JP5051705B2 - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明に係る一態様は、液晶装置及び電子機器に関し、特にＯＣＢ（Optically Compensated Birefringence）モードを用いた液晶装置に関する。

ＯＣＢモードの液晶装置においては、一対の基板間に封入された液晶層は、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をも取りうるように構成される。そして、この液晶層は、初期状態ではスプレイ配向となっており、表示を行う際には、転移電圧を印加することによってベンド配向に転移させて使用する。このようなＯＣＢモードの液晶装置は、表示動作時にはベンド配向の曲がりの度合いで透過率を変調することによって表示を行うため、高速応答性を有するという利点がある。

図１８は、ＯＣＢモードの液晶装置の画素構造の例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＤ−Ｄ線における断面図である。この液晶装置における画素４４は、図１８（ｂ）に示すように、素子基板１０と、対向基板３０と、素子基板１０及び対向基板３０の間に配置された液晶層４０とを有している。素子基板１０には、図１８（ａ）に示すように、平行に配置された複数のゲート線１２と、複数のソース線１４とが形成され、ゲート線１２とソース線１４との交差に対応して、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子２０が形成されている。また、ＴＦＴ素子２０には、画素電極１６が電気的に接続されている。画素電極１６は、２本のゲート線１２と２本のソース線１４とに囲まれた領域に形成されている。画素電極１６と、ゲート線１２及びソース線１４との間には、平面視で間隔が設けられている。

液晶層４０をスプレイ配向からベンド配向へ転移させる場合には、まずゲート線１２と画素電極１６との間に転移電圧を印加する。このとき、液晶層４０には、ゲート線１２と画素電極１６とを結ぶ電気力線を有する、図１８（ｂ）に示すような電界Ｆが生じる。液晶層４０に含まれる液晶分子４０ａは、電界Ｆに従って配向方向を変え、ベンド配向へ転移しようとする。初期的には、ゲート線１２と画素電極１６との間の凹部６０又はその近傍に、ベンド配向の転移核が生じる。その後、画素電極１６と、対向基板３０上の共通電極３６との間で転移電圧を印加することにより、転移核を起点として画素電極１６上にベンド配向領域を広げることができる。こうして、スプレイ配向からベンド配向への転移が行われる。このような転移の方法は、例えば特許文献１に開示されている。

特開２００１−２９６５１９号公報

しかしながら、上記のような液晶装置の場合、転移核は、主に画素電極１６の外側の凹部６０の位置に生じる。この状態からベンド配向領域を画素電極１６上に広げるためには、凹部６０と画素電極１６との間の段差を超えて拡大させる必要があり、このためベンド配向領域が拡大しにくいという問題点がある。これに起因して、ベンド配向領域を画素電極１６上に拡大させるために高い転移電圧が必要とされ、ベンド配向への転移動作の際の消費電力が大きくなるという問題点がある。また、ベンド配向への転移に際しては、転移核に発生したベンド配向領域が画素電極１６上の全範囲に広がるまで転移電圧をかけ続ける必要があるが、ベンド配向領域が画素電極１６上の全範囲に広がるために必要な時間は、画素が大きいほど長くなる。このため、液晶装置の消費電力を低減させることを目的の１つとして、より低い転移電圧で、より短時間に転移を行うことが可能な液晶装置が求められている。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。

本発明に係る液晶装置は、第１の基板と、第１の基板に対向して配置された第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に配置された、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をも取りうる液晶層と、第２の基板の液晶層側に形成された共通電極と、第１の基板の液晶層側に、屈曲部を有して形成された複数のゲート線と、第１の基板の液晶層側に、平面視でゲート線に交差するように形成された複数のソース線と、第１の基板の液晶層側に、ゲート線とソース線との交差に対応して形成されたスイッチング素子と、スイッチング素子に電気的に接続されるとともに、第１の基板の液晶層側に、隣り合う２本のゲート線に対応してゲート線の屈曲部を含む形状に沿って延在する少なくとも２つの辺を有して形成され、２本のゲート線のうち、スイッチング素子を介して当該画素電極と電気的に接続されていないゲート線の屈曲部において、平面視で当該ゲート線の幅方向の一部にのみ重なっている画素電極と、を備え、液晶層は、スプレイ配向状態においてゲート線と画素電極との間に転移電圧が印加されると、ゲート線と画素電極の境界近傍にベンド配向の転移核が発生し、次に画素電極と共通電極との間に転移電圧が印加されると、転移核を起点としてベンド配向領域が広がり、ベンド配向状態に転移される。

このような構成によれば、ゲート線と、これに一部が重なる画素電極との間に転移電圧を印加した際に、重なりがない場合に比べて第１の基板の法線方向の成分を多く有する電界が液晶層に生じる。また、この電界は、電極間距離が近いことに起因して強度が大きくなる。こうした電界によれば、液晶層において、より容易にベンド配向の転移核を発生させることができる。すなわち、より低い転移電圧でベンド配向の転移核を発生させることができる。また、上記構成によれば、ゲート線の屈曲部においてゲート線と画素電極とが一部重なるため、この領域においては、ゲート線と、画素電極との間に隙間ができず、凹部が形成されることがない。このため、転移電圧を印加した際に転移核が上記凹部に嵌るようなことがなく、ベンド配向領域を画素電極上に容易に広げることができる。よって、より低い転移電圧でベンド配向領域を広げることができる。なお、本明細書において、「転移電圧」とは、液晶層をスプレイ配向からベンド配向へ転移させるための電圧をいう。また、「平面視」とは、第１の基板の法線方向から見ることをいう。

また、画素電極は、当該画素電極自身と電気的に接続されていないゲート線に一部が重なる。このため、当該重なりによって寄生容量が生じたとしても、表示に与える影響を低く抑えることができる。また、画素電極と重なるゲート線の数、又は重なる面積を限定することで、当該重なりによって生じる寄生容量を低減させることができる。

また、ゲート線と画素電極との間に転移電圧を印加した際に、屈曲部の近傍に容易に転移核を発生させることができる。よって、より低い転移電圧でベンド配向への転移を行うことができる。

上記液晶装置は、第１の基板の液晶層側のうち、少なくとも平面視で屈曲部に沿った領域に形成された反射膜と、第２の基板の液晶層側のうち、平面視で反射膜と重なる領域に形成された液晶層厚調整層と、を備えるとしてもよい。

このような構成によれば、転移電圧の印加により、反射膜及び液晶層厚調整層の形成された領域、又はその近傍に転移核が発生する。ここで、反射膜が形成された領域の液晶層の厚さは、反射膜の形成されない領域の液晶層の厚さより、液晶層厚調整層の厚さの分だけ小さくなる。このため、反射膜が形成された領域では、転移電圧による電界強度が大きくなり、ベンド配向領域が短時間に拡大する。よって、上記構成によれば、反射膜形成領域に沿って短時間でベンド配向領域を拡大することができる。

上記液晶装置は、画素電極は、少なくとも対向する２辺が、ゲート線の屈曲部に沿って屈曲しており、反射膜及び液晶層厚調整層は、平面視で画素電極の対向する２辺を繋ぐ領域に一繋がりに形成されているとしてもよい。

