JP5061007B2 - 溶接制御装置、溶接制御方法およびそのプログラム - Google Patents
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Description
図1は、本発明の溶接制御装置が生成するパルス波形による溶接ワイヤ先端部の時系列変化を模式的に示す説明図である。本発明の溶接制御装置は、炭酸ガス単体または炭酸ガスが主成分である混合ガスをシールドガスとするアーク溶接においてパルス電流(パルス信号)によって1周期あたり1溶滴の溶滴移行の規則性を実現するものである。本発明の溶接制御装置は、図1において下側に示すように、通常は、パルス波形が異なる2種類のパルス電流(パルス信号)として、第1パルス201と第2パルス202とを交互に生成して溶接電源に出力する。ここで、第1パルス201および第2パルス202の波形形状の詳細を図15に示す。第1パルス201および第2パルス202のパルスパラメータは、例えば、図14を参照して説明した条件を満たすように設定される。
第1手法では、第3パルスのピーク電流(第3パルスピーク電流)を、例えば、図1に示すように、第2パルスピーク電流より高くする。これを第3パルスの第1実施形態とする。これにより、第3パルスは、ワイヤ先端205から離脱できなかった溶滴を、214に示すように、強制的に離脱させることが可能である。この場合、溶接制御装置は、溶滴207のワイヤ先端205からの離脱を検知すると、検出時の電流から、例えば図1に示すように第3パルスベース電流へと電流値を急激に減少させて、溶滴離脱後のワイヤ側にアークが移動する瞬間においては、214に示すように、第3パルスベース期間に移行させて、電流が充分に下がっている状態にする。このことにより、ワイヤのくびれ206部分の飛散や離脱後の残留融液の飛散による小粒スパッタを大幅に低減できる。
第2手法では、例えば、第3パルスのピーク電流(第3パルスピーク電流)を、第2パルスピーク電流より低くする。これを第3パルスの第2実施形態とする。これにより、第3パルスは、ワイヤ先端205から離脱できなかった溶滴を、211に示すように、ワイヤ先端205において垂下がるように整形する。そして、第3パルスの出力に続いて、第1パルスを出力すると、第1パルスピーク期間において、ワイヤ中のピーク電流による電磁ピンチ力により、溶滴は、212に示すように、くびれ206を形成する変化をしながら、214に示すように急速に離脱を行う。以降は、第2パルス、第1パルスを順に交互に出力できるので、溶滴移行の規則性のずれを修正できる。
第1手法では、離脱できなかった溶滴を第3パルスにより強制的に離脱させるので、図2に波形を示す第3パルスの第1実施形態におけるパルスパラメータの条件を以下の通りに設定することが好ましい。
ピーク電流(第3パルスピーク電流)Ip3は300〜700Aとする。このピーク電流Ip3は、溶滴を離脱させる過程において充分な電磁ピンチ力を確保するために大きく寄与する。ピーク電流Ip3が300A未満であると、電磁ピンチ力が弱く、溶滴移行の規則性を復帰させることができない。一方、ピーク電流Ip3が700Aを超えると、溶滴を押し上げるアーク力が強くなり過ぎてしまい、離脱した溶滴がスパッタとなる可能性があるだけでなく、装置重量やコストが上昇する問題も生じる。ピーク電流Ip3として、より好ましい範囲は、400〜600Aである。
立上りスロープ期間(第3パルス立上りスロープ期間)Tu3は5.0ms以下とする。この立上りスロープ期間Tu3は、急激なアーク力の増加を防ぎ、徐々にアークの発生点を溶滴の上方部へ移動させるために寄与する。これにより、第3パルスにおける溶滴離脱が成功し易くなる。立上りスロープ期間Tu3が5.0msを超えると、溶滴を離脱させる電磁ピンチ力よりも、溶滴を押し上げるアーク力の方が強くなり、離脱した溶滴がスパッタとなる可能性が高くなってしまうので好ましくない。
