JP5048810B2 - 熱処理装置及び熱処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、被処理基板を平流し搬送しながら前記被処理基板に熱処理を施す熱処理装置及び熱処理方法に関する。
例えば、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の製造においては、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成することが行われている。
具体的には、ガラス基板等の被処理基板に所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するものである。
ところで近年、このフォトリソグラフィ工程では、スループット向上の目的により、被処理基板を略水平姿勢の状態で搬送しながら、その被処理面に対しレジストの塗布、乾燥、加熱、冷却処理等の各処理を施す構成が多く採用されている。
例えば、基板を加熱し、レジスト膜の乾燥や現像処理後の乾燥を行う熱処理装置では、特許文献１に開示されるように、基板を水平方向に平流し搬送しながら、搬送路に沿って配置されたヒータによって加熱処理する構成が普及している。
このような平流し搬送構造を有する熱処理装置にあっては、複数の基板を搬送路上に連続的に流しながら熱処理を行うことができるため、スループットの向上を期待することができる。
図１２（ａ）〜（ｄ）に一例を挙げて具体的に説明すると、図示する熱処理装置６０は、複数の搬送コロ６１が回転可能に敷設されてなる平流しの基板搬送路６２を備え、この基板搬送路６２に沿って熱処理空間を形成するチャンバ６５が設けられている。チャンバ６５には、スリット状の基板搬入口６５ａと基板搬出口６５ｂとが設けられている。
即ち、基板搬送路６２を搬送される基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，・・・）は、基板搬入口６５ａから連続的にチャンバ６５内に搬入されて所定の熱処理が施され、基板搬出口６５ｂから搬出されるようになっている。
チャンバ６５内には、基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，・・・）に対し予備加熱を行い、基板Ｇを所定温度まで昇温するプレヒータ部６３と、基板温度を維持するための主加熱を行うメインヒータ部６４とが連続して設けられている。
プレヒータ部６３は、各搬送コロ６１の間に設けられた下部ヒータ６６と、天井部に設けられた上部ヒータ６７とを備え、メインヒータ部６４は、各搬送コロ６１の間に設けられた下部ヒータ６９と、天井部に設けられた上部ヒータ７０とを備えている。
このように構成された熱処理装置６０にあっては、プレヒータ部６３において、基板Ｇを所定温度（例えば１００℃）まで加熱するために、下部ヒータ６６及び上部ヒータ６７が所定の設定温度（例えば１６０℃）となされる。
一方、メインヒータ部６４にあっては、プレヒータ部６３において加熱された基板Ｇの温度を維持し、熱処理を効率的に行うために、下部ヒータ６９及び上部ヒータ７０が所定の熱処理温度（例えば１００℃）とされる。
そして、図１２（ａ）〜（ｄ）に時系列に状態を示すように、ロット単位で複数の基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，・・・）が連続的に搬入口６５ａからプレヒータ部６３に搬入され、そこで各基板Ｇは所定温度（例えば１００℃）まで加熱される。
プレヒータ部６３において昇温された各基板Ｇは、続けてメインヒータ部６４に搬送され、そこで基板温度が維持されて所定の熱処理（例えば、レジスト中の溶剤を蒸発させる処理）が施され、搬出口６５ｂから連続して搬出される。
特開２００７−１５８０８８号公報
