 105, materials having adhesiveness include epoxy resin, acrylic resin, and the like. The curing method may be either a thermosetting type or a photocuring type.

なお、基板の間隔を一定にするため、必要に応じてシール材に圧力に対する変形を受け難い添加剤を加えてもよい。これは基板の間隔がおおよそ３μｍ以上のときに用いると、液晶電気光学装置の基板の間隔について、基板の間隔のばらつきを低減するのに効果がある。このとき添加剤としては球状の形状を有し、且つ一定の直径を有するスペーサを用いる。前記添加剤にはＳｉＯ２等の無機材料、あるいはジビニルベンゼンを主成分とする有機材料を用いる事が出来る。 In addition, in order to make the space | interval of a board | substrate constant, you may add the additive which is hard to receive the deformation | transformation with respect to a sealing material as needed. When this is used when the distance between the substrates is approximately 3 μm or more, it is effective in reducing the variation in the distance between the substrates with respect to the distance between the substrates of the liquid crystal electro-optical device. At this time, a spacer having a spherical shape and a constant diameter is used as the additive. As the additive, an inorganic material such as SiO 2 or an organic material mainly composed of divinylbenzene can be used.

このとき添加するスペーサの直径は利用する液晶あるいは動作モードの違いにより適宜選択する。例としてＴＮモードでは２〜５μｍ前後、強誘電性液晶、反強誘電性液晶は０．５〜３μｍ前後である。   The diameter of the spacer added at this time is appropriately selected depending on the liquid crystal to be used or the operation mode. For example, in the TN mode, it is about 2 to 5 μm, and for the ferroelectric liquid crystal and antiferroelectric liquid crystal, it is about 0.5 to 3 μm.

シール材に対するスペーサの添加量は、使用するスペーサに依存するが、多くの場合３ｗｔ％程度でよい。あまり多く添加すると添加したスペーサ同士が重なり合って一定の基板の間隔が取れなくなってしまう。   The amount of spacer added to the sealing material depends on the spacer used, but in many cases it may be about 3 wt%. If too much is added, the added spacers overlap each other, and a certain distance between the substrates cannot be obtained.

また、柱状のスペーサ１０６ａの高さは、シール材の画素部へのしみ出しが防止できるような高さが基本的には良いが、一対の基板に形成された対向する電極の間隔、つまり基板の間隔を所定の間隔とすることが出来るようにも設定できる。本実施の形態の場合、導電膜、配向膜などが形成されており、場合によってはこれらの構成物による段差が発生するので段差を考慮して高さを決める。つまり、たとえば基板の間隔を４μｍにしたい場合、柱状のスペーサ１０６ａを立てるべき場所に基板表面よりも０．２μｍ高く段差が出来ている場合、柱状のスペーサ１０６ａの高さは３．８μｍとすればよい。柱状のスペーサがギャップ保持材に相当する。   The height of the columnar spacer 106a is basically good enough to prevent the sealant from seeping out to the pixel portion, but the distance between the opposing electrodes formed on the pair of substrates, that is, the substrate It is also possible to set so that the interval can be a predetermined interval. In the case of this embodiment, a conductive film, an alignment film, and the like are formed, and in some cases, a step due to these components is generated, so the height is determined in consideration of the step. That is, for example, when it is desired to set the interval between the substrates to 4 μm, if a step is formed 0.2 μm higher than the substrate surface at the position where the columnar spacer 106 a should be raised, the height of the columnar spacer 106 a should be 3.8 μm. Good. A columnar spacer corresponds to the gap retaining material.

また、スペーサは基板１０１、１０２のどちらに形成してもよく、さらに、両方の基板に形成してもよい。   The spacer may be formed on either of the substrates 101 and 102, and may be formed on both substrates.

柱状のスペーサ１０６ａを形成しない場合は、図１（Ｂ）のように基板上に球状スペーサ１０６ｂを散布する。球状スペーサ１０６ｂは、有機物あるいは無機物からなる球状の物質で、従来の液晶電気光学装置で利用されている物質と散布方法をそのまま利用できる。液晶電気光学装置内のスペーサの密度は一般的には２０個〜２００個／ｍｍ２であれば基板の間隔を一定に保持できる。 When the columnar spacer 106a is not formed, the spherical spacer 106b is dispersed on the substrate as shown in FIG. The spherical spacer 106b is a spherical substance made of an organic substance or an inorganic substance, and a substance and a spraying method used in a conventional liquid crystal electro-optical device can be used as they are. If the density of the spacers in the liquid crystal electro-optical device is generally 20 to 200 / mm 2 , the distance between the substrates can be kept constant.

このようにして透光性導電膜１０３、配向膜１０４、が形成された一対の基板１０１と１０２のいずれかにシール材１０５とスペーサ１０６を形成し、さらにその後、液晶電気光学装置を作製するために貼り合わせる。   In order to form the liquid crystal electro-optical device after forming the sealing material 105 and the spacer 106 on one of the pair of substrates 101 and 102 on which the light-transmitting conductive film 103 and the alignment film 104 are formed in this way. Paste to.

つぎに液晶組成物１０７について説明する。液晶組成物１０７はネマティック液晶とフッ素を含む不活性液体（ＣｍＦｎ、又はＣｍＦｎＯ、但しｍ、ｎは自然数）とを含有する混合物である。ネマティック液晶としてはビフェニル系、ターフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、ピリミジン系、フッ素系、トラン系またはエステル系等の材料を用いることができる。フッ素を含む不活性液体はフルオロカーボン系有機溶媒であり、化学式ではＣｍＦｎ、又はＣｍＦｎＯ、但しｍ、ｎは自然数で表される。具体的にはパーフルオロ（２−ブチルテトラヒドロフラン）Ｃ８Ｆ１６Ｏ、Ｃ８Ｆ１８、Ｃ６Ｆ１４を用いることができる。例えば住友３Ｍ社製ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−７７、ＦＣ−４３、ＦＣ−７０、アウジモント社製ガルデン（登録商標）、デュポン社製フレオン（登録商標）を用いることができる。ただしこれらに限定されるものではなく、上記化学式を満たすものを用いることができることはいうまでもない。また、フッ素を含む不活性液体の量は、液晶組成物の量に対して１０〜６０ｗｔ％、好ましくは２０〜３０ｗｔ％程度で良い。あまり多く添加するとネマティック液晶の割合が減ってしまいパネルで表示させたときにムラが出来てしまう。また添加量が少ないと、効果が得られない。 Next, the liquid crystal composition 107 will be described. The liquid crystal composition 107 is a mixture containing a nematic liquid crystal and an inert liquid containing fluorine (C m F n or C m F n O, where m and n are natural numbers). As the nematic liquid crystal, materials such as biphenyl, terphenyl, phenylcyclohexane, pyrimidine, fluorine, tolan or ester can be used. The inert liquid containing fluorine is a fluorocarbon organic solvent, and C m F n or C m F n O in the chemical formula, where m and n are represented by natural numbers. Specifically, perfluoro (2-butyltetrahydrofuran) C 8 F 16 O, C 8 F 18 , or C 6 F 14 can be used. For example, FLUORINERT (registered trademark) FC-77, FC-43, FC-70 manufactured by Sumitomo 3M, Galden (registered trademark) manufactured by Augmont, and Freon (registered trademark) manufactured by DuPont can be used. However, it is not limited to these, and it is needless to say that those satisfying the above chemical formula can be used. Further, the amount of the inert liquid containing fluorine may be about 10 to 60 wt%, preferably about 20 to 30 wt% with respect to the amount of the liquid crystal composition. If too much is added, the proportion of nematic liquid crystal is reduced, and unevenness is produced when displayed on a panel. Moreover, when there is little addition amount, an effect will not be acquired.

ネマティック液晶とフッ素を含む不活性液体（ＣｍＦｎ、又はＣｍＦｎＯ、但しｍ、ｎは自然数）の混合方法について説明する。本実施の形態においては、これらの材料を混合してネマティック液晶の等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）以上に加熱しながら１時間攪拌する。等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）以上で攪拌することにより、ネマティック液晶とフッ素を含む不活性液体が混ざり合う。この時、等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）付近で攪拌するのが望ましい。あまり温度が高すぎるとネマティック液晶の特性が変化してしまう。 A method of mixing the nematic liquid crystal and an inert liquid containing fluorine (C m F n or C m F n O, where m and n are natural numbers) will be described. In the present embodiment, these materials are mixed and stirred for 1 hour while heating above the isotropic phase-nematic phase transition point (NI point) of the nematic liquid crystal. By stirring above the isotropic phase-nematic phase transition point (NI point), the nematic liquid crystal and the inert liquid containing fluorine are mixed. At this time, it is desirable to stir near the isotropic phase-nematic phase transition point (NI point). If the temperature is too high, the characteristics of the nematic liquid crystal will change.

前述の基板１０１と１０２により形成された液晶セルに前記液晶組成物１０７をネマティック液晶の等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）よりも高温にして毛細管現象を利用して注入を行う。この時も、等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）付近で注入するのが望ましく、あまり温度が高すぎるとネマティック液晶の特性が変化してしまう。また、注入は真空注入法を用いても良い。注入後の配向状態をバックライト上で偏光板に挟んで確認したところ分離している様子は確認出来ない。   The liquid crystal composition 107 is injected into the liquid crystal cell formed by the substrates 101 and 102 by using capillary action at a temperature higher than the isotropic phase-nematic phase transition point (NI point) of the nematic liquid crystal. Also at this time, it is desirable to inject near the isotropic phase-nematic phase transition point (NI point). If the temperature is too high, the characteristics of the nematic liquid crystal change. Further, a vacuum injection method may be used for the injection. When the alignment state after the injection is confirmed by sandwiching it between polarizing plates on the backlight, it cannot be confirmed that it is separated.

以上の工程により、ネマティック液晶とフッ素を含む不活性液体（ＣｍＦｎ、又はＣｍＦｎＯ、但しｍ、ｎは自然数）とを含有する混合物で構成される応答速度の速い液晶電気光学装置を作製することができる。 Through the above steps, the nematic liquid crystal and fluorine inert liquid containing (C m F n, or C m F n O, where m, n are natural numbers) liquid crystal electro-optical high response speed comprised of mixture containing A device can be made.

（実施の形態２）
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に本発明の液晶電気光学装置の断面図を示す。ここではアクティブマトリクス型の液晶電気光学装置に本発明を適用した場合を例に説明する。なお、ここでは例としてアクティブマトリクス基板に駆動回路を同一基板に形成している。２０１はアクティブマトリクス基板、２０２は対向基板である。２０３は画素部、２０４は画素部２０３を制御する駆動回路（ゲートドライバー）、２０５ａは柱状のスペーサ、２０５ｂは球状スペーサ、２０６はシール材、２０７は対向電極、２０８は配向膜、２０９は液晶組成物である。また、画素部は画素領域に相当する。 (Embodiment 2)
2A and 2B are cross-sectional views of the liquid crystal electro-optical device of the present invention. Here, a case where the present invention is applied to an active matrix type liquid crystal electro-optical device will be described as an example. Here, as an example, the drive circuit is formed on the same substrate in the active matrix substrate. 201 is an active matrix substrate, and 202 is a counter substrate. Reference numeral 203 denotes a pixel portion, 204 denotes a driving circuit (gate driver) for controlling the pixel portion 203, 205a denotes a columnar spacer, 205b denotes a spherical spacer, 206 denotes a sealing material, 207 denotes a counter electrode, 208 denotes an alignment film, and 209 denotes a liquid crystal composition It is a thing. The pixel portion corresponds to a pixel region.

アクティブマトリクス基板２０１には透光性を有する基板に画素電極、信号電極が形成されている。基板としては無アルカリガラスや石英基板からなる。なお透光性を有する基板であれば可撓性を有する材料、例えばポリイミド、ポリカーボネートなどプラスチック材料でもよい。このようにアクティブマトリクス基板としては公知の回路構成を有し、公知の材料により形成されるものを利用することができる。アクティブマトリクス基板としてはガラス基板上に形成するもののほか、Ｓｉウェーハ上に形成するものや金属基板上に形成するものも利用できる。   In the active matrix substrate 201, pixel electrodes and signal electrodes are formed over a light-transmitting substrate. The substrate is made of an alkali-free glass or a quartz substrate. Note that a flexible material, for example, a plastic material such as polyimide or polycarbonate may be used as long as it is a light-transmitting substrate. As described above, an active matrix substrate having a known circuit configuration and formed of a known material can be used. As the active matrix substrate, a substrate formed on a glass substrate, a substrate formed on a Si wafer, and a substrate formed on a metal substrate can be used.

アクティブマトリクス基板２０１については能動素子を利用した画素回路が形成された基板や、画素回路の周辺に駆動回路をも同一基板上に形成された基板を利用する事が出来る。   As the active matrix substrate 201, a substrate in which a pixel circuit using active elements is formed, or a substrate in which a drive circuit is formed around the pixel circuit on the same substrate can be used.

また、対向基板２０２としては透光性を有する基板を利用する事が出来る。基板としては無アルカリガラス、石英基板からなる。基板としてはこのほかに可撓性を有する材料、例えばポリイミド、ポリカーボネートなどのプラスチック材料でもよい。   As the counter substrate 202, a light-transmitting substrate can be used. The substrate is made of an alkali-free glass or a quartz substrate. In addition to this, the substrate may be a flexible material, for example, a plastic material such as polyimide or polycarbonate.

対向基板２０２には、液晶電気光学装置としてカラー表示をするために基板上のカラーフィルタが所望の形状に加工されているもの、あるいは透明電極とブラックマトリクスのみのものなど、公知の技術により形成された基板を利用する事が出来る。 The counter substrate 202 is formed by a known technique such as a liquid crystal electro-optical device in which a color filter on the substrate is processed into a desired shape for color display, or a transparent electrode and a black matrix alone. Can be used.

配向膜２０８はポリイミド、ポリアミドなど、一般的に液晶電気光学装置に利用されている材料を用いる事が出来る。配向膜の材料は利用する液晶の動作モードに対応して選択される。配向膜を基板上に塗布する場合には、印刷法によるもの、スピナーにより塗布するもの等を利用できる。   The alignment film 208 can be made of a material generally used for a liquid crystal electro-optical device, such as polyimide or polyamide. The material of the alignment film is selected according to the operation mode of the liquid crystal to be used. When the alignment film is applied on the substrate, it is possible to use a printing method or a spinner.

配向膜２０８は電気的に絶縁性を有する材料を用いることが一般的なため、基板上に形成された信号電極と外部電気回路との電気的接続が可能となるよう、電極表面を露出させるため所望の形状に加工する。配向膜を所望の形状に加工するためには印刷法による方法が望ましい。   Since the alignment film 208 is generally made of an electrically insulating material, the electrode surface is exposed so that the signal electrode formed on the substrate can be electrically connected to the external electric circuit. Process into desired shape. In order to process the alignment film into a desired shape, a printing method is desirable.

配向膜２０８には液晶を配向させるため配向処理が施されている。配向処理は利用する液晶の動作モードに対応して選択される。たとえばＴＮモードであれば基板に対して液晶分子の長軸が平行になるように処理される。また、紫外線等を利用した光配向処理を利用してもよい。   The alignment film 208 is subjected to an alignment process for aligning the liquid crystal. The alignment process is selected according to the operation mode of the liquid crystal to be used. For example, in the TN mode, processing is performed so that the major axis of the liquid crystal molecules is parallel to the substrate. Moreover, you may utilize the photo-alignment process using an ultraviolet-ray etc.

シール材２０６は基板間の液晶を最終的に封じこめ外部に漏れないようにすることと、一対の基板同士を接着することを目的として、接着性を有する材料を用いる。   The sealant 206 is made of an adhesive material for the purpose of finally sealing the liquid crystal between the substrates so as not to leak to the outside and bonding the pair of substrates together.

シール材２０６としては接着性を有する材料としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。硬化方式としては熱硬化型、光硬化型いずれでもよい。   As the sealing material 206, an epoxy resin, an acrylic resin, or the like can be given as an adhesive material. The curing method may be either a thermosetting type or a photocuring type.

なお、基板の間隔を一定にするため、必要に応じてシール材に圧力に対する変形を受け難い添加剤を加えてもよい。これは基板の間隔がおおよそ３μｍ以上のときに用いると、液晶電気光学装置の基板の間隔のばらつきを低減するのに効果がある。このとき添加剤としては球状の形状を有し、且つ一定の直径を有するスペーサを用いる。前記添加剤にはＳｉＯ２等の無機材料、あるいはジビニルベンゼンを主成分とする有機材料を用いる事が出来る。 In addition, in order to make the space | interval of a board | substrate constant, you may add the additive which is hard to receive the deformation | transformation with respect to a sealing material as needed. If this is used when the distance between the substrates is approximately 3 μm or more, it is effective in reducing variations in the distance between the substrates of the liquid crystal electro-optical device. At this time, a spacer having a spherical shape and a constant diameter is used as the additive. As the additive, an inorganic material such as SiO 2 or an organic material mainly composed of divinylbenzene can be used.

このとき添加するスペーサの直径は利用する液晶あるいは動作モードの違いにより適宜選択する。例としてＴＮモードでは２〜５μｍ前後、強誘電性液晶、反強誘電性液晶は０．５〜３μｍ前後である。   The diameter of the spacer added at this time is appropriately selected depending on the liquid crystal to be used or the operation mode. For example, in the TN mode, it is about 2 to 5 μm, and for the ferroelectric liquid crystal and antiferroelectric liquid crystal, it is about 0.5 to 3 μm.

シール材に対するスペーサの添加量は、使用するスペーサに依存するが、多くの場合３ｗｔ％程度でよい。あまり多く添加すると添加したスペーサ同士が重なり合って一定の基板の間隔が取れなくなってしまう。   The amount of spacer added to the sealing material depends on the spacer used, but in many cases it may be about 3 wt%. If too much is added, the added spacers overlap each other, and a certain distance between the substrates cannot be obtained.