このような構成によれば、画素電極の対向する２辺から画素電極の中央部に至るまで、液晶層の厚さの小さい領域が一繋がりに設けられることとなる。このため、上記２辺の近傍で発生した転移核を起点に、画素電極の中央部まで短時間でベンド配向領域を広げることができる。

上記液晶装置は、反射膜及び液晶層厚調整層は、画素電極の屈曲した辺から離れるにつれて幅が増大する部分を有しているとしてもよい。

このような構成によれば、画素電極の上記対向する２辺から中央部へ向けて拡大するベンド配向領域は、中央部付近では、上記２辺に平行な速度成分を有して拡大する。これにより、ベンド配向領域は、反射膜及び液晶層厚調整層の形成されていない領域においても上記の速度成分を有して拡大するため、短時間でベンド配向領域を広げることができる。

上記液晶装置は、反射膜及び液晶層厚調整層は、画素電極の中央部において放射状に広がる領域に形成されているとしてもよい。

このような構成によれば、画素電極の上記対向する２辺から中央部へ向けて拡大するベンド配向領域は、反射膜及び液晶層厚調整層が放射状に広がる部分においては、当該部分の延在方向に沿った種々の速度成分を有して拡大する。これにより、ベンド配向領域は、反射膜及び液晶層厚調整層の形成されていない領域においても上記の速度成分を有して拡大するため、短時間でベンド配向領域を広げることができる。

また、上記液晶装置を備える電子機器が提供される。

このような構成によれば、液晶装置を、短時間で、又は低い消費電力でベンド配向モードへ転移させることが可能な電子機器が得られる。

以下、図面を参照し、液晶装置及び電子機器の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。

（第１の実施形態）
＜Ａ．液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置１の構成を示しており、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線における断面図である。液晶装置１は、スイッチング素子としてＴＦＴ素子２０（図４）を用いたアクティブマトリクス型の液晶装置であるとともに、ＯＣＢモードの液晶装置である。液晶装置１は、枠状のシール剤４１を介して対向して貼り合わされた素子基板１０及び対向基板３０を有している。素子基板１０、対向基板３０、シール剤４１によって囲まれた空間には、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をも取りうる液晶層４０が封入されている。素子基板１０は、対向基板３０より大きく、一部が対向基板３０に対して張り出した状態で貼り合わされている。この張り出した部位には、液晶層４０を駆動するためのドライバＩＣ４２が実装されている。

液晶装置１は、液晶層４０が封入された表示領域４３において表示を行う。液晶層４０は、初期的には図２（ａ）に示すようなスプレイ配向となっており、表示を行う際には、図２（ｂ）に示すようなベンド配向に転移させて使用する。スプレイ配向からベンド配向への転移は、液晶層４０に転移電圧を印加することによって行う。ベンド配向においては、液晶層４０に含まれる液晶分子４０ａが弓なりに並んでおり、その弓なり形状の曲がりの度合いを変えることで透過率を変調して表示を行う。

図３は、表示領域４３の拡大平面図である。この図に示すように、液晶装置１は、赤、緑、青に対応した画素４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ（以下では、対応する色を区別しない場合には単に画素４４とも呼ぶ）を多数有している。画素４４は、マトリクス状に配置されており、ある列に配置される画素４４の色はすべて同一である。換言すれば、画素４４は、対応する色がストライプ状に並ぶように配置されている。隣り合う画素４４の間の領域には、遮光層３４が形成されている。また、行方向に並んだ隣り合う３つの画素４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂからなる画素群が、表示の最小単位（ピクセル）となる。液晶装置１は、各画素群において、画素４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂの輝度バランスを調節することによって、種々の色の表示を行うことができる。

＜Ｂ．等価回路＞
図４は、液晶装置１の表示領域４３における各種素子、配線等の等価回路図である。表示領域４３においては、複数のゲート線１２と複数のソース線１４とが交差するように形成されている。画素４４は、ゲート線１２とソース線１４との交差に対応して設けられており、画素４４ごとに画素電極１６が形成されている。また、ゲート線１２に沿って、容量線１５が形成されており、画素電極１６と容量線１５との間に補助容量１５ａが形成されている。

ゲート線１２とソース線１４との交差に対応する位置には、画素電極１６への通電制御を行うための、スイッチング素子としてのＴＦＴ素子２０が形成されている。ＴＦＴ素子２０のソース端子には、ソース線１４が電気的に接続されている。ＴＦＴ素子２０のゲート端子には、ゲート線１２が電気的に接続されている。ＴＦＴ素子２０のドレイン端子には、画素電極１６が電気的に接続されている。

液晶装置１は、このような回路構成により、表示を行う際には次のように動作する。なお、液晶装置１におけるスプレイ配向からベンド配向への転移動作については後述する。

各ソース線１４には、画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍが供給される。ゲート線１２には、所定のタイミングでパルス的、又は連続的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｎが供給される。そして、ゲート線１２からＴＦＴ素子２０のゲート端子に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｎが供給され、ＴＦＴ素子２０がオン状態となると、所定のタイミングでソース線１４から供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍが、ＴＦＴ素子２０を介して画素電極１６に印加される。

画素電極１６に印加された所定のレベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍと、共通電極３６（図５（ｂ））の電位とで定まる電圧が駆動電圧となり、液晶層４０に印加される。上記駆動電圧は、液晶層４０の容量及び補助容量１５ａにより一定時間保持される。液晶層４０に駆動電圧が印加されると、印加された電圧レベルに応じて液晶分子４０ａの配向状態が変化する。これによって、液晶層４０に入射された光が変調されて階調表示が可能となる。

＜Ｃ．断面構造＞
図５は、画素４４の構成を示す図であり、（ａ）は対向基板３０側から見たときの平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ１−Ｂ１線における断面図である。図６は、図５（ａ）中のＣ−Ｃ線における断面図である。以下では、これらの図を参照して、画素４４の構成について説明する。

図６に示すように、素子基板１０は、第１の基板としての基板１１を基体として構成される。基板１１としては、ガラス基板や石英基板等を用いることができる。基板１１の液晶層４０側には、ゲート線１２と容量線１５が形成されている。基板１１と、ゲート線１２及び容量線１５との間には、さらに酸化シリコン（ＳｉＯ₂）等からなる絶縁層が設けられていてもよい。ゲート線１２の上層には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）等からなる層間絶縁層２３を挟んで半導体層２０ａが形成されている。半導体層２０ａは、例えばアモルファスシリコンやポリシリコン等から構成することができる。また、半導体層２０ａに一部が重なる状態で、ソース電極２０ｓとドレイン電極２０ｄが形成されている。ソース電極２０ｓは、ソース線１４（図５（ａ））と一体で形成することができる。半導体層２０ａ、ソース電極２０ｓ、ドレイン電極２０ｄ、ゲート線１２等からＴＦＴ素子２０が構成される。ゲート線１２は、ＴＦＴ素子２０のゲート電極２０ｇの役割を兼ねる。ゲート線１２（ゲート電極２０ｇ）、ソース電極２０ｓ、ドレイン電極２０ｄ、ソース線１４、容量線１５は、例えば、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも１つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、あるいは導電性ポリシリコン等から構成することができる。