しかしながら、図１２（ａ）〜図１２（ｄ）に示した平流し搬送構造の熱処理装置にあっては、プレヒータ部６３による予備加熱後の基板温度が、基板Ｇの前部領域及び後部領域と、中央部の領域とで異なる傾向があった。
具体的には、基板Ｇの前部領域は、前方に続く基板面（輻射熱を吸収、反射する面）が無いため、下部ヒータ６６及び上部ヒータ６７による輻射熱をそれぞれ基板両面で受け、中央部領域よりも高温になっていた。
一方、基板Ｇの後部領域にあっては、後方に続く基板面（輻射熱を吸収、反射する面）が無いため、前部領域と同様に、下部ヒータ６６及び上部ヒータ６７による輻射熱をそれぞれ基板両面で受け、中央部領域よりも高温になっていた。
このため、プレヒータ部６３で昇温された基板Ｇに対しメインヒータ部６４において所定の加熱処理を施す際に、基板面内の温度ばらつきによって、配線パターンの線幅が不均一になるという課題があった。
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、被処理基板を平流し搬送しながら熱処理を施す熱処理装置において、基板面内における熱処理温度のばらつきを抑制し、基板面内における配線パターンの線幅をより均一化することのできる熱処理装置及び熱処理方法を提供する。
前記した課題を解決するために、本発明に係る熱処理装置は、平流し搬送される被処理基板に対し熱処理を施す熱処理装置であって、基板搬送路を形成し、前記被処理基板を前記基板搬送路に沿って平流し搬送する基板搬送手段と、前記基板搬送路の所定区間を覆うと共に、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対する熱処理空間を形成する第一のチャンバと、前記第一のチャンバ内を加熱可能な第一の手段と、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し所定温度に冷却されたエアを吹き付け、局所的に冷却可能な第二の手段と、前記第一のチャンバの前段に設けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板を検出する基板検出手段と、前記基板検出手段の検出信号が供給されると共に、前記第二の手段による冷却動作のオン／オフ切換を行う制御手段とを備え、前記制御手段は、前記基板検出手段の検出信号により被処理基板の搬送位置を取得し、基板搬送方向に沿って複数に分けられた被処理基板の領域ごとに、前記第二の手段による冷却動作のオン／オフ切換を行い、前記被処理基板は、前記第二の手段の冷却動作により、その前部領域及び後部領域の温度が、中央部領域の温度よりも低い状態となされ、更に前記第一の手段による加熱処理が施されることに特徴を有する。
或いは、前記した課題を解決するために、本発明に係る熱処理装置は、平流し搬送される被処理基板に対し熱処理を施す熱処理装置であって、基板搬送路を形成し、前記被処理基板を前記基板搬送路に沿って平流し搬送する基板搬送手段と、前記基板搬送路の所定区間を覆うと共に、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対する熱処理空間を形成する第一のチャンバと、前記第一のチャンバ内を加熱可能な第一の手段と、前記基板搬送路を搬送される被処理基板の下方に昇降移動可能な熱源を有し、前記熱源を被処理基板に近づけることにより前記被処理基板を局所的に加熱可能な第二の手段と、前記第一のチャンバの前段に設けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板を検出する基板検出手段と、前記基板検出手段の検出信号が供給されると共に、前記第二の手段が有する熱源の昇降移動を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記基板検出手段の検出信号により被処理基板の搬送位置を取得し、基板搬送方向に沿って複数に分けられた被処理基板の領域ごとに、前記第二の手段が有する熱源の昇降移動を制御し、前記被処理基板は、前記第二の手段の加熱動作により、その中央部領域の温度が、前部領域及び後部領域の温度よりも高い状態となされ、更に前記第一の手段による加熱処理が施されることに特徴を有する。
