JP5061572B2 - 照明装置及び撮像装置 - Google Patents

Description

本発明は被写体を照明する照明装置及びこれを備えた撮像装置に関する。

撮影時に被写体を照明する撮像装置の照明装置として発光ダイオードを用いた照明装置が知られている。前記照明装置としては例えば特許文献１に示されたストロボ装置がある。この照明装置はレンズズーム位置に応じた画枠に最適な照射角を得るための可変配光制御機構を有している。

前記可変配光制御機構は複雑であり部品点数も多くなる。また、この制御機構では、より自由度の高い任意の照射範囲への発光照射は不可能であり、例えば少なくとも補助光が到達しない距離範囲の被写体に対しても無駄な発光を行ってしまい、電力的な無駄が生じている。

より自由度の高い照射範囲に発光できる照明装置が特許文献２〜４に例示されている。

特許文献２の照明装置は配光特性の異なる複数の発光ダイオードを撮像装置の正面側に同心円状または直線状に配置させて個々に点灯及び消灯させていることにのみならず個々に発光量を可変させている。

特許文献３の照明装置は複数の発光ダイオードを円形状に配置させて点灯させる発光ダイオードの数量を変えて必要な照射角を得ている。前記照射角は撮影画角内を適切に照明するように撮影レンズの焦点距離情報に応じて決定する。

特許文献４の照明装置は個別に点灯及び消灯可能な複数の発光ダイオードを面状に配置させて照明むらを抑えて被写体を均一に照射するようにしている。
特開２００４−２２６５０９ 特開２００３−１１４４６２ 特開２００５−３３８２８０ 特開２００６−１０７４６

特許文献２〜４の照明装置は、照射できる範囲の数だけの発光ダイオードの種類が必要であるので、部品点数の増加、発光面の大型化を避けられない。フラッシュ補助光をズーム位置に応じた画枠内に照射させ、被写体領域毎に最適露光が得られる光量を照射すれば、最小の電力で必要十分な補助光効果が得られるが、このような機能を簡便に具現化できる技術はない。

そこで本発明の照明装置は、撮像装置の照明装置であって、基板と、発光素子チップと、複数の第１電極と、複数の第１引き出し電極と、第２引き出し電極と、複数の電極端子と、を備える。
発光素子チップは、導電層と導電層の上に形成されたエピタキシャル層を有し、基板から電力の供給を受けて発光する。複数の第１電極は、エピタキシャル層の上に形成され、発光素子チップの発光面を複数の発光領域に区画する。複数の第１引き出し電極は、各第１電極に接続される。第２引き出し電極は、導電層上に形成される。複数の電極端子は、基板に設けられ、各第１引き出し電極又は第２引き出し電極にそれぞれ接続される。また、撮像装置の画角に応じて発光領域のうちいずれかが発光する。

また、本発明の撮像装置は、照明装置を備え、この照明装置は、基板と、発光素子チップと、複数の第１電極と、複数の第１引き出し電極と、第２引き出し電極と、複数の電極端子と、を備える。
発光素子チップは、導電層と導電層の上に形成されたエピタキシャル層を有し、基板から電力の供給を受けて発光する。複数の第１電極は、エピタキシャル層の上に形成され、発光素子チップの発光面を複数の発光領域に区画する。複数の第１引き出し電極は、各第１電極に接続される。第２引き出し電極は、導電層上に形成される。複数の電極端子は、基板に設けられ、各第１引き出し電極又は第２引き出し電極にそれぞれ接続される。また、撮像装置の画角に応じて発光領域のうちいずれかが発光する。