また、柱状のスペーサ２０５ａの高さは、シール材の画素部へのしみ出しが防止できるような高さが基本的には良いが、一対の基板に形成された対向する画素電極の間隔、つまり基板の間隔を所定の間隔とすることが出来るようにも設定できる。特にアクティブマトリクス基板２０１を利用する場合、信号配線、ブラックマトリクス、補助容量、層間絶縁膜などが形成されており、場合によってはこれらの構成物による段差が発生するので段差を考慮して高さを決める。つまり、たとえば基板の間隔を４μｍにしたい場合、柱状のスペーサ２０５ａを立てるべき場所に基板表面よりも０．２μｍ高く段差が出来ている場合、柱状のスペーサ２０５ａの高さは３．８μｍとすればよい。柱状のスペーサがギャップ保持材に相当する。   In addition, the height of the columnar spacer 205a is basically good enough to prevent the sealing material from seeping into the pixel portion, but the interval between the opposing pixel electrodes formed on the pair of substrates, that is, It can also be set so that the interval between the substrates can be a predetermined interval. In particular, when the active matrix substrate 201 is used, signal wiring, a black matrix, an auxiliary capacitor, an interlayer insulating film, and the like are formed. In some cases, a step due to these components is generated. Decide. That is, for example, when it is desired to set the interval between the substrates to 4 μm, if a step is formed 0.2 μm higher than the substrate surface at the position where the columnar spacers 205 a should be raised, the height of the columnar spacers 205 a should be 3.8 μm. Good. A columnar spacer corresponds to the gap retaining material.

なお、柱状のスペーサを画素部内において表示に影響しない部分、たとえばソース配線、ゲート配線上やブラックマトリクス上に設けそれを基板の間隔保持用に利用してもよい。   Note that a columnar spacer may be provided in a portion that does not affect display in the pixel portion, for example, on a source wiring, a gate wiring, or a black matrix, and may be used for holding a gap between substrates.

また、スペーサをアクティブマトリクス基板２０１に形成する場合を例にしているが、これに限定するものではなく対向基板２０２に形成してもよく、さらに、両方の基板に形成してもよい。ただし、スペーサを画素部にも作製する場合、基板上に形成された画素とスペーサとのアライメント精度を高くするためには、フォトリソグラフィー法によってアクティブマトリクス基板にスペーサを形成することが望ましい。これは、マスクアライナーの方が貼り合わせ装置よりもアライメント精度が高いことが一般的であるためである。   Further, although the case where the spacer is formed on the active matrix substrate 201 is taken as an example, the present invention is not limited to this, and the spacer may be formed on the counter substrate 202 or may be formed on both substrates. However, when the spacer is also formed in the pixel portion, it is desirable to form the spacer on the active matrix substrate by a photolithography method in order to increase the alignment accuracy between the pixel formed on the substrate and the spacer. This is because the mask aligner generally has higher alignment accuracy than the bonding apparatus.

柱状のスペーサ２０５ａを形成しない場合は、図２（Ｂ）のように基板上に球状スペーサ２０５ｂを散布する。球状スペーサは、有機物あるいは無機物からなる球状の物質で、従来の液晶電気光学装置で利用されている物質と散布方法をそのまま利用できる。液晶電気光学装置内のスペーサの密度は一般的には２０個〜２００個／ｍｍ２であれば基板の間隔を一定に保持できる。 When the columnar spacer 205a is not formed, spherical spacers 205b are dispersed on the substrate as shown in FIG. The spherical spacer is a spherical substance made of an organic substance or an inorganic substance, and a substance and a spraying method used in a conventional liquid crystal electro-optical device can be used as they are. If the density of the spacers in the liquid crystal electro-optical device is generally 20 to 200 / mm 2 , the distance between the substrates can be kept constant.

このようにして配向膜、シールパターン、アクティブマトリクス基板と対向基板のいずれかにスペーサを形成し、さらにその後、液晶電気光学装置を作製するために貼り合わせる。   In this manner, spacers are formed on any of the alignment film, the seal pattern, the active matrix substrate, and the counter substrate, and then bonded to form a liquid crystal electro-optical device.

つぎに液晶組成物２０９について説明する。液晶組成物２０９はネマティック液晶とフッ素を含む不活性液体（ＣｍＦｎ、又はＣｍＦｎＯ、但しｍ、ｎは自然数）とを含有する混合物であり、実施の形態１に示したものを用いることができる。ネマティック液晶としてはビフェニル系、ターフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、ピリミジン系、フッ素系、トラン系またはエステル系等の材料を用いることができる。フッ素を含む不活性液体の量は、液晶組成物の量に対して２０〜３０ｗｔ％程度で良い。あまり多く添加するとネマティック液晶の割合が減ってしまいパネルで表示させたときにムラが出来てしまう。また添加量が少なすぎると、効果が得られない。 Next, the liquid crystal composition 209 will be described. A liquid crystal composition 209 is a mixture including a nematic liquid crystal and an inert liquid containing fluorine (C m F n or C m F n O, where m and n are natural numbers), and is described in Embodiment Mode 1. Can be used. As the nematic liquid crystal, materials such as biphenyl, terphenyl, phenylcyclohexane, pyrimidine, fluorine, tolan or ester can be used. The amount of the inert liquid containing fluorine may be about 20 to 30 wt% with respect to the amount of the liquid crystal composition. If too much is added, the proportion of nematic liquid crystal is reduced, and unevenness is produced when displayed on a panel. If the amount added is too small, the effect cannot be obtained.

ネマティック液晶とフッ素を含む不活性液体（ＣｍＦｎ、又はＣｍＦｎＯ、但しｍ、ｎは自然数）の混合方法について説明する。本実施の形態においては、これらの材料を混合してネマティック液晶の等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）以上に加熱しながら１時間攪拌する。等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）以上で攪拌することにより、ネマティック液晶とフッ素を含む不活性液体が混ざり合う。この時、等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）付近で攪拌するのが望ましい。あまり温度が高すぎるとネマティック液晶の特性が変質してしまう。 A method of mixing the nematic liquid crystal and an inert liquid containing fluorine (C m F n or C m F n O, where m and n are natural numbers) will be described. In the present embodiment, these materials are mixed and stirred for 1 hour while heating above the isotropic phase-nematic phase transition point (NI point) of the nematic liquid crystal. By stirring above the isotropic phase-nematic phase transition point (NI point), the nematic liquid crystal and the inert liquid containing fluorine are mixed. At this time, it is desirable to stir near the isotropic phase-nematic phase transition point (NI point). If the temperature is too high, the characteristics of the nematic liquid crystal will be altered.

前述の基板２０１と２０２により形成された液晶セルに前記液晶組成物２０９をネマティック液晶の等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）よりも高温にして毛細管現象を利用して注入を行う。この時も、等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）付近で注入するのが望ましく、あまり温度が高すぎるとネマティック液晶の特性が変質してしまう。また、注入は真空注入法を用いても良い。注入後の配向状態をバックライト上で偏光板に挟んで確認したところ分離している様子は確認出来ない。   The liquid crystal composition 209 is injected into the liquid crystal cell formed by the substrates 201 and 202 by using capillary action at a temperature higher than the isotropic phase-nematic phase transition point (NI point) of the nematic liquid crystal. Also at this time, it is desirable to inject near the isotropic phase-nematic phase transition point (NI point), and if the temperature is too high, the characteristics of the nematic liquid crystal will be altered. Further, a vacuum injection method may be used for the injection. When the alignment state after the injection is confirmed by sandwiching it between polarizing plates on the backlight, it cannot be confirmed that it is separated.

以上の工程により、ネマティック液晶とフッ素を含む不活性液体（ＣｍＦｎ、又はＣｍＦｎＯ、但しｍ、ｎは自然数）の混合体で構成される応答速度の速い液晶電気光学装置を作製することができる。 Through the above steps, the nematic liquid crystal and fluorine inert liquid containing (C m F n, or C m F n O, where m, n are natural numbers) fast liquid crystal electro-optical device response speed consists of a mixture of Can be produced.

本実施の形態ではアクティブマトリクス型の液晶電気光学装置を例に説明したが、単純マトリクス型の液晶電気光学装置についても本発明を適用することできる。   Although an active matrix type liquid crystal electro-optical device has been described as an example in this embodiment mode, the present invention can also be applied to a simple matrix type liquid crystal electro-optical device.

本実施の形態で用いた液晶組成物２０９は、滴下注入法を用いた製造方法によって作製される液晶電気光学装置にも適用することできる。   The liquid crystal composition 209 used in this embodiment can also be applied to a liquid crystal electro-optical device manufactured by a manufacturing method using a dropping injection method.

以下に液晶電気光学装置の作製方法を示す。
ガラス基板上にスパッタリング法で透明導電膜（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（以下、ＩＴＯとする））を１００ｎｍ成膜する。レジストを塗布し仮焼きした後、電極マスクを用いて露光し、ウェットエッチング法でレジストの現像を行った。透明導電膜（ＩＴＯ）のエッチングをウェットエッチング法で行い、剥離液でレジストの除去を行った。レジスト除去後、透明導電膜（ＩＴＯ）の焼成を２５０℃１時間で行った。 A method for manufacturing a liquid crystal electro-optical device will be described below.
A transparent conductive film (Indium Tin Oxide (hereinafter referred to as ITO)) is formed to a thickness of 100 nm on a glass substrate by a sputtering method. After applying a resist and calcining, exposure was performed using an electrode mask, and the resist was developed by a wet etching method. The transparent conductive film (ITO) was etched by a wet etching method, and the resist was removed with a stripping solution. After removing the resist, the transparent conductive film (ITO) was baked at 250 ° C. for 1 hour.

透明導電膜（ＩＴＯ）の電極が形成されたガラス基板の洗浄を行った。凸版印刷によりポリイミド樹脂を４０ｎｍ程度の厚さに印刷し、ポリイミド樹脂の焼成を２００℃９０分で行った。焼成後、ラビング法によりポリイミド樹脂の配向処理を行い、ガラス基板の洗浄を行った。   The glass substrate on which the transparent conductive film (ITO) electrode was formed was cleaned. A polyimide resin was printed to a thickness of about 40 nm by letterpress printing, and the polyimide resin was baked at 200 ° C. for 90 minutes. After firing, the polyimide resin was aligned by a rubbing method, and the glass substrate was washed.

一方の透明導電膜（ＩＴＯ）の電極が形成されたガラス基板に、２．２μｍのギャップ保持材を混合した熱硬化型のシール材を、ディスペンサを用いて電極の外側を囲むようにパターンを形成した。   A glass substrate on which one transparent conductive film (ITO) electrode is formed is coated with a thermosetting sealing material mixed with a 2.2 μm gap retaining material, and a pattern is formed so as to surround the outside of the electrode using a dispenser. did.

もう一方の透明導電膜（ＩＴＯ）の電極が形成されたガラス基板には、イソプロピルアルコールに２μｍの球状スペーサを混合し湿式散布を、スピナーを用いて行った。   On the glass substrate on which the other transparent conductive film (ITO) electrode was formed, a 2 μm spherical spacer was mixed in isopropyl alcohol and wet spraying was performed using a spinner.

スペーサの散布を行ったガラス基板の対角に紫外線硬化型のシール材を滴下し、熱硬化型のシール材でパターンを形成したガラス基板と貼り合せを行った。１．０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で１５分間プレスを行い、紫外線を１分間照射させ紫外線硬化型のシール材を硬化させた。プレス終了後、１．０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で熱プレスを行い、貼り合せた基板をパネルサイズに切り出した。 An ultraviolet curable sealant was dropped on the opposite side of the glass substrate on which the spacers were dispersed, and was bonded to a glass substrate on which a pattern was formed with a thermosetting sealant. Pressing was performed at a pressure of 1.0 kgf / cm 2 for 15 minutes, and ultraviolet rays were irradiated for 1 minute to cure the ultraviolet curable sealing material. After completion of pressing, hot pressing was performed at a pressure of 1.0 kgf / cm 2 , and the bonded substrate was cut into a panel size.

液晶組成物の作製には、ネマティック液晶であるメルク社製のＴＬ２１５とフッ素を含む不活性液体である住友３Ｍ製のＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−４３を使用した。ネマティック液晶ＴＬ２１５の物性は、屈折率の異方性の値Δｎは０．２程度、誘電率８．５である。ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−４３の物性は、沸点１７４℃、融点−５０℃、密度１．８８ｋｇ／ｍ３、動粘度２．８ｃＳｔである。ネマティック液晶ＴＬ２１５に対してＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−４３は０ｗｔ％，３０ｗｔ％，６０ｗｔ％の割合で混合し、液晶材料が等方相（液体）状態になるよう９０℃で加熱しながら攪拌を１時間行うことで、液晶組成物を得た。 For the production of the liquid crystal composition, TL215 made by Merck Co., which is a nematic liquid crystal, and FLUORINERT (registered trademark) FC-43 made by Sumitomo 3M, which is an inert liquid containing fluorine, were used. As for the physical properties of the nematic liquid crystal TL215, the refractive index anisotropy value Δn is about 0.2 and the dielectric constant is 8.5. The physical properties of FLUORINERT (registered trademark) FC-43 are a boiling point of 174 ° C., a melting point of −50 ° C., a density of 1.88 kg / m 3 , and a kinematic viscosity of 2.8 cSt. FLUORINERT (registered trademark) FC-43 is mixed with nematic liquid crystal TL215 at a ratio of 0 wt%, 30 wt%, and 60 wt%, and stirred while heating at 90 ° C so that the liquid crystal material is in an isotropic phase (liquid) state. By performing for 1 hour, the liquid-crystal composition was obtained.

切り出したパネルをホットプレート上で９０℃に温めながらネマティック液晶とフッ素を含む不活性液体の液晶組成物の注入を行った。   A liquid crystal composition of an inert liquid containing nematic liquid crystal and fluorine was injected while the cut panel was heated to 90 ° C. on a hot plate.

ネマティック液晶ＴＬ２１５とＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−４３の液晶組成物を注入したセルにリード線を接続することで簡単な液晶電気光学装置を作製した（図１）。   A simple liquid crystal electro-optical device was manufactured by connecting lead wires to a cell into which a liquid crystal composition of nematic liquid crystal TL215 and FLUORINERT (registered trademark) FC-43 was injected (FIG. 1).

偏光顕微鏡を用いて、偏光板をクロスニコルにして液晶組成物の注入されたセルを挟んだ状態で、リード線に電圧を印可することにより、オシロスコープを用いて液晶の応答を観察した。任意波形発生器にて０Ｖ−１０Ｖの矩形波、０．１Ｈｚの周波数の電圧を印加した。液晶組成物の応答時間とネマティック液晶に添加したＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−４３の比率との関係を図３に示した。縦軸が液晶組成物の応答時間（ｍｓ）、横軸がネマティック液晶に添加したＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−４３の比率（ｗｔ％）である。なお、立ち上がり応答時間とは、表示をＯＦＦの状態からＯＮの状態に切り替わる時に必要な応答時間を指し、立ち下り応答時間とは、表示をＯＮの状態からＯＦＦの状態に切り替わる時に必要な応答時間を指す。また、図３に示したＡＶＥ．は立ち上がり時間と立ち下り時間の平均時間である。この結果から、ネマティック液晶ＴＬ２１５（比率０ｗｔ％の時、すなわち純粋なネマティック液晶ＴＬ２１５）の応答速度に対し、ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−４３を添加した液晶組成物の応答速度が速くなる傾向が確認出来た。   A polarizing microscope was used to observe the response of the liquid crystal using an oscilloscope by applying a voltage to the lead wire with the polarizing plate crossed Nicol and sandwiching the cell into which the liquid crystal composition was injected. A rectangular wave of 0V-10V and a voltage of a frequency of 0.1 Hz were applied with an arbitrary waveform generator. The relationship between the response time of the liquid crystal composition and the ratio of FLUORINERT (registered trademark) FC-43 added to the nematic liquid crystal is shown in FIG. The vertical axis represents the response time (ms) of the liquid crystal composition, and the horizontal axis represents the ratio (wt%) of FLUORINERT (registered trademark) FC-43 added to the nematic liquid crystal. The rise response time refers to the response time required when the display is switched from the OFF state to the ON state, and the fall response time is the response time required when the display is switched from the ON state to the OFF state. Point to. In addition, the AVE. Is the average time of rise time and fall time. From this result, it is confirmed that the response speed of the liquid crystal composition to which FLUORINERT (registered trademark) FC-43 is added is higher than the response speed of nematic liquid crystal TL215 (when the ratio is 0 wt%, that is, pure nematic liquid crystal TL215). done.

ネマティック液晶ＴＬ２１５の等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）は８３．３℃であり、ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−４３が添加された液晶組成物の等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）は３０ｗｔ％で８３．５℃、６０ｗｔ％で８３．３℃であった。このことから、ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−４３の添加量が増えても等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）は変化しないことが確認出来た。   The isotropic phase-nematic phase transition point (NI point) of the nematic liquid crystal TL215 is 83.3 ° C., and the isotropic phase-nematic phase transition point of the liquid crystal composition to which FLUORINERT (registered trademark) FC-43 is added. The (NI point) was 83.5 ° C. at 30 wt% and 83.3 ° C. at 60 wt%. From this, it was confirmed that the transition point (NI point) of the isotropic phase-nematic phase did not change even when the addition amount of FLUORINERT (registered trademark) FC-43 was increased.

次に電圧保持率の測定を行った。電界効果型トランジスタを用いて、６４μｓｅｃ、１０Ｖのパルスを３０ｍｓｅｃ毎に液晶セルに印加し、そのときの液晶電気光学装置セルの電位の低下率を実効値から求め、電圧保持率とした。ネマティック液晶ＴＬ２１５の電圧保持率９９％に対し、ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−４３の添加量が増えても電圧保持率は９８〜９９％と特に変化は見られなかった。 Next, the voltage holding ratio was measured. Using a field-effect transistor, a pulse of 64 μsec and 10 V was applied to the liquid crystal cell every 30 msec, and the rate of decrease in the potential of the liquid crystal electro-optical device cell at that time was obtained from the effective value to obtain the voltage holding ratio. Even though the amount of FLUORINERT (registered trademark) FC-43 increased with respect to the voltage holding ratio of 99% of the nematic liquid crystal TL215, the voltage holding ratio was 98 to 99%, and no particular change was observed.

