JP5069270B2 - 液晶表示装置のアレイ基板およびその製造方法 - Google Patents
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Description
5 活性層
7 データライン
8 ソース電極
9 ドレイン電極
10 ベース基板
11 パッシベーション層スルーホール
12 画素電極
13 共通電極
15 光透過部
100 アレイ基板
Claims (15)
- ベース基板と、
ベース基板に形成された共通電極、ゲートライン、データライン、薄膜トランジスタ、パッシベーション層、∧形画素電極とを備えたFFSモデル表示装置のアレイ基板において、
前記薄膜トランジスタは、前記ゲートラインと連結するゲート電極と、前記データラインと連結するソース電極と、前記画素電極と連結するドレイン電極とを備え、
前記パッシベーション層は、前記ソース電極、ドレイン電極及びデータ電極を覆い、かつ、前記ドレイン電極を覆うパッシベーション層にパッシベーション層スルーホールが形成され、
前記∧形画素電極は、前記パッシベーション層の上に形成されて前記パッシベーション層スルーホールを介して前記ドレイン電極と連結し、
前記データラインは、絶縁層を介して前記共通電極の上に形成され、かつ、前記∧形画素電極の「/」形部分と「\」形部分との境界部に対応する部分の下方に位置することを特徴とするFFSモデル表示装置のアレイ基板。 - 前記絶縁層がゲート絶縁層である請求項1に記載のFFSモデル表示装置のアレイ基板。
- 前記ゲート絶縁層と前記パッシベーション層がSiNx、SiOx又はSiOxNyの単層膜である請求項2に記載のFFSモデル表示装置のアレイ基板。
- 前記ゲート絶縁層と前記パッシベーション層がSiNx、SiOx又はSiOxNyの任意の組み合わせで形成された複合膜である請求項2に記載のFFSモデル表示装置のアレイ基板。
- 前記ゲートライン、前記ゲート電極、前記データライン、前記ソース電極と前記ドレイン電極がAlNd、Al、Cu、Mo、MoW又はCrの単層膜を採用する請求項1に記載のFFSモデル表示装置のアレイ基板。
- 前記ゲートライン、前記ゲート電極、前記データライン、前記ソース電極とドレイン電極がAlNd、Al、Cuから選択される材質とMo、MoW、Crから選択される材質とからなる複合膜を採用する請求項1に記載のFFSモデル表示装置のアレイ基板。
- 前記共通電極と前記画素電極がインジウムスズ酸化物又はインジウムジンク酸化物である請求項1に記載のFFSモデル表示装置のアレイ基板。
- FFSモデル表示装置のアレイ基板の製造方法であって、
前記アレイ基板は、ベース基板と、ベース基板に形成された共通電極、ゲートライン、データライン、薄膜トランジスタ、パッシベーション層、∧形画素電極とを備え、前記薄膜トランジスタは、前記ゲートラインと連結するゲート電極、前記データラインと連結するソース電極と前記画素電極と連結するドレイン電極を備え、前記パッシベーション層は、前記ソース電極、ドレイン電極及びデータ電極を覆い、前記ドレイン電極を覆うパッシベーション層にパッシベーション層スルーホールが形成され、前記∧形画素電極が前記パッシベーション層の上に形成されて前記パッシベーション層スルーホールを介して前記ドレイン電極と連結され、前記データラインが絶縁層を介して前記共通電極の上に形成され、
前記FFSモデル表示装置のアレイ基板の製造方法は、
前記データラインを前記∧形画素電極の「/」形部分と「\」形部分との境界部の対応する部分の下方に位置させるステップを備えることを特徴とするFFSモデル表示装置のアレイ基板の製造方法。 - ベース基板に共通電極層を堆積し、パターニングによって共通電極を形成する工程と、
共通電極が形成された前記ベース基板に、金属薄膜を堆積し、パターニングによってゲート電極とゲートラインを形成する工程と、
ゲートラインが形成された前記ベース基板にゲート絶縁層を堆積する工程と、
前記ゲートラインのゲート絶縁層に活性層を堆積し、パターニングによって活性層を形成する工程と、
活性層を有する前記ベース基板にソース金属薄膜、ドレイン金属薄膜を堆積し、パターニングによってソース電極、ドレイン電極及びデータラインを形成する工程と、
前記ソース電極、ドレイン電極及びデータラインにパッシベーション層を堆積し、パターニングによって前記ドレイン電極を覆うパッシベーション層にパッシベーション層スルーホールを形成する工程と、
前記パッシベーション層に画素電極薄膜を堆積し、パターニングによって前記パッシベーション層スルーホールを介して前記ドレイン電極と連結する∧形画素電極を形成する工程と、
を更に備える請求項8に記載のFFSモデル表示装置のアレイ基板の製造方法。 - 前記ゲート絶縁層と前記パッシベーション層がSiNx、SiOx又はSiOxNyの単層膜を採用する請求項9に記載のFFSモデル表示装置のアレイ基板の製造方法。
- 前記ゲート絶縁層と前記パッシベーション層がSiNx、SiOx又はSiOxNyの任意の組み合わせで形成された複合膜である請求項9に記載のFFSモデル表示装置のアレイ基板の製造方法。
- 前記ゲートライン、前記ゲート電極、前記データライン、前記ソース電極と前記ドレイン電極がAlNd、Al、Cu、Mo、MoW又はCrの単層膜である請求項8に記載のFFSモデル表示装置のアレイ基板の製造方法。
- 前記ゲートライン、前記ゲート電極、前記データライン、前記ソース電極と前記ドレイン電極がAlNd、Al、Cuから選択される材質とMo、MoW、Crから選択される材質とからなる複合膜である請求項8に記載のFFSモデル表示装置のアレイ基板の製造方法。
- 前記共通電極と前記画素電極がインジウムスズ酸化物又はインジウムジンク酸化物である請求項8に記載のFFSモデル表示装置のアレイ基板の製造方法。
- 互いに対向して設置されたカラーフィルム基板、アレイ基板と、前記カラーフィルム基板とアレイ基板との間に設置された液晶層とを備えた液晶表示装置において、
前記アレイ基板は、
ベース基板と、
ベース基板に形成された共通電極、ゲートライン、データライン、薄膜トランジスタ、パッシベーション層、∧形画素電極とを備え、
前記薄膜トランジスタは、前記ゲートラインと連結するゲート電極、前記データラインと連結するソース電極と、前記画素電極と連結するドレイン電極を備え、
前記パッシベーション層は、前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記データ電極を覆い、かつ、前記ドレイン電極を覆うパッシベーション層にパッシベーション層スルーホールが形成され、
前記∧形画素電極は、前記パッシベーション層の上に形成されて前記パッシベーション層スルーホールを介して前記ドレイン電極と連結し、
前記データラインは、絶縁層を介して前記共通電極の上に形成され、かつ、前記∧形画素電極の「/」形部分と「\」形部分との境界部に対応する部分の下方に位置することを特徴とする前記アレイ基板を備える液晶表示装置。
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