ピーク期間(第3パルスピーク期間)Tp3は0.3〜5.0msとする。このピーク期間Tp3は、ピーク電流Ip3と同様に、溶滴を離脱させる過程において充分な電磁ピンチ力を確保するために大きく寄与する。ピーク期間(パルス幅)Tp3が0.3ms未満であると、電磁ピンチ力により溶滴を離脱させることができず、溶滴移行の規則性を復帰させることができない。一方、ピーク期間Tp3が5.0msを越えると、アーク力が溶滴を大きく押し上げるため、離脱検出時の電流値から即座に電流値をベース電流Ib3へ低下させたとしても、小粒スパッタを抑制する効果が生じにくくなってしまう。
立下りスロープ期間(第3パルス立下りスロープ期間)Td3は10.0ms以下とする。この立下りスロープ期間Td3は、ピーク電流Ip3からベース電流Ib3に至る過程において急激なピンチ力の低下を防ぐために寄与する。仮に溶滴が離脱し終えない途中で第3パルスの波形がベース電流Ib3へ変化してしまうと、溶滴の離脱が失敗する場合がある。しかしながら、立下りスロープ期間Td3が10.0ms以下の条件を満たすことで、溶滴の離脱が失敗する頻度を大幅に低減することができる。一方、立下りスロープ期間Td3が10.0msを越えてしまうと、離脱時の電流値が比較的高い電流値を有した状態で溶滴離脱が起こるため、離脱検出時の電流値から即座に電流値をベース電流Ib3へ低下させたとしても、小粒スパッタを抑制する効果が生じにくくなってしまう。
ベース電流(第3パルスベース電流)Ib3は30〜200Aとする。この第3ベース電流Ib3は、溶滴離脱後にワイヤ側にアークが移動する過程において、アーク切れを起こさず、小粒スパッタ発生を抑制することに大きく寄与する。第3ベース電流Ib3が30A未満であると、アーク切れ、短絡が発生し易くなる。一方、第3ベース電流Ib3が200Aを超えると、溶滴からワイヤへアークが移動する瞬間において、ワイヤ側に残留する融液に寄与するアーク力が大きくなり、小粒スパッタを抑制することができなくなる。
ベース期間(第3パルスベース期間)Tb3は0.3〜10msとする。このベース期間Tb3は、ベース電流Ib3と同様に、溶滴離脱後にワイヤ側にアークが移動する過程において、アーク切れを起こさず、小粒スパッタ発生を抑制することに大きく寄与する。ベース期間Tb3が0.3ms未満であると、ワイヤに残留した融液を整形するためには不十分であり、小粒スパッタを抑制することができなくなる。一方、ベース期間Tb3が10msを越えると、溶滴と溶融池との間で短絡が生じ易くなり、溶滴移行の規則性を乱すことになる。また、溶接電流の上限が抑制され、高ワイヤ送給速度条件における溶接が困難となる。
第2手法では、溶滴を第3パルスにより整形し直し、第3パルスに続けて出力する第1パルスで溶滴を離脱させるので、図2に波形を示す第3パルスの第2実施形態におけるパルスパラメータの条件を以下の通りに設定することが好ましい。
ピーク電流(第3パルスピーク電流)Ip3は100〜400Aとする。このピーク電流Ip3は、溶滴を形成する過程において、溶滴を安定に整形することに大きく寄与する。ピーク電流Ip3が100A未満であると、アーク力が不十分であるため、溶滴を再度持ち上げることができず、次の第1パルスで溶滴を離脱させることができない。また、溶接電流の上限が抑制され、ワイヤを高速で送給する条件において溶接を行うことが困難となる。一方、ピーク電流Ip3が400Aを超えると、ワイヤの溶融が過度に進む上に、アーク力が強くなり過ぎるので、第3パルスピーク電流の印加時に、溶滴が離脱したり飛散したりして、スパッタを発生させてしまう。ピーク電流Ip3として、より好ましい範囲は、200〜300Aである。
