JP5050725B2 - ビルドアッププリント配線基板の製造方法 - Google Patents
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〔電解めっき水溶液〕
硫酸 180g/L
硫酸銅 80g/L
添加剤(カパラシドGL、アトテックジャパン製) 1mL/L
〔電解めっき水溶液〕
電流密度 1A/dm2
時間 40分
温度 室温
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 180g/L
硫酸銅 80g/L
添加剤(カパラシドGL、アトテックジャパン製) 1mL/L
〔電解めっき水溶液〕
電流密度 1A/dm2
時間 40分
温度 室温
2 内層導体配線パターン
3 絶縁樹脂層
4 ビアホール
5 導体配線シード層(化学銅めっき)
6 めっきレジスト
7 外層導体配線パターン(電解銅めっき)
8 配線パターン
Claims (1)
- コア層の両面に所望の形状を有した内層導体配線パターンを設けた基板を準備し、
前記基板上の両面に所望の形状を有した絶縁樹脂層を形成し、
前記絶縁樹脂層に膨潤粗化処理を行い、前記絶縁樹脂層に凹凸を形成して、前記絶縁樹脂層の凹凸の表面を埋めるように、前記絶縁樹脂層上の両面に導体配線シード層を形成し、
前記導体配線シード層上の両面に所望の形状を有するめっきレジストを形成し、
所望の形状を有する前記めっきレジストの非形成部分に外層導体配線パターンを形成し、
エッチング液の温度における前記導体配線シード層と前記外層導体配線パターンとの腐蝕電位をそれぞれ別途測定しておき、前記導体配線シード層と前記外層導体配線パターンとを所望の形状に形成するために、選択的にエッチングを行う際、前記外層導体配線パターンの腐蝕電位が前記導体配線シード層の腐蝕電位より高いエッチング液の温度を有し、かつ前記外層導体配線パターンの腐蝕電位より低く、前記導体配線シード層の腐蝕電位より高い電位を前記外層導体配線パターン部分に電位を印加し、前記外層導体配線パターンから露出して形成される前記導体配線シード層部分をエッチングし、
前記導体配線シード層のエッチングが前記外層導体配線パターン直下まで終了した時点で、前記外層導体配線パターン及び前記導体配線シード層の腐蝕電位より低い電位を印加し、前記外層導体配線パターン外の絶縁樹脂表面の凹凸中に残った不要な前記導体配線シード層部分をエッチングアウトすることを特徴とするビルドアッププリント配線基板の製造方法。
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JP2007212691A JP5050725B2 (ja) | 2007-08-17 | 2007-08-17 | ビルドアッププリント配線基板の製造方法 |
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JP2009049116A JP2009049116A (ja) | 2009-03-05 |
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JP2001036217A (ja) * | 1999-07-21 | 2001-02-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法及びエッチング装置 |
JP2004335751A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プリント基板の製造方法 |
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