実施例１で用いたＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−４３の代わりに、フッ素を含む不活性液体である住友３Ｍ製のＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−７０を用いた以外は実施例１と同様にして実施例２の液晶電気光学装置を作製した。（図１）ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−７０の物性は、沸点２１５℃、融点−２５℃、密度１．９４ｋｇ／ｍ３、動粘度１４．０ｃＳｔである。 Instead of FLUORINERT (registered trademark) FC-43 used in Example 1, the same procedure as in Example 1 was used except that FLUORINERT (registered trademark) FC-70 manufactured by Sumitomo 3M, which is an inert liquid containing fluorine, was used. A liquid crystal electro-optical device of Example 2 was produced. (FIG. 1) The physical properties of FLUORINERT (registered trademark) FC-70 are a boiling point of 215 ° C., a melting point of −25 ° C., a density of 1.94 kg / m 3 , and a kinematic viscosity of 14.0 cSt.

偏光顕微鏡を用いて、偏光板をクロスニコルにして液晶組成物の注入されたセルを挟んだ状態で、リード線に電圧を印可することにより、液晶の応答をオシロスコープを用いて観察した。任意波形発生器にて０Ｖ−１０Ｖの矩形波、０．１Ｈｚの周波数の電圧を印可した。液晶組成物の応答時間とネマティック液晶に添加したＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−７０の比率との関係を図４に示した。縦軸が液晶組成物の応答時間（ｍｓ）、横軸がネマティック液晶に添加したＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−７０の比率（ｗｔ％）である。この結果から、ネマティック液晶ＴＬ２１５（比率０ｗｔ％の時、すなわち純粋なネマティック液晶ＴＬ２１５）の応答速度に対し、ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−７０を添加した液晶組成物の応答速度が速くなる傾向が確認出来た。   Using a polarizing microscope, the response of the liquid crystal was observed using an oscilloscope by applying a voltage to the lead wire in a state where the polarizing plate was crossed Nicol and the cell into which the liquid crystal composition was injected was sandwiched. A rectangular wave of 0V-10V and a voltage of a frequency of 0.1 Hz were applied with an arbitrary waveform generator. The relationship between the response time of the liquid crystal composition and the ratio of FLUORINERT (registered trademark) FC-70 added to the nematic liquid crystal is shown in FIG. The vertical axis represents the response time (ms) of the liquid crystal composition, and the horizontal axis represents the ratio (wt%) of FLUORINERT (registered trademark) FC-70 added to the nematic liquid crystal. From this result, it is confirmed that the response speed of the liquid crystal composition to which FLUORINERT (registered trademark) FC-70 is added becomes higher than the response speed of nematic liquid crystal TL215 (when the ratio is 0 wt%, that is, pure nematic liquid crystal TL215). done.

ネマティック液晶ＴＬ２１５の等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）は８３．３℃であり、ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−７０が添加された液晶組成物の等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）は３０ｗｔ％で８３．５℃、６０ｗｔ％で８３．７℃であった。このことから、ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−７０の添加量が増えても等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）は変化しないことが確認出来た。   The isotropic-nematic phase transition point (NI point) of the nematic liquid crystal TL215 is 83.3 ° C., and the isotropic phase-nematic phase transition point of the liquid crystal composition to which FLUORINERT (registered trademark) FC-70 is added. The (NI point) was 83.5 ° C. at 30 wt% and 83.7 ° C. at 60 wt%. From this, it was confirmed that the transition point (NI point) of the isotropic phase-nematic phase did not change even when the addition amount of FLUORINERT (registered trademark) FC-70 was increased.

次に電圧保持率の測定を行った。電界効果型トランジスタを用いて、６４μｓｅｃ、１０Ｖのパルスを３０ｍｓｅｃ毎に液晶セルに印加し、そのときの液晶電気光学装置セルの電位の低下率を実効値から求め、電圧保持率とした。ネマティック液晶ＴＬ２１５の電圧保持率９９％に対し、ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−７０の添加量が増えても電圧保持率は９８〜９９％と特に変化は見られなかった。   Next, the voltage holding ratio was measured. Using a field-effect transistor, a pulse of 64 μsec and 10 V was applied to the liquid crystal cell every 30 msec, and the rate of decrease in the potential of the liquid crystal electro-optical device cell at that time was obtained from the effective value to obtain the voltage holding ratio. There was no particular change in the voltage holding ratio of 98 to 99% even when the amount of FLUORINERT (registered trademark) FC-70 was increased with respect to the voltage holding ratio of 99% of the nematic liquid crystal TL215.

実施例１で用いたＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−４３の代わりに、フッ素を含む不活性液体である住友３Ｍ製のＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−７７を用いた以外は実施例１と同様にして実施例３の液晶電気光学装置を作製した。（図１）ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−７７の物性は、沸点９７℃、融点−１１０℃、密度１．７８ｋｇ／ｍ３、動粘度０．８ｃＳｔである。 Instead of FLUORINERT (registered trademark) FC-43 used in Example 1, the same procedure as in Example 1 was used except that FLUORINERT (registered trademark) FC-77 made by Sumitomo 3M, which is an inert liquid containing fluorine, was used. A liquid crystal electro-optical device of Example 3 was produced. (FIG. 1) The physical properties of FLUORINERT (registered trademark) FC-77 are a boiling point of 97 ° C., a melting point of −110 ° C., a density of 1.78 kg / m 3 , and a kinematic viscosity of 0.8 cSt.

偏光顕微鏡を用いて、偏光板をクロスニコルにして液晶組成物の注入されたセルを挟んだ状態で、リード線に電圧を印可することにより、液晶の応答をオシロスコープを用いて観察した。任意波形発生器にて０Ｖ−１０Ｖの矩形波、０．１Ｈｚの周波数の電圧を印加した。液晶組成物の応答時間とネマティック液晶に添加したＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−７０の比率との関係を図５に示した。縦軸が液晶組成物の応答時間（ｍｓ）、横軸がネマティック液晶に添加したＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−７７の比率（ｗｔ％）である。この結果から、ネマティック液晶ＴＬ２１５（比率０ｗｔ％の時、すなわち純粋なネマティック液晶ＴＬ２１５）の応答速度に対し、ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−７７を添加した液晶組成物の応答速度が速くなる傾向が確認出来た。   Using a polarizing microscope, the response of the liquid crystal was observed using an oscilloscope by applying a voltage to the lead wire in a state where the polarizing plate was crossed Nicol and the cell into which the liquid crystal composition was injected was sandwiched. A rectangular wave of 0V-10V and a voltage of a frequency of 0.1 Hz were applied with an arbitrary waveform generator. The relationship between the response time of the liquid crystal composition and the ratio of FLUORINERT (registered trademark) FC-70 added to the nematic liquid crystal is shown in FIG. The vertical axis represents the response time (ms) of the liquid crystal composition, and the horizontal axis represents the ratio (wt%) of FLUORINERT (registered trademark) FC-77 added to the nematic liquid crystal. From this result, it is confirmed that the response speed of the liquid crystal composition to which FLUORINERT (registered trademark) FC-77 is added becomes higher than the response speed of nematic liquid crystal TL215 (when the ratio is 0 wt%, that is, pure nematic liquid crystal TL215). done.

ネマティック液晶ＴＬ２１５の等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）は８３．３℃であり、ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−７７が添加された液晶組成物の等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）は３０ｗｔ％で８２．８℃、６０ｗｔ％で８３．３℃であった。このことから、ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−７７の添加量が増えても等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）は変化しないことが確認出来た。   The isotropic-nematic phase transition point (NI point) of the nematic liquid crystal TL215 is 83.3 ° C., and the isotropic phase-nematic phase transition point of the liquid crystal composition to which FLUORINERT (registered trademark) FC-77 is added. (NI point) was 82.8 ° C. at 30 wt% and 83.3 ° C. at 60 wt%. From this, it was confirmed that the transition point (NI point) of the isotropic phase-nematic phase did not change even when the addition amount of FLUORINERT (registered trademark) FC-77 was increased.

次に電圧保持率の測定を行った。電界効果型トランジスタを用いて、６４μｓｅｃ、１０Ｖのパルスを３０ｍｓｅｃ毎に液晶セルに印加し、そのときの液晶電気光学装置セルの電位の低下率を実効値から求め、電圧保持率とした。ネマティック液晶ＴＬ２１５の電圧保持率９９％に対し、ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−７７の添加量が増えても電圧保持率は９８〜９９％と特に変化は見られなかった。   Next, the voltage holding ratio was measured. Using a field-effect transistor, a pulse of 64 μsec and 10 V was applied to the liquid crystal cell every 30 msec, and the rate of decrease in the potential of the liquid crystal electro-optical device cell at that time was obtained from the effective value to obtain the voltage holding ratio. Even though the amount of FLUORINERT (registered trademark) FC-77 increased with respect to the voltage holding ratio of 99% of the nematic liquid crystal TL215, the voltage holding ratio was 98 to 99%, and no particular change was observed.

実施例１で用いたネマティック液晶（メルク社製のＴＬ２１５）の代わりに、ネマティック液晶（メルク社製のＺＬＩ４７９２）を用い、ネマティック液晶ＺＬＩ４７９２に対してＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−４３は０ｗｔ％，１０ｗｔ％，２０ｗｔ％，３０ｗｔ％，４０ｗｔ％，５０ｗｔ％，６０ｗｔ％の割合で混合した以外は実施例１と同様にして実施例４の液晶電気光学装置を作製した。（図１）ネマティック液晶ＺＬＩ４７９２の物性は、屈折率の異方性の値Δｎ０．０９程度、誘電率５．２である。   Instead of the nematic liquid crystal (TL215 manufactured by Merck) used in Example 1, nematic liquid crystal (ZLI4792 manufactured by Merck) was used, and FLUORINERT (registered trademark) FC-43 was 0 wt%, 10 wt% relative to the nematic liquid crystal ZLI4792. %, 20 wt%, 30 wt%, 40 wt%, 50 wt%, and 60 wt% were mixed in the same manner as in Example 1 to produce a liquid crystal electro-optical device of Example 4. (FIG. 1) The physical properties of nematic liquid crystal ZLI4792 are a refractive index anisotropy value Δn of about 0.09 and a dielectric constant of 5.2.

偏光顕微鏡を用いて、偏光板をクロスニコルにして液晶組成物の注入されたセルを挟んだ状態で、リード線に電圧を印可することにより、液晶の応答をオシロスコープを用いて観察した。任意波形発生器にて０Ｖ−１０Ｖの矩形波、０．１Ｈｚの周波数の電圧を印加した。液晶組成物の応答時間とネマティック液晶に添加したＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−４３の比率との関係を図６に示した。縦軸が液晶組成物の応答時間（ｍｓ）、横軸がネマティック液晶に添加したＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−４３の比率（ｗｔ％）である。この結果から、ネマティック液晶ＺＬＩ４７９２（比率０ｗｔ％の時、すなわち純粋なネマティック液晶ＺＬＩ４７９２）の応答速度に対し、ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−４３を添加した液晶組成物の応答速度が速くなる傾向が確認出来た。   Using a polarizing microscope, the response of the liquid crystal was observed using an oscilloscope by applying a voltage to the lead wire in a state where the polarizing plate was crossed Nicol and the cell into which the liquid crystal composition was injected was sandwiched. A rectangular wave of 0V-10V and a voltage of a frequency of 0.1 Hz were applied with an arbitrary waveform generator. FIG. 6 shows the relationship between the response time of the liquid crystal composition and the ratio of FLUORINERT (registered trademark) FC-43 added to the nematic liquid crystal. The vertical axis represents the response time (ms) of the liquid crystal composition, and the horizontal axis represents the ratio (wt%) of FLUORINERT (registered trademark) FC-43 added to the nematic liquid crystal. From this result, it is confirmed that the response speed of the liquid crystal composition to which FLUORINERT (registered trademark) FC-43 is added is higher than the response speed of nematic liquid crystal ZLI4792 (when the ratio is 0 wt%, that is, pure nematic liquid crystal ZLI4792). done.

ネマティック液晶ＺＬＩ４７９２の等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）は９７．６℃であり、ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−４３が添加された液晶組成物の等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）は１０ｗｔ％で９７．５℃、２０ｗｔ％で９７．７℃、３０ｗｔ％で９７．３℃、４０ｗｔ％で９７．１℃、５０ｗｔ％で９７．４℃、６０ｗｔ％で９７．１℃であった。このことから、ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−４３の添加量が増えても等方相−ネマティック相の転移点（ＮＩ点）は変化しないことが確認出来た。   The isotropic-nematic phase transition point (NI point) of the nematic liquid crystal ZLI4792 is 97.6 ° C., and the isotropic phase-nematic phase transition point of the liquid crystal composition to which FLUORINERT (registered trademark) FC-43 is added. (NI point) is 97.5 ° C. at 10 wt%, 97.7 ° C. at 20 wt%, 97.3 ° C. at 30 wt%, 97.1 ° C. at 40 wt%, 97.4 ° C. at 50 wt%, and 97.000 at 60 wt%. It was 1 ° C. From this, it was confirmed that the transition point (NI point) of the isotropic phase-nematic phase did not change even when the addition amount of FLUORINERT (registered trademark) FC-43 was increased.

次に電圧保持率の測定を行った。電界効果型トランジスタを用いて、６４μｓｅｃ、１０Ｖのパルスを３０ｍｓｅｃ毎に液晶セルに印加し、そのときの液晶電気光学装置セルの電位の低下率を実効値から求め、電圧保持率とした。ネマティック液晶ＺＬＩ４７９２の電圧保持率９８％に対し、ＦＬＵＯＲＩＮＥＲＴ（登録商標）ＦＣ−４３の添加量が増えても電圧保持率は９８〜９９％と特に変化は見られなかった。 Next, the voltage holding ratio was measured. Using a field-effect transistor, a pulse of 64 μsec and 10 V was applied to the liquid crystal cell every 30 msec, and the rate of decrease in the potential of the liquid crystal electro-optical device cell at that time was obtained from the effective value to obtain the voltage holding ratio. The voltage holding ratio was 98 to 99% even when the addition amount of FLUORINERT (registered trademark) FC-43 was increased with respect to the voltage holding ratio of 98% of the nematic liquid crystal ZLI4792.

本実施例では本発明をアクティブマトリクス電気光学装置に適用する場合に画素に設けられるＴＦＴの作製方法について説明する。   In this embodiment, a method for manufacturing a TFT provided in a pixel when the present invention is applied to an active matrix electro-optical device will be described.

まず図７（Ａ）に示すように、基板５００上に下地膜５０１を成膜する。基板５００には、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、ステンレス基板等を用いることができる。また、ＰＥＴ、ＰＥＳ、ＰＥＮに代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いることも可能である。   First, as shown in FIG. 7A, a base film 501 is formed over a substrate 500. As the substrate 500, for example, a glass substrate such as barium borosilicate glass or alumino borosilicate glass, a quartz substrate, a stainless steel substrate, or the like can be used. It is also possible to use a substrate made of a plastic such as PET, PES, or PEN, or a flexible synthetic resin such as acrylic.

下地膜５０１は基板５００中に含まれるＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が、半導体膜中に拡散し、半導体素子の特性に悪影響を及ぼすのを防ぐために設ける。よってアルカリ金属やアルカリ土類金属の半導体膜への拡散を抑えることができる窒化珪素、窒素を含む酸化珪素などの絶縁膜を用いて形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法を用いて窒素を含む酸化珪素膜を１０ｎｍ〜４００ｎｍ（好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍ）の膜厚になるように成膜する。   The base film 501 is provided to prevent an alkali metal such as Na or an alkaline earth metal contained in the substrate 500 from diffusing into the semiconductor film and adversely affecting the characteristics of the semiconductor element. Therefore, an insulating film such as silicon nitride or silicon oxide containing nitrogen that can suppress diffusion of alkali metal or alkaline earth metal into the semiconductor film is used. In this embodiment, a silicon oxide film containing nitrogen is formed to a thickness of 10 nm to 400 nm (preferably 50 nm to 300 nm) by a plasma CVD method.

なお下地膜５０１は窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含む窒化珪素などの絶縁膜単層であっても、酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含む窒化珪素などの絶縁膜を複数積層したものであっても良い。またガラス基板、ステンレス基板またはプラスチック基板のように、アルカリ金属やアルカリ土類金属が多少なりとも含まれている基板を用いる場合、不純物の拡散を防ぐという観点から下地膜を設けることは有効であるが、石英基板など不純物の拡散がさして問題とならない場合は、必ずしも設ける必要はない。   Note that even though the base film 501 is a single layer of an insulating film such as silicon nitride, silicon oxide containing nitrogen, or silicon nitride containing oxygen, insulation such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxide containing nitrogen, or silicon nitride containing oxygen is used. A plurality of laminated films may be used. In addition, when using a substrate containing an alkali metal or alkaline earth metal, such as a glass substrate, a stainless steel substrate, or a plastic substrate, it is effective to provide a base film from the viewpoint of preventing impurity diffusion. However, when diffusion of impurities does not cause any problem, such as a quartz substrate, it is not necessarily provided.

次に下地膜５０１上に半導体膜５０２を形成する。半導体膜５０２の膜厚は２５ｎｍ〜１００ｎｍ（好ましくは３０ｎｍ〜６０ｎｍ）とする。なお半導体膜５０２は、非晶質半導体であっても良いし、多結晶半導体であっても良い。また半導体はシリコン（Ｓｉ）だけではなくシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）も用いることができる。シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウムの濃度は０．０１〜４．５ａｔｏｍｉｃ％程度であることが好ましい。     Next, a semiconductor film 502 is formed over the base film 501. The thickness of the semiconductor film 502 is 25 nm to 100 nm (preferably 30 nm to 60 nm). Note that the semiconductor film 502 may be an amorphous semiconductor or a polycrystalline semiconductor. As the semiconductor, not only silicon (Si) but also silicon germanium (SiGe) can be used. When silicon germanium is used, the concentration of germanium is preferably about 0.01 to 4.5 atomic%.

次に図７（Ｂ）に示すように、半導体膜５０２に線状レーザ４９９を照射し、結晶化を行なう。レーザ結晶化を行なう場合、レーザ結晶化の前に、レーザに対する半導体膜５０２の耐性を高めるために、５００℃、１時間の加熱処理を該半導体膜５０２に行ってもよい。   Next, as shown in FIG. 7B, the semiconductor film 502 is irradiated with a linear laser 499 to be crystallized. In the case of laser crystallization, heat treatment at 500 ° C. for 1 hour may be performed on the semiconductor film 502 in order to increase the resistance of the semiconductor film 502 to the laser before laser crystallization.