或いは、前記した課題を解決するために、本発明に係る熱処理装置は、平流し搬送される被処理基板に対し熱処理を施す熱処理装置であって、基板搬送路を形成し、前記被処理基板を前記基板搬送路に沿って平流し搬送する基板搬送手段と、前記基板搬送路の所定区間を覆うと共に、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対する熱処理空間を形成する第一のチャンバと、前記第一のチャンバ内を加熱可能な第一の手段と、前記基板搬送路を搬送される被処理基板の下方に設けられた熱源の上方に強制対流を形成することにより前記被処理基板を局所的に加熱可能な第二の手段と、前記第一のチャンバの前段に設けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板を検出する基板検出手段と、前記基板検出手段の検出信号が供給されると共に、前記第二の手段による強制対流形成動作のオン／オフ切換を行う制御手段とを備え、前記制御手段は、前記基板検出手段の検出信号により被処理基板の搬送位置を取得し、基板搬送方向に沿って複数に分けられた被処理基板の領域ごとに、前記第二の手段による強制対流形成動作のオン／オフ切換を行い、前記被処理基板は、前記第二の手段の加熱動作により、その中央部領域の温度が、前部領域及び後部領域の温度よりも高い状態となされ、更に前記第一の手段による加熱処理が施されることに特徴を有する。
以上のいずれの構成によっても、第一のチャンバ内における加熱処理の開始時において、被処理基板の前部領域及び後部領域は、その基板温度が中央部領域の温度よりも低い状態となされる。これにより、第一のチャンバでの加熱処理後における基板温度の目標値に対する必要昇温幅は、基板の前部領域及び後部領域において、中央部領域よりも大きくなる。
しかしながら、第一のチャンバにおいて、高温雰囲気中を搬送される基板にあっては、その前部領域及び後部領域の受ける熱量は、中央部領域の受ける熱量よりも大きい。そのため、第一のチャンバを搬出された際の基板の温度は、結果的に略面内均一となり、基板面内における温度ばらつきが抑制され、配線パターンの線幅をより均一化することができる。
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る熱処理方法は、被処理基板を基板搬送路に沿って平流し搬送し、所定温度に加熱された第一のチャンバ内に前記被処理基板を搬入すると共に、前記第一のチャンバ内に搬入された被処理基板に対し所定の熱処理を施す熱処理方法であって、前記基板搬送路を搬送される被処理基板を前記第一のチャンバへの搬入前に検出するステップと、前記被処理基板の検出により被処理基板の搬送位置を取得し、基板搬送方向に沿って分けられた被処理基板の前部領域と後部領域とに対し、所定温度に冷却されたエアを吹き付け、前記前部領域及び後部領域の温度が中央部領域の温度よりも低い状態とするステップと、前記所定温度に加熱された前記第一のチャンバ内において前記被処理基板に対し所定の加熱処理を施すステップとを含むことに特徴を有する。
或いは、前記した課題を解決するために、本発明に係る熱処理方法は、被処理基板を基板搬送路に沿って平流し搬送し、所定温度に加熱された第一のチャンバ内に前記被処理基板を搬入すると共に、前記第一のチャンバ内に搬入された被処理基板に対し所定の熱処理を施す熱処理方法であって、前記基板搬送路を搬送される被処理基板を前記第一のチャンバへの搬入前に検出するステップと、前記被処理基板の検出により被処理基板の搬送位置を取得し、基板搬送方向に沿って分けられた被処理基板の中央部領域に対し、昇降移動可能に設けられた熱源を上昇移動させて近づけ、前記中央部領域の温度が前部領域及び後部領域の温度よりも高い状態とするステップと、前記所定温度に加熱された前記第一のチャンバ内において前記被処理基板に対し所定の加熱処理を施すステップとを含むことに特徴を有する。