ピーク期間(第3パルスピーク期間)Tp3は0.3〜10.0msとする。このピーク期間Tp3は、ピーク電流Ip3と同様に、溶滴を整形する過程において溶滴を安定に形成することに大きく寄与する。ピーク期間(パルス幅)Tp3が0.3ms未満であると、溶滴を再度持ち上げることができず、次の第1パルスで溶滴を離脱させることができない。一方、ピーク期間Tp3が10.0msを越えると、ワイヤの溶融が過度に進む上に、第3パルスの期間中に、溶滴が離脱したり飛散したりして、スパッタを発生させてしまい、1周期1溶滴の溶滴移行の規則性を復帰させることができない。
ベース電流(第3パルスベース電流)Ib3は30〜200Aとする。この第3ベース電流Ib3は、溶滴を整形する過程において、アーク切れを起こさず、安定に溶滴を整形することに大きく寄与する。第3ベース電流Ib3が30A未満であると、アーク切れ、短絡が発生し易くなる。一方、第3ベース電流Ib3が200Aを超えると、溶滴に寄与するアーク力が大きくなると共に、ベース期間Tb3での溶融が過大となり、溶滴がふらつき、安定に整形できなくなる。
ベース期間(第3パルスベース期間)Tb3は0.3〜15msとする。このベース期間Tb3は、ベース電流Ib3と同様に、溶滴を整形する過程において、アーク切れを起こさず、安定に溶滴を整形することに大きく寄与する。ベース期間Tb3が0.3ms未満であると、溶滴を充分に整形させることができず、次の第1パルスにおいて、溶滴の離脱方向にばらつきが生じる。一方、ベース期間Tb3が15msを越えると、ベース期間での溶融量が過大となり、溶滴と溶融池の間で短絡が生じ易くなり、溶滴移行の規則性を復帰させることができない。
外乱が生じたときの溶滴移行について、本発明の溶接制御方法を従来の方法と比較するために、以下の溶接条件1でパルスアーク溶接を実施したときのパルス波形の例について図3および図4を参照して説明する。図3は、本発明の溶接制御装置による溶滴の離脱検知の一例を説明するグラフであって、溶接電流および溶接電圧の波形と離脱検知信号とをそれぞれ示している。図4は、図3のグラフの比較例であって、第3パルスを用いない従来の溶接制御装置による溶滴の離脱検知を説明するグラフである。
ワイヤ :JIS Z3312 YGW11 1.2mmφ
炭酸ガス :100%CO2
試験板 :SM490A
チップ母材間距離:25mm
溶接速度 :30cm/min
ワイヤ送給速度 :16.0m/min
溶接電流 :305A
アーク電圧 :37V
第1手法において、前記した溶接条件1でパルスアーク溶接を実施したときのパルス波形の例について図5を参照して説明する。図5は、本発明の溶接制御装置が生成する第3パルスの第1実施形態を説明するグラフであって、溶接電流および溶接電圧の波形と離脱検知信号とをそれぞれ示している。図5のグラフにおいてタイミング401は、第1パルスの離脱検知の指標となる期間(ピーク期間、立下りスロープ期間、ベース期間)を示している。しかしながら、このタイミング401において、何らかの外乱により、溶滴の離脱を検知しなかったので、本発明の溶接制御装置は、第1パルスベース期間終了後に第3パルスを出力している。
第2手法において、前記した溶接条件1でパルスアーク溶接を実施したときのパルス波形の例について図6を参照して説明する。図6は、本発明の溶接制御装置が生成する第3パルスの第2実施形態を説明するグラフであって、溶接電流および溶接電圧の波形と離脱検知信号とをそれぞれ示している。図6のグラフにおいてタイミング501は、第1パルスの離脱検知の指標となる期間(ピーク期間、立下りスロープ期間、ベース期間)を示している。しかしながら、このタイミング501において、何らかの外乱により、溶滴の離脱を検知しなかったので、本発明の溶接制御装置は、第1パルスベース期間終了後に、溶滴を再度持ち上げながら形状を整えるために、第3パルスを出力している。