レーザ結晶化は、連続発振のレーザ、または擬似ＣＷ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ−Ｗａｖｅ）レーザとして、発振周波数が１０ＭＨｚ以上、好ましくは８０ＭＨｚ以上のパルス発振レーザを用いることができる。   For laser crystallization, a pulsed laser having an oscillation frequency of 10 MHz or more, preferably 80 MHz or more can be used as a continuous wave laser or a pseudo CW (Continuous-Wave) laser.

具体的には、連続発振のレーザとして、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ＧｄＶＯ４レーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ヘリウムカドミウムレーザなどが挙げられる。 Specifically, as a continuous wave laser, Ar laser, Kr laser, CO 2 laser, YAG laser, YVO 4 laser, YLF laser, YAlO 3 laser, GdVO 4 laser, Y 2 O 3 laser, ruby laser, alexandrite laser Ti: sapphire laser, helium cadmium laser, and the like.

また擬似ＣＷレーザとして、発振周波数が１０ＭＨｚ以上、好ましくは８０ＭＨｚ以上のパルス発振させることができるのであれば、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ＧｄＶＯ４レーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのようなパルス発振レーザを用いることができる。 As a pseudo CW laser, an Ar laser, a Kr laser, an excimer laser, a CO 2 laser, a YAG laser, a YVO 4 laser, a YLF laser, if the oscillation frequency is 10 MHz or more, preferably 80 MHz or more can be oscillated. A pulsed laser such as YAlO 3 laser, GdVO 4 laser, Y 2 O 3 laser, ruby laser, alexandrite laser, Ti: sapphire laser, copper vapor laser, or gold vapor laser can be used.

このようなパルス発振レーザは、発振周波数を増加させていくと、いずれは連続発振レーザと同等の効果を示すものである。   Such a pulsed laser has an effect equivalent to that of a continuous wave laser as the oscillation frequency is increased.

例えば連続発振が可能な固体レーザを用いる場合、第２高調波〜第４高調波のレーザ光を照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。代表的には、ＹＡＧレーザ（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いるのが望ましい。例えば、連続発振のＹＡＧレーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換して、半導体膜５０２に照射する。エネルギー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ２）とすれば良い。 For example, when a solid-state laser capable of continuous oscillation is used, a crystal having a large grain size can be obtained by irradiating laser light of second to fourth harmonics. Typically, it is desirable to use the second harmonic (532 nm) or the third harmonic (355 nm) of a YAG laser (fundamental wave 1064 nm). For example, laser light emitted from a continuous wave YAG laser is converted into a harmonic by a non-linear optical element, and irradiated to the semiconductor film 502. Energy density may be about 0.01 to 100 MW / cm 2 (preferably 0.1~10MW / cm 2).

なお、希ガスや窒素などの不活性ガスを含む雰囲気中でレーザ光を照射するようにしても良い。これにより、レーザ光照射による半導体表面の荒れを抑えることができ、界面準位密度のばらつきによって生じる閾値電圧のばらつきを抑えることができる。   Note that laser light irradiation may be performed in an atmosphere containing an inert gas such as a rare gas or nitrogen. Thereby, roughness of the semiconductor surface due to laser light irradiation can be suppressed, and variation in threshold voltage caused by variation in interface state density can be suppressed.

上述した半導体膜５０２へのレーザ光の照射により、結晶性がより高められた結晶性半導体膜５０４が形成される。   By irradiating the semiconductor film 502 with laser light, the crystalline semiconductor film 504 with higher crystallinity is formed.

次に、図７（Ｃ）に示すように結晶性半導体膜５０４を所望の形状に加工することで、島状半導体膜５０７〜５０９が形成される。   Next, as illustrated in FIG. 7C, the crystalline semiconductor film 504 is processed into a desired shape, so that island-shaped semiconductor films 507 to 509 are formed.

次に島状半導体膜にしきい値制御のための不純物を導入する。本実施例においてはジボラン（Ｂ２Ｈ６）をドープすることによってボロン（Ｂ）を島状半導体膜中に導入する。 Next, an impurity for threshold control is introduced into the island-shaped semiconductor film. In this embodiment, boron (B) is introduced into the island-shaped semiconductor film by doping diborane (B 2 H 6 ).

次に島状半導体膜５０７〜５０９を覆うように絶縁膜５１０を成膜する。絶縁膜５１０には、例えば酸化珪素（ＳｉＯ）、窒化珪素（ＳｉＮ）または窒素を含んだ酸化珪素（ＳｉＯＮ）等を用いることができる。また成膜方法は、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法などを用いることができる。   Next, an insulating film 510 is formed so as to cover the island-shaped semiconductor films 507 to 509. For the insulating film 510, for example, silicon oxide (SiO), silicon nitride (SiN), silicon oxide containing nitrogen (SiON), or the like can be used. As a film formation method, a plasma CVD method, a sputtering method, or the like can be used.

次に、絶縁膜５１０上に導電膜を成膜した後、導電膜を所望の形状に加工することで、ゲート電極５７０〜５７２を形成する。   Next, after a conductive film is formed over the insulating film 510, the gate electrode 570 to 572 is formed by processing the conductive film into a desired shape.

ゲート電極５７０〜５７２は、導電膜を単層または２層以上積層させた構造を用いて形成する。導電膜を２層以上積層させている場合は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）から選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料、若しくは化合物材料を積層させてゲート電極５７０〜５７２を形成してもよい。また、リン（Ｐ）等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてゲート電極を形成してもよい。   The gate electrodes 570 to 572 are formed using a structure in which a single conductive film or two or more conductive films are stacked. In the case where two or more conductive films are stacked, an element selected from tantalum (Ta), tungsten (W), titanium (Ti), molybdenum (Mo), and aluminum (Al), or the element as a main component The gate electrodes 570 to 572 may be formed by stacking alloy materials or compound materials to be stacked. Alternatively, the gate electrode may be formed using a semiconductor film typified by a polycrystalline silicon film doped with an impurity element such as phosphorus (P).

本実施例では、ゲート電極５７０〜５７２は以下のようにして形成される。まず第１の導電膜５１１として、例えば窒化タンタル（ＴａＮ）膜を１０〜５０ｎｍ、例えば３０ｎｍの膜厚で形成する。そして第１の導電膜５１１上に第２の導電膜５１２として、例えばタングステン（Ｗ）膜を２００〜４００ｎｍ、例えば３７０ｎｍの膜厚で形成し、第１の導電膜５１１及び第２の導電膜５１２の積層膜を形成する（図７（Ｄ））。   In this embodiment, the gate electrodes 570 to 572 are formed as follows. First, as the first conductive film 511, for example, a tantalum nitride (TaN) film is formed with a thickness of 10 to 50 nm, for example, 30 nm. Then, as the second conductive film 512, for example, a tungsten (W) film is formed with a thickness of 200 to 400 nm, for example, 370 nm, over the first conductive film 511, and the first conductive film 511 and the second conductive film 512 are formed. Is formed (FIG. 7D).

次に第２の導電膜５１２を異方性エッチングでエッチングし、上層ゲート電極５６０〜５６２を形成する（図８（Ａ））。次いで第１の導電膜５１１を等方性エッチングでエッチングし、下層ゲート電極５６３〜５６５を形成する（図８（Ｂ））。以上よりゲート電極５７０〜５７２を形成する。   Next, the second conductive film 512 is etched by anisotropic etching to form upper gate electrodes 560 to 562 (FIG. 8A). Next, the first conductive film 511 is etched by isotropic etching to form lower gate electrodes 563 to 565 (FIG. 8B). Thus, gate electrodes 570 to 572 are formed.

ゲート電極５７０〜５７２は、ゲート配線の一部として形成してもよいし、別にゲート配線を形成して、そのゲート配線にゲート電極５７０〜５７２を接続してもよい。   The gate electrodes 570 to 572 may be formed as part of the gate wiring, or another gate wiring may be formed and the gate electrodes 570 to 572 may be connected to the gate wiring.

そして、ゲート電極５７０〜５７２や、あるいはレジストを成膜して所望の形状に加工したものをマスクとして用い、島状半導体膜５０７〜５０９それぞれに一導電性（ｎ型またはｐ型の導電性）を付与する不純物を添加し、ソース領域、ドレイン領域、さらには低濃度不純物領域等を形成する。   Then, using the gate electrodes 570 to 572 or a resist film formed into a desired shape as a mask, each of the island-like semiconductor films 507 to 509 has one conductivity (n-type or p-type conductivity). A source region, a drain region, a low-concentration impurity region, and the like are formed by adding an impurity that imparts.

まず、フォスフィン（ＰＨ３）を用いて、リン（Ｐ）を、加速電圧を６０〜１２０ｋｅＶ、ドーズ量を１×１０１３〜１×１０１５ｃｍ−２として島状半導体膜中に導入する。この不純物導入の際にｎチャネル型ＴＦＴ５５０及び５５２のチャネル形成領域５２２及び５２７が形成される。 First, phosphorous (P) is introduced into the island-shaped semiconductor film using phosphine (PH 3 ) with an acceleration voltage of 60 to 120 keV and a dose of 1 × 10 13 to 1 × 10 15 cm −2 . When this impurity is introduced, channel formation regions 522 and 527 of n-channel TFTs 550 and 552 are formed.

またｐチャネル型ＴＦＴ５５１を作製するために、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）を印加電圧６０〜１００ｋｅＶ、例えば８０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０１３〜５×１０１５ｃｍ−２、例えば３×１０１５ｃｍ−２の条件で、島状半導体膜中にボロン（Ｂ）を導入する。これによりｐチャネル型ＴＦＴのソース領域又はドレイン領域５２３、またこの不純物導入の際にチャネル形成領域５２４が形成される（図８（Ｃ））。 Further, in order to manufacture the p-channel TFT 551, diborane (B 2 H 6 ) is applied with an applied voltage of 60 to 100 keV, for example, 80 keV, a dose amount of 1 × 10 13 to 5 × 10 15 cm −2 , for example, 3 × 10 15 cm −. Under the condition (2), boron (B) is introduced into the island-shaped semiconductor film. Accordingly, a source region or a drain region 523 of the p-channel TFT and a channel formation region 524 are formed when this impurity is introduced (FIG. 8C).

次に絶縁膜５１０を所望の形状に加工してゲート絶縁膜５８０〜５８２を形成する。   Next, the insulating film 510 is processed into a desired shape to form gate insulating films 580 to 582.

ゲート絶縁膜５８０〜５８２形成後、ｎチャネル型ＴＦＴ５５０及び５５２となる島状半導体膜中に、フォスフィン（ＰＨ３）を用いて、印加電圧４０〜８０ｋｅＶ、例えば５０ｋｅＶ、ドーズ量１．０×１０１５〜２．５×１０１６ｃｍ−２、例えば３．０×１０１５ｃｍ−２で、リン（Ｐ）を導入する。これによりｎチャネル型ＴＦＴの低濃度不純物領域５２１、５２６、及びソース領域又はドレイン領域５２０、５２５が形成される（図９（Ａ））。 After the gate insulating films 580 to 582 are formed, an applied voltage of 40 to 80 keV, for example, 50 keV, and a dose amount of 1.0 × 10 15 are formed using phosphine (PH 3 ) in the island-shaped semiconductor films to be the n-channel TFTs 550 and 552. Phosphorus (P) is introduced at ˜2.5 × 10 16 cm −2 , for example, 3.0 × 10 15 cm −2 . Thus, low-concentration impurity regions 521 and 526 and source or drain regions 520 and 525 of the n-channel TFT are formed (FIG. 9A).

本実施例においては、ｎチャネル型ＴＦＴ５５０及び５５２のソース領域又はドレイン領域５２０、５２５のそれぞれには、１×１０１９〜５×１０２１ｃｍ−３の濃度でリン（Ｐ）が含まれることとなる。またｎチャネル型ＴＦＴ５５０及び５５２の低濃度不純物領域５２１及び５２６のそれぞれには、１×１０１８〜５×１０１９ｃｍ−３の濃度でリン（Ｐ）が含まれる。さらに、ｐチャネル型ＴＦＴ５５１のソース又はドレイン領域５２３には、１×１０１９〜５×１０２１ｃｍ−３の濃度でボロン（Ｂ）が含まれる。 In this embodiment, the source or drain regions 520 and 525 of the n-channel TFTs 550 and 552 each contain phosphorus (P) at a concentration of 1 × 10 19 to 5 × 10 21 cm −3. Become. Each of the low-concentration impurity regions 521 and 526 of the n-channel TFTs 550 and 552 contains phosphorus (P) at a concentration of 1 × 10 18 to 5 × 10 19 cm −3 . Further, the source or drain region 523 of the p-channel TFT 551 contains boron (B) at a concentration of 1 × 10 19 to 5 × 10 21 cm −3 .

次に島状半導体膜５０７〜５０９、ゲート電極５７０〜５７２を覆って、第１層間絶縁膜５３０を形成する（図９（Ｂ））。   Next, a first interlayer insulating film 530 is formed to cover the island-shaped semiconductor films 507 to 509 and the gate electrodes 570 to 572 (FIG. 9B).

第１層間絶縁膜５３０としては、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用いて、シリコンを含む絶縁膜、例えば酸化珪素膜（ＳｉＯ）、窒化珪素膜（ＳｉＮ）、窒素を含む酸化珪素膜（ＳｉＯＮ）、またはその積層膜で形成する。勿論、第１層間絶縁膜５３０は窒素を含む酸化珪素膜や窒化珪素膜、またはその積層膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。   As the first interlayer insulating film 530, an insulating film containing silicon, for example, a silicon oxide film (SiO), a silicon nitride film (SiN), a silicon oxide film containing nitrogen (SiON), using plasma CVD or sputtering, Or it forms with the laminated film. Needless to say, the first interlayer insulating film 530 is not limited to a silicon oxide film or silicon nitride film containing nitrogen, or a laminated film thereof, and other insulating films containing silicon may be used as a single layer or a laminated structure. .

本実施例では、不純物を導入した後、窒素を含む酸化珪素膜（ＳｉＯＮ膜）をプラズマＣＶＤ法により５０ｎｍ形成し、レーザ照射又はＲＴＡ法によって不純物を活性化する。又は窒素を含む酸化珪素膜形成後、窒素雰囲気中５５０℃で４時間加熱して、不純物を活性化してもよい。   In this embodiment, after introducing impurities, a silicon oxide film containing nitrogen (SiON film) is formed to a thickness of 50 nm by plasma CVD, and the impurities are activated by laser irradiation or RTA. Alternatively, after forming a silicon oxide film containing nitrogen, the impurity may be activated by heating at 550 ° C. for 4 hours in a nitrogen atmosphere.

次にプラズマＣＶＤ法により窒化珪素膜（ＳｉＮ膜）を５０ｎｍ形成し、更に窒素を含む酸化珪素膜（ＳｉＯＮ膜）を６００ｎｍ形成する。この、窒素を含む酸化珪素膜、窒化珪素膜及び窒素を含む酸化珪素膜の積層膜が第１層間絶縁膜５３０である。   Next, a silicon nitride film (SiN film) is formed with a thickness of 50 nm by plasma CVD, and a silicon oxide film (SiON film) containing nitrogen is further formed with a thickness of 600 nm. The stacked film of the silicon oxide film containing nitrogen, the silicon nitride film, and the silicon oxide film containing nitrogen is the first interlayer insulating film 530.

次に全体を４１０℃で１時間加熱し、窒化珪素膜から水素を放出させることにより水素化を行う。   Next, the whole is heated at 410 ° C. for 1 hour, and hydrogen is released by releasing hydrogen from the silicon nitride film.

次に第１層間絶縁膜５３０を覆って、平坦化膜として機能する第２層間絶縁膜５３１を形成する。   Next, a second interlayer insulating film 531 that functions as a planarization film is formed so as to cover the first interlayer insulating film 530.

第２層間絶縁膜５３１としては、感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、シロキサン、及びそれらの積層構造を用いることができる。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いても良い。または、置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いても良い。有機材料として、ポジ型感光性有機樹脂又はネガ型感光性有機樹脂を用いることができる。   As the second interlayer insulating film 531, a photosensitive or non-photosensitive organic material (polyimide, acrylic, polyamide, polyimide amide, resist or benzocyclobutene), siloxane, and a stacked structure thereof can be used. Siloxane has a skeleton structure formed of a bond of silicon (Si) and oxygen (O). As a substituent, an organic group containing at least hydrogen (for example, an alkyl group or an aromatic hydrocarbon) is used. A fluoro group may be used as a substituent. Alternatively, as a substituent, an organic group containing at least hydrogen and a fluoro group may be used. As the organic material, a positive photosensitive organic resin or a negative photosensitive organic resin can be used.

本実施例では、第２層間絶縁膜５３１としてシロキサンをスピンコート法で形成する。   In this embodiment, siloxane is formed as the second interlayer insulating film 531 by a spin coating method.

第１層間絶縁膜５３０及び第２層間絶縁膜５３１をエッチングして、第１層間絶縁膜５３０及び第２層間絶縁膜５３１に、島状半導体膜５０７〜５０９に到達するコンタクトホールを形成する。   The first interlayer insulating film 530 and the second interlayer insulating film 531 are etched to form contact holes reaching the island-shaped semiconductor films 507 to 509 in the first interlayer insulating film 530 and the second interlayer insulating film 531.

なお、第２層間絶縁膜５３１上に第３層間絶縁膜を形成し、第１層間絶縁膜〜第３層間絶縁膜にコンタクトホールを形成してもよい。第３の層間絶縁膜としては、水分や酸素などを他の絶縁膜と比較して透過させにくい膜を用いる。代表的には、スパッタ法またはＣＶＤ法により得られる窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜（ＳｉＮＯ膜（組成比Ｎ＞Ｏ）またはＳｉＯＮ膜（組成比Ｎ＜Ｏ））、炭素を主成分とする薄膜（例えばＤＬＣ膜、ＣＮ膜）などを用いることができる。   Note that a third interlayer insulating film may be formed on the second interlayer insulating film 531, and contact holes may be formed in the first to third interlayer insulating films. As the third interlayer insulating film, a film that hardly transmits moisture, oxygen, or the like as compared with other insulating films is used. Typically, a silicon nitride film, a silicon oxide film, a silicon nitride film containing oxygen (SiNO film (composition ratio N> O) or SiON film (composition ratio N <O)) obtained by sputtering or CVD, carbon A thin film (for example, a DLC film or a CN film) whose main component is can be used.

