JP5052049B2 - パターン修正方法およびパターン修正装置 - Google Patents

パターン修正方法およびパターン修正装置 Download PDF

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Description

この発明はパターン修正方法およびパターン修正装置に関し、特に、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法およびパターン修正装置に関する。より特定的には、この発明は、フラットパネルディスプレイの製造工程において発生する電極のオープン欠陥を修正するパターン修正方法およびパターン修正装置に関する。
近年、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ELディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの大型化、高精細化に伴い、ガラス基板上に形成された電極や液晶カラーフィルタなどに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。
たとえば、液晶ディスプレイのガラス基板の表面には電極が形成されている。この電極が断線している場合、塗布針先端に付着させた導電性の修正ペースト(修正液)を断線部に塗布し、電極の長さ方向に塗布位置をずらしながら複数回塗布して電極を修正する(たとえば、特許文献1参照)。
また、欠陥部を覆うようにフィルムを設け、欠陥部とフィルムとをレーザ光を用いて略同時に除去し、除去した部分にフィルムをマスクとして修正インク(修正液)を塗布し、その後、フィルムを剥離除去する方法がある(たとえば、特許文献2,3参照)。
特開平8−292442号公報 特開平11−125895号公報 特開2005−95971号公報
しかしながら、電極を修正する方法では、塗布針先端に導電性の修正ペーストを付着させ、断線部に修正ペーストを転写するため、その塗布径は塗布針先端の平坦面の寸法で決まり、10μm前後の塗布径を実現するのは困難であり、これを用いた細線形成も同様に難しかった。
一方、フィルムをマスクとして使用する方法では、10μm前後の細線で電極断線部などを修正することが可能であるが、修正インクを孔に塗布すると、フィルムと基板との隙間に毛細管現象で修正インクが吸い込まれ、基板を汚染することも考えられる。
それゆえに、この発明の主たる目的は、10μm前後の細線で電極断線部などを修正することができ、かつ、欠陥部周辺の汚染が小さなパターン修正方法およびパターン修正装置を提供することである。
この発明に係るパターン修正方法および装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部をフィルムで覆い、該フィルムの孔を介して欠陥部に修正液を塗布するパターン修正方法および装置において、欠陥部をフィルムで覆う前に、フィルムに第1のレーザ光を照射して孔を開け、フィルムの孔を含む範囲に第1のレーザ光よりも低パワーの第2のレーザ光を照射して孔の周りに付着した異物を除去し、フィルムの孔の開口部の幅はフィルムの厚みよりも小さいことを特徴とする。
また、この発明に係る他のパターン修正方法および装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部をフィルムで覆い、該フィルムの孔を介して欠陥部に修正液を塗布するパターン修正方法および装置において、基板に対してフィルムを相対的に移動させ、フィルムの孔を欠陥部の上方に位置合わせした後、フィルムを下降させて欠陥部を覆い、フィルムの孔の開口部の幅はフィルムの厚みよりも小さいことを特徴とする