本発明の溶接制御装置は、タイミング502において、溶滴の離脱を検出しなかった場合に、第3パルスベース期間の終了後に、第1パルスを生成して溶接電源に出力する。そして、本発明の溶接制御装置は、第1パルスピーク期間または第1パルス立下りスロープ期間の中で、溶滴の離脱を検知したタイミング503において、検知するやいなや、即座に第1パルスの電流値を検出時の電流値よりも低い所定値(第1パルスベース電流)に切り替え、所定値の電流(第1パルスベース電流)について予め定められた期間(第1パルスベース期間)の終了後に、第2パルスを生成して溶接電源に出力する。したがって、溶滴移行の規則性を損なわず、スパッタおよびヒュームを増加させることがない。
図7は、本発明の溶接制御装置を含む溶接システムの一例を模式的に示す構成図である。溶接システム100は、図7に示すように、主として、ワイヤ送給装置101と、溶接電源102と、溶接制御装置103と、アーク溶接ロボット104と、ロボット制御装置105とを備えている。
図8は、本発明の溶接制御装置の構成を示すブロック図である。図8では、溶接制御装置103と、この溶接制御装置103から出力されるパルス信号(パルス電流)によりワイヤ5をトーチ107に送り込む給電を行う溶接電源102とを示している。出力制御素子1は、図示しない3相交流電源に接続されており、この出力制御素子1に与えられた電流は、トランス2、ダイオードからなる整流部3、直流リアクトル8および溶接電流を検出する電流検出器9を介して、コンタクトチップ4に与えられる。なお、コンタクトチップ4は、破線で示すように、トーチ107内に収納されている。トランス2の低位電源側には、被溶接材Wが接続されており、コンタクトチップ4内を挿通して給電されるワイヤ5と、被溶接材Wとの間にアーク6が生起される。コンタクトチップ4と被溶接材Wとの間の溶接電圧は、電圧検出器10により検出されて出力制御器15に入力される。この出力制御器15には、電流検出器9から溶接電流の検出値も入力される。これにより、出力制御器15は、入力される溶接電圧および溶接電流の検出値(フィードバック信号)を基に、ワイヤ5に給電する溶接電流おび溶接電圧の指令値を決定し、指令信号を出力して出力制御素子1を制御することによって溶接出力を制御する。また、出力制御器15は、波形生成器20から入力される第1パルスないし第3パルスの波形形状を示す信号に基づいて、出力制御素子1に出力する信号を変化させることによって、パルスアークを制御する。
(第1手法)
次に、本実施形態の溶接制御方法の第1手法による溶接制御装置103の動作として主に波形生成器20のパルス生成処理について図10を参照(適宜図8参照)して説明する。図10は、本発明の溶接制御装置のパルス生成処理の一例を示すフローチャートである。溶接制御装置103の波形生成器20は、波形設定器19で設定された第1パルスの出力タイミングでなければ(ステップS1:No)、待機し、第1パルスの出力タイミングになると(ステップS1:Yes)、第1パルスを出力制御器15に出力する(ステップS2)。通常のように、溶接制御装置103の溶滴離脱検出部18が、溶滴の離脱を検知した場合(ステップS3:Yes)、溶接制御装置103の波形生成器20は、溶滴離脱検出信号に基づいて、低電流(第1パルスベース電流)へ切り替える(ステップS4)。波形生成器20は、波形設定器19で設定された第2パルスの出力タイミングでなければ(ステップS5:No)、待機し、第2パルスの出力タイミングになると(ステップS5:Yes)、第2パルスを出力する(ステップS6)。そして、波形生成器20は、ステップS1に戻る。これにより、通常の場合、溶接制御装置103は、1周期あたり1溶滴の溶滴移行の規則性を実現できる。