以上の発明によれば撮像の画角に応じて照射角領域を変えることができるので撮像装置の照明系を極めて小さく構成できる。

また、撮像装置の撮像レンズの焦点距離に応じて複数の発光領域のうち所定の発光領域が発光すると、被写体の配置状況に応じて必要十分な画枠領域に限定して発光できる。

撮像装置の撮像レンズのズーム動作位置に応じて複数の発光領域のうち所定の発光領域が発光すると、撮像装置のズーム位置に応じて必要十分な画枠領域に限定して発光できる。

プリ発光の検波量に基づいて複数の発光領域のうち所定の発光領域が発光すると、各被写体のフラッシュ到達距離に応じて必要十分な画枠領域に限定して発光できる。

発光領域の発光量の制御因子としては、前記発光する発光領域に対応する第１電極に供される電流値や通電時間がある。

前記複数の発光領域の配置形態としては、例えば同心に配置される形態、行列配置される形態、発光素子チップの主面においてＸ状に配置される形態がある。

また、複数の発光領域を封止するパッケージを備え、このパッケージの上面が凹レンズ面を成していると、前記複数の発光領域からの光を領域から放出した発光光線はパッケージの中心から離れた屈折角の比較的大きいレンズ界面から放出されるので、比較的広い放射角内に放出される。

以上の発明によれば、撮像装置のズーム位置並びに被写体の配置状況に応じ、必要十分な画枠領域に限定してフラッシュ発光できるので、より少ないエネルギーで最適な露光が得られるカメラが実現できる。これにより撮像装置及び照明装置のバッテリーが長寿命化する。また、１色当たり最低１個の発光素子で照射角可変効果が得られるので、部品点数の削減、発光面の小型化が実現する。

図１は発明の一実施形態に係る照明装置の斜視図である。図２は前記照明装置を備えた撮像装置の一実施形態に係るデジタルスチルカメラの正面図である。図３は前記撮像装置の斜視図である。

図２に示されたようにデジタルスチルカメラ５はカメラ本体５０の正面にフラッシュ部５１とレンズ鏡筒５２とファインダー窓５３と指かけフック５４を備える。また、図２及び図３に示されたようにカメラ本体５０の上面の略左側にはシャッターボタン５５が設けられている。レンズ鏡筒５２は図３に示されたようにデジタルスチルカメラ５２の起動時にカメラ本体５０から突出すると共に停止時にカメラ本体５０内に収納可能となっている。

図４はデジタルスチルカメラ５のシステム構成を示したブロック図である。

デジタルスチルカメラ５のシステム構成は制御部（ＣＰＵ）６１とフラッシュ部６２とレンズ駆動部６３と撮像部６４と内部メモリ６５と外部メモリ（例えばメモリーカード）６６と表示部（例えばＬＣＤ）６７とを備える。レンズ駆動部６３は少なくともレンズとズーム動作部とフォーカス動作部とアイリス動作部とを備えている。撮像部６４はＣＣＤ（撮像素子）とＣＨ（カメラヘッド）を備えている。制御部６１はＤＳＰ（Ｄｉｄｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）の機能も有している。レンズ駆動部６３で得られたズーム位置情報は制御部６１によって管理される。フラッシュ部６２も制御部６１によって発光タイミング、発光時間を制御されている。

フラッシュ部６２には発明の一実施形態に係る図１に例示した照明装置１が適用されている。照明装置１は発光素子チップ２と基板３とパッケージ４とを備える。発光素子チップ２は複数の発光素子（ＬＥＤ）を備える。発光素子チップ２は基板３の上面の中央部に設置される。発光素子チップ２は基板３から発光のための電力の供給を受ける。基板３には発光素子チップ２を封止するパッケージ４が設けられる。パッケージ４は光学的レンズや反射板を備えるように形成するとよい。照明装置１は図１に示されたカメラ本体５０の外部に取り付けられるフラッシュユニット単体にも適用してもよい。

図５は発光素子を瞬間発光駆動するための駆動回路の一例を示した回路構成図である。

駆動回路６８は二つの発光素子を発光駆動させる場合の形態である。駆動回路６８は昇圧回路６９と蓄電素子７０と発光素子チップ７１と定電流回路７２ａ，７２ｂとコントロール回路７３を備える。発光素子チップ７１は発光素子７１１，７１２を備える。発光素子７１１，７１２はそれぞれ定電流回路７２ａ，７２ｂを介してコントロール回路７３と電気的に接続されている。