ＴＦＴ素子２０の上層には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）等からなる層間絶縁層２４を挟んで画素電極１６が形成されている。画素電極１６は、層間絶縁層２４に設けられたコンタクトホール２１を介してＴＦＴ素子２０のドレイン電極２０ｄに電気的に接続されている。画素電極１６は、例えば透光性を有するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から構成することができる。画素電極１６は、容量線１５と対向しており、容量線１５との間で補助容量１５ａ（図４）を構成する。画素電極１６上には、ポリイミドからなる配向膜（不図示）が形成されている。素子基板１０は、基板１１から配向膜までの要素により構成される。

対向基板３０は、第２の基板としての基板３１を基体として構成される。基板３１としては、ガラス基板や石英基板等を用いることができる。基板３１の液晶層４０側には、カラーフィルタ３２が形成されている。カラーフィルタ３２は、赤、緑、青の各色に対応する３種の色要素を含んで構成され、これらの色要素はそれぞれ画素４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂに配置されている。また、カラーフィルタ３２と同一の層には、遮光層３４（図３）が形成されている。

カラーフィルタ３２上には、ＩＴＯからなる共通電極３６が形成されている。共通電極３６は、表示領域４３（図１）の略全体にわたって形成されている。共通電極３６上には、ポリイミドからなる配向膜（不図示）が形成されている。対向基板３０は、基板３１から配向膜までの要素により構成される。

素子基板１０と対向基板３０との間には、上述のように液晶層４０が配置されている。素子基板１０及び対向基板３０の配向膜は、いずれも平面視でゲート線１２に沿う方向（図５（ａ）における横方向）にラビング処理がなされている。これにより、液晶層４０に含まれる液晶分子４０ａは、電圧非印加時にはゲート線１２に沿う方向に配向する。したがって、液晶層４０は電圧非印加時には平行配向となっている。液晶層４０には、一般的なネマチック液晶を用いることができる。例えば、液晶層４０の厚さは５μｍ、液晶分子４０ａのΔｎは０．１５とすることができる。

素子基板１０、対向基板３０の外側には、それぞれ図示しない偏光板が配置されている。この２つの偏光板の透過軸は、相互に略直交するように配置されるとともに、配向膜のラビング処理の方向（すなわちゲート線１２の延在方向）と略４５度の角度をなすように配置されている。なお、偏光板と、素子基板１０又は対向基板３０との間に、必要に応じて位相差板を配置してもよい。位相差板としては、λ／４板、又はλ／２板及びλ／４板を組み合わせたものを用いることができる。さらに、偏光板と、素子基板１０又は対向基板３０との間に、必要に応じて光学補償フィルムを配置してもよい。この光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させてなる負の一軸性媒体（例えば、富士写真フィルム製のＷＶフィルム）、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させてなる正の一軸性媒体（例えば、新日本石油製のＮＨフィルム）等を使用可能であり、また負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせて使用することも可能である。その他、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体や、負のＣ−Ｐｌａｔｅ等を使用してもよい。

さらに、素子基板１０の外側には、光源、リフレクタ、導光板等を有するバックライト（不図示）が設置されている。

＜Ｄ．平面構造＞
図５（ａ）には、上記の構成要素のうち、素子基板１０に含まれる要素の平面的な配置が示されている。複数のゲート線１２は、互いに並行するように配置されており、複数のソース線１４も、互いに並行するように配置されている。ゲート線１２とソース線１４とは、平面視で互いに交差するように配置され、本実施形態では略直交するように配置されている。

画素電極１６は、隣り合う２本のゲート線１２に沿って延在する２つの辺と、隣り合う２本のソース線１４に沿って延在する２つの辺とを有して形成されている。また、画素電極１６は、隣り合う２本のゲート線１２と隣り合う２本のソース線１４とによって囲まれた領域に配置されている。

ここで、ゲート線１２は、Ｖ字形状の屈曲部５２を有している。また、画素電極１６の辺のうち、ゲート線１２に沿う辺は、ゲート線１２の屈曲部５２に沿ってＶ字形状に屈曲している。そして、画素電極１６は、屈曲部５２を含む部位において、平面視でゲート線１２の一部に重なるように、ゲート線１２の方向に張り出すように形成されている。

＜Ｅ．転移動作＞
以上の構成を有する液晶装置１は、次のように動作させることによって、液晶層４０をスプレイ配向からベンド配向へ転移させることができる。

まず、第１の工程では、ゲート線１２と画素電極１６との間に転移電圧を印加する。この転移電圧は、例えば５Ｖの交流の矩形波とすることができ、印加時間は例えば０．５秒とする。この工程は、ゲート線１２へ転移のための信号を印加するとともに、ＴＦＴ素子２０をオン状態とした状態でソース線１４に転移のための信号を印加することで当該信号を画素電極１６へ供給することにより行われる。

図５（ｂ）には、このときに液晶層４０に生じる電界Ｅ及び液晶分子４０ａの挙動が示されている。この図のように、ゲート線１２と画素電極１６とが重なっている領域においては、ゲート線１２と画素電極１６とが至近距離に位置しているため、ゲート線１２と画素電極１６との間に、基板１１の法線方向（以下では縦方向とも呼ぶ）の成分を多く有する電界Ｅが生じる。例えば、電界Ｅは、ゲート線１２と画素電極１６との間に重なりのない従来の液晶装置における電界Ｆ（図１８）に比べて、縦方向の成分を多く有している。そして、液晶分子４０ａは、電界Ｅの方向に沿って配向方向を変える。この際、電界Ｅが縦方向の成分を多く有しているため、液晶分子４０ａも縦方向に配向方向を変えようとする。液晶分子４０ａがこうした挙動をとるときには、スプレイ配向からベンド配向への転移が起こりやすい。このため、電界Ｅが生じることにより、液晶層４０に容易にベンド配向の転移核を発生させることができる。すなわち、第１の工程において、低い転移電圧でベンド配向の転移核を発生させることができる。

ここで、転移核が発生する位置（図５（ａ），（ｂ）中の転移核発生位置５０）は、平面視でゲート線１２と画素電極１６の境界の近傍に分布する。

続く第２の工程では、画素電極１６と共通電極３６との間に転移電圧を印加する。この転移電圧は、例えば５Ｖの交流の矩形波とすることができる。この工程においては、画素電極１６上の液晶層４０に、基板１１の法線方向の成分を有する電界（縦電界）が生じる。この電界により画素電極１６上の広い範囲で液晶分子４０ａが駆動される。この結果、第１の工程において発生した転移核を起点として、ベンド配向領域が画素電極１６上に広がっていく。ベンド配向領域は、例えば図５（ａ），（ｂ）中で転移核発生位置５０を起点にして描かれた矢印で示した方向に沿って広がっていく。

ここで、転移核発生位置５０は、上記したように平面視でゲート線１２と画素電極１６の境界の近傍に位置するため、転移核の少なくとも一部は画素電極１６上にかかって発生する。よって、転移核を起点としてベンド配向領域が画素電極１６上へ広がる際に、ベンド配向領域は大きな段差を越える必要がない。このため、ベンド配向領域を容易に広げることができ、ひいては低い転移電圧でベンド配向領域を画素電極１６上に広げることができる。