第２層間絶縁膜５３１上にコンタクトホールを介して、第３の導電膜を形成し、第３の導電膜を所望の形状に加工して、電極又は配線５４０〜５４４を形成する。   A third conductive film is formed over the second interlayer insulating film 531 through a contact hole, and the third conductive film is processed into a desired shape to form electrodes or wirings 540 to 544.

本実施例として、第３の導電膜は金属膜を用いる。該金属膜は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）もしくはシリコン（Ｓｉ）の元素からなる膜又はこれらの元素を用いた合金膜を用いればよい。本実施例では、チタン膜（Ｔｉ）、窒化チタン膜（ＴｉＮ）、シリコン−アルミニウム合金膜（Ａｌ−Ｓｉ）、チタン膜（Ｔｉ）をそれぞれ６０ｎｍ、４０ｎｍ、３００ｎｍ、１００ｎｍに積層したのち、所望の形状にエッチングして電極又は配線５４０〜５４４を形成する。   In this embodiment, a metal film is used for the third conductive film. As the metal film, a film made of an element of aluminum (Al), titanium (Ti), molybdenum (Mo), tungsten (W), or silicon (Si) or an alloy film using these elements may be used. In this embodiment, a titanium film (Ti), a titanium nitride film (TiN), a silicon-aluminum alloy film (Al-Si), and a titanium film (Ti) are laminated to 60 nm, 40 nm, 300 nm, and 100 nm, respectively. Etching into a shape forms electrodes or wirings 540 to 544.

またこの電極又は配線５４０〜５４４を、ニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも１種の元素、及び炭素を含むアルミニウム合金膜で形成してもよい。このようなアルミニウム合金膜は、シリコンと接触してもシリコンとアルミニウムの相互拡散が防止できる。またこのようなアルミニウム合金膜は、透明導電膜、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜と接触しても酸化還元反応が起こらないため、両者を直接接触させることができる。さらにこのようなアルミ合金膜は、比抵抗が低く耐熱性にも優れているので、配線材料としては有用である。   Alternatively, the electrodes or wirings 540 to 544 may be formed of an aluminum alloy film containing at least one element selected from nickel, cobalt, and iron, and carbon. Such an aluminum alloy film can prevent mutual diffusion of silicon and aluminum even when it comes into contact with silicon. In addition, since such an aluminum alloy film does not cause an oxidation-reduction reaction even when it comes into contact with a transparent conductive film, for example, an ITO (Indium Tin Oxide) film, both can be brought into direct contact with each other. Furthermore, such an aluminum alloy film is useful as a wiring material because of its low specific resistance and excellent heat resistance.

また電極又は配線５４０〜５４４はそれぞれ、電極と配線を同時に形成してもよいし、電極と配線を別々に形成してそれらを接続させてもよい。   Each of the electrodes or wirings 540 to 544 may be formed with electrodes and wirings at the same time, or electrodes and wirings may be separately formed and connected.

上記一連の工程によってｎチャネル型ＴＦＴ５５０及びｐチャネル型ＴＦＴ５５１を含むＣＭＯＳ回路５５３、及びｎチャネル型ＴＦＴ５５２を含む半導体装置を形成することができる（図９（Ｃ））。なお本発明の半導体装置の作製方法は、島状半導体膜の形成以降の、上述した作製工程に限定されない。   Through the above series of steps, a CMOS circuit 553 including the n-channel TFT 550 and the p-channel TFT 551 and a semiconductor device including the n-channel TFT 552 can be formed (FIG. 9C). Note that the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention is not limited to the manufacturing process described above after the formation of the island-shaped semiconductor film.

本実施例では、本発明を用いて液晶電気光学装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ（ＬＣＤ））を作製する例を示す。   In this embodiment, an example in which a liquid crystal electro-optical device (Liquid Crystal Display (LCD)) is manufactured using the present invention will be described.

本実施例で説明する電気光学装置の作製方法は画素ＴＦＴを含む画素部とその周辺に設けられる駆動回路部のＴＦＴを同時に作製する方法である。但し、説明を簡単にするために、駆動回路に関しては基本単位であるＣＭＯＳ回路を図示することとする。   The manufacturing method of the electro-optical device described in this embodiment is a method of simultaneously manufacturing a pixel portion including a pixel TFT and a TFT of a driver circuit portion provided around the pixel portion. However, in order to simplify the explanation, a CMOS circuit which is a basic unit with respect to the drive circuit is illustrated.

まず実施例５に基づいて図９（Ｃ）における電極又は配線５４０〜５４４形成までを行う。なお、上記実施例と同じものは同じ符号で表す。   First, based on Example 5, the processes up to formation of electrodes or wirings 540 to 544 in FIG. In addition, the same thing as the said Example is represented with the same code | symbol.

次に第２層間絶縁膜５３１及び電極又は配線５４０〜５４４上に第３層間絶縁膜６１０を形成する。なお第３層間絶縁膜６１０は、第２層間絶縁膜５３１と同様の材料を用いて形成することが可能である。   Next, a third interlayer insulating film 610 is formed over the second interlayer insulating film 531 and the electrodes or wirings 540 to 544. Note that the third interlayer insulating film 610 can be formed using a material similar to that of the second interlayer insulating film 531.

次いで、フォトマスクを用いてレジストマスクを形成し、第３層間絶縁膜６１０の一部をドライエッチングにより除去して開孔（コンタクトホールを形成）する。このコンタクトホール形成においては、エッチングガスとして四フッ化炭素（ＣＦ４）、酸素（Ｏ２）、ヘリウム（Ｈｅ）を、ＣＦ４、Ｏ２、Ｈｅをそれぞれ５０ｓｃｃｍ、５０ｓｃｃｍ、３０ｓｃｃｍの流量で用いた。なお、コンタクトホールの底部は電極又は配線５４４に達している。 Next, a resist mask is formed using a photomask, and a part of the third interlayer insulating film 610 is removed by dry etching to form an opening (a contact hole is formed). In this contact hole formation, carbon tetrafluoride (CF 4 ), oxygen (O 2 ), and helium (He) were used as etching gases, and CF 4 , O 2 , and He were used at flow rates of 50 sccm, 50 sccm, and 30 sccm, respectively. . Note that the bottom of the contact hole reaches the electrode or wiring 544.

次いで、レジストマスクを除去した後、全面に第２の導電膜を成膜する。次いでフォトマスクを用いて、第２の導電膜を所望の形状に加工し、電極又は配線５４４に電気的に接続される画素電極６２３を形成する（図１０）。本実施例では、反射型の液晶表示パネルを作製するので、スパッタ法によりＡｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等の光反射性を有する金属材料を用いて形成すればよい。   Next, after removing the resist mask, a second conductive film is formed over the entire surface. Next, using the photomask, the second conductive film is processed into a desired shape, so that the pixel electrode 623 electrically connected to the electrode or the wiring 544 is formed (FIG. 10). In this embodiment, since a reflective liquid crystal display panel is manufactured, it has light reflectivity such as Ag (silver), Au (gold), Cu (copper), W (tungsten), Al (aluminum) by sputtering. What is necessary is just to form using a metal material.

また、透過型の液晶表示パネルを作製する場合は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）などの透明導電膜を用い、画素電極６２３を形成する。 When a transmissive liquid crystal display panel is manufactured, a transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO), indium tin oxide containing silicon oxide, zinc oxide (ZnO), or tin oxide (SnO 2 ) is used. A pixel electrode 623 is formed.

図１２に画素ＴＦＴを含む画素部６５０の一部を拡大した上面図を示す。図１２において、実線Ａ−Ａ’で切断した図が、図１０の画素部の断面と対応しており、図１０と対応する箇所には同じ符号を用いている。   FIG. 12 shows an enlarged top view of a part of the pixel portion 650 including the pixel TFT. In FIG. 12, a diagram cut along a solid line A-A ′ corresponds to the cross section of the pixel portion in FIG. 10, and the same reference numerals are used for portions corresponding to FIG. 10.

図１２に示すように、ゲート電極５７２はゲート配線６３０に接続されている。また電極５４３はソース配線と一体形成されている。   As shown in FIG. 12, the gate electrode 572 is connected to the gate wiring 630. The electrode 543 is integrally formed with the source wiring.

また、容量配線６３１が設けてあり、保持容量は、第１層間絶縁膜５３０を誘電体とし、画素電極６２３と、該画素電極と重なる容量配線６３１とで形成されている。   In addition, a capacitor wiring 631 is provided, and the storage capacitor is formed of the pixel electrode 623 and the capacitor wiring 631 overlapping the pixel electrode, using the first interlayer insulating film 530 as a dielectric.

なお本実施例においては、画素電極６２３と容量配線６３１が重なる領域は、第２層間絶縁膜５３１及び第３層間絶縁膜６１０をエッチングし、保持容量は画素電極６２３，第１層間絶縁膜５３０及び容量配線６３１によって形成されている。しかし第２層間絶縁膜５３１及び第３層間絶縁膜６１０も誘電体として用いることが可能であれば、第２層間絶縁膜５３１及び第３層間絶縁膜６１０をエッチングしなくてもよい。その場合第１層間絶縁膜５３０及び第２層間絶縁膜５３１及び第３層間絶縁膜６１０が誘電体として機能する。もしくは第３層間絶縁膜６１０のみをエッチングして、第１層間絶縁膜５３０と第２層間絶縁膜５３１を誘電体として用いてもよい。   In this embodiment, in the region where the pixel electrode 623 and the capacitor wiring 631 overlap, the second interlayer insulating film 531 and the third interlayer insulating film 610 are etched, and the storage capacitor has the pixel electrode 623, the first interlayer insulating film 530, and A capacitor wiring 631 is formed. However, if the second interlayer insulating film 531 and the third interlayer insulating film 610 can also be used as dielectrics, the second interlayer insulating film 531 and the third interlayer insulating film 610 need not be etched. In that case, the first interlayer insulating film 530, the second interlayer insulating film 531 and the third interlayer insulating film 610 function as a dielectric. Alternatively, only the third interlayer insulating film 610 may be etched, and the first interlayer insulating film 530 and the second interlayer insulating film 531 may be used as a dielectric.

以上の工程により、基板５００上にトップゲート型の画素ＴＦＴ５５２、トップゲート型のｎチャネル型ＴＦＴ５５０及びｐチャネル型ＴＦＴ５５１からなるＣＭＯＳ回路５５３および画素電極６２３が形成された液晶電気光学装置のＴＦＴ基板が完成する。本実施例では、トップゲート型ＴＦＴを形成したが、ボトムゲート型ＴＦＴを適宜用いることができる。   Through the above steps, the TFT substrate of the liquid crystal electro-optical device in which the CMOS circuit 553 and the pixel electrode 623 including the top-gate pixel TFT 552, the top-gate n-channel TFT 550, and the p-channel TFT 551 are formed on the substrate 500 is obtained. Complete. In this embodiment, a top gate type TFT is formed, but a bottom gate type TFT can be used as appropriate.

次いで、画素電極６２３を覆うように、配向膜６２４ａを形成する。なお、配向膜６２４ａは、液滴吐出法やスクリーン印刷法やオフセット印刷法を用いればよい。その後、配向膜６２４ａの表面にラビング処理を行う。   Next, an alignment film 624 a is formed so as to cover the pixel electrode 623. Note that the alignment film 624a may be formed using a droplet discharge method, a screen printing method, or an offset printing method. Thereafter, a rubbing process is performed on the surface of the alignment film 624a.

そして、対向基板６２５には、着色層６２６ａ、遮光層（ブラックマトリクス）６２６ｂ、及びオーバーコート層６２７からなるカラーフィルタを設け、さらに透明電極もしくは反射電極からなる対向電極６２８と、その上に配向膜６２４ｂを形成する（図１１）。そして、閉パターンであるシール材６００を液滴吐出法により画素ＴＦＴを含む画素部６５０と重なる領域を囲むように形成する（図１３（Ａ））。ここでは液晶を滴下するため、閉パターンのシール材６００を描画する例を示すが、開口部を有するシールパターンを設け、基板５００を貼りあわせた後に毛細管現象を用いて液晶を注入するディップ式（汲み上げ式）を用いてもよい。   The counter substrate 625 is provided with a color filter composed of a colored layer 626a, a light shielding layer (black matrix) 626b, and an overcoat layer 627, a counter electrode 628 composed of a transparent electrode or a reflective electrode, and an alignment film thereon. 624b is formed (FIG. 11). Then, a sealing material 600 having a closed pattern is formed so as to surround a region overlapping with the pixel portion 650 including the pixel TFT by a droplet discharge method (FIG. 13A). Here, an example in which a sealing material 600 having a closed pattern is drawn in order to drop liquid crystal is shown. However, a dip type (in which liquid crystal is injected by using a capillary phenomenon after providing a sealing pattern having an opening and bonding the substrate 500 together) A pumping type) may be used.

次いで、気泡が入らないように減圧下で液晶組成物６２９の滴下を行い（図１３（Ｂ））、両方の基板５００及び６２５を貼り合わせる（図１３（Ｃ））。閉ループのシールパターン内に液晶を１回若しくは複数回滴下する。液晶組成物としては、実施例１〜４に示したものを液晶組成物を用いればよい。液晶組成物６２９の配向モードとしては、液晶分子の配列が光の入射から射出に向かって９０°ツイスト配向したＴＮモードを用いる。そして基板のラビング方向が直交するように貼り合わせる。   Next, the liquid crystal composition 629 is dropped under reduced pressure so that bubbles do not enter (FIG. 13B), and both the substrates 500 and 625 are attached (FIG. 13C). The liquid crystal is dropped once or a plurality of times in the closed loop seal pattern. As the liquid crystal composition, those shown in Examples 1 to 4 may be used. As an alignment mode of the liquid crystal composition 629, a TN mode in which the alignment of liquid crystal molecules is twisted by 90 ° from light incidence to light emission is used. And it bonds so that the rubbing direction of a board | substrate may orthogonally cross.

なお、一対の基板間隔は、球状のスペーサを散布したり、樹脂からなる柱状のスペーサを形成したり、シール材６００にフィラーを含ませることによって維持すればよい。上記柱状のスペーサは、アクリル、ポリイミド、ポリイミドアミド、エポキシの少なくとも１つを主成分とする有機樹脂材料、もしくは酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素のいずれか一種の材料、或いはこれらの積層膜からなる無機材料であることを特徴としている。   Note that the distance between the pair of substrates may be maintained by scattering spherical spacers, forming columnar spacers made of resin, or including a filler in the sealant 600. The columnar spacer is an organic resin material mainly containing at least one of acrylic, polyimide, polyimide amide, and epoxy, or any one material of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxide containing nitrogen, or a laminate thereof. It is an inorganic material made of a film.

次いで、基板の分断を行う。多面取りの場合、それぞれのパネルを分断する。また、１面取りの場合、予めカットされている対向基板を貼り合わせることによって、分断工程を省略することもできる（図１３（Ｄ））。   Next, the substrate is divided. In case of multi-chamfering, each panel is divided. In the case of one-sided chamfering, the separation step can be omitted by attaching a counter substrate that has been cut in advance (FIG. 13D).

そして、異方性導電体層を介し、公知の技術を用いてＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を貼りつける。以上の工程で液晶電気光学装置が完成する。また、必要があれば光学フィルムを貼り付ける。透過型の液晶電気光学装置とする場合、偏光板は、ＴＦＴ基板と対向基板の両方に貼り付ける。   Then, an FPC (Flexible Printed Circuit) is attached through an anisotropic conductor layer using a known technique. The liquid crystal electro-optical device is completed through the above steps. If necessary, an optical film is attached. In the case of a transmissive liquid crystal electro-optical device, the polarizing plate is attached to both the TFT substrate and the counter substrate.

以上の工程によって得られた液晶電気光学装置の上面図を図１８（Ａ）に示すとともに、他の液晶電気光学装置の上面図の例を図１８（Ｂ）に示す。   FIG. 18A shows a top view of the liquid crystal electro-optical device obtained through the above steps, and FIG. 18B shows an example of a top view of another liquid crystal electro-optical device.

図１８（Ａ）中、５００はＴＦＴ基板、６２５は対向基板、６５０は画素部、６００はシール材、８０１はＦＰＣである。なお、液晶組成物を液滴吐出法により吐出させ、減圧下で一対の基板５００及び６２５をシール材６００で貼り合わせている。   In FIG. 18A, reference numeral 500 denotes a TFT substrate, 625 denotes a counter substrate, 650 denotes a pixel portion, 600 denotes a sealing material, and 801 denotes an FPC. Note that the liquid crystal composition is discharged by a droplet discharge method, and the pair of substrates 500 and 625 is bonded to each other with the sealant 600 under reduced pressure.

図１８（Ｂ）中、５００はＴＦＴ基板、６２５は対向基板、８０２はソース信号線駆動回路部、８０３はゲート信号線駆動回路部、６５０は画素部、６００ａは第１シール材、８０１はＦＰＣである。なお、液晶組成物を液滴吐出法により吐出させ、一対の基板５００及び６２５を第１シール材６００ａおよび第２シール材６００ｂで貼り合わせている。駆動回路部８０２及び８０３には液晶は不要であるため、画素部６５０のみに液晶を保持させており、第２シール材６００ｂはパネル全体の補強のために設けられている。   In FIG. 18B, 500 is a TFT substrate, 625 is a counter substrate, 802 is a source signal line driver circuit portion, 803 is a gate signal line driver circuit portion, 650 is a pixel portion, 600a is a first sealant, and 801 is an FPC. It is. Note that the liquid crystal composition is discharged by a droplet discharge method, and the pair of substrates 500 and 625 are bonded to each other with the first sealant 600a and the second sealant 600b. Since the driving circuit portions 802 and 803 do not require liquid crystal, only the pixel portion 650 holds the liquid crystal, and the second sealant 600b is provided to reinforce the entire panel.