或いは、前記した課題を解決するために、本発明に係る熱処理方法は、被処理基板を基板搬送路に沿って平流し搬送し、所定温度に加熱された第一のチャンバ内に前記被処理基板を搬入すると共に、前記第一のチャンバ内に搬入された被処理基板に対し所定の熱処理を施す熱処理方法であって、前記基板搬送路を搬送される被処理基板を前記第一のチャンバへの搬入前に検出するステップと、前記被処理基板の検出により被処理基板の搬送位置を取得し、基板搬送方向に沿って分けられた被処理基板の中央部領域に対し、基板下方に設けられた熱源の上方に強制対流を形成することにより更に加熱し、前記中央部領域の温度が前部領域及び後部領域の温度よりも高い状態とするステップと、前記所定温度に加熱された前記第一のチャンバ内において前記被処理基板に対し所定の加熱処理を施すステップとを含むことに特徴を有する。
以上のいずれの方法によっても、第一のチャンバ内における加熱処理の開始時において、被処理基板の前部領域及び後部領域は、その基板温度が中央部領域の温度よりも低い状態となされる。これにより、第一のチャンバでの加熱処理後における基板温度の目標値に対する必要昇温幅は、基板の前部領域及び後部領域において、中央部領域よりも大きくなる。
しかしながら、第一のチャンバにおいて、高温雰囲気中を搬送される基板にあっては、その前部領域及び後部領域の受ける熱量は、中央部領域の受ける熱量よりも大きい。そのため、第一のチャンバを搬出された際の基板の温度は、結果的に略面内均一となり、基板面内における温度ばらつきが抑制され、配線パターンの線幅をより均一化することができる。
本発明によれば、被処理基板を平流し搬送しながら熱処理を施す熱処理装置において、基板面内における熱処理温度のばらつきを抑制し、基板面内における配線パターンの線幅を均一化することのできる熱処理装置及び熱処理方法を得ることができる。
図１は、本発明にかかる第一の実施形態の全体概略構成を示す断面図である。 図２は、本発明にかかる第一の実施形態の全体概略構成を示す平面図である。 図３は、図１の熱処理装置の動作の流れを示すフローである。 図４（ａ）〜（ｄ）は、図３のフローに対応する熱処理装置の動作を説明するための断面図である。 図５は、本発明にかかる第二の実施形態の一部概略構成を示す断面図である。 図６は、図５の熱処理装置の動作の流れを示すフローである。 図７（ａ）〜（ｄ）は、図６のフローに対応する熱処理装置の動作を説明するための断面図である。 図８は、本発明にかかる第二の実施形態の変形例であって、一部概略構成を示す断面図である。 図９は、本発明にかかる第二の実施形態の他の変形例であって、一部概略構成を示す断面図である。 図１０は、本発明にかかる第二の実施形態の他の変形例であって、一部概略構成を示す断面図である。 図１１は、図１０の熱処理装置の一部概略構成を示す平面図である。 図１２（ａ）〜（ｄ）は、従来の熱処理装置の課題を説明するための断面図である。
以下、本発明の熱処理装置にかかる実施形態を、図面に基づいて説明する。尚、この実施形態にあっては、熱処理装置を、被処理基板であるガラス基板（以下、基板Ｇと呼ぶ）に対し加熱処理する加熱処理ユニットに適用した場合を例にとって説明する。
また、以下の説明において用いる基板Ｇの前部（領域）とは、例えば基板全長に対して基板前端から四分の一程度（基板全長を２０００ｍｍとすれば５００ｍｍ）までの領域とし、基板Ｇの後部（領域）とは、基板全長に対して基板後端から四分の一程度までの領域とする。また、基板Ｇの中央部（領域）とは、前記基板Ｇの前部及び後部を除く領域とする。
