JP2009283587A - シリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】まず、半導体ウエハWを反応管2内にロードし、反応管2内を700℃に設定する。また、反応管2内のガスを排出し、反応管2を40Paに減圧する。次に、処理ガス導入管17からジクロロシランを供給するとともに、イソプロピルアミンとを供給する。反応管2内にジクロロシランおよびイソプロピルアミンが導入されると、これらが反応管2内で加熱される。これにより、半導体ウエハWの表面にシリコン炭窒化膜が形成される。
【選択図】図1
Description
また、本発明は、耐薬品性を向上させることができるシリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置を提供することを目的とする。
被処理体が収容された反応室を所定の温度及び所定の圧力に設定し、該反応室内に珪素ソースとイソプロピルアミンとを供給して、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する、ことを特徴とする。
前記珪素ソースに、例えば、ヘキサクロロジシランを用い、前記反応室内を300℃〜650℃に設定することが好ましい。
前記反応室には、例えば、前記被処理体が複数枚収容されている。
被処理体を収容するとともに、所定の温度に設定可能な加熱部を有する反応室と、
前記反応室内に珪素ソースを供給する珪素ソース供給手段と、
前記反応室内にイソプロピルアミンを供給するイソプロピルアミン供給手段と、
前記反応室に接続された排気管を有し、前記反応室内のガスを前記排気管から排気して当該反応室内を所定の圧力に設定可能な排気手段と、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記珪素ソース供給手段および前記イソプロピルアミン供給手段を制御して、前記珪素ソースと前記イソプロピルアミンとを前記反応室内に供給させ、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する制御手段と、
を備える、ことを特徴とする。
前記珪素ソース供給手段は、例えば、前記反応室内にヘキサクロロジシランを供給し、前記制御部は、例えば、前記加熱部を制御して前記反応室内を300℃〜650℃に設定する。
前記反応室には、例えば、前記被処理体が複数枚収容されている。
コンピュータを、
被処理体を収容するとともに、所定の温度に設定可能な加熱部を有する反応室内に珪素ソースを供給する珪素ソース供給手段、
前記反応室内にイソプロピルアミンを供給するイソプロピルアミン供給手段、
前記反応室に接続された排気管を有し、前記反応室内のガスを前記排気管から排気して当該反応室内を所定の圧力に設定可能な排気手段、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記珪素ソース供給手段および前記イソプロピルアミン供給手段を制御して、前記珪素ソースと前記イソプロピルアミンとを前記反応室内に供給させ、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する制御手段、
として機能させることを特徴とする。
圧力計(群)123は、反応管2内、排気管5内、処理ガス導入管17内等の各部の圧力を測定し、その測定値を制御部100に通知する。
RAM113は、CPU115のワークエリアなどとして機能する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
2 反応管
3 頂部
4 排気口
5 排気管
6 蓋体
7 保温筒
8 ヒータ
9 支持体
10 回転テーブル
11 ウエハボート
12 回転支柱
13 回転機構
14 回転軸
15 回転導入部
16 昇温用ヒータ
17 処理ガス導入管
18 パージガス供給管
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 ヒータコントローラ
125 MFC制御部
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
W 半導体ウエハ
Claims (11)
- 被処理体が収容された反応室を所定の温度及び所定の圧力に設定し、該反応室内に珪素ソースとイソプロピルアミンとを供給して、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する、ことを特徴とするシリコン炭窒化膜の形成方法。
- 前記珪素ソースにジクロロシランを用い、前記反応室内を600℃〜800℃に設定する、ことを特徴とする請求項1に記載のシリコン炭窒化膜の形成方法。
- 前記珪素ソースにヘキサクロロジシランを用い、前記反応室内を300℃〜650℃に設定する、ことを特徴とする請求項1に記載のシリコン炭窒化膜の形成方法。
- 前記反応管内の圧力を1.33Pa〜1330Paに設定する、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のシリコン炭窒化膜の形成方法。
- 前記反応室には、前記被処理体が複数枚収容されている、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のシリコン炭窒化膜の形成方法。
- 被処理体を収容するとともに、所定の温度に設定可能な加熱部を有する反応室と、
前記反応室内に珪素ソースを供給する珪素ソース供給手段と、
前記反応室内にイソプロピルアミンを供給するイソプロピルアミン供給手段と、
前記反応室に接続された排気管を有し、前記反応室内のガスを前記排気管から排気して当該反応室内を所定の圧力に設定可能な排気手段と、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記珪素ソース供給手段および前記イソプロピルアミン供給手段を制御して、前記珪素ソースと前記イソプロピルアミンとを前記反応室内に供給させ、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する制御手段と、
を備える、ことを特徴とするシリコン炭窒化膜の形成装置。 - 前記珪素ソース供給手段は、前記反応室内にジクロロシランを供給し、
前記制御部は、前記加熱部を制御して前記反応室内を600℃〜800℃に設定する、ことを特徴とする請求項6に記載のシリコン炭窒化膜の形成装置。 - 前記珪素ソース供給手段は、前記反応室内にヘキサクロロジシランを供給し、
前記制御部は、前記加熱部を制御して前記反応室内を300℃〜650℃に設定する、ことを特徴とする請求項6に記載のシリコン炭窒化膜の形成装置。 - 前記制御部は、前記排気手段を制御して前記反応室内の圧力を1.33Pa〜1330Paに設定する、ことを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載のシリコン炭窒化膜の形成装置。
- 前記反応室には、前記被処理体が複数枚収容されている、ことを特徴とする請求項6乃至9のいずれか1項に記載のシリコン炭窒化膜の形成装置。
- コンピュータを、
被処理体を収容するとともに、所定の温度に設定可能な加熱部を有する反応室内に珪素ソースを供給する珪素ソース供給手段、
前記反応室内にイソプロピルアミンを供給するイソプロピルアミン供給手段、
前記反応室に接続された排気管を有し、前記反応室内のガスを前記排気管から排気して当該反応室内を所定の圧力に設定可能な排気手段、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記珪素ソース供給手段および前記イソプロピルアミン供給手段を制御して、前記珪素ソースと前記イソプロピルアミンとを前記反応室内に供給させ、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する制御手段、
として機能させるためのプログラム。
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