次に、本実施形態の溶接制御方法の第2手法による溶接制御装置103の動作として主に波形生成器20のパルス生成処理について図11を参照(適宜図8および図10参照)して説明する。図11は、本発明の溶接制御装置のパルス生成処理の他の例を示すフローチャートである。溶接制御装置103の行う動作のうち、ステップS1からステップS7は、図10に示したものと同様なので説明を省略する。
下記の溶接条件2、表1および表2に示す第3パルスのパルスパラメータ(適宜図2参照)をそれぞれ用いて、炭酸ガスをシールドガスとして用いたパルスアーク溶接を行い、スパッタ発生量およびヒューム発生量を測定した。このとき、図12(a)および図12(b)に示す2つの銅製の捕集箱108内にて溶接を行ない、スパッタを捕集した。図12は本発明の溶接制御装置によるスパッタ発生量を測定するためのスパッタ捕集方法の説明図であって、(a)は捕集箱を正面斜視図、(b)捕集箱の側面から内部を透視した図をそれぞれ示している。2つの捕集箱108の間に、被溶接材Wを置き、トーチ107を被溶接材W上に配置して溶接を実施した。そのとき発生するスパッタ111を、捕集箱108の上半部に設けた開口109を介して、捕集箱108内に捕集した。また、ヒューム発生量については、JIS Z3930に準じた方法を用いて測定した。また、図13に、このときに用いた第1パルス201および第2パルス202のパルスパラメータの設定値を示す。
ワイヤ :JIS Z3312 YGW11 1.2mmφ
炭酸ガス :100%CO2
試験板 :SM490A
チップ母材間距離:25mm
トーチ前進角 :30°
溶接速度 :40cm/min
表1および表2において、特開2007−237270号公報の実施例に基づいて、スパッタ発生量が4.0[g/min]未満、ヒューム発生量が400[mg/min]未満のものを良(○)として表記した。良(○)のうち、スパッタ発生量が2.0[g/min]未満、ヒューム発生量が300[mg/min]未満のものを良好(◎)として表記した。表1に示す実施例1〜実施例13は、前記した第1手法の好適なパラメータ条件を満たすものであり、評価はいずれも良好(◎)であった。なお、表1において、第1手法の好適なパラメータ条件の上限または下限近傍の範囲内の数値を太字で示した。
<実施例14>Ip3が第1手法の好適なパラメータ条件の下限値(以下、単に下限値という)以下であるため、溶滴が離脱しにくく、1周期あたり1溶滴移行を復活させにくく、スパッタ、ヒュームを増大させる。
<実施例15>Ip3が第1手法の好適なパラメータ条件の上限値(以下、単に上限値という)以上であるため、ピーク期間に溶滴を押上げるアーク力が強くなり易く、離脱した溶滴がスパッタとなる上、溶滴過熱が大きいためヒュームを増大させる。
<実施例16>Tu3が上限値以上であるため、溶滴を押上げるアーク力が強くなり易く、離脱した溶滴がスパッタとなり易い。
<実施例17>Tp3が下限値以下であるため、溶滴が離脱にくく、1周期あたり1溶滴移行を復活させにくく、スパッタ、ヒュームを増大させる。
<実施例18>Tp3が上限値以上であるため、ピーク期間中に溶滴離脱が頻発し、小粒スパッタおよびヒュームが増大する上、1周期あたり1溶滴移行を復活させにくい。
<実施例19>Td3が上限値以上であるため、高電流で溶滴離脱が起こるため、小粒スパッタを抑制しにくい。
<実施例20>Ib3が下限値以下であるため、アーク切れ、短絡が頻発しスパッタおよびヒュームを増大させる。
<実施例21>Ib3が上限値以上であるため、溶滴からワイヤへアークが移動する瞬間において、ワイヤ側に残留する融液を吹き飛ばし易くなり、小粒スパッタおよびヒュームを増大させる。
<実施例22>Tb3が下限値以下であるため、溶滴からワイヤへアークが移動する瞬間において、ワイヤ側に残留する融液を整形しにくく、小粒スパッタおよびヒュームを増大させる。