図１は、加熱処理ユニット１の第一の実施形態に係る全体の概略構成を示す断面図、図２は、図１の加熱処理ユニット１の（平面方向の断面を示す）平面図である。
この加熱処理ユニット１は、図１、図２に示すように、回転可能に敷設された複数のコロ２０によって基板ＧをＸ方向に向かって搬送する基板搬送路２を具備する。この基板搬送路２に沿って、上流側から順に（Ｘ方向に向かって）、基板搬入部３と、予備加熱を行うプレヒータ部４と、主加熱を行うメインヒータ部５と、基板搬出部６とが配置されている。
基板搬送路２は、図２に示すようにＹ方向に延びる円柱状のコロ２０（基板搬送手段）を複数有し、それら複数のコロ２０は、Ｘ方向に所定の間隔をあけて、それぞれ回転可能に配置されている。また、基板搬入部３におけるコロ２０と、プレヒータ部４におけるコロ２０と、メインヒータ部５におけるコロ２０とは、それぞれ駆動系が独立して設けられている。具体的には、基板搬入部３における複数のコロ２０は、その回転軸２１の回転がベルト２２ａによって連動可能に設けられ、１つの回転軸２１がモータ等のコロ駆動装置１０ａに接続されている。
また、プレヒータ部４における複数のコロ２０は、その回転軸２１の回転がベルト２２ｂによって連動可能に設けられ、１つの回転軸２１がモータ等のコロ駆動装置１０ｂに接続されている。
また、メインヒータ部５における複数のコロ２０は、その回転軸２１の回転がベルト２２ｃによって連動可能に設けられ、１つの回転軸２１がモータ等のコロ駆動装置１０ｃに接続されている。
更に、基板搬出部６における複数のコロ２０は、その回転軸２１の回転がベルト２２ｄによって連動可能に設けられ、１つの回転軸２１がモータ等のコロ駆動装置１０ｄに接続されている。
尚、各コロ２０は、その周面が基板Ｇの全幅にわたって接するように設けられ、加熱された基板Ｇの熱が伝達しにくいように、外周面部が樹脂等の熱伝導率の低い材料、例えば、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）で形成されている。また、コロ２０の回転軸２１は、アルミニウム、ステンレス、セラミック等の高強度かつ低熱伝導率の材料で形成されている。
また、加熱処理ユニット１は所定の熱処理空間を形成するためのチャンバ８を備える。チャンバ８は、基板搬送路２の周りを覆う薄型の箱状に形成され、このチャンバ８内において、コロ搬送される基板Ｇに対しプレヒータ部４による予備加熱とメインヒータ部５による主加熱とが連続して行われる。尚、本実施形態においては、チャンバ８は、プレヒータ部４の熱処理空間を形成する第一のチャンバ８Ａと、この第一のチャンバ８Ａの後端から連続形成され、メインヒータ部５の熱処理空間を形成する第二のチャンバ８Ｂとからなるものとする。
図１に示すようにチャンバ８の前部側壁には、Ｙ方向に延びるスリット状の搬入口５１が設けられている。この搬入口５１を基板搬送路２上の基板Ｇが通過し、チャンバ８内に搬入されるように構成されている。
また、チャンバ８の後部側壁には、基板搬送路２上の基板Ｇが通過可能なＹ方向に延びるスリット状の搬出口５２が設けられている。即ち、この搬出口５２を基板搬送路２上の基板Ｇが通過し、チャンバ８から搬出されるように構成されている。
また、チャンバ８の上下左右の壁部は、互いに空間をあけて設けられた内壁１２及び外壁１３を備えた二重壁構造を有しており、内壁１２及び外壁１３の間の空間１４が、チャンバ８内外を断熱する空気断熱層として機能する。尚、外壁１３の内側面には、断熱材１５が設けられている。
また、図２に示すように、チャンバ８において、Ｙ方向に対向する（前記内壁１２と外壁１３とからなる）側壁には、軸受け１９が設けられ、その軸受け１９によって、基板搬送路２のコロ２０がそれぞれに回転可能に支持されている。