また、この発明に係るさらに他のパターン修正方法および装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部をフィルムで覆い、該フィルムの孔を介して欠陥部に修正液を塗布するパターン修正方法および装置において、孔の開口部よりも大きな先端面を有する塗布針の先端部に修正液を付着させ、塗布針の先端面で孔の開口部を閉蓋するようにして塗布針の先端面をフィルムの表面に1回のみ接触させることにより、修正液を欠陥部に塗布し、フィルムの孔の開口部の幅はフィルムの厚みよりも小さいことを特徴とする。
この発明に係るパターン修正方法およびパターン修正装置では、孔を開けたフィルムをマスクとして用いるので、10μm前後の細線で電極断線部などを修正することができる。また、フィルムの孔の開口部の幅をフィルムの厚みよりも小さくするので、修正液が孔内に保持され易くなり、修正液がフィルムと基板の隙間に侵入することによって基板が汚染されるのを防止することができる。
この発明に係るパターン修正方法では、欠陥位置から離れた位置で、あるいは欠陥部にレーザ光が照射されない状態で、レーザ光を用いてフィルムに孔を開ける。フィルムとして、たとえば薄膜のポリイミドフィルムを使用する。孔の開口部は、短軸と長軸を有する四角形状である。フィルムの厚さをFtとし、孔の開口部の短軸の長さ(幅)をSwとすると、FtとSwはSw<Ftの関係にある。これにより、修正ペーストを孔内に保持する力が強くなるので、孔に塗布された修正ペーストがフィルムと基板との隙間に吸い込まれることなく、孔とほぼ同じ形状のパターンを得ることができる。このとき、フィルムは基板に密着させるのではなく、基板上に置く方が好ましい。
なお、安定性を増すためには、FtとSwの関係をSw<Ft/2にするとよい。Sw<Ftの関係を実現するためには、フィルムの膜厚を厚くする、あるいは、孔の短軸の長さSwを短くすることで対応する。このように設定することで、孔内に塗布された修正ペーストが孔内に保持され易くなり、基板とフィルムの隙間に働く毛細管現象の力よりも強ければ、その隙間に修正ペーストが流れることを防止することができる。
以下、図面を用いてこの発明の実施の形態について詳細に説明する。図1は、この発明の一実施の形態によるパターン修正方法の修正対象の基板1を示す図である。図1において、基板1の表面に微細パターンである電極2が形成されており、電極2にはオープン欠陥部(断線部)2aが発生している。電極2は、基板1の表面に埋没したものでもよいし、基板1の表面上に突出したものでもよい。
このパターン修正方法では、図2に示すように、欠陥部2aに対応した形状の孔3aの開いたフィルム3がマスクとして使用される。孔3aが欠陥部2aに位置合わせされた状態で、フィルム3が基板1の表面に付着した状態で配置される。フィルム3は、たとえば薄膜のポリイミドフィルムであり、その幅はマスクとして使用するのに十分な幅があれば良く、たとえば、5mm〜15mm程度にスリットしたロール状フィルムを使用する。フィルム3の厚さFtは、その下が透けて見える程度のものが好ましく、たとえば10〜25μm程度である。
図2に示すように、孔3aの開口部は、たとえば、短軸長がSw、長軸長がSlの長方形状であり、欠陥部2aの両端に位置する正常な電極面2bにも修正ペーストを塗布できるように、孔3aは欠陥部2aよりも長く形成される。これにより、修正部の抵抗値の低減化、修正部の密着性の向上などの効果的が期待できる。
孔3aは、フィルム3にレーザ光を照射することによって形成される。レーザとしては、YAG第3高調波レーザやYAG第4高調波レーザ、あるいはエキシマレーザなどのパルスレーザを用いる。図3に示すように、レーザ部4は、観察光学系5の上部に固定され、観察光学系5の下端に固定した対物レンズ5aからフィルム3にレーザ光が照射される。孔3aは、たとえばレーザ部4に内蔵される可変スリット(図示せず)により整形され、対物レンズ5aで集光されたレーザ光の断面形状になる。孔3aの形状および寸法は、可変スリットにより決定される。
フィルム3に孔3aを開ける工程は、欠陥部2aから離れた位置で、あるいは欠陥部2aにレーザ光が照射されないように、フィルム3の下方に遮蔽板6を挿入して行なわれる。このように、フィルム3単体でレーザ加工を行なうので、欠陥部2aにフィルム3を付着または密着した状態で孔3aをレーザ加工していた従来のように欠陥部2aおよびその近傍を損傷することはない。