電池７４から供給された電荷は昇圧回路６９で昇圧された後にコンデンサのような蓄電素子７０での充電に供される。コントロール回路７３は通電ＯＮ／ＯＦＦの制御が可能となっている。コントロール回路７３は、制御部６１からの指示により、蓄電素子７０の充電動作制御と発光素子チップ７１の動作制御とを行う。定電流回路７２ａ，７２ａはそれぞれ発光素子７１１，７１２を定電流駆動する。また、定電流回路７２ａ，７２ｂはコントロール回路７３の制御信号に基づき発光素子７１１，７１２を独立に発光制御する。

照明装置１は図１に示されたように単一の発光素子チップ２に対してカソード電極を複数の区画に独立して形成させている。すなわち、単一の発光素子チップ２に対して発光素子であるカソード電極が２つの区画に独立して形成されている。前記カソード電極は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）に例示される材料からなる透明電極であって、第１カソード２１と第２カソード２２の２つの領域から成る。

また、発光素子チップ２には第１カソード２１，第２カソード２２にそれぞれ独立に接続される第１カソード引き出し電極２３，第２カソード引き出し電極２４が設けられる。このような構成によれば発光素子チップ２の発光面内の発光領域を複数に分割して領域ごとに発光させることができる。第１カソード引き出し電極２３及び第２カソード引き出し電極２４は酸化金属膜または金属膜によって形成すればよい。

一方、発光素子チップ２が設けられる基板３側には、第１カソード引き出し電極２３，第２カソード引き出し電極２４ごとに対応した電極端子３１，３２が設けられて、外部回路からカソード電極ごとに順電圧を印加できるようになっている。順電圧が印加された電極直下の領域では、それ以外の領域より電流密度が高く、この領域が選択的に活性化されて発光する。

カソード電極は、酸化金属膜から成る透明性の高い導電性材料が好ましいが、通電インピーダンスを低減させる為に局所的に金属膜と組み合わせて形成させることが好ましい。また、図１に示された発光素子チップ２は、カソード電極側が電極面を複数に細分化させた形態となっているが、この形態に代えてアノード電極側が複数の電極面をＩＴＯで構成させて発光するようにしてもよい（図１０の発光素子チップ６及び図１１の発光素子チップ７についても同様）。

図６（ａ）は第一の実施形態に係る発光素子チップの構成を示した平面図である。図６（ｂ）は前記発光素子チップの構成を示した断面図である。

第１カソード２１は図６（ａ）及び図６（ｂ）に示されたように主面が略正方形の板状に形成されている。第２カソード２２は同一平面上で第１カソード２１の周囲を囲い込むような輪形の板状に形成される。第１カソード２１及び第２カソード２２はそれぞれ第１カソード引き出し電極２３及び第２カソード引き出し電極２４と電気的に接続される。第１カソード２１及び第２カソード２２は図６（ｂ）の断面構造に示すように電気的に独立した電極としてエピタキシャル層２５の上に形成される。エピタキシャル層２５は例示されたようにシリコン基材２６の上面に導電層２７を介して形成されている。発光素子チップ２の端部近傍の導電層２７上にはアノード引き出し電極２８が形成されている。発光素子チップ２の材料にも因るが、カソード電極すなわち第１カソード２１及び第２カソード２２の発光面から放射される光線は主に前記発光面の垂線方向に狭い広がり角で放出される。

発光素子チップ２は図１に示されたように基板３の上面の中央部に設置される。発光素子２の第１カソード引き出し電極２３、第２カソード引き出し電極２４及びアノード引き出し電極２８はそれぞれボンディングワイヤ３４，３５及び３６によって基板３上の電極端子３１、電極端子３２及び電極端子３３と電気的に接続される。この基板３上の発光素子チップ２はパッケージ４に埋設される。パッケージ４は光透過性の既知の樹脂によってレンズ機能を有するように成形される。具体的にはパッケージ４はその上面が凹面に形成されることで凹レンズの機能を有するように形成されている。