また、ゲート線１２と画素電極１６とが重なっている領域においては、ゲート線１２と画素電極１６との間に平面視で隙間ができず、ゲート線１２と画素電極１６との間に凹部が形成されることがないため、転移核がこのような凹部に嵌って当該凹部の外に広がりにくくなるようなことがない。このため、ベンド配向領域を容易に広げることができ、ひいてはより低い転移電圧でベンド配向領域を画素電極１６上に広げることができる。

以上のように、本実施形態によれば、第１の工程において、低い転移電圧でベンド配向の転移核を発生させることができ、第２の工程において、低い転移電圧でベンド配向領域を広げることができる。このため、液晶装置１において、スプレイ配向からベンド配向への転移に要する消費電力を低減させることができる。また、表示動作に用いる駆動回路として、より低耐圧仕様の駆動回路を利用することができる。

＜Ｆ．第１の実施形態の変形例＞
第１の実施形態は、ゲート線１２と画素電極１６とが一部重なる構成であるが、これに代えて、ソース線１４と画素電極１６とが一部重なる構成としてもよい。この場合には、転移動作の第１の工程においては、ソース線１４と画素電極１６との間に転移電圧を印加する。また、ソース線１４に屈曲部を設け、画素電極１６の辺を当該屈曲部に沿って屈曲させることが好ましい。

あるいは、画素電極１６を、ゲート線１２及びソース線１４のいずれにも重ねる構成としてもよい。この場合には、ゲート線１２及びソース線１４に屈曲部を設け、画素電極１６の辺を当該屈曲部に沿って屈曲させることが好ましい。

また、図５（ａ）では、ゲート線１２と画素電極１６とが重なる部分の幅が、ゲート線１２の幅の１割から２割程度に描かれているが、これに限定する趣旨ではなく、どのような幅で重なっていてもよい。例えば、重なる部分の幅がほとんどなく、画素電極１６の辺とゲート線１２の外形線とが平面視で実質的に一致するような場合であっても、本実施形態の効果を得ることができる。

上記において、屈曲部の数は、画素電極１６の１つの辺につき１つでもよいし、２つ以上としてもよい。２つ以上とすれば、より多くの位置で転移核を発生させることができる。

なお、ゲート線１２及びソース線１４に屈曲部がない構成とすることもできる。この場合でも、ゲート線１２又はソース線１４と画素電極１６とが一部重なっていることにより、ベンド配向への転移をより低い転移電圧で行うことが可能となる。

（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態について説明する。本実施形態は、ゲート線１２と画素電極１６の平面視での相対的な位置関係が第１の実施形態と異なり、その他の点は第１の実施形態と同様である。

図７は、本実施形態に係る液晶装置１における画素４４の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ２−Ｂ２線における断面図である。図７（ａ）に示すように、画素電極１６ａは、画素電極１６ａを挟んで配置されている２本のゲート線１２ａ，１２ｂのうち、ＴＦＴ素子２０を介して当該画素電極１６ａと電気的に接続されていないゲート線１２ｂの一部にのみ平面視で重なっている。すなわち、図７（ａ）において、画素電極１６ａは、当該画素電極１６ａの上側に配置されたゲート線１２ｂに一部が重なっており、当該画素電極１６ａの下側に配置されたゲート線１２ａには重なっていない。このうち、画素電極１６ａと重なっているゲート線１２ｂは、当該画素電極１６ａとは電気的に接続されていない。このため、当該重なりによって寄生容量が生じたとしても、表示に与える影響を低く抑えることができる。

また、図７（ｂ）に示すように、ゲート線１２ａは、当該ゲート線１２ａを挟む２つの画素電極１６ａ，１６ｂのうち、片方の画素電極１６ｂにのみ平面視で重なっている。このように、ゲート線１２と画素電極１６とが重なる面積を限定することで、当該重なりによって生じる寄生容量を低減させることができる。

そして、ゲート線１２と画素電極１６とが重なっている部位においては、第１の実施形態と同様に、低い転移電圧でベンド配向の転移核を発生させることができ、また低い転移電圧でベンド配向領域を広げることができる。このため、スプレイ配向からベンド配向への転移に要する消費電力を低減させることができる。また、表示動作に用いる駆動回路として、より低耐圧仕様の駆動回路を利用することができる。

ゲート線１２と画素電極１６とを平面視で重ねることは、寄生容量の増加を招くという作用ももたらすため従来行われてこなかったが、本実施形態の構成によれば、寄生容量の影響を抑えながら、当該重なりによる利点、すなわち転移の容易化という効果を享受することができる。

（第３の実施形態）
続いて、第３の実施形態について説明する。本実施形態は、ゲート線１２、ソース線１４、画素電極１６の平面視での形状及びこれらの相対的な位置関係が第２の実施形態と異なり、その他の点は第２の実施形態と同様である。

図８は、本実施形態に係る液晶装置１における画素４４の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ３−Ｂ３線における断面図である。図８（ａ）に示すように、本実施形態では、ゲート線１２に屈曲部がなく、ソース線１４ａ，１４ｂにＶ字状の屈曲部５２が設けられている。画素電極１６ａは、ソース線１４ａ，１４ｂに沿う辺がソース線１４ａ，１４ｂの屈曲部５２に沿ってＶ字状に屈曲しており、ゲート線１２に沿う辺は屈曲していない。また、ソース線１４ａ，１４ｂは、画素電極１６ａの１つの辺に対して２つの屈曲部５２を有している。転移動作の際には、第１の工程において、ソース線１４ａと画素電極１６ａとの間に転移電圧を印加する。

画素電極１６ａは、画素電極１６ａを挟んで配置されている２本のソース線１４ａ，１４ｂのうち、ＴＦＴ素子２０を介して当該画素電極１６ａと電気的に接続されていないソース線１４ｂの一部にのみ平面視で重なっている。すなわち、図８（ａ）において、画素電極１６ａは、当該画素電極１６ａの右側に配置されたソース線１４ｂに一部が重なっており、当該画素電極１６ａの左側に配置されたソース線１４ａには重なっていない。このうち、画素電極１６ａと重なっているソース線１４ｂは、当該画素電極１６ａとは電気的に接続されていない。このため、当該重なりによって寄生容量が生じたとしても、表示に与える影響を低く抑えることができる。

また、図８（ｂ）に示すように、ソース線１４ｂは、当該ソース線１４ｂを挟む２つの画素電極１６ａ，１６ｂのうち、片方の画素電極１６ａにのみ平面視で重なっている。このように、ソース線１４と画素電極１６とが重なる面積を限定することで、当該重なりによって生じる寄生容量を低減させることができる。

そして、ソース線１４と画素電極１６とが重なっている部位においては、第１の実施形態と同様に、低い転移電圧でベンド配向の転移核を発生させることができ、また低い転移電圧でベンド配向領域を広げることができる。このため、スプレイ配向からベンド配向への転移に要する消費電力を低減させることができる。また、表示動作に用いる駆動回路として、より低耐圧仕様の駆動回路を利用することができる。