孔3aの形成が終了した時点では、孔3a周りのフィルム3面には、孔3a部を除去(レーザアブレーション)した際に発生した異物(ごみ)が飛散しており、異物の除去のため、孔3aを中心としたその周りの広い範囲を弱いパワーでレーザ光を照射してもよい。このとき、レーザをYAG第2高調波レーザに切り替えて、弱いレーザパワーで孔3aを中心とする広い範囲にレーザ光を照射すれば、異物のみを除去することも可能であり、新たに異物が発生することを防止することができる。レーザ部5としては、孔3aを開けるためのレーザ光と、異物を除去するためのレーザ光の2種類のレーザ光のうちのいずれかのレーザ光を選択的に出射できるものを使用するとよい。
次に、たとえば画像処理結果に基づいて基板1に対してフィルム3を相対的に移動させ、図4に示すように、欠陥部2aの上方にフィルム3の孔3aを位置決めしてフィルム3と基板1が対峙した状態にし、その後、フィルム3を下降させて基板1の表面に置く。なお、フィルム3をU字形状にし、U字形状の下端が基板1に付着するようにフィルム3を下降して、フィルム3を基板1の表面に置いてもよい。フィルム3と基板1とが接する面は、密着した状態にはなく、基板1の表面にフィルム3が置かれて付着している状態にある。
次に、図5(a)(b)に示すように、フィルム3をマスクとして孔3aを介して欠陥部2aに修正ペースト7を塗布する。図5(a)(b)は図2のV−V線断面を示したものであり、特に図5(a)は電極2が基板1表面に埋没した例を示し、図5(b)は電極2が基板1の表面上に突出した例を示し、既に孔3aの上部から修正ペースト7が塗布された状態を表している。
図6(a)〜(c)は、修正ペースト7の塗布方法を例示する図である。図6(a)の方法では、塗布針10の先端部に修正ペースト7を付着させ、その塗布針10の先端面10aで孔3aを閉蓋するようにして修正ペースト7を欠陥部2aに塗布する。図6(b)の方法では、マイクロディスペンサ11を用いて修正ペースト7を孔3aに充填することにより修正ペースト7を欠陥部2aに塗布する。図6(c)の方法では、塗布ノズル12の先端を孔3aの一方端から他方端に移動させながら、霧状にした修正ペースト7を塗布ノズル12の先端から噴出することにより、修正ペースト7を欠陥部2aに塗布する。また、図示しないが、インクジェットのようにノズルから修正ペースト7の液滴を孔3a内に飛ばすことにより、修正ペースト7を欠陥部2aに塗布してもよい。修正ペースト7としては、金、銀などの金属ナノ粒子を用いた金属ナノペーストや金属錯体溶液、金属コロイドを用いる。また、修正ペースト7としては、孔3aを修正ペースト7で満たすことができるような流動性を有するものを使用することが好ましい。
次に、修正ペースト7の仕様に合わせて紫外線硬化処理あるいは加熱硬化処理を施し、その後でフィルム3を基板1から剥離する。図7(a)は修正済みの基板1の平面図であり、図7(b)は図7(a)のVIIB−VIIB線断面図である。図7(a)(b)に示すように、欠陥部2aを覆うように修正層7aが形成されて修正作業が完了する。なお、必要があれば、フィルム3を剥離した状態で、修正層7aを局所加熱して本焼成を行なうか、あるいは、基板1全体を炉に入れて本焼成を行ってもよい。
このような工程で欠陥部2aの修正が行われるが、孔3aの大きさによっては、塗布された修正ペースト7が基板1とフィルム3との隙間に毛細管現象で吸い込まれ、孔3aよりも広い範囲(図7(a)において2点鎖線で囲まれた範囲A)に渡って基板1を汚染する場合も想定される。