図７はパッケージ４によって発光素子チップ２が封入された基板３の断面図である。

パッケージ４の上面は発光素子チップ２を発光源とする光学設計上の組み立て精度の観点からレンズ形状の放射面を成したレンズ面１０が形成されている。レンズ面１０の形態は放出方向に対し凹レンズ面となっており照射範囲が拡大するようになっている。

フラッシュ補助光として求められる配光特性の対称性を得るために、発光素子チップ２の発光面の中心点は図７に示されたようにパッケージ４のレンズ面４０の中心軸上にあることが好ましい。発光素子チップ２を用いた場合、第１カソード２１の領域から放出した発光光線はパッケージ４のレンズ面４０の中心近傍から放出されるので、レンズ界面での屈折角は比較的小さく、結果的に比較的狭い放射角内に放出される。第２カソード２２の領域から放出した発光光線はパッケージ４の中心から離れた屈折角の比較的大きいレンズ界面から放出されるので、比較的広い放射角内に放出される。

図８はレンズ面の中心軸を含む評価線上における放射角度に対する放射強度分布を示す。

縦軸Ｙはパッケージ４のレンズ面４０の中心軸である。横軸Ｘは第１カソード２１及び第２カソード２２の発光面と同一平面上にある軸である。実線で示した強度分布は第１カソード２１の領域から放出される発光光線の強度分布である。一方、破線で示した強度分布は第２カソード２２の領域から放出される発光光線の強度分布である。

この特性をデジタルスチルカメラのフラッシュ補助光に応用した具体的な例について図１及び図９を参照しながら説明する。

図９に示されたデジタルスチルカメラ５のレンズ鏡筒５２のズーム機構に関し、ズーム位置に応じて撮影画枠が変化するが、この撮影画枠に対し十分条件の照射範囲となるように図１に示された照明装置１の第１カソード２１及び第２カソード２２の発光が制御される。例えば図９に示されたようにレンズ鏡筒５２のズーム位置が「細実線」を限界とする望遠側位置である場合、照射装置１は図１に示した第１カソード２１の領域のみ発光させて図９に示されたような「太実線」を限界とする照射範囲を確保する。一方、ズーム位置が「細破線」を限界とする広角側位置となった場合、照明装置１は図１に示された第１カソード２１、第２カソード２２の両方の領域を発光させて図９に示したような「太破線」を限界とする照射範囲を確保する。この例はズーム位置を判定条件に用いているが、フラッシュ調光検波情報を判定条件に用いても有効である。

また、発光素子チップの他の実施形態としては、図１０及び図１１の平面図に例示された発光素子チップ６，７のように、単一のシリコン基材に対してカソード電極を３枚以上のカソードに分割させて配置させてもよい。

図１０に示された発光素子チップ６は、主面が長方形である単一のシリコン基材の上面に導電層８０を介してエピタキシャル層８１を設け、このエピタキシャル層８１に６枚の板状のカソードを行列状に配置させている。ここではエピタキシャル層８１上にカソードが「２行３列」の行列状に配置されている。尚、各カソードすなわち第１カソード８２ａ〜第六カソード８２ｆの主面は図示されたような略長方形の形状に限定せず、例えば、略正方形、円、楕円、長円の形状に形成してもよい。

第１カソード８２ａ〜第六カソード８２ｆは互いに接触しないように「２行３列」の行列状に配置されている。すなわち、第１カソード８２ａは第１行第１列目の位置に配置されている。第２カソード８２ｂは第１行第２列目の位置に配置されている。第３カソード８２ｃは第１行第３列目の位置に配置されている。第４カソード８２ｄは第２行第１列目の位置に配置されている。第５カソード８２ｅは第２行第２列目の位置に配置されている。第六カソード８２ｆは第２行第３列目の位置に配置されている。