また、図１に示すようにチャンバ８において、搬入口５１付近の上壁部には排気口２５が設けられ、下壁部には排気口２６が設けられ、それぞれ排気量可変な排気装置３１，３２に接続されている。
さらに、チャンバ８の搬出口５２付近の上壁部には排気口２７が設けられ、下壁部には排気口２８が設けられ、それぞれ排気量可変な排気装置３３、３４に接続されている。
即ち、前記排気装置３１〜３４が稼働することにより排気口２５〜２８を介してチャンバ８内の排気が行われ、チャンバ内温度をより安定化させる構成となされている。
また、図１に示すようにプレヒータ部４は、基板搬送路２に沿ってチャンバ８内に配列された、複数の下部面状ヒータ１７及び上部面状ヒータ１８（第一の手段）を備える。これら下部面状ヒータ１７及び上部面状ヒータ１８は、それぞれに駆動電流が供給されることにより発熱する構成となされている。
下部面状ヒータ１７は、それぞれ短冊状のプレートからなり、各プレートは下方から基板Ｇを加熱するよう隣り合うコロ部材２０の間に敷設されている。
また、上部面状ヒータ１８は、それぞれ短冊状のプレートからなり、図１に示すように上方から基板Ｇを加熱するようチャンバ８の天井部に敷設されている。
また、下部面状ヒータ１７と上部面状ヒータ１８には、ヒータ電源３６により駆動電流が供給され、ヒータ電源３６は、コンピュータからなる制御部４０（制御手段）によって制御される。
一方、メインヒータ部５は、基板搬送路２に沿ってチャンバ８内に設けられた短冊状のプレートからなる下部面状ヒータ２３及び上部面状ヒータ２４（第三の手段）を備える。このうち、下部面状ヒータ２３は、基板Ｇの下方から加熱するよう隣り合うコロ部材２０の間に敷設され、上部面状ヒータ２４は、基板Ｇの上方から加熱するようチャンバ８の天井部に敷設されている。前記下部面状ヒータ２３と上部面状ヒータ２４には、ヒータ電源３９により駆動電流が供給され、ヒータ電源３９は制御部４０によって制御されるよう構成されている。
また、この加熱処理ユニット１にあっては、基板搬入部３の所定位置に、基板搬送路２を搬送される基板Ｇを検出するための基板検出センサ４５（基板検出手段）が設けられ、その検出信号を制御部４０に出力するようになされている。
この基板検出センサ４５は、例えばチャンバ８の搬入口５１より手前側に所定距離を空けて設けられ、センサ上を基板Ｇの所定箇所（例えば先端）が通過して所定時間の経過後に、基板Ｇが搬入口５１からチャンバ８内（プレヒータ部４）に搬入されるようになされている。
また、プレヒータ部４内において、基板搬入口５１の付近には、基板Ｇの下方から基板下面に対し、必要に応じて冷却されたエア（冷却エアと呼ぶ）を吹き付けるためのエアブローノズル４１（第二の手段）が設けられている。このエアブローノズル４１は、基板幅方向に沿って長いスリット状のノズル口４１ａを有し、このノズル口４１ａから一様な風力、且つ所定温度（例えば４０℃）の冷却エアを基板下面に吹き付け可能となされている。尚、この冷却エアを基板Ｇの所定領域に吹き付けることによって、その所定領域においては、（冷却エアが吹き付けられない他の領域のような）高速昇温が抑制される。
また、このエアブローノズル４１には、所定温度に冷却調整されたエアの供給源であるポンプ等からなるエア供給部４２（第二の手段）が接続され、その駆動制御（冷却動作のオン／オフ切換）は制御部４０によって行われる。
より具体的には、プレヒータ部４に搬入されてきた基板Ｇの前部領域、及び後部領域が、ノズル４１上方を通過する間のみ、冷却エアをノズル口４１ａから吹き出すように制御される。
これにより、プレヒータ部４において基板Ｇが加熱開始される際に、基板Ｇの前部領域及び後部領域に対してのみ冷却エアが吹き付けられ、加熱開始時における基板Ｇの前部領域及び後部領域の基板温度が、中央部領域よりも低い状態となされる。