図8(a)(b)は、孔3aの短軸長Swとフィルム3の厚さFtの大小関係と基板1の汚染との関係を説明するための図である。図8(a)では、フィルム3の厚さFtよりも孔3aの短軸長Swの方が大きく、Ft<Swの関係にある。この状態で孔3aに修正ペースト7が塗布されると、修正ペースト7は孔3aの内部P(十字ハッチング部)に流れてから、欠陥部2aに充填される。このとき、孔3aの壁面3bは短軸に比べて低いため、孔3aの内部Pに修正ペースト7を留める力(付着力)が弱い。この付着力は、フィルム3と基板1との隙間に作用する毛細管現象による吸引力に負け、修正ペースト7が隙間に吸い込まれて基板1上に広がる傾向がある。
図8(b)では、フィルム3の厚さFtよりも孔3aの短軸長Swの方が小さく、Ft>Swの関係にある。この状態で孔3aに修正ペースト7が塗布されると、修正ペースト7は3aの内部P(十字ハッチング部)に流れてから、欠陥部2aに充填される。このとき、孔3aの壁面3bは短軸に比べて高いため、孔3aの内部Pに修正ペースト7を留める力(付着力)がより強くなる。この付着力は、フィルム3と基板1との隙間に作用する毛細管現象による吸引力に負けることなく、修正ペースト7が隙間に吸い込まれることを防止する。Ft>Swを実現するためには、フィルム3の膜厚を厚くする、あるいは、孔3aの短軸を狭くすることで対応可能である。
このように、フィルム3の厚さFtと孔3aの短軸長Swとの関係をFt>Swにすることにより、修正ペースト7を孔3a内に保持する力を強くすることができるので、孔3aに塗布された修正ペースト7がフィルム3と基板1との隙間に吸い込まれることを防止して、孔3aとほぼ同じ形状の修正層7aを形成することができる。このとき、フィルム3は基板1に密着させるのではなく、基板1上に置くだけであってもよい。
フィルム3の孔3aの寸法は、修正ペースト7の表面張力や粘度、基板1やフィルム3の濡れ性に依存し、修正の安定性を増すためには、Ft/2>Swのようにする方が好ましい。
なお、塗布針10で修正ペースト7を塗布する場合、1回の塗布で孔3aに修正ペースト7を充填できるように、孔3aの長軸長Slは、塗布針10の先端面10aに収まる範囲に設定するのが好ましい。換言すると、孔3aの開口部よりも大きな先端面10aを有する塗布針10を使用し、修正ペースト7が付着した先端面10aで孔3aの開口部を閉蓋するようにして塗布針10の先端面10aをフィルム3の表面に1回のみ接触させることにより、修正ペースト7を欠陥部2aに塗布する。これにより、修正ペースト7がフィルム3と基板1の隙間に広がることを軽減することができる。これに対して、長軸長Slよりも小さな先端面10aの塗布針10を使用し、塗布針10の位置をずらしながら複数回塗布すると、修正ペースト7が孔3aから基板1側に押し込まれ、孔3aの周りに修正ペースト7が広がる場合があり、好ましくない。
以上の方法によれば、細線パターンを容易に形成することができるため、たとえば、液晶パネルのTFT(薄膜トランジスタ)パネルの電極修正のように、10μm以下のパターン形成が必要な場所への応用も可能となる。また、電極以外では、液晶カラーフィルタのブラックマトリックスは高精細化に伴い線幅が20μmを切っており、この修正にも適用可能となる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
この発明の一実施の形態によるパターン修正方法の修正対象の基板を示す図である。 図1に示した基板の上にフィルムを置いた状態を示す図である。 図2に示したフィルムに孔を開ける方法を示す図である。 図2に示した基板にフィルムを対峙させた状態を示す断面図である。 図2に示したフィルムの孔を介して欠陥部に修正ペーストを塗布した状態を示す断面図である。 修正ペーストの塗布方法を例示する図である。 欠陥部の修正が終了した状態を示す図である。 図2に示したフィルムの孔の寸法と基板の汚染との関係を説明するための断面図である。
符号の説明
1 基板、2 電極、2a オープン欠陥部、3 フィルム、3a 孔、3b 壁面、4 レーザ部、5 観察光学系、6 遮蔽板、7 修正ペースト、7a 修正層、10 塗布針、10a 先端面、11 マイクロディスペンサ、12 塗布ノズル。

Claims (6)