以上示したように、本実施例では、本発明の液晶組成物を用い、結晶性半導体膜を有するＴＦＴを用いて、液晶電気光学装置を作製することができる。これにより、作製時間、作製にかかるコストを削減することが可能になる。本実施例で作製される液晶電気光学装置は各種電子機器の表示部として用いることができる。   As described above, in this example, a liquid crystal electro-optical device can be manufactured using the liquid crystal composition of the present invention and a TFT having a crystalline semiconductor film. This makes it possible to reduce manufacturing time and manufacturing costs. The liquid crystal electro-optical device manufactured in this embodiment can be used as a display portion of various electronic devices.

なお、本実施例では、ＴＦＴをトップゲート型ＴＦＴとしたが、この構造に限定されるものではなく、適宜ボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや、順スタガ型ＴＦＴを用いることが可能である。また、シングルゲート構造のＴＦＴに限定されず、複数のチャネル形成領域を有するマルチゲート型ＴＦＴ、例えばダブルゲート型ＴＦＴとしてもよい。   In this embodiment, the top gate type TFT is used as the TFT. However, the present invention is not limited to this structure, and a bottom gate type (reverse stagger type) TFT or a forward stagger type TFT can be used as appropriate. . Further, the TFT is not limited to a single-gate TFT, and may be a multi-gate TFT having a plurality of channel formation regions, for example, a double-gate TFT.

また、本実施例は、必要であれば上記実施の形態及び上記実施例のいかなる記載とも自由に組み合わせることが可能である。   Further, this embodiment can be freely combined with any description of the above embodiment modes and embodiments, if necessary.

本実施例では、液晶組成物を滴下する液滴吐出法を用いる例を示す。本実施例では、大面積基板１１１０を用い、パネル４枚取りの作製例を図１４（Ａ）〜図１４（Ｄ）、図１５（Ａ）〜図１５（Ｂ）、図１６（Ａ）〜図１６（Ｂ）に示す。   In this example, an example of using a droplet discharge method in which a liquid crystal composition is dropped is shown. In this example, a large-area substrate 1110 is used, and examples of manufacturing four panels are shown in FIGS. 14A to 14D, FIGS. 15A to 15B, and FIGS. As shown in FIG.

図１４（Ａ）は、ディスペンサ（またはインクジェット）による液晶層形成の途中の断面図を示しており、シール材１１１２で囲まれた画素部１１１１を覆うように液晶組成物１１１４を液滴吐出装置１１１６のノズル１１１８から吐出、噴射、または滴下させている。液滴吐出装置１１１６は、図１４（Ａ）中の矢印方向に移動させる。なお、ここではノズル１１１８を移動させた例を示したが、ノズルを固定し、基板を移動させることによって液晶層を形成してもよい。   FIG. 14A is a cross-sectional view in the middle of liquid crystal layer formation by a dispenser (or ink jet), and a liquid crystal composition 1114 is applied to a droplet discharge device 1116 so as to cover a pixel portion 1111 surrounded by a sealant 1112. Nozzle 1118 is discharged, jetted, or dropped. The droplet discharge device 1116 is moved in the direction of the arrow in FIG. Although the example in which the nozzle 1118 is moved is shown here, the liquid crystal layer may be formed by fixing the nozzle and moving the substrate.

また、図１４（Ｂ）には斜視図を示している。シール材１１１２で囲まれた領域のみに選択的に液晶組成物１１１４を吐出、噴射、または滴下させ、ノズル走査方向１１１３に合わせて滴下面１１１５が移動している様子を示している。   FIG. 14B is a perspective view. A state in which the liquid crystal composition 1114 is selectively ejected, jetted, or dropped only in a region surrounded by the sealant 1112 and the dropping surface 1115 moves in accordance with the nozzle scanning direction 1113 is shown.

また、図１４（Ａ）の点線で囲まれた部分１１１９を拡大した断面図が図１４（Ｃ）、図１４（Ｄ）である。液晶組成物の粘性が高い場合は、連続的に吐出され、図１４（Ｃ）のように繋がったまま付着される。一方、液晶組成物の粘性が低い場合には、間欠的に吐出され、図１４（Ｄ）に示すように液滴が滴下される。   14C and 14D are enlarged cross-sectional views of a portion 1119 surrounded by a dotted line in FIG. When the viscosity of the liquid crystal composition is high, the liquid crystal composition is continuously discharged and attached while being connected as shown in FIG. On the other hand, when the viscosity of the liquid crystal composition is low, the liquid crystal composition is discharged intermittently, and droplets are dropped as shown in FIG.

なお、図１４（Ｃ）中、１１２０はトップゲート型ＴＦＴ、１１２１は画素電極をそれぞれ指している。画素部１１１１は、マトリクス状に配置された画素電極と、該画素電極と接続されているスイッチング素子、ここではトップゲート型ＴＦＴと、保持容量とで構成されている。   In FIG. 14C, reference numeral 1120 denotes a top gate TFT, and 1121 denotes a pixel electrode. The pixel portion 1111 includes pixel electrodes arranged in a matrix, switching elements connected to the pixel electrodes, here, top gate TFTs, and storage capacitors.

なお本実施例ではトップゲート型ＴＦＴを用いたが、ボトムゲート型ＴＦＴを用いてもよい。   Although a top gate TFT is used in this embodiment, a bottom gate TFT may be used.

ここで、図１５（Ａ）〜図１５（Ｂ）及び図１６（Ａ）〜図１６（Ｂ）を用いて、パネル作製の流れを以下に説明する。   Here, with reference to FIGS. 15A to 15B and FIGS. 16A to 16B, the flow of panel fabrication will be described below.

まず、絶縁表面に画素部１１１１が形成された第１基板１１１０を用意する。第１基板１１１０は、予め、配向膜の形成、ラビング処理、球状スペーサ散布、或いは柱状スペーサ形成、またはカラーフィルタの形成などを行っておく。次いで、図１５（Ａ）に示すように、不活性気体雰囲気または減圧下で第１基板１１１０上にディスペンサ装置またはインクジェット装置でシール材１１１２を所定の位置（画素部１１１１を囲むパターン）に形成する。半透明なシール材１１１２としてはフィラー（直径６μｍ〜２４μｍ）を含み、且つ、粘度４０〜４００Ｐａ・ｓのものを用いる。なお、後に接する液晶に溶解しない材料を選択することが好ましい。シール材１１１２としては、アクリル系光硬化樹脂やアクリル系熱硬化樹脂を用いればよい。また、簡単なシールパターンであるのでシール材１１１２は、印刷法で形成することもできる。   First, a first substrate 1110 having a pixel portion 1111 formed on an insulating surface is prepared. The first substrate 1110 is previously subjected to formation of an alignment film, rubbing treatment, spherical spacer dispersion, columnar spacer formation, or color filter formation. Next, as shown in FIG. 15A, a sealant 1112 is formed at a predetermined position (a pattern surrounding the pixel portion 1111) on the first substrate 1110 with a dispenser device or an inkjet device under an inert gas atmosphere or under reduced pressure. . The translucent sealing material 1112 includes a filler (diameter 6 μm to 24 μm) and a viscosity of 40 to 400 Pa · s. It is preferable to select a material that does not dissolve in the liquid crystal that comes into contact later. As the sealing material 1112, an acrylic photo-curing resin or an acrylic thermosetting resin may be used. In addition, since the sealing pattern is simple, the sealing material 1112 can be formed by a printing method.

次いで、シール材１１１２に囲まれた領域に液晶組成物１１１４をインクジェット法により滴下する（図１５（Ｂ））。液晶組成物１１１４としては、実施例１〜４に示したものを用いればよい。また、液晶組成物は温度を調節することによって粘度を設定することができるため、インクジェット法に適している。インクジェット法により無駄なく必要な量だけの液晶組成物１１１４をシール材１１１２に囲まれた領域に保持することができる。   Next, a liquid crystal composition 1114 is dropped by an inkjet method into a region surrounded by the sealant 1112 (FIG. 15B). As the liquid crystal composition 1114, those shown in Examples 1 to 4 may be used. In addition, since the viscosity of the liquid crystal composition can be set by adjusting the temperature, it is suitable for the ink jet method. A necessary amount of the liquid crystal composition 1114 can be held in a region surrounded by the sealant 1112 without waste by an inkjet method.

次いで、画素部１１１１が設けられた第１基板１１１０と、対向電極や配向膜が設けられた第２基板１０３１とを気泡が入らないように減圧下で貼りあわせる。（図１６（Ａ））ここでは、貼りあわせると同時に紫外線照射や熱処理を行って、シール材１１１２を硬化させる。なお、紫外線照射に加えて、熱処理を行ってもよい。   Next, the first substrate 1110 provided with the pixel portion 1111 and the second substrate 1031 provided with the counter electrode and the alignment film are bonded together under reduced pressure so that bubbles do not enter. Here, the sealing material 1112 is cured by performing ultraviolet irradiation or heat treatment at the same time as bonding. In addition to ultraviolet irradiation, heat treatment may be performed.

また、図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）に貼り合わせ時または貼り合わせ後に紫外線照射や熱処理が可能な貼り合わせ装置の例を示す。   FIGS. 17A and 17B illustrate an example of a bonding apparatus that can perform ultraviolet irradiation or heat treatment at the time of bonding or after bonding.

図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）中、１０４１は第１基板支持台、１０４２は第２基板支持台、１０４４は透光性の窓、１０４８は下側定盤、１０４９は紫外光の光源である。なお、図１７（Ａ）〜図１７（Ｂ）において、図１４（Ａ）〜図１４（Ｄ）、図１５（Ａ）〜図１５（Ｂ）及び図１６（Ａ）〜図１６（Ｂ）と対応する部分は同一の符号を用いている。   17A and 17B, reference numeral 1041 denotes a first substrate support, 1042 a second substrate support, 1044 a translucent window, 1048 a lower surface plate, and 1049 an ultraviolet light source. It is. 17A to 17B, FIGS. 14A to 14D, 15A to 15B, and 16A to 16B. The same reference numerals are used for portions corresponding to.

下側定盤１０４８は加熱ヒータが内蔵されており、シール材１１１２を硬化させる。また、第２基板支持台１０４２には透光性の窓１０４４が設けられており、光源１０４９からの紫外光などを通過させるようになっている。ここでは図示していないが窓１０４４を通して基板の位置アライメントを行う。また、対向基板となる第２基板１０３１は予め、所望のサイズに切断しておき、第２基板支持台１０４２に真空チャックなどで固定しておく。図１７（Ａ）は貼り合わせ前の状態を示している。   The lower surface plate 1048 has a built-in heater, and cures the sealing material 1112. The second substrate support 1042 is provided with a light-transmitting window 1044 so that ultraviolet light from the light source 1049 can pass therethrough. Although not shown here, the substrate is aligned through the window 1044. In addition, the second substrate 1031 to be the counter substrate is cut into a desired size in advance, and is fixed to the second substrate support 1042 with a vacuum chuck or the like. FIG. 17A shows a state before bonding.

貼り合わせ時には、第１基板支持台１０４１と第２基板支持台１０４２とを下降させた後、圧力をかけて第１基板１１１０と第２基板１０３１を貼り合わせ、そのまま紫外光を照射することによって硬化させる。貼り合わせ後の状態を図１７（Ｂ）に示す。   At the time of bonding, the first substrate support base 1041 and the second substrate support base 1042 are lowered, and then the first substrate 1110 and the second substrate 1031 are bonded together by applying pressure, and cured by irradiating ultraviolet light as it is. Let The state after bonding is shown in FIG.

次いで、スクライバー装置、ブレイカー装置、ロールカッターなどの切断装置を用いて第１基板１１１０を切断する（図１６（Ｂ））。こうして、１枚の基板から４つのパネルを作製することができる。そして、公知の技術を用いてＦＰＣを貼りつける。   Next, the first substrate 1110 is cut using a cutting device such as a scriber device, a breaker device, or a roll cutter (FIG. 16B). Thus, four panels can be manufactured from one substrate. Then, the FPC is pasted using a known technique.

なお、第１基板１１１０、第２基板１０３１としてはガラス基板、またはプラスチック基板を用いることができる。   Note that a glass substrate or a plastic substrate can be used as the first substrate 1110 and the second substrate 1031.

また、本実施例は、必要であれば上記実施の形態及び上記実施例のいかなる記載と自由に組み合わせることが可能である。   Further, this embodiment can be freely combined with any description of the above embodiment modes and embodiments, if necessary.

本発明が適用される液晶電気光学装置として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それらの液晶電気光学装置の具体例を図１９、図２０、図２１（Ａ）〜図２１（Ｂ）、図２２（Ａ）〜図２２（Ｂ）、図２３、図２４（Ａ）〜図２４（Ｅ）に示す。   As the liquid crystal electro-optical device to which the present invention is applied, a video camera, a digital camera, a goggle type display, a navigation system, an audio playback device (car audio component, etc.), a computer, a game machine, a portable information terminal (mobile computer, mobile phone, Portable game machines, electronic books, etc.), image playback devices equipped with recording media (specifically, devices equipped with a display capable of playing back recording media such as Digital Versatile Disc (DVD) and displaying the images), etc. Is mentioned. Specific examples of these liquid crystal electro-optical devices are shown in FIGS. 19, 20, 21A to 21B, 22A to 22B, 23, and 24A. 24 (E).

図１９は表示パネル５００１と、回路基板５０１１を組み合わせた液晶モジュールを示している。回路基板５０１１には、コントロール回路５０１２や信号分割回路５０１３などが形成されており、接続配線５０１４によって表示パネル５００１と電気的に接続されている。   FIG. 19 shows a liquid crystal module in which a display panel 5001 and a circuit board 5011 are combined. A circuit board 5011 is provided with a control circuit 5012, a signal dividing circuit 5013, and the like, and is electrically connected to the display panel 5001 through a connection wiring 5014.

この表示パネル５００１には、複数の画素が設けられた画素部５００２と、走査線駆動回路５００３、選択された画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回路５００４を備えている。なお液晶モジュールを作製する場合は上記実施の形態および上記実施例を用いて表示パネル５００１を作製すればよい。また、走査線駆動回路５００３や信号線駆動回路５００４等制御用駆動回路部を、上記実施例により形成されたＴＦＴを用いて作製することが可能である。   The display panel 5001 includes a pixel portion 5002 provided with a plurality of pixels, a scanning line driver circuit 5003, and a signal line driver circuit 5004 for supplying a video signal to the selected pixel. Note that in the case of manufacturing a liquid crystal module, the display panel 5001 may be manufactured by using the above embodiment modes and examples. In addition, a control driver circuit portion such as the scan line driver circuit 5003 or the signal line driver circuit 5004 can be manufactured using the TFT formed in the above embodiment.

図１９に示す液晶モジュールにより液晶テレビ受像機を完成させることができる。図２０は、液晶テレビ受像機の主要な構成を示すブロック図である。チューナ５１０１は映像信号と音声信号を受信する。映像信号は、映像信号増幅回路５１０２と、そこから出力される信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路５１０３と、その映像信号をドライバＩＣの入力仕様に変換するためのコントロール回路５０１２により処理される。コントロール回路５０１２は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号が出力する。デジタル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路５０１３を設け、入力デジタル信号をｍ個に分割して供給する構成としても良い。   A liquid crystal television receiver can be completed with the liquid crystal module shown in FIG. FIG. 20 is a block diagram showing a main configuration of the liquid crystal television receiver. A tuner 5101 receives a video signal and an audio signal. The video signal includes a video signal amplifying circuit 5102, a video signal processing circuit 5103 that converts a signal output from the video signal into a color signal corresponding to each color of red, green, and blue, and the video signal as input specifications of the driver IC. Processing is performed by a control circuit 5012 for conversion. The control circuit 5012 outputs a signal to each of the scanning line side and the signal line side. In the case of digital driving, a signal dividing circuit 5013 may be provided on the signal line side so that an input digital signal is divided into m pieces and supplied.

チューナ５１０１で受信した信号のうち、音声信号は音声信号増幅回路５１０５に送られ、その出力は音声信号処理回路５１０６を経てスピーカー５１０７に供給される。制御回路５１０８は受信局（受信周波数）や音量の制御情報を入力部５１０９から受け、チューナ５１０１や音声信号処理回路５１０６に信号を送出する。   Of the signals received by the tuner 5101, the audio signal is sent to the audio signal amplifier circuit 5105, and the output is supplied to the speaker 5107 through the audio signal processing circuit 5106. The control circuit 5108 receives control information on the receiving station (reception frequency) and volume from the input unit 5109 and sends a signal to the tuner 5101 and the audio signal processing circuit 5106.

図２１（Ａ）に示すように、液晶モジュールを筐体５２０１に組みこんで、テレビ受像機を完成させることができる。液晶モジュールにより、表示画面５２０２が形成される。また、スピーカー５２０３、操作スイッチ５２０４などが適宜備えられている。   As shown in FIG. 21A, a television receiver can be completed by incorporating a liquid crystal module into a housing 5201. A display screen 5202 is formed by the liquid crystal module. In addition, a speaker 5203, an operation switch 5204, and the like are provided as appropriate.

また図２１（Ｂ）に、ワイヤレスでディスプレイのみを持ち運び可能なテレビ受像器を示す。筐体５２１２にはバッテリー及び信号受信器が内蔵されており、そのバッテリーで表示部５２１３やスピーカー部５２１７を駆動させる。バッテリーは充電器５２１０で繰り返し充電が可能となっている。また、充電器５２１０は映像信号を送受信することが可能で、その映像信号をディスプレイの信号受信器に送信することができる。筐体５２１２は操作キー５２１６によって制御する。また、図２１（Ｂ）に示す装置は、操作キー５２１６を操作することによって、筐体５２１２から充電器５２１０に信号を送ることも可能であるため映像音声双方向通信装置とも言える。また、操作キー５２１６を操作することによって、筐体５２１２から充電器５２１０に信号を送り、さらに充電器５２１０が送信できる信号を他の電子機器に受信させることによって、他の電子機器の通信制御も可能であり、汎用遠隔制御装置とも言える。本発明は表示部５２１３及び制御用回路部等に適用することができる。   FIG. 21B shows a television receiver that can carry only a display wirelessly. A housing and a signal receiver are incorporated in the housing 5212, and the display portion 5213 and the speaker portion 5217 are driven by the battery. The battery can be repeatedly charged by a charger 5210. The charger 5210 can transmit and receive a video signal, and can transmit the video signal to a signal receiver of the display. The housing 5212 is controlled by operation keys 5216. The device illustrated in FIG. 21B can also be called a video / audio two-way communication device because a signal can be sent from the housing 5212 to the charger 5210 by operating the operation key 5216. In addition, by operating the operation key 5216, a signal is transmitted from the housing 5212 to the charger 5210, and further, a signal that can be transmitted by the charger 5210 is received by another electronic device, thereby controlling communication of the other electronic device. It can be said to be a general-purpose remote control device. The present invention can be applied to the display portion 5213, a control circuit portion, and the like.