また、第１カソード８２ａはエピタキシャル層８１の上辺付近の導電層８０に設置された第１カソード引き出し電極８３ａと電気的に接続されている。第２カソード８２ｂは前記上辺付近の導電層８０に設置された第２カソード引き出し電極８３ｂと電気的に接続されている。第３カソード８２ｃは前記上辺付近の導電層８０に設置された第３カソード引き出し電極８３ｃと電気的に接続されている。第４カソード８２ｄはエピタキシャル層８１の下辺付近の導電層８０に設置された第４カソード引き出し電極８３ｄと電気的に接続されている。第５カソード８２ｅは前記下辺付近の導電層８０に設置された第５カソード引き出し電極８３ｅと電気的に接続されている。第六カソード８２ｆは前記下辺付近の導電層８０に設置された第六カソード引き出し電極８３ｆと電気的に接続されている。尚、アノード電極８４は導電層８０の角付近に設けられている。

図１１に示された発光素子チップ７はエピタキシャル層９１に５枚の板状のカソードをＸ状に配置させている。ここでは、主面が長方形である単一のシリコン基材の上面に導電層９０を介して設けられたエピタキシャル層９１の中央部に第２カソード９２ｂが設置されている。第１カソード９２ａ、第３カソード９２ｃ、第４カソード９２ｄ、第５カソード９２ｅは第２カソード９２ｂを囲い込むように配置されている。第２カソード９２ｂは円状若しくは楕円状、長円状に形成される。第１カソード９２ａ、第３カソード９２ｃ、第４カソード９２ｄ及び第５カソード９２ｅは少なくとも第２カソード９２ｂと接触しないような形状に形成される。

第１カソード９２ａはエピタキシャル層９１の上辺付近の導電層９０に設置された第１カソード引き出し電極９３ａと電気的に接続されている。第２カソード９２ｂは前記上辺付近の導電層９０に設置された第２カソード引き出し電極９３ｂと電気的に接続されている。第３カソード９２ｃは前記上辺付近の導電層９０に設置された第３カソード引き出し電極９３ｃと電気的に接続されている。第４カソード９２ｄはエピタキシャル層９１の下辺付近の導電層９０に設置された第４カソード引き出し電極９３ｄと電気的に接続されている。第５カソード９２ｅは前記下辺付近の導電層９０に設置された第５カソード引き出し電極９３ｅと電気的に接続されている。尚、アノード電極９４は導電層９０の角付近に設けられている。

以上のように例示された実施形態の発光素子チップの各電極領域すなわち各カソードから放出される光線の放射角領域は画枠領域を分割した特定領域と対応している。そして、カソードごとに独立して発光制御することにより画枠中の特定領域に対して選択的に照射することができる。フラッシュ照射領域はフラッシュ調光検波情報における画枠領域検波情報及びズーム位置情報に基づき区分選択的に調光される。

図１２は照明装置に第三の実施形態に係る発光素子チップが適用された撮像装置８のシステム構成を示したブロック図である。

撮像素子１００はレンズ鏡筒１０４のレンズ１０５を介して捉えた被写体の像を電気信号に変換する。画像処理部１０１は前記電気信号に変換された被写体の像を増幅部１０６及び信号処理部１０７を介して導入して画像処理する。画像処理部１０１には内部メモリ１０８の他にメモリスロット１０９から外部メモリ１１０がインターフェース回路１１１を介して電気的に接続される。駆動部１０２ａ〜１０２ｅは発光素子チップ７に具備された第１カソード９２ａ〜第５カソード９２ｅをそれぞれ発光動作させる。制御部１０３は、画像処理部１０１を動作制御すると共に、シャッターレリーズボタン等の機能を備えた操作部１１２の操作信号及び画像処理部１０１での画像処理の結果に基づき駆動部１０２ａ〜１０２ｅを動作制御する。