<実施例23>Tb3が上限値以上であるため、溶滴と溶融池の間で短絡が生じ易くなり、小粒スパッタおよびヒュームを増大させる。
前記した溶接条件2、下記の表3および表4に示す第3パルスのパルスパラメータ(適宜図2参照)をそれぞれ用いて、炭酸ガスをシールドガスとして用いたパルスアーク溶接を行い、スパッタ発生量およびヒューム発生量を測定した。このとき、第1手法の実験方法と同様に、図12に示した方法でスパッタ発生量を測定し、ヒューム発生量については、JIS Z3930に準じた方法を用いて測定した。さらに、同様に、図13に示した第1パルス201および第2パルス202のパルスパラメータの設定値を用いた。
表3および表4において、第1手法の評価基準と同じように、スパッタ発生量およびヒューム発生量を評価した。表3に示す実施例24〜実施例31は、前記した第2手法の好適なパラメータ条件を満たすものであり、評価はいずれも良好(◎)であった。なお、表3において、第2手法の好適なパラメータ条件の上限または下限近傍の範囲内の数値を太字で示した。
<実施例32>Ip3が第2手法の好適なパラメータ条件の下限値(以下、単に下限値という)以下であるため、溶滴を再度持ち上げにくい。また、1周期あたり1溶滴移行を復活させにくく、スパッタ、ヒュームを増大させる。
<実施例33>Ip3が第2手法の好適なパラメータ条件の上限値(以下、単に上限値という)以上であるため、ワイヤの溶融が過度に進む上、アーク力が強くなり易く、溶滴がスパッタとなり易い。また、溶滴過熱が大きいためヒュームを増大させる。
<実施例34>Tp3が下限値以下であるため、溶滴を再度持ち上げにくい。また、1周期あたり1溶滴移行を復活させにくく、スパッタ、ヒュームを増大させる。
<実施例35>Tp3が上限値以上であるため、ワイヤの溶融が過度に進む上、ピーク期間中の溶滴がスパッタとなり易い。また、溶滴過熱が大きいためヒュームを増大させる。
<実施例36>Ib3が下限値以下であるため、アーク切れ、短絡が頻発しスパッタおよびヒュームを増大させる。
<実施例37>Ib3が上限値以上であるため、溶滴からワイヤへアークが移動する瞬間において、ワイヤ側に残留する融液を吹き飛ばし易くなり、小粒スパッタおよびヒュームを増大させる。
<実施例38>Tb3が下限値以下であるため、アーク切れ、短絡が頻発しスパッタおよびヒュームを増大させる。
<実施例39>Tb3が上限値以上であるため、溶滴からワイヤへアークが移動する瞬間において、ワイヤ側に残留する融液を吹き飛ばし易くなり、小粒スパッタおよびヒュームを増大させる。
2 トランス
3 整流部
4 コンタクトチップ
5 ワイヤ
6 アーク
8 直流リアクトル
9 電流検出器
10 電圧検出器
18 溶滴離脱検出部
19 波形設定器
20 波形生成器
100 溶接システム
102 溶接電源
103 溶接制御装置
107 トーチ
W 被溶接材
Claims (8)
- 炭酸ガス単体または炭酸ガスが主成分である混合ガスをシールドガスとするアーク溶接において溶接ワイヤ先端からの溶滴の離脱を検出する溶滴離脱検出部と、前記溶滴を離脱させる第1パルスと、前記溶滴を整形する第2パルスとを交互に生成して溶接電源に出力すると共に前記溶滴の離脱が検出された場合に直ちに前記第1パルスの電流値を検出時の電流値よりも低い所定値に切り替える波形生成器とを備える溶接制御装置において、
前記波形生成器は、
前記第1パルスのピーク期間、立下りスロープ期間またはベース期間において前記溶滴の離脱が検出されなかった場合に、前記第1パルスのベース期間終了後に、前記第2パルスとはパルスピーク電流および/またはパルス幅の異なるパルス形状を有する第3パルスを生成して前記溶接電源に出力することにより溶滴移行規則性のずれを修正することを特徴とする溶接制御装置。 - 前記波形生成器は、