また、チャンバ８内においてメインヒータ部５の中央領域には、このメインヒータ部５に搬入される基板Ｇに対し、例えば赤外線照射により非接触に基板温度の検出を行う基板温度検出センサ４６（基板温度検出手段）が設けられ、その検出信号を制御部４０に出力するようになされている。即ち、制御部４０は、基板温度検出センサ４６の出力に基づき、プレヒータ部４によって加熱された基板Ｇの温度を取得することができる。
続いて、このように構成された加熱処理ユニット１による熱処理工程について、更に図３、図４を用いて説明する。尚、図３は、加熱処理ユニット１のプレヒータ部４における動作制御の流れを示すフローであり、図４は、加熱処理ユニット１における基板搬送状態を示す断面図である。
先ず、ヒータ電源３６からの駆動電流の供給により、プレヒータ部４の下部面状ヒータ１７及び上部面状ヒータ１８の温度が予備加熱温度（例えば１６０℃）に設定される。また、ヒータ電源３９からの駆動電流の供給により、メインヒータ部５の下部面状ヒータ２３及び上部面状ヒータ２４の温度が、プレヒータ部４において加熱された基板Ｇの温度を維持するための熱処理温度（例えば１００℃）に設定される。
このヒータ温度の設定により、チャンバ８内の雰囲気はプレヒータ部４がメインヒータ部５よりも所定温度高い状態となされる。即ち、基板Ｇは、高温（１６０℃）の雰囲気となされたプレヒータ部４を通過することにより、その基板温度が所定の熱処理温度（例えば１００℃）まで昇温され、メインヒータ部５を通過する間、基板温度が維持される構成となされている。
前記のように基板搬入前においてチャンバ８内の雰囲気温度が調整された後、コロ駆動装置１０ａ〜１０ｄによりコロ２０の駆動がなされ、被処理基板である基板Ｇは所定速度（例えば５０ｍｍ／ｓｅｃ）で、基板搬入部３の基板搬送路２を搬送される。
そして、図４（ａ）に示すように基板検出センサ４５によって基板Ｇが検出されると（図３のステップＳ１）、制御部４０にその基板検出信号が供給される。
制御部４０は、前記基板検出信号と基板搬送速度とに基づいて、基板Ｇの搬送位置を取得（検出）開始する。そして、制御部４０は、図４（ａ）に示すように、基板Ｇがチャンバ８の搬入口５１からプレヒータ部４に搬入されるタイミングにおいて（図３のステップＳ２）、エア供給部４２を駆動し、エアブローノズル４１のノズル口４１ａから所定温度（例えば４０℃）の冷却エアを噴出する（図３のステップＳ３）。
これにより図４（ｂ）に示すように、プレヒータ部４に搬入された基板Ｇの下面に冷却エアが吹き付けられ、基板Ｇの前部領域が所定温度に冷却される。
即ち、基板Ｇの前部領域は、高速昇温が抑制され、その基板温度が基板Ｇの中央部領域を加熱する際の温度よりも低い状態から、プレヒータ部４において加熱処理が開始される。
また、制御部４０は、基板Ｇの中央部がプレヒータ部４に搬入され、エアブローノズル４１の直上部を通過するタイミングにおいて（図３のステップＳ４）、図４（ｃ）に示すようにエア供給部４２の駆動を停止し、エアブローノズル４１からのエア噴出を停止する（図３のステップＳ５）。
即ち、基板Ｇの中央部領域は、冷却される（高速昇温が抑制される）ことなく、プレヒータ部４において加熱処理が開始される。
また、制御部４０は、基板Ｇの後部領域がプレヒータ部４に搬入され、エアブローノズル４１の直上部を通過するタイミングにおいて（図３のステップＳ６）、エア供給部４２を駆動し、エアブローノズル４１のノズル口４１ａから冷却エアを噴出開始する（図３のステップＳ７）。
これにより図４（ｄ）に示すように、プレヒータ部４に搬入された基板後部の下面に冷却エアが吹き付けられ、基板Ｇの後部領域が冷却される。
即ち、基板Ｇの後部領域は、高速昇温が抑制され、その基板温度が基板Ｇの中央部領域を加熱する際の温度よりも低い状態から、プレヒータ部４において加熱処理が開始される。