本発明を図１９、図２０、図２１（Ａ）〜図２１（Ｂ）に示すテレビ受像器に使用することにより、高速応答の表示部を有するテレビ受像器を作製することができる。   By using the present invention for the television receiver shown in FIGS. 19, 20, 21A to 21B, a television receiver having a display portion with high-speed response can be manufactured.

勿論、本発明はテレビ受像機に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをはじめ、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など特に大面積の表示媒体として様々な用途に適用することができる。   Of course, the present invention is not limited to a television receiver, and is applied to various uses as a display medium of a particularly large area such as a monitor of a personal computer, an information display board in a railway station or airport, an advertisement display board in a street, etc. can do.

図２２（Ａ）は表示パネル５３０１とプリント配線基板５３０２を組み合わせたモジュールを示している。表示パネル５３０１は、複数の画素が設けられた画素部５３０３と、第１の走査線駆動回路５３０４、第２の走査線駆動回路５３０５と、選択された画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回路５３０６を備えている。   FIG. 22A shows a module in which a display panel 5301 and a printed wiring board 5302 are combined. The display panel 5301 includes a pixel portion 5303 provided with a plurality of pixels, a first scan line driver circuit 5304, a second scan line driver circuit 5305, and a signal line driver circuit that supplies a video signal to the selected pixel. 5306 is provided.

プリント配線基板５３０２には、コントローラ５３０７、中央処理装置（ＣＰＵ）５３０８、メモリ５３０９、電源回路５３１０、音声処理回路５３１１及び送受信回路５３１２などが備えられている。プリント配線基板５３０２と表示パネル５３０１は、フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）５３１３により接続されている。プリント配線基板５３０２には、容量素子、バッファ回路などを設け、電源電圧や信号にノイズがのったり、信号の立ち上がりが鈍ったりすることを防ぐ構成としても良い。また、コントローラ５３０７、音声処理回路５３１１、メモリ５３０９、ＣＰＵ５３０８、電源回路５３１０などは、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式を用いて表示パネル５３０１に実装することもできる。ＣＯＧ方式により、プリント配線基板５３０２の規模を縮小することができる。   The printed wiring board 5302 is provided with a controller 5307, a central processing unit (CPU) 5308, a memory 5309, a power supply circuit 5310, an audio processing circuit 5311, a transmission / reception circuit 5312, and the like. The printed wiring board 5302 and the display panel 5301 are connected by a flexible wiring board (FPC) 5313. The printed wiring board 5302 may be provided with a capacitor, a buffer circuit, or the like so that noise is added to the power supply voltage or the signal or the rise of the signal is not slowed. The controller 5307, the audio processing circuit 5311, the memory 5309, the CPU 5308, the power supply circuit 5310, and the like can be mounted on the display panel 5301 using a COG (Chip On Glass) method. The scale of the printed wiring board 5302 can be reduced by the COG method.

プリント配線基板５３０２に備えられたインターフェース（Ｉ／Ｆ）部５３１４を介して、各種制御信号の入出力が行われる。また、アンテナとの間の信号の送受信を行なうためのアンテナ用ポート５３１５が、プリント配線基板５３０２に設けられている。   Various control signals are input and output through an interface (I / F) unit 5314 provided in the printed wiring board 5302. An antenna port 5315 for transmitting and receiving signals to and from the antenna is provided on the printed wiring board 5302.

図２２（Ｂ）は、図２２（Ａ）に示したモジュールのブロック図を示す。このモジュールは、メモリ５３０９としてＶＲＡＭ５３１６、ＤＲＡＭ５３１７、フラッシュメモリ５３１８などが含まれている。ＶＲＡＭ５３１６にはパネルに表示する画像のデータが、ＤＲＡＭ５３１７には画像データまたは音声データが、フラッシュメモリには各種プログラムが記憶されている。   FIG. 22B is a block diagram of the module shown in FIG. This module includes a VRAM 5316, a DRAM 5317, a flash memory 5318, and the like as the memory 5309. The VRAM 5316 stores image data to be displayed on the panel, the DRAM 5317 stores image data or audio data, and the flash memory stores various programs.

電源回路５３１０は、表示パネル５３０１、コントローラ５３０７、ＣＰＵ５３０８、音声処理回路５３１１、メモリ５３０９、送受信回路５３１２を動作させる電力を供給する。またパネルの仕様によっては、電源回路５３１０に電流源が備えられている場合もある。   The power supply circuit 5310 supplies power for operating the display panel 5301, the controller 5307, the CPU 5308, the sound processing circuit 5311, the memory 5309, and the transmission / reception circuit 5312. Depending on the specifications of the panel, the power supply circuit 5310 may be provided with a current source.

ＣＰＵ５３０８は、制御信号生成回路５３２０、デコーダ５３２１、レジスタ５３２２、演算回路５３２３、ＲＡＭ５３２４、ＣＰＵ５３０８用のインターフェース５３１９などを有している。インターフェース５３１９を介してＣＰＵ５３０８に入力された各種信号は、一旦レジスタ５３２２に保持された後、演算回路５３２３、デコーダ５３２１などに入力される。演算回路５３２３では、入力された信号に基づき演算を行ない、各種命令を送る場所を指定する。一方デコーダ５３２１に入力された信号はデコードされ、制御信号生成回路５３２０に入力される。制御信号生成回路５３２０は入力された信号に基づき、各種命令を含む信号を生成し、演算回路５３２３において指定された場所、具体的にはメモリ５３０９、送受信回路５３１２、音声処理回路５３１１、コントローラ５３０７などに送る。   The CPU 5308 includes a control signal generation circuit 5320, a decoder 5321, a register 5322, an arithmetic circuit 5323, a RAM 5324, an interface 5319 for the CPU 5308, and the like. Various signals input to the CPU 5308 through the interface 5319 are temporarily held in the register 5322 and then input to the arithmetic circuit 5323, the decoder 5321, and the like. The arithmetic circuit 5323 performs an operation based on the input signal and designates a place to send various commands. On the other hand, the signal input to the decoder 5321 is decoded and input to the control signal generation circuit 5320. The control signal generation circuit 5320 generates a signal including various instructions based on the input signal, and a location designated by the arithmetic circuit 5323, specifically, a memory 5309, a transmission / reception circuit 5312, an audio processing circuit 5311, a controller 5307, and the like. Send to.

メモリ５３０９、送受信回路５３１２、音声処理回路５３１１、コントローラ５３０７は、それぞれ受けた命令に従って動作する。以下その動作について簡単に説明する。   The memory 5309, the transmission / reception circuit 5312, the sound processing circuit 5311, and the controller 5307 operate according to the received commands. The operation will be briefly described below.

入力手段５３２５から入力された信号は、Ｉ／Ｆ部５３１４を介してプリント配線基板５３０２に実装されたＣＰＵ５３０８に送られる。制御信号生成回路５３２０は、ポインティングデバイスやキーボードなどの入力手段５３２５から送られてきた信号に従い、ＶＲＡＭ５３１６に格納してある画像データを所定のフォーマットに変換し、コントローラ５３０７に送付する。   A signal input from the input unit 5325 is sent to the CPU 5308 mounted on the printed wiring board 5302 via the I / F unit 5314. The control signal generation circuit 5320 converts the image data stored in the VRAM 5316 into a predetermined format according to a signal sent from the input unit 5325 such as a pointing device or a keyboard, and sends the image data to the controller 5307.

コントローラ５３０７は、パネルの仕様に合わせてＣＰＵ５３０８から送られてきた画像データを含む信号にデータ処理を施し、表示パネル５３０１に供給する。またコントローラ５３０７は、電源回路５３１０から入力された電源電圧やＣＰＵ５３０８から入力された各種信号をもとに、Ｈｓｙｎｃ信号、Ｖｓｙｎｃ信号、クロック信号ＣＬＫ、交流電圧（ＡＣ Ｃｏｎｔ）、切り替え信号Ｌ／Ｒを生成し、表示パネル５３０１に供給する。   The controller 5307 performs data processing on a signal including image data sent from the CPU 5308 in accordance with the specifications of the panel, and supplies the processed signal to the display panel 5301. Further, the controller 5307 generates an Hsync signal, a Vsync signal, a clock signal CLK, an AC voltage (AC Cont), and a switching signal L / R based on the power supply voltage input from the power supply circuit 5310 and various signals input from the CPU 5308. Generated and supplied to the display panel 5301.

送受信回路５３１２では、アンテナ５３２８において電波として送受信される信号が処理されており、具体的にはアイソレータ、バンドパスフィルタ、ＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）、ＬＰＦ（Ｌｏｗ Ｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ）、カプラ、バランなどの高周波回路を含んでいる。送受信回路５３１２において送受信される信号のうち音声情報を含む信号が、ＣＰＵ５３０８からの命令に従って、音声処理回路５３１１に送られる。   In the transmission / reception circuit 5312, signals transmitted / received as radio waves in the antenna 5328 are processed. Specifically, high-frequency signals such as an isolator, a band-pass filter, a VCO (Voltage Controlled Oscillator), an LPF (Low Pass Filter), a coupler, and a balun. Includes circuitry. A signal including audio information among signals transmitted and received in the transmission / reception circuit 5312 is sent to the audio processing circuit 5311 in accordance with a command from the CPU 5308.

ＣＰＵ５３０８の命令に従って送られてきた音声情報を含む信号は、音声処理回路５３１１において音声信号に復調され、スピーカー５３２７に送られる。またマイク５３２６から送られてきた音声信号は、音声処理回路５３１１において変調され、ＣＰＵ５３０８からの命令に従って、送受信回路５３１２に送られる。   A signal including audio information sent in accordance with a command from the CPU 5308 is demodulated into an audio signal by the audio processing circuit 5311 and sent to the speaker 5327. An audio signal sent from the microphone 5326 is modulated in the audio processing circuit 5311 and sent to the transmission / reception circuit 5312 in accordance with a command from the CPU 5308.

コントローラ５３０７、ＣＰＵ５３０８、電源回路５３１０、音声処理回路５３１１、メモリ５３０９を、本実施例のパッケージとして実装することができる。本実施例は、アイソレータ、バンドパスフィルタ、ＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）、ＬＰＦ（Ｌｏｗ Ｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ）、カプラ、バランなどの高周波回路以外であれば、どのような回路にも応用することができる。   The controller 5307, the CPU 5308, the power supply circuit 5310, the sound processing circuit 5311, and the memory 5309 can be mounted as a package of this embodiment. This embodiment can be applied to any circuit other than a high-frequency circuit such as an isolator, a band pass filter, a VCO (Voltage Controlled Oscillator), an LPF (Low Pass Filter), a coupler, and a balun.

図２３は、図２２（Ａ）〜図２２（Ｂ）に示すモジュールを含む携帯電話機の一態様を示している。表示パネル５３０１はハウジング５３３０に脱着自在に組み込まれる。ハウジング５３３０は表示パネル５３０１のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。表示パネル５３０１を固定したハウジング５３３０はプリント基板５３３１に嵌着されモジュールとして組み立てられる。   FIG. 23 illustrates one mode of a cellular phone including the module illustrated in FIGS. 22 (A) to 22 (B). The display panel 5301 is incorporated in a housing 5330 so as to be detachable. The shape and size of the housing 5330 can be changed as appropriate in accordance with the size of the display panel 5301. The housing 5330 to which the display panel 5301 is fixed is fitted to the printed board 5331 and assembled as a module.

表示パネル５３０１はＦＰＣ５３１３を介してプリント基板５３３１に接続される。プリント基板５３３１には、スピーカー５３３２、マイクロフォン５３３３、送受信回路５３３４、ＣＰＵ及びコントローラなどを含む信号処理回路５３３５が形成されている。このようなモジュールと、入力手段５３３６、バッテリー５３３７、アンテナ５３４０を組み合わせ、筐体５３３９に収納する。表示パネル５３０１の画素部は筐体５３３９に形成された開口窓から視認できように配置する。   The display panel 5301 is connected to the printed board 5331 through the FPC 5313. A signal processing circuit 5335 including a speaker 5332, a microphone 5333, a transmission / reception circuit 5334, a CPU, a controller, and the like is formed over the printed circuit board 5331. Such a module is combined with the input means 5336, the battery 5337, and the antenna 5340 and stored in the housing 5339. The pixel portion of the display panel 5301 is arranged so that it can be seen from an opening window formed in the housing 5339.

本実施例に係る携帯電話機は、その機能や用途に応じてさまざまな態様に変容し得る。例えば、表示パネルを複数備えたり、筐体を適宜複数に分割して蝶番により開閉式とした構成としても、上記した作用効果を奏することができる。   The mobile phone according to the present embodiment can be transformed into various modes according to the function and application. For example, the above-described effects can be obtained even when a plurality of display panels are provided, or the housing is divided into a plurality of cases and is opened and closed by a hinge.

本発明を図２２（Ａ）〜図２２（Ｂ）、図２３に示す携帯電話に使用することにより、高速応答の表示部を有する携帯電話を作製することができる。   By using the present invention for the mobile phone shown in FIGS. 22A to 22B and FIG. 23, a mobile phone having a display portion with high-speed response can be manufactured.

図２４（Ａ）は液晶ディスプレイであり、筐体６００１、支持台６００２、表示部６００３などによって構成されている。本発明は図１９に示す液晶モジュール、図２２（Ａ）に示す表示パネルの構成を用いて、表示部６００３に適用が可能である。   FIG. 24A illustrates a liquid crystal display which includes a housing 6001, a support base 6002, a display portion 6003, and the like. The present invention can be applied to the display portion 6003 using the structure of the liquid crystal module shown in FIG. 19 and the display panel shown in FIG.

本発明を使用することにより、高速応答の表示部を有するディスプレイを作製することができる。   By using the present invention, a display having a display portion with high-speed response can be manufactured.

図２４（Ｂ）はコンピュータであり、本体６１０１、筐体６１０２、表示部６１０３、キーボード６１０４、外部接続ポート６１０５、ポインティングマウス６１０６等を含む。本発明は図１９に示す液晶モジュール、図２２（Ａ）に示す表示パネルの構成を用いて、表示部６１０３に適用することができる。   FIG. 24B illustrates a computer which includes a main body 6101, a housing 6102, a display portion 6103, a keyboard 6104, an external connection port 6105, a pointing mouse 6106, and the like. The present invention can be applied to the display portion 6103 using the structure of the liquid crystal module shown in FIG. 19 and the display panel shown in FIG.

本発明を使用することにより、高速応答の表示部を有するコンピュータを作製することができる。   By using the present invention, a computer having a high-speed response display portion can be manufactured.

図２４（Ｃ）は携帯可能なコンピュータであり、本体６２０１、表示部６２０２、スイッチ６２０３、操作キー６２０４、赤外線ポート６２０５等を含む。本発明は図１９に示す液晶モジュール、図２２（Ａ）に示す表示パネルの構成を用いて、表示部６２０２に適用することができる。   FIG. 24C illustrates a portable computer, which includes a main body 6201, a display portion 6202, a switch 6203, operation keys 6204, an infrared port 6205, and the like. The present invention can be applied to the display portion 6202 by using the liquid crystal module shown in FIG. 19 and the structure of the display panel shown in FIG.

本発明を使用することにより、高速応答の表示部を有するコンピュータを作製することができる。   By using the present invention, a computer having a high-speed response display portion can be manufactured.

図２４（Ｄ）は携帯型のゲーム機であり、筐体６３０１、表示部６３０２、スピーカー部６３０３、操作キー６３０４、記録媒体挿入部６３０５等を含む。本発明は図１９に示す液晶モジュール、図２２（Ａ）に示す表示パネルの構成を用いて、表示部６３０２に適用することができる。   FIG. 24D illustrates a portable game machine including a housing 6301, a display portion 6302, speaker portions 6303, operation keys 6304, a recording medium insertion portion 6305, and the like. The present invention can be applied to the display portion 6302 using the structure of the liquid crystal module shown in FIG. 19 and the display panel shown in FIG.

本発明を使用することにより、高速応答の表示部を有するゲーム機を作製することができる。   By using the present invention, a game machine having a high-speed response display portion can be manufactured.

図２４（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体６４０１、筐体６４０２、表示部Ａ６４０３、表示部Ｂ６４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読込部６４０５、操作キー６４０６、スピーカー部６４０７等を含む。表示部Ａ６４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ６４０４は主として文字情報を表示する。本発明は図１９に示す液晶モジュール、図２２（Ａ）に示す表示パネルの構成を用いて、表示部Ａ６４０３、表示部Ｂ６４０４及び制御用回路部等に適用することができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。   FIG. 24E shows a portable image reproducing device (specifically, a DVD reproducing device) provided with a recording medium, which includes a main body 6401, a housing 6402, a display portion A6403, a display portion B6404, and a recording medium (DVD or the like). A reading unit 6405, operation keys 6406, a speaker unit 6407, and the like are included. The display portion A 6403 mainly displays image information, and the display portion B 6404 mainly displays character information. The present invention can be applied to the display portion A 6403, the display portion B 6404, the control circuit portion, and the like by using the structure of the liquid crystal module shown in FIG. 19 and the display panel shown in FIG. Note that an image reproducing device provided with a recording medium includes a home game machine and the like.

本発明を使用することにより、高速応答の表示部を有する本画像再生装置を作製することができる。   By using the present invention, it is possible to manufacture the present image reproducing device having a display section with high-speed response.