図１３は撮像装置８の動作例を説明したフローチャートである。図１２及び図１３を参照しながら撮像装置８の動作例について説明する。

ステップＳ１ではシャッターレリーズボタンが押されたか否かが判断される。ステップＳ２では制御部１０３が駆動部１０２ａ〜１０２ｅのいずれかを動作させて発光素子チップ７の第１カソード９２ａから第５カソード９２ｅのいずれかをプリ発光させる。ステップＳ３では画像処理部１０２が前記プリ発光によって捉えた被写体の像を画像処理する。ステップＳ４では前記画像処理の結果に基づいて発光させる発光領域（この事例では第１カソード９２ａから第５カソード９２ｅのいずれか）とその光量を決定する。ここでは光量を規定する発光時間が決定される。ステップＳ５で所定の発光領域（この事例では第１カソード９２ａから第５カソード９２ｅのいずれかまたはいくつかの組み合わせ）を前記決定された光量を規定する所定時間だけ点灯させながら、ステップ６で撮影する。

次に図１２及び図１４を参照しながらフラッシュ到達距離以内において比較的近い被写体と比較的遠い被写体とフラッシュ到達距離以遠の被写体が混在したシーンに対して撮像装置の発光制御の例について説明する。

先ず、図１２に示された撮像装置８はプリ調光発光として発光素子チップ７の第１カソード９２ａから第５カソード９２ｅのいずれかを微少発光させる。被写体からの反射光は撮像装置５の撮像素子１００によって捉えられる。このときの照度は図１４（ｂ）の検波画のように画枠分割領域毎に検波され、発光量が発光領域毎に決定される。判定条件の例としては、図１４（ａ）に示された比較的近い被写体１４１が存在する画枠分割領域に対応する発光領域（例えば第２カソード９２ｂの発光領域）に対しては露光量オーバーにならないために発光量が低めに設定される。一方、比較的遠い被写体１４２が存在する領域に対応する発光領域（例えば第３カソード９２ｃ及び第５カソード９２ｅの発光領域）に対しては露光量アンダーにならないために発光量が多めに設定される。また、フラッシュ到達距離以遠の被写体１４３に対応する発光領域（例えば第１カソード９２ａ及び第４カソード９２ｄの発光領域）は発光禁止となる。発光量は発光素子に供される電流値または通電時間によって制御される。

図１５に示されたタイムチャートを参照して説明すると、シャッターが開放となっている間に、それぞれの発光領域を検波量から決定した発光時間だけ独立して発光させる。例えば、比較的近い被写体に対応する第２発光領域（第２カソード９２ｂ）は発光時間を短めにし、比較的遠い被写体に対応する第３発光領域（第３カソード９２ｃ）及び第５発光領域（第５カソード９２ｅ）は発光時間を長めにする。フラッシュ到達距離以遠の被写体に対応する第１発光領域（第１カソード９２ａ）及び第４発光領域（第４カソード９２ｄ）は発光させない。

また、発明に係る照明装置の他の実施形態としては図１６に示された撮像装置９のようにフラッシュ部に光の３原色である青色、緑色、赤色の光をそれぞれ発する照明装置１６１，１６２，１６３を適用させてもよい。これらの照明装置の実施形態としては、図１、図１０及び図１１に例示された発光素子チップを採用し、この発光素子に所定の色を呈するためのフィルターを適用させてもよい。または、前記発光素子を密閉させるパッケージを所定の色を呈するように形成してもよい。青色の光を呈する照明装置１６１、緑色の光を呈する照明装置１６２及び赤色の光を呈する照明装置１６３とレンズ鏡筒５２の撮像レンズとのパララックスを低減するために、照明装置１６１，１６２，１６３は近接配置させることが好ましい。