前記第3パルスのピーク期間または立下りスロープ期間において前記溶滴の離脱が検出された場合に直ちに当該第3パルスの電流値を検出時の電流値よりも低い所定値に切り替え、前記所定値の電流について予め定められた期間の終了後に、前記第2パルスを生成して前記溶接電源に出力することを特徴とする請求項1に記載の溶接制御装置。 - 前記波形生成器は、
前記第3パルスのピーク期間または立下りスロープ期間において前記溶滴の離脱が検出されなかった場合に、前記溶滴の離脱が検出されるまで予め設定された回数を最大として連続して前記第3パルスを繰り返し生成して前記溶接電源に出力することを特徴とする請求項2に記載の溶接制御装置。 - 前記第3パルスについての前記所定値は、前記第3パルスのベース期間の電流値を示すベース電流であり、
前記予め定められた期間は、前記第3パルスのベース期間であり、
前記第3パルスのピーク電流Ip3は300〜700A、
前記第3パルスの立上りスロープ期間Tu3は5.0ms以下、
前記第3パルスのピーク期間Tp3は0.3〜5.0ms、
前記第3パルスの立下りスロープ期間Td3は10.0ms以下、
前記第3パルスのベース電流Ib3は30〜200A、
前記第3パルスのベース期間Tb3は0.3〜10ms、
の各条件を満たすことを特徴とする請求項2または請求項3に記載の溶接制御装置。 - 前記波形生成器は、
前記第3パルスのピーク期間、立下りスロープ期間またはベース期間において前記溶滴の離脱が検出されなかった場合に、当該第3パルスのベース期間の終了後に、前記第1パルスを生成して前記溶接電源に出力することを特徴とする請求項1に記載の溶接制御装置。 - 前記第3パルスのピーク電流Ip3は100〜400A、
前記第3パルスのピーク期間Tp3は0.3〜10.0ms、
前記第3パルスのベース電流Ib3は30〜200A、
前記第3パルスのベース期間Tb3は0.3〜15ms、
の各条件を満たすことを特徴とする請求項5に記載の溶接制御装置。 - 炭酸ガス単体または炭酸ガスが主成分である混合ガスをシールドガスとするアーク溶接において溶接ワイヤ先端からの溶滴の離脱を検出する溶滴離脱検出部と、前記溶滴を離脱させる第1パルスと、前記溶滴を整形する第2パルスとを交互に生成して溶接電源に出力すると共に前記溶滴の離脱が検出された場合に直ちに前記第1パルスの電流値を検出時の電流値よりも低い所定値に切り替える波形生成器とを備える溶接制御装置の溶接制御方法において、
前記溶接制御装置は、
前記溶滴離脱検出部によって、前記第1パルスのピーク期間、立下りスロープ期間またはベース期間において前記溶滴の離脱が検出されなかった場合に、前記波形生成器によって、前記第1パルスのベース期間終了後に、前記第2パルスとはパルスピーク電流および/またはパルス幅の異なるパルス形状を有する第3パルスを生成して前記溶接電源に出力することにより溶滴移行規則性のずれを修正することを特徴とする溶接制御方法。 - 炭酸ガス単体または炭酸ガスが主成分である混合ガスをシールドガスとするアーク溶接において溶接電源に出力するパルス波形の信号を生成するために、コンピュータを、
溶接ワイヤ先端から溶滴を離脱させる第1パルスと、前記溶滴を整形する第2パルスとを交互に生成して前記溶接電源に出力する手段、
前記溶滴の離脱が検出された場合に直ちに前記第1パルスの電流値を検出時の電流値よりも低い所定値に切り替える手段、
前記第1パルスのピーク期間、立下りスロープ期間またはベース期間において前記溶滴の離脱が検出されなかった場合に、前記第1パルスのベース期間終了後に、前記第2パルスとはパルスピーク電流および/またはパルス幅の異なるパルス形状を有する第3パルスを生成して前記溶接電源に出力することにより溶滴移行規則性のずれを修正する手段、
として機能させることを特徴とする溶接制御プログラム。
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