＜第３の実施形態の変形例＞
第３の実施形態は、第２の実施形態と組み合わせて実施してもよい。すなわち、ゲート線１２及びソース線１４にいずれも屈曲部を形成し、画素電極１６の辺を、これらの屈曲部に沿って屈曲させる。転移動作の際には、第１の工程において、ゲート線１２と画素電極１６との間、及びソース線１４と画素電極１６との間に転移電圧を印加する。そして、画素電極１６は、当該画素電極１６と電気的に接続されていないゲート線１２及びソース線１４と一部が重なるように配置する。このような構成によれば、より多くの位置で転移核が発生し、より容易にベンド配向への転移を行うことができる。

（第４の実施形態）
続いて、第４の実施形態について説明する。本実施形態は、第１の実施形態に変更を加えたものであり、以下では、主に第１の実施形態と異なる部分を説明する。その他の部分については、第１の実施形態と同様である。

図９は、本実施形態に係る液晶装置１における画素４４の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ４−Ｂ４線における断面図である。図９（ａ）に示すように、画素電極１６は、平面視でゲート線１２及びソース線１４に沿って延在する辺を有し、平面視でゲート線１２及びソース線１４とは重なっていない。ゲート線１２は、Ｖ字状の屈曲部５２を有しており、画素電極１６は、ゲート線１２に沿う辺が、屈曲部５２に沿ってＶ字状に屈曲している。

そして、平面視でゲート線１２の屈曲部５２に沿った領域には、アルミニウムからなる反射膜１８が形成されている。本実施形態では、画素電極１６の配置領域のうち、ゲート線１２に沿う２辺に沿った領域に反射膜１８が形成されている。図９（ｂ）に示すように、反射膜１８は、基板１１の液晶層４０側に形成されている。より詳しくは、例えば層間絶縁層２４と画素電極１６との間に形成することができる。画素電極１６が配置された領域のうち、反射膜１８が配置された領域は、反射表示に寄与する反射表示領域となり、反射膜１８が配置されない領域は、透過表示に寄与する透過表示領域となる。反射表示領域では、対向基板３０側から入射した光を反射膜１８で反射させて表示を行う。透過表示領域では、素子基板１０側から入射した光を対向基板３０側へ透過させて表示を行う。

また、基板３１の液晶層４０側のうち、少なくとも平面視で反射膜１８と重なる領域には、液晶層厚調整層３５が形成されている。したがって、液晶層厚調整層３５は、反射表示領域に少なくとも配置されている。液晶層厚調整層３５は、透光性を有する樹脂等から構成することができ、例えばカラーフィルタ３２と共通電極３６との間の層に形成することができる。液晶層厚調整層３５は、反射表示領域における液晶層４０の厚さが、透過表示領域における液晶層４０の厚さよりも薄くなるように厚さが調整されている。反射表示領域における液晶層４０の厚さを透過表示領域における液晶層４０の厚さの１／２にした場合、反射表示領域における液晶層４０の厚さは、約２．５μｍとなる。こうすることにより、反射表示領域と透過表示領域との間で、入射光が液晶層４０内を通過する距離を略等しくすることができる。このため、反射表示と透過表示の光学条件を、高品位な表示が得られる状態に設定することができる。また、液晶層厚調整層３５は、図９（ｂ）に示すように、平面視で反射膜１８と重なる領域のみならず、ゲート線１２を挟んで対向する２つの反射膜１８形成領域に挟まれた領域にも配置されている。

このような構成において転移動作を行う場合には、まず第１の工程において、ゲート線１２と画素電極１６との間に転移電圧を印加する。これにより、平面視でゲート線１２と画素電極１６の間の位置（図９（ａ），（ｂ）中の転移核発生位置５０）又はその近傍に、ベンド配向の転移核が発生する。その後、第２の工程において、画素電極１６と共通電極３６との間に転移電圧を印加することにより、転移核を画素電極１６上の全体に広げていく。ここで、転移核発生位置５０又はその近傍には、液晶層厚調整層３５が配置されているため、液晶層４０の厚さ、すなわち画素電極１６と共通電極３６との間の距離が小さくなっている。よって、上記第２の工程において液晶層４０に生じる電界強度は、液晶層厚調整層３５がない場合と比較して大きくなる。このため、第２の工程において、液晶層厚調整層３５が配置された領域に沿ってベンド配向領域を速く広げることができる。あるいは、低い転移電圧でベンド配向領域を広げることができる。このため、スプレイ配向からベンド配向への転移に要する消費電力を低減させることができる。また、表示動作に用いる駆動回路として、より低耐圧仕様の駆動回路を利用することができる。ベンド配向領域を画素電極１６上により速く広げるためには、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５を画素電極１６の中央付近にまで延設することが好ましい。

＜第４の実施形態の変形例＞
上記実施形態は、画素電極１６のうちゲート線１２に隣接する２辺に沿った領域にいずれも反射膜１８及び液晶層厚調整層３５を配置する構成であるが、上記２辺のうち１辺に沿った領域にのみ配置する構成であってもよい。

また、上記実施形態は、ゲート線１２に屈曲部５２を設け、屈曲部５２に沿った領域に反射膜１８及び液晶層厚調整層３５を配置する構成であるが、これに代えて、ソース線１４に屈曲部を設け、その屈曲部に沿った領域に反射膜１８及び液晶層厚調整層３５を配置する構成であってもよい。あるいは、ゲート線１２及びソース線１４にいずれも屈曲部を形成し、これらの屈曲部に沿って反射膜１８及び液晶層厚調整層３５を配置してもよい。

また、ゲート線１２及びソース線１４に屈曲部がない構成とすることもできる。この場合でも、ゲート線１２又はソース線１４に沿った領域に反射膜１８及び液晶層厚調整層３５を配置することにより、液晶層４０に生じる電界強度を大きくすることができ、ベンド配向への転移をより低い転移電圧でより速く行うことが可能となる。

また、図９（ｂ）では、透光性を有する画素電極１６と反射膜１８とが平面視で重なっている構成が描かれているが、画素電極１６を、反射膜１８の配置領域を除いた領域に配置する構成としてもよい。この場合は、画素電極１６と反射膜１８とを電気的に接続することにより、反射膜１８の形成領域も画素電極として用いることができる。すなわち、画素電極１６と反射膜１８とからなる複合画素電極を画素電極として用いることができる。本実施形態における画素電極は、本変形例における上記複合画素電極を含む。よって、本実施形態において、「画素電極１６」を上記複合画素電極に読み替えることができ、本変形例の構成によっても本実施形態と同様の作用及び効果を得ることができる。

また、液晶層厚調整層３５は、平面視で反射膜１８の形成領域と重ならない領域には必ずしも形成されていなくてもよい。例えば、本実施形態では、ゲート線１２を挟んで対向する２つの反射膜１８形成領域に挟まれた領域にも液晶層厚調整層３５が配置されているが、この領域に液晶層厚調整層３５が配置されていない場合であっても、液晶層厚調整層３５が形成されている領域に沿って、ベンド配向領域を低い転移電圧で、あるいは短時間で広げることができる。