発明の一実施形態に係る照明装置の斜視図。 前記照明装置を備えた撮像装置の正面図。 前記照明装置を備えた撮像装置の斜視図。 前記撮像装置のシステム構成を示したブロック図。 発光素子を瞬間発光駆動するための駆動回路の一例を示した回路構成図。 （ａ）第一の実施形態に係る発光素子チップの平面図，（ｂ）前記発光素子チップの構成を示した断面図。 パッケージによって発光素子チップが封入された基板の断面図。 レンズ面の中心軸を含む評価線上における放射角度に対する放射強度分布。 撮像レンズのズーム範囲と照明装置の照射範囲を説明した説明図。 第二の実施形態に係る発光素子チップの平面図。 第三の実施形態に係る発光素子チップの平面図。 照明装置に第三の実施形態に係る発光素子チップが適用された撮像装置のシステム構成を示したブロック図。 照明装置に第三の実施形態に係る発光素子チップが適用された撮像装置の動作例を説明したフローチャート。 （ａ）被写体像の模式図，（ｂ）検波画の模式図。 第三の実施形態に係る発光素子チップを適用した照明装置の動作例をタイムチャートで説明した動作シーケンス図。 発明の他の実施形態に係る照明装置を備えた撮像装置の正面図。

符号の説明

１，１６１，１６２，１６３…照明装置
２，６，７…発光素子チップ
３…基板
４…パッケージ
５，８，９…撮像装置
２１…第１カソード、２２…第２カソード、２３…第１カソード引き出し電極、２４…第２カソード引き出し電極、２５…エピタキシャル層、２６…シリコン基材、２７…導電層２８…アノード引き出し電極
３１，３２，３３…電極端子
３４，３５，３６…ボンディングワイヤ
４０…レンズ面

Claims (11)

1. 撮像装置の照明装置において、
   基板と、
   導電層と該導電層の上に形成されたエピタキシャル層を有し、前記基板から電力の供給を受けて発光する発光素子チップと、
   前記エピタキシャル層の上に形成され、前記発光素子チップの発光面を複数の発光領域に区画する複数の第１電極と、
   各第１電極に接続される複数の第１引き出し電極と、
   前記導電層上に形成された第２引き出し電極と、
   前記基板に設けられ、各第１引き出し電極又は前記第２引き出し電極にそれぞれ接続される複数の電極端子と、
   を備え、
   前記撮像装置の画角に応じて前記発光領域のうちいずれかが発光する
   照明装置。
2. 前記撮像装置の撮像レンズの焦点距離に応じて前記複数の発光領域のうち所定の発光領域が発光する
   請求項１に記載の照明装置。
3. 前記撮像装置の撮像レンズのズーム動作位置に応じて前記複数の発光領域のうち所定の発光領域が発光する
   請求項１に記載の照明装置。
4. プリ発光の検波量に基づいて前記複数の発光領域のうち所定の発光領域が発光する
   請求項１に記載の照明装置。
5. 前記発光領域の発光量は発光する発光領域に対応する前記第１電極に供される電流値によって制御される
   請求項１乃至４のいずれか１項に記載の照明装置。
6. 前記発光領域の発光量は発光する発光領域に対応する前記第１電極の通電時間によって制御される
   請求項１乃至４のいずれか１項に記載の照明装置。
7. 前記複数の発光領域は同心に配置される
   請求項１乃至６のいずれか１項に記載の照明装置。
8. 前記複数の発光領域が行列配置される
   請求項１乃至６のいずれか１項に記載の照明装置。
9. 前記複数の発光領域が発光素子チップの主面においてＸ状に配置される
   請求項１乃至６のいずれか１項に記載の照明装置。
10. 前記複数の発光領域を封止するパッケージを備え、
    前記パッケージの上面は凹レンズ面を成している
    請求項１乃至９のいずれか１項に記載の照明装置。
11. 照明装置を備える撮像装置であって、
    前記照明装置は、
    基板と、
    導電層と該導電層の上に形成されたエピタキシャル層を有し、前記基板から電力の供給を受けて発光する発光素子チップと、
    前記エピタキシャル層の上に形成され、前記発光素子チップの発光面を複数の発光領域に区画する複数の第１電極と、
    各弟１電極に接続される複数の第１引き出し電極と、
    前記導電層上に形成された第２引き出し電極と、
    前記基板に設けられ、各第１引き出し電極又は前記第２引き出し電極にそれぞれ接続される複数の電極端子と、
    を備え、
    前記撮像装置の画角に応じて前記発光領域のうちいずれかが発光する
    撮像装置。

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