これらの液晶電気光学装置に使われる表示装置は、大きさや強度、または使用目的に応じて、ガラス基板だけでなく耐熱性のプラスチック基板を用いることも可能である。それによってよりいっそうの軽量化を図ることができる。   Display devices used for these liquid crystal electro-optical devices can use not only a glass substrate but also a heat-resistant plastic substrate depending on the size, strength, or purpose of use. As a result, the weight can be further reduced.

なお、本実施例に示した例はごく一例であり、これらの用途に限定するものではないことを付記する。   It should be noted that the examples shown in the present embodiment are only examples and are not limited to these applications.

また本実施例は、上記実施の形態及び上記実施例のいかなる記載とも自由に組み合せて実施することが可能である。   This embodiment can be implemented by being freely combined with any description of the above embodiment modes and embodiments.

（Ａ）柱状のスペーサを用いた本発明の液晶電気光学装置の概略図。（Ｂ）球状スペーサを用いた本発明の液晶電気光学装置の概略図。(A) Schematic of the liquid crystal electro-optical device of the present invention using columnar spacers. (B) Schematic of the liquid crystal electro-optical device of the present invention using a spherical spacer. （Ａ）柱状のスペーサを用いた本発明の液晶電気光学装置の概略図。（Ｂ）球状スペーサを用いた本発明の液晶電気光学装置の概略図。(A) Schematic of the liquid crystal electro-optical device of the present invention using columnar spacers. (B) Schematic of the liquid crystal electro-optical device of the present invention using a spherical spacer. 本発明の実施例１における液晶電気光学装置のフッ素を含む不活性液体添加量に対する応答時間特性を示す図。FIG. 6 is a diagram illustrating response time characteristics with respect to an addition amount of an inert liquid containing fluorine in the liquid crystal electro-optical device according to the first embodiment of the present invention. 本発明の実施例２における液晶電気光学装置のフッ素を含む不活性液体添加量に対する応答時間特性を示す図。FIG. 10 is a diagram illustrating response time characteristics with respect to an addition amount of an inert liquid containing fluorine in the liquid crystal electro-optical device according to the second embodiment of the present invention. 本発明の実施例３における液晶電気光学装置のフッ素を含む不活性液体添加量に対する応答時間特性を示す図。FIG. 10 is a graph showing response time characteristics with respect to the addition amount of an inert liquid containing fluorine in the liquid crystal electro-optical device according to Example 3 of the present invention. 本発明の実施例４における液晶電気光学装置のフッ素を含む不活性液体添加量に対する応答時間特性を示す図。FIG. 10 is a diagram illustrating response time characteristics with respect to the addition amount of an inert liquid containing fluorine in the liquid crystal electro-optical device according to Example 4 of the present invention. 半導体装置の作製工程を示す図。10A and 10B illustrate a manufacturing process of a semiconductor device. 半導体装置の作製工程を示す図。10A and 10B illustrate a manufacturing process of a semiconductor device. 半導体装置の作製工程を示す図。10A and 10B illustrate a manufacturing process of a semiconductor device. 本発明の液晶電気光学装置の作製工程を示す図。6A and 6B show a manufacturing process of a liquid crystal electro-optical device of the invention. 本発明の液晶電気光学装置の作製工程を示す図。6A and 6B show a manufacturing process of a liquid crystal electro-optical device of the invention. 本発明の液晶電気光学装置の１つの画素を示す図。1 is a diagram showing one pixel of a liquid crystal electro-optical device of the present invention. 本発明の液晶電気光学装置の作製工程を示す図。6A and 6B show a manufacturing process of a liquid crystal electro-optical device of the invention. 本発明の液晶滴下方法を用いた液晶電気光学装置の作製工程を示す図。4A and 4B illustrate a manufacturing process of a liquid crystal electro-optical device using the liquid crystal dropping method of the present invention. 本発明の液晶滴下方法を用いた液晶電気光学装置の作製工程を示す図。4A and 4B illustrate a manufacturing process of a liquid crystal electro-optical device using the liquid crystal dropping method of the present invention. 本発明の液晶滴下方法を用いた液晶電気光学装置の作製工程を示す図。4A and 4B illustrate a manufacturing process of a liquid crystal electro-optical device using the liquid crystal dropping method of the present invention. 本発明の液晶滴下方法を用いた液晶電気光学装置の作製工程を示す図。4A and 4B illustrate a manufacturing process of a liquid crystal electro-optical device using the liquid crystal dropping method of the present invention. 本発明の液晶電気光学装置の作製工程を示す図。6A and 6B show a manufacturing process of a liquid crystal electro-optical device of the invention. 本発明が適用される電子機器の例を示す図。FIG. 11 illustrates an example of an electronic device to which the present invention is applied. 本発明が適用される電子機器の例を示す図。FIG. 11 illustrates an example of an electronic device to which the present invention is applied. 本発明が適用される電子機器の例を示す図。FIG. 11 illustrates an example of an electronic device to which the present invention is applied. 本発明が適用される電子機器の例を示す図。FIG. 11 illustrates an example of an electronic device to which the present invention is applied. 本発明が適用される電子機器の例を示す図。FIG. 11 illustrates an example of an electronic device to which the present invention is applied. 本発明が適用される電子機器の例を示す図。FIG. 11 illustrates an example of an electronic device to which the present invention is applied.

符号の説明Explanation of symbols

１０１ 基板
１０２ 基板
１０３ 透光性導電膜
１０４ 配向膜
１０５ シール材
１０６ スペーサ
１０６ａ 柱状のスペーサ
１０６ｂ 球状スペーサ
１０７ 液晶組成物
２０１ アクティブマトリクス基板
２０２ 対向基板
２０３ 画素部
２０４ 駆動回路
２０５ａ 柱状のスペーサ
２０５ｂ 球状スペーサ
２０６ シール材
２０７ 対向電極
２０８ 配向膜
２０９ 液晶組成物
４９９ 線状レーザ
５００ 基板
５０１ 下地膜
５０２ 半導体膜
５０４ 結晶性半導体膜
５０７ 島状半導体膜
５０８ 島状半導体膜
５０９ 島状半導体膜
５１０ 絶縁膜
５１１ 第１の導電膜
５１２ 第２の導電膜
５２０ ソース領域又はドレイン領域
５２１ 低濃度不純物領域
５２２ チャネル形成領域
５２３ ソース領域又はドレイン領域
５２４ チャネル形成領域
５２５ ソース領域又はドレイン領域
５２６ 低濃度不純物領域
５２７ チャネル形成領域
５３０ 第１層間絶縁膜
５３１ 第２層間絶縁膜
５４０ 電極又は配線
５４１ 電極又は配線
５４２ 電極又は配線
５４３ 電極又は配線
５４４ 電極又は配線
５５０ ｎチャネル型ＴＦＴ
５５１ ｐチャネル型ＴＦＴ
５５２ ｎチャネル型ＴＦＴ
５５３ ＣＭＯＳ回路
５６０ 上層ゲート電極
５６１ 上層ゲート電極
５６２ 上層ゲート電極
５６３ 下層ゲート電極
５６４ 下層ゲート電極
５６５ 下層ゲート電極
５７０ ゲート電極
５７１ ゲート電極
５７２ ゲート電極
５８０ ゲート絶縁膜
５８１ ゲート絶縁膜
５８２ ゲート絶縁膜
６００ シール材
６００ａ 第１シール材
６００ｂ 第２シール材
６１０ 第３層間絶縁膜
６２３ 画素電極
６２４ａ 配向膜
６２４ｂ 配向膜
６２５ 対向基板
６２６ａ 着色層
６２６ｂ 遮光層
６２７ オーバーコート層
６２８ 対向電極
６２９ 液晶組成物
６３０ ゲート配線
６３１ 容量配線
６５０ 画素部
８０１ ＦＰＣ
８０２ ソース信号線駆動回路部
８０３ ゲート信号線駆動回路部
１０３１ 第２基板
１０４１ 第１基板支持台
１０４２ 第２基板支持台
１０４４ 窓
１０４８ 下側定盤
１０４９ 光源
１１１０ 第１基板
１１１１ 画素部
１１１２ シール材
１１１３ ノズル走査方向
１１１４ 液晶組成物
１１１５ 滴下面
１１１６ 液滴吐出装置
１１１８ ノズル
１１１９ 点線で囲まれた部分
１１２０ トップゲート型ＴＦＴ
１１２１ 画素電極
５００１ 表示パネル
５００２ 画素部
５００３ 走査線駆動回路
５００４ 信号線駆動回路
５０１１ 回路基板
５０１２ コントロール回路
５０１３ 信号分割回路
５０１４ 接続配線
５１０１ チューナ
５１０２ 映像信号増幅回路
５１０３ 映像信号処理回路
５１０５ 音声信号増幅回路
５１０６ 音声信号処理回路
５１０７ スピーカー
５１０８ 制御回路
５１０９ 入力部
５２０１ 筐体
５２０２ 表示画面
５２０３ スピーカー
５２０４ 操作スイッチ
５２１０ 充電器
５２１２ 筐体
５２１３ 表示部
５２１６ 操作キー
５２１７ スピーカー部
５３０１ 表示パネル
５３０２ プリント配線基板
５３０３ 画素部
５３０４ 走査線駆動回路
５３０５ 走査線駆動回路
５３０６ 信号線駆動回路
５３０７ コントローラ
５３０８ ＣＰＵ
５３０９ メモリ
５３１０ 電源回路
５３１１ 音声処理回路
５３１２ 送受信回路
５３１３ ＦＰＣ
５３１４ Ｉ／Ｆ部
５３１５ アンテナ用ポート
５３１６ ＶＲＡＭ
５３１７ ＤＲＡＭ
５３１８ フラッシュメモリ
５３２０ 制御信号生成回路
５３２１ デコーダ
５３２２ レジスタ
５３２３ 演算回路
５３２４ ＲＡＭ
５３２５ 入力手段
５３２６ マイク
５３２７ スピーカー
５３２８ アンテナ
５３３０ ハウジング
５３３１ プリント基板
５３３２ スピーカー
５３３３ マイクロフォン
５３３４ 送受信回路
５３３５ 信号処理回路
５３３６ 入力手段
５３３７ バッテリー
５３３９ 筐体
５３４０ アンテナ
６００１ 筐体
６００２ 支持台
６００３ 表示部
６１０１ 本体
６１０２ 筐体
６１０３ 表示部
６１０４ キーボード
６１０５ 外部接続ポート
６１０６ ポインティングマウス
６２０１ 本体
６２０２ 表示部
６２０３ スイッチ
６２０４ 操作キー
６２０５ 赤外線ポート
６３０１ 筐体
６３０２ 表示部
６３０３ スピーカー部
６３０４ 操作キー
６３０５ 記録媒体挿入部
６４０１ 本体
６４０２ 筐体
６４０３ 表示部Ａ
６４０４ 表示部Ｂ
６４０５ 記録媒体読込部
６４０６ 操作キー
６４０７ スピーカー部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Substrate 102 Substrate 103 Translucent conductive film 104 Alignment film 105 Sealing material 106 Spacer 106a Columnar spacer 106b Spherical spacer 107 Liquid crystal composition 201 Active matrix substrate 202 Counter substrate 203 Pixel portion 204 Drive circuit 205a Columnar spacer 205b Spherical spacer 206 Sealing material 207 Counter electrode 208 Alignment film 209 Liquid crystal composition 499 Linear laser 500 Substrate 501 Base film 502 Semiconductor film 504 Crystalline semiconductor film 507 Island-like semiconductor film 508 Island-like semiconductor film 509 Island-like semiconductor film 510 Insulating film 511 First Second conductive film 520 Source region or drain region 521 Low concentration impurity region 522 Channel formation region 523 Source region or drain region 524 Channel formation region 525 Source region or drain region 5 6 low-concentration impurity regions 527 channel forming region 530 first interlayer insulating film 531 second interlayer insulating film 540 electrode or wiring 541 electrode or wiring 542 electrode or wiring 543 electrode or wiring 544 electrode or wiring 550 n-channel type TFT
551 p-channel TFT
552 n-channel TFT
553 CMOS circuit 560 Upper gate electrode 561 Upper gate electrode 562 Upper gate electrode 563 Lower gate electrode 564 Lower gate electrode 565 Lower gate electrode 570 Gate electrode 571 Gate electrode 572 Gate electrode 580 Gate insulating film 581 Gate insulating film 582 Gate insulating film 600 Seal Material 600a First sealing material 600b Second sealing material 610 Third interlayer insulating film 623 Pixel electrode 624a Alignment film 624b Alignment film 625 Counter substrate 626a Colored layer 626b Light shielding layer 627 Overcoat layer 628 Counter electrode 629 Liquid crystal composition 630 Gate wiring 631 Capacitance wiring 650 Pixel portion 801 FPC
802 Source signal line driver circuit unit 803 Gate signal line driver circuit unit 1031 Second substrate 1041 First substrate support table 1042 Second substrate support table 1044 Window 1048 Lower surface plate 1049 Light source 1110 First substrate 1111 Pixel unit 1112 Sealing material 1113 Nozzle scanning direction 1114 Liquid crystal composition 1115 Dropping surface 1116 Droplet discharge device 1118 Nozzle 1119 Portion surrounded by dotted line 1120 Top gate TFT
1121 Pixel electrode 5001 Display panel 5002 Pixel unit 5003 Scanning line driving circuit 5004 Signal line driving circuit 5011 Circuit board 5012 Control circuit 5013 Signal dividing circuit 5014 Connection wiring 5101 Tuner 5102 Video signal amplification circuit 5103 Video signal processing circuit 5105 Audio signal amplification circuit 5106 Audio signal processing circuit 5107 Speaker 5108 Control circuit 5109 Input unit 5201 Case 5202 Display screen 5203 Speaker 5204 Operation switch 5210 Charger 5212 Case 5213 Display unit 5216 Operation key 5217 Speaker unit 5301 Display panel 5302 Printed wiring board 5303 Pixel unit 5304 Scanning Line drive circuit 5305 Scanning line drive circuit 5306 Signal line drive circuit 5307 Controller 5308 CPU
5309 Memory 5310 Power supply circuit 5311 Audio processing circuit 5312 Transmission / reception circuit 5313 FPC
5314 I / F Unit 5315 Antenna Port 5316 VRAM
5317 DRAM
5318 Flash memory 5320 Control signal generation circuit 5321 Decoder 5322 Register 5323 Arithmetic circuit 5324 RAM
5325 Input means 5326 Microphone 5327 Speaker 5328 Antenna 5330 Housing 5331 Printed circuit board 5332 Speaker 5333 Microphone 5334 Transmission / reception circuit 5335 Signal processing circuit 5336 Input means 5337 Battery 5339 Case 5340 Antenna 6001 Case 6002 Support base 6003 Display portion 6101 Main body 6102 Case 6103 Display unit 6104 Keyboard 6105 External connection port 6106 Pointing mouse 6201 Main body 6202 Display unit 6203 Switch 6204 Operation key 6205 Infrared port 6301 Case 6302 Display unit 6303 Speaker unit 6304 Operation key 6305 Recording medium insertion unit 6401 Main unit 6402 Case 6403 Display unit A
6404 Display portion B
6405 Recording medium reading unit 6406 Operation key 6407 Speaker unit

Claims (4)

ネマティック液晶と、不活性液体とを含む液晶組成物であって、
前記不活性液体は、Ｃ ８ Ｆ １６ Ｏ、Ｃ ８ Ｆ １８ 、Ｃ ６ Ｆ １４ のいずれかを前記液晶組成物に対して１０ｗｔ％以上、６０ｗｔ％以下で含有することを特徴とする液晶組成物。 A liquid crystal composition comprising a nematic liquid crystal and an inert liquid,
The inert liquid body, the liquid crystal composition, characterized in that C 8 F 16 O, C 8 F 18, 10wt% or more of any of C 6 F 14 to the liquid crystal composition, containing the following 60 wt% object. ネマティック液晶と、不活性液体とを含む液晶組成物であって、
前記不活性液体は、Ｃ ８ Ｆ １６ Ｏ、Ｃ ８ Ｆ １８ 、Ｃ ６ Ｆ １４ のいずれかを前記液晶組成物に対して２０ｗｔ％以上、３０ｗｔ％以下で含有することを特徴とする液晶組成物。 A liquid crystal composition comprising a nematic liquid crystal and an inert liquid,
The inert liquid body, the liquid crystal composition, characterized in that C 8 F 16 O, C 8 F 18, C 6 20wt% or more of any of the F 14 to the liquid crystal composition, containing the following 30 wt% object. 透明電極を有する一対の基板間に、ネマティック液晶と不活性液体とを含む液晶組成物を有する液晶電気光学装置であって、
前記不活性液体は、Ｃ ８ Ｆ １６ Ｏ、Ｃ ８ Ｆ １８ 、Ｃ ６ Ｆ １４ のいずれかを前記液晶組成物に対して１０ｗｔ％以上、６０ｗｔ％以下で含有することを特徴とする液晶電気光学装置。 A liquid crystal electro-optical device having a liquid crystal composition containing a nematic liquid crystal and an inert liquid between a pair of substrates having a transparent electrode,
The inert liquid is a liquid crystal electro-optical, characterized in that C 8 F 16 O, C 8 F 18, 10wt% or more of any of C 6 F 14 to the liquid crystal composition, containing the following 60 wt% apparatus. 透明電極を有する一対の基板間に、ネマティック液晶と不活性液体とを含む液晶組成物を有する液晶電気光学装置であって、
前記不活性液体は、Ｃ ８ Ｆ １６ Ｏ、Ｃ ８ Ｆ １８ 、Ｃ ６ Ｆ １４ のいずれかを前記液晶組成物に対して２０ｗｔ％以上、３０ｗｔ％以下で含有することを特徴とする液晶電気光学装置。 A liquid crystal electro-optical device having a liquid crystal composition containing a nematic liquid crystal and an inert liquid between a pair of substrates having a transparent electrode,
The inert liquid is a liquid crystal electro-optical, characterized in that C 8 F 16 O, C 8 F 18, C 6 20wt% or more of any of the F 14 to the liquid crystal composition, containing the following 30 wt% apparatus.
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