（第５の実施形態）
続いて、第５の実施形態について説明する。本実施形態は、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５の平面視での形状及び配置位置が第４の実施形態と異なり、その他の点は第４の実施形態と同様である。

図１０は、本実施形態に係る液晶装置１における画素４４の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ５−Ｂ５線における断面図である。図１０（ａ）に示すように、本実施形態では、画素電極１６の辺のうちゲート線１２に沿った対向する２辺が、ゲート線１２のＶ字状の屈曲部５２に沿って屈曲しており、反射膜１８は、平面視で上記対向する２辺を繋ぐ領域に一繋がりに形成されている。また、液晶層厚調整層３５（図１０（ｂ））は、平面視で反射膜１８と重なる領域に少なくとも形成されている。したがって、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５は、平面視で図１０（ａ）における画素電極１６の上側の辺と下側の辺のうち、屈曲した部分を繋ぐような領域に配置されている。また、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５は、画素電極１６の上記２辺（すなわち屈曲した辺）から離れるにつれて幅が増大する部分を有している。反射膜１８及び液晶層厚調整層３５は、一例では、図１０（ａ）に示すように、画素電極１６の周辺に近い部分では幅が狭く、画素電極１６の中央部に近付くにつれて幅が広くなる部分を有する構成とすることができる。すなわち、画素電極１６の中央部ほど幅広になる構成とすることができる。なお、液晶層厚調整層３５は、図１０（ｂ）に示すように、平面視で反射膜１８と重なる領域のみならず、ゲート線１２を挟んで対向する２つの反射膜１８形成領域に挟まれた領域にも配置されている。

転移動作時において、ベンド配向領域は、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５の形成された領域では、液晶層４０の厚さが小さいことに起因して速く広がっていく。このため、本実施形態の構成によれば、ベンド配向領域を画素電極１６の中央部まで短時間で広げることができる。また、ベンド配向領域は、画素電極１６のうち幅が広い部分では、その幅広な部分に沿って拡大しようとする。したがって、画素電極１６のゲート線１２に沿った辺の近傍から画素電極１６の中央部へ向けて拡大するベンド配向領域は、中央部付近では、上記の辺に平行な速度成分（すなわちゲート線１２に平行な速度成分）を有して拡大する。ベンド配向領域の広がる軌跡の一例は、図１０（ａ）中の矢印で示されている。これにより、ベンド配向領域は、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５の形成されていない領域において広がる場合にも、上記の速度成分を有して拡大する。このため、ベンド配向領域を画素電極１６上の全体に短時間で広げることができる。

（第６の実施形態）
続いて、第６の実施形態について説明する。本実施形態は、ゲート線１２、ソース線１４、画素電極１６、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５の平面視での形状及び配置位置が第５の実施形態と異なり、その他の点は第５の実施形態と同様である。

図１１は、本実施形態に係る液晶装置１における画素４４の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ６−Ｂ６線における断面図である。図１１（ａ）に示すように、本実施形態では、ゲート線１２に屈曲部がなく、ソース線１４にＶ字状の屈曲部５２が設けられている。画素電極１６は、ソース線１４に沿う辺がソース線１４の屈曲部５２に沿ってＶ字状に屈曲しており、ゲート線１２に沿う辺は屈曲していない。このため、転移動作の際には、第１の工程において、ソース線１４と画素電極１６との間に転移電圧を印加する。

反射膜１８は、画素電極１６のうちソース線１４に沿った２辺のうち屈曲した部分を繋ぐ領域に配置されている。また、液晶層厚調整層３５（図１１（ｂ））は、平面視で反射膜１８と重なる領域に少なくとも形成されている。反射膜１８及び液晶層厚調整層３５は、画素電極１６の周辺に近い部分では幅が狭く、画素電極１６の中央部に近付くにつれて幅が広くなるような部分を有している。すなわち、画素電極１６の中央部ほど幅広になっている。なお、液晶層厚調整層３５は、図１１（ｂ）に示すように、平面視で反射膜１８と重なる領域のみならず、ゲート線１２を挟んで対向する２つの反射膜１８形成領域に挟まれた領域にも配置されている。

こうした構成によっても、転移動作時において、ベンド配向領域を画素電極１６の中央部まで短時間で広げることができる。また、画素電極１６のソース線１４に沿った辺の近傍から画素電極１６の中央部へ向けて拡大するベンド配向領域は、中央部付近では、上記の辺に平行な速度成分（すなわちソース線１４に平行な速度成分）を有して拡大する。ベンド配向領域の広がる軌跡の一例は、図１１（ａ）中の矢印で示されている。これにより、ベンド配向領域は、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５の形成されていない領域において広がる場合にも、上記の速度成分を有して拡大する。このため、ベンド配向領域を画素電極１６上の全体に短時間で広げることができる。

＜第６の実施形態の変形例＞
第６の実施形態は、第５の実施形態と組み合わせて実施してもよい。すなわち、ゲート線１２及びソース線１４にいずれも屈曲部を形成し、画素電極１６の辺を、これらの屈曲部に沿って屈曲させる。転移動作の際には、第１の工程において、ゲート線１２と画素電極１６との間、及びソース線１４と画素電極１６との間に転移電圧を印加する。そして、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５は、画素電極１６のうち２本のゲート線１２に沿った辺の屈曲した部分を繋ぐような領域と、２本のソース線１４に沿った辺の屈曲した部分を繋ぐような領域とに形成する。すなわち、画素電極１６の上下左右の辺を十字に繋ぐような領域に形成する。このような構成によれば、より多くの位置で転移核が発生し、より容易にかつ短時間でベンド配向への転移を行うことができる。

（第７の実施形態）
続いて、第７の実施形態について説明する。本実施形態は、ゲート線１２と、画素電極１６、反射膜１８、液晶層厚調整層３５との平面視での相対位置が第４の実施形態と異なり、その他の点は第４の実施形態と同様である。

図１２は、本実施形態に係る液晶装置１における画素４４の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ７−Ｂ７線における断面図である。図１２（ａ）に示すように、ゲート線１２は、Ｖ字形状の屈曲部５２を有している。また、画素電極１６の辺のうち、ゲート線１２に沿う辺は、ゲート線１２の屈曲部５２に沿ってＶ字形状に屈曲している。そして、画素電極１６は、屈曲部５２を含む部位において、平面視でゲート線１２の一部に重なるように、ゲート線１２の方向に張り出すように形成されている。したがって、反射膜１８も、平面視でゲート線１２に一部が重なるように配置されている。

このような構成によれば、第４の実施形態における効果に加えて、第１の実施形態における効果も得ることができる。すなわち、ゲート線１２と画素電極１６との間に転移電圧を印加した際に、液晶層４０には、縦方向の成分を多く有する電界が生じる。このため、スプレイ配向からベンド配向への転移が行われやすく、転移核発生位置５０により容易に転移核が発生する。また、ゲート線１２と画素電極１６とが重なっている領域においては、転移核の少なくとも一部は画素電極１６上にかかって発生する。よって、ベンド配向領域は、転移核を起点としてベンド配向領域が画素電極１６上へ広がる際に、大きな段差を越える必要がない。こうした特徴により、より低い転移電圧でベンド配向領域を画素電極１６上に広げることができる。さらに、転移核発生位置５０又はその近傍では、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５が配置されて、液晶層４０の厚さが小さくなっている。このため、転移電圧による電界強度が大きくなり、ベンド配向領域を低い転移電圧で短時間に広げることができる。