  1. 基板上に形成された微細パターンの欠陥部をフィルムで覆い、該フィルムの孔を介して前記欠陥部に修正液を塗布するパターン修正方法において、
    前記欠陥部を前記フィルムで覆う前に、前記フィルムに第1のレーザ光を照射して前記孔を開け、前記フィルムの前記孔を含む範囲に前記第1のレーザ光よりも低パワーの第2のレーザ光を照射して前記孔の周りに付着した異物を除去し、 前記フィルムの前記孔の開口部の幅は前記フィルムの厚みよりも小さいことを特徴とする、パターン修正方法。
  2. 基板上に形成された微細パターンの欠陥部をフィルムで覆い、該フィルムの孔を介して前記欠陥部に修正液を塗布するパターン修正方法において、
    前記基板に対して前記フィルムを相対的に移動させ、前記フィルムの前記孔を前記欠陥部の上方に位置合わせした後、前記フィルムを下降させて前記欠陥部を覆い、
    前記フィルムの前記孔の開口部の幅は前記フィルムの厚みよりも小さいことを特徴とする、パターン修正方法。
  3. 基板上に形成された微細パターンの欠陥部をフィルムで覆い、該フィルムの孔を介して前記欠陥部に修正液を塗布するパターン修正方法において、
    前記孔の開口部よりも大きな先端面を有する塗布針の先端部に前記修正液を付着させ、前記塗布針の先端面で前記孔の開口部を閉蓋するようにして前記塗布針の先端面を前記フィルムの表面に1回のみ接触させることにより、前記修正液を前記欠陥部に塗布し、
    前記フィルムの前記孔の開口部の幅は前記フィルムの厚みよりも小さいことを特徴とする、パターン修正方法。
  4. 基板上に形成された微細パターンの欠陥部をフィルムで覆い、該フィルムの孔を介して前記欠陥部に修正液を塗布するパターン修正装置において、
    前記欠陥部を前記フィルムで覆う前に、前記フィルムに第1のレーザ光を照射して前記孔を開け、前記フィルムの前記孔を含む範囲に前記第1のレーザ光よりも低パワーの第2のレーザ光を照射して前記孔の周りに付着した異物を除去し、
    前記フィルムの前記孔の開口部の幅は前記フィルムの厚みよりも小さいことを特徴とする、パターン修正装置。
  5. 基板上に形成された微細パターンの欠陥部をフィルムで覆い、該フィルムの孔を介して前記欠陥部に修正液を塗布するパターン修正装置において、
    前記基板に対して前記フィルムを相対的に移動させ、前記フィルムの前記孔を前記欠陥部の上方に位置合わせした後、前記フィルムを下降させて前記欠陥部を覆い、
    前記フィルムの前記孔の開口部の幅は前記フィルムの厚みよりも小さいことを特徴とする、パターン修正装置。
  6. 基板上に形成された微細パターンの欠陥部をフィルムで覆い、該フィルムの孔を介して前記欠陥部に修正液を塗布するパターン修正装置において、
    前記孔の開口部よりも大きな先端面を有する塗布針の先端部に前記修正液を付着させ、前記塗布針の先端面で前記孔の開口部を閉蓋するようにして前記塗布針の先端面を前記フィルムの表面に1回のみ接触させることにより、前記修正液を前記欠陥部に塗布し、
    前記フィルムの前記孔の開口部の幅は前記フィルムの厚みよりも小さいことを特徴とする、パターン修正装置。
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JP2005317802A (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Lasertec Corp パターン基板の欠陥修正方法及び欠陥修正装置並びにパターン基板製造方法
JP3580550B1 (ja) * 2003-08-20 2004-10-27 レーザーテック株式会社 パターン基板の欠陥修正方法及び欠陥修正装置並びにパターン基板製造方法
JP4233967B2 (ja) * 2003-09-30 2009-03-04 シャープ株式会社 表示パネル駆動装置および表示装置

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