（第８の実施形態）
続いて、第８の実施形態について説明する。本実施形態は、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５の平面視での形状及び配置位置が第７の実施形態と異なり、その他の点は第７の実施形態と同様である。

図１３は、本実施形態に係る液晶装置１における画素４４の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ８−Ｂ８線における断面図である。図１３（ａ）に示すように、本実施形態では、画素電極１６の辺のうちゲート線１２に沿った対向する２辺が、ゲート線１２の屈曲部５２に沿ってＶ字状に屈曲しており、反射膜１８は、平面視で上記対向する２辺を繋ぐ領域に一繋がりに形成されている。また、液晶層厚調整層３５（図１３（ｂ））は、平面視で反射膜１８と重なる領域に少なくとも形成されている。したがって、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５は、平面視で図１３（ａ）における画素電極１６の上側の辺と下側の辺のうち、屈曲した部分を繋ぐような領域に配置されている。また、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５は、画素電極１６の上記２辺（すなわち屈曲した辺）から離れるにつれて幅が増大する部分を有している。反射膜１８及び液晶層厚調整層３５は、一例では、図１３（ａ）に示すように、画素電極１６の周辺に近い部分では幅が狭く、画素電極１６の中央部に近付くにつれて幅が広くなる部分を有する構成とすることができる。すなわち、画素電極１６の中央部ほど幅広になる構成とすることができる。なお、液晶層厚調整層３５は、図１３（ｂ）に示すように、平面視で反射膜１８と重なる領域のみならず、ゲート線１２を挟んで対向する２つの反射膜１８形成領域に挟まれた領域にも配置されている。

上記構成によれば、転移動作時において、ベンド配向領域を画素電極１６の中央部まで短時間で広げることができる。また、画素電極１６のうちゲート線１２に沿った辺の近傍から画素電極１６の中央部へ向けて拡大するベンド配向領域は、中央部付近では、上記の辺に平行な速度成分（ゲート線１２に平行な速度成分）を有して拡大する。ベンド配向領域の広がる軌跡の一例は、図１３（ａ）中の矢印で示されている。これにより、ベンド配向領域は、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５の形成されていない領域において広がる場合にも、上記の速度成分を有して拡大する。このため、ベンド配向領域を画素電極１６上の全体に短時間で広げることができる。

また、ゲート線１２と画素電極１６とが一部重なっているため、より低い転移電圧で転移核を発生させることができ、より容易にベンド配向領域を広げることができる。

（第９の実施形態）
続いて、第９の実施形態について説明する。本実施形態は、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５の平面視での形状及び配置位置が第８の実施形態と異なり、その他の点は第８の実施形態と同様である。

図１４は、本実施形態に係る液晶装置１における画素４４の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ９−Ｂ９線における断面図である。図１４（ａ）に示すように、本実施形態では、反射膜１８は、画素電極１６の、ゲート線１２に沿った対向する２辺の屈曲した部分を繋ぐような領域に配置されているとともに、画素電極１６の中央部近傍においては、これと交差する方向に伸びる領域にも配置されている。また、液晶層厚調整層３５（図１４（ｂ））は、平面視で反射膜１８と重なる領域に少なくとも形成されている。より詳しくは、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５は、上記２辺の屈曲した部分を繋ぐ、ソース線１４に平行な方向（図１４（ａ）中の上下方向）に伸びる帯状の領域と、中央部でこれに交差する、ゲート線１２に平行な方向（図１４（ａ）中の左右方向）に伸びる帯状の領域とに配置されている。換言すれば、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５は、画素電極１６の中央部近傍において十字の形状の領域に形成されている。本実施形態は、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５が、画素電極１６の屈曲した辺から離れるにつれて幅が増大する部分を有している構成の一態様である。なお、液晶層厚調整層３５は、図１４（ｂ）に示すように、平面視で反射膜１８と重なる領域のみならず、ゲート線１２を挟んで対向する２つの反射膜１８形成領域に挟まれた領域にも配置されている。

このような構成によれば、転移動作時において、ベンド配向領域を画素電極１６の中央部まで短時間で広げることができる。また、画素電極１６のうちゲート線１２に沿った辺の近傍から画素電極１６の中央部へ向けて拡大するベンド配向領域は、反射膜１８の形成領域に沿ってソース線１４に平行な速度成分を有して広がる。そして、画素電極１６の中央部付近では、これと交差する、ゲート線１２に平行な帯状の領域に沿った速度成分を有して広がる。ベンド配向領域の広がる軌跡の一例は、図１４（ａ）中の矢印で示されている。よって、ベンド配向領域は、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５の形成されていない領域において広がる場合にも、上記の速度成分を有して拡大する。このため、ベンド配向領域を画素電極１６上の全体に短時間で広げることができる。

また、ゲート線１２と画素電極１６とが一部重なっているため、より低い転移電圧で転移核を発生させることができ、より容易にベンド配向領域を広げることができる。

（第１０の実施形態）
続いて、第１０の実施形態について説明する。本実施形態は、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５の平面視での形状及び配置位置が第８の実施形態と異なり、その他の点は第８の実施形態と同様である。

図１５は、本実施形態に係る液晶装置１における画素４４の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ１０−Ｂ１０線における断面図である。図１５（ａ）に示すように、本実施形態では、反射膜１８は、画素電極１６の、ゲート線１２に沿った対向する２辺の屈曲した部分を繋ぐような領域に配置されているとともに、画素電極１６の中央部近傍においては、放射状に広がる領域に形成されている。また、液晶層厚調整層３５（図１５（ｂ））は、平面視で反射膜１８と重なる領域に少なくとも形成されている。より詳しくは、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５は、上記２辺の屈曲した部分を繋ぐ、ソース線１４に平行な方向（図１５（ａ）中の上下方向）に伸びる帯状の領域と、中央部でこれに交差する、２つの帯状の領域とに配置されている。ここで、ソース線１４に平行な帯状の領域と、これに交差する２つの帯状の領域とは、延在方向が６０度の角度をなしている。したがって、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５の配置領域は、画素電極１６の中央部付近では「＊」の形をなしており、帯状の領域の交点を起点として６方向に放射状に広がっている。なお、液晶層厚調整層３５は、図１５（ｂ）に示すように、平面視で反射膜１８と重なる領域のみならず、ゲート線１２を挟んで対向する２つの反射膜１８形成領域に挟まれた領域にも配置されている。

このような構成によれば、転移動作時において、ベンド配向領域を画素電極１６の中央部まで短時間で広げることができる。また、画素電極１６のうちゲート線１２に沿った辺の近傍から画素電極１６の中央部へ向けて拡大するベンド配向領域は、反射膜１８の形成領域に沿ってソース線１４に平行な速度成分を有して広がる。そして、画素電極１６の中央部付近では、これと交差する放射状の速度成分を有して広がる。本実施形態では、ソース線１４の延在方向に対して６０度の角度をなす方向の速度成分を有して広がる。ベンド配向領域の広がる軌跡の一例は、図１５（ａ）中の矢印で示されている。よって、ベンド配向領域は、反射膜１８及び液晶層厚調整層３５の形成されていない領域において広がる場合にも、上記の速度成分を有して拡大する。このため、ベンド配向領域を画素電極１６上の全体に短時間で広げることができる。

また、ゲート線１２と画素電極１６とが一部重なっているため、より低い転移電圧で転移核を発生させることができ、より容易にベンド配向領域を広げることができる。

（電子機器）
上述した液晶装置１は、例えば、携帯電話機等の電子機器に搭載して用いることができる。図１６は、電子機器としての携帯電話機１００の斜視図である。携帯電話機１００は、表示部１１０及び操作ボタン１２０を有している。表示部１１０は、内部に組み込まれた液晶装置１によって、操作ボタン１２０で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について、表示を行うことができる。このような構成の電子機器は、液晶装置１を、短時間で、又は低い消費電力でベンド配向モードへ転移させることができる。また、表示動作に用いる駆動回路として、より低耐圧仕様の駆動回路を利用することができる。

なお、液晶装置１は、上記携帯電話機１００の他、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器等の各種電子機器に用いることができる。また、液晶装置１は、プロジェクタ等の投写型表示装置にライトバルブとして組み込んで用いることができる。

以上、種々の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、例えば以下のような変形を加えることが可能である。

（変形例１）
ゲート線１２又はソース線１４に設けられる屈曲部５２の形状は、Ｖ字形状に限られず、例えば図１７に示すような矩形状の部分を含んでいてもよい。このような構成によっても、ゲート線１２又はソース線１４と画素電極１６との間に転移電圧を印加した際に、屈曲部５２の近傍において、容易に転移核を発生させることができる。

（変形例２）
上記第５の実施形態又は第６の実施形態において、さらに第９の実施形態又は第１０の実施形態の特徴を盛り込んでもよい。すなわち、平面視でゲート線１２又はソース線１４と画素電極１６とが重なっていない場合でも、画素電極１６の中央部近傍において、十字の形状の領域又は放射状に広がる領域に反射膜１８及び液晶層厚調整層３５を形成してもよい。このような構成によれば、転移動作時において、ベンド配向領域を画素電極１６上の全体により短時間で広げることができる。

液晶装置の構成を示しており、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線における断面図。 スプレイ配向及びベンド配向における液晶分子の配向状態を示す模式図。 表示領域の拡大平面図。 液晶装置の表示領域における各種素子、配線等の等価回路図。 画素の構成を示す図であり、（ａ）は対向基板側から見たときの平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ１−Ｂ１線における断面図。 図５（ａ）中のＣ−Ｃ線における断面図。 画素の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ２−Ｂ２線における断面図。 画素の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ３−Ｂ３線における断面図。 画素の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ４−Ｂ４線における断面図。 画素の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ５−Ｂ５線における断面図。 画素の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ６−Ｂ６線における断面図。 画素の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ７−Ｂ７線における断面図。 画素の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ８−Ｂ８線における断面図。 画素の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ９−Ｂ９線における断面図。 画素の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ１０−Ｂ１０線における断面図。 電子機器としての携帯電話機の斜視図。 変形例に係る画素の構成を示す平面図。 ＯＣＢモードの液晶装置の画素構造の例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＤ−Ｄ線における断面図。

符号の説明

１…液晶装置、１０…素子基板、１１…第１の基板、１２…ゲート線、１４…ソース線、１５…容量線、１６…画素電極、１８…反射膜、２０…スイッチング素子としてのＴＦＴ素子、２３，２４…層間絶縁層、３０…対向基板、３１…第２の基板、３２…カラーフィルタ、３４…遮光層、３５…液晶層厚調整層、３６…共通電極、４０…液晶層、４０ａ…液晶分子、４１…シール剤、４３…表示領域、４４…画素、５０…転移核発生位置、５２…屈曲部、１００…電子機器としての携帯電話機。

Claims (7)

1. 第１の基板と、
   前記第１の基板に対向して配置された第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置された、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をも取りうる液晶層と、
   前記第２の基板の前記液晶層側に形成された共通電極と、
   前記第１の基板の前記液晶層側に、屈曲部を有して形成された複数のゲート線と、
   前記第１の基板の前記液晶層側に、平面視で前記ゲート線に交差するように形成された複数のソース線と、
   前記第１の基板の前記液晶層側に、前記ゲート線と前記ソース線との交差に対応して形成されたスイッチング素子と、
   前記スイッチング素子に電気的に接続されるとともに、前記第１の基板の前記液晶層側に、隣り合う２本の前記ゲート線に対応して前記ゲート線の前記屈曲部を含む形状に沿って延在する少なくとも２つの辺を有して形成され、
   前記２本のゲート線のうち、前記スイッチング素子を介して当該画素電極と電気的に接続されていない前記ゲート線の前記屈曲部において、平面視で当該ゲート線の幅方向の一部にのみ重なっている画素電極と、を備え、
   前記液晶層は、スプレイ配向状態において前記ゲート線と前記画素電極との間に転移電圧が印加されると、前記ゲート線と前記画素電極の境界近傍にベンド配向の転移核が発生し、次に前記画素電極と前記共通電極との間に転移電圧が印加されると、前記転移核を起点としてベンド配向領域が広がり、ベンド配向状態に転移される、
   液晶装置。
2. 請求項１に記載の液晶装置であって、
   前記第１の基板の前記液晶層側のうち、少なくとも平面視で前記屈曲部に沿った領域に形成された反射膜と、
   前記第２の基板の前記液晶層側のうち、平面視で前記反射膜と重なる領域に形成された液晶層厚調整層と、を備える、液晶装置。
3. 請求項２に記載の液晶装置であって、
   前記画素電極は、少なくとも対向する２辺が、前記ゲート線の前記屈曲部に沿って屈曲しており、
   前記反射膜及び前記液晶層厚調整層は、平面視で前記画素電極の対向する２辺を繋ぐ領域に一繋がりに形成されている、液晶装置。
4. 請求項３に記載の液晶装置であって、
   前記反射膜及び前記液晶層厚調整層は、前記画素電極の屈曲した辺から離れるにつれて幅が増大する部分を有している、液晶装置。
5. 請求項３に記載の液晶装置であって、
   前記反射膜及び前記液晶層厚調整層は、前記画素電極の中央部において放射状に広がる領域に形成されている、液晶装置。
6. 請求項１又は２に記載の液晶装置であって、
   前記ソース線は屈曲部を有し、
   前記画素電極は、前記ソース線の前記屈曲部を含む形状に沿って延在する辺を有して形成され、前記ソース線の前記屈曲部において、平面視で当該ソース線の幅方向の一部にのみ重なり、
   前記液晶層は、スプレイ配向状態において前記ゲート線と前記画素電極との間とともに、前記ソース線と前記画素電極との間に転移電圧が印加される、液晶装置。
7. 請求項１から６のいずれか一項に記載の液晶装置を備える、電子機器。

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