また、制御部４０は、基板Ｇの全体がエアブローノズル４１の上方を通過すると（図３のステップＳ８）、エア供給部４２の駆動を停止し、エアブローノズル４１からのエア噴出を停止する（図３のステップＳ９）。
このようにプレヒータ部４を搬送される基板Ｇにあっては、所定のタイミングにおいてエアブローノズル４１により冷却エアが吹き付けられつつ所定温度（１００℃）まで加熱され、さらにメインヒータ部５に搬送されて所定の加熱処理が施される。
尚、前記ステップＳ３，７において、エアブローノズル４１から噴出する冷却エアの温度は、メインヒータ部５において基板温度検出センサ４６により検出した基板Ｇの中央部領域、前部領域及び後部領域の温度に基づき決定するのが好ましい。
以上のように、本発明に係る第一の実施形態によれば、プレヒータ部４における加熱処理の開始時において、基板Ｇの前部領域及び後部領域は、その基板温度が中央部領域の温度よりも低い状態となされる。これにより、プレヒータ部４での加熱処理後における基板温度の目標値（１００℃）に対する必要昇温幅は、基板Ｇの前部領域及び後部領域において、中央部領域よりも大きくなる。
しかしながら、プレヒータ部４において、所定温度（１６０℃）の高温雰囲気中を搬送される基板Ｇにあっては、その前部領域及び後部領域の受ける熱量は、中央部領域の受ける熱量よりも大きい。そのため、メインヒータ部５に搬送された際の基板Ｇの温度は、結果的に略面内均一となり、基板面内における温度ばらつきが抑制され、配線パターンの線幅をより均一化することができる。
尚、前記第一の実施の形態においては、基板Ｇの下方から基板下面に対し冷却エアを吹き付けるためのエアブローノズル４１を、プレヒータ部４内（チャンバ８内）の基板搬入口５１付近に設けたが、その構成に限定されるものではない。
即ち、プレヒータ部４における加熱処理が終了する前に、基板Ｇの前部領域及び後部領域に対し冷却エアを吹きつけ、その領域の基板温度を所定温度低下させる構成であればよく、例えば、エアブローノズル４１をプレヒータ部４内の下流側の位置に設けてもよい。
或いは、前記エアブローノズル４１をプレヒータ部４（チャンバ８）の外側の基板搬入口５１付近に設け、プレヒータ部４への基板搬入直前に、基板Ｇの前部領域及び後部領域に対して冷却エアを吹き付け、その領域の温度を所定温度（例えば１７℃）低下させるようにしてもよい。
続いて、本発明に係る熱処理装置の第二の実施形態について説明する。この第二の実施形態にあっては、前記した第一の実施形態に示したエアブローノズル４１及びエア供給部４２は具備せず、代わりに、例えば、図５に示すように、プレヒータ部４における搬入口５１側の下部面状ヒータ１７（図では２枚の下部面状ヒータ１７）を昇降移動させる機能を備える。
具体的には、図５に示すように基板搬入口５１側の２枚の下部面状ヒータ１７（熱源）は、それぞれ昇降軸４３（第二の手段）によって下方から支持され、昇降軸４３はボールねじ機構等からなる昇降駆動部４４（第二の手段）によって昇降移動するように構成される。また、昇降駆動部４４は、制御部４０によって駆動制御が行われる。
このように構成された加熱処理ユニット１による熱処理工程について、更に図６、図７を用いて説明する。尚、図６は、加熱処理ユニット１のプレヒータ部４における動作制御の流れを示すフローであり、図７は、加熱処理ユニット１における基板搬送状態を示す断面図である。
先ず、ヒータ電源３６からの駆動電流の供給により、プレヒータ部４の下部面状ヒータ１７及び上部面状ヒータ１８の温度が予備加熱温度（例えば１６０℃）に設定される。また、ヒータ電源３９からの駆動電流の供給により、メインヒータ部５の下部面状ヒータ２３及び上部面状ヒータ２４の温度が、プレヒータ部４において加熱された基板Ｇの温度を維持するための熱処理温度（例えば１００℃）に設定される。
このヒータ温度の設定により、前記第一の実施形態と同様に、チャンバ８内の雰囲気はプレヒータ部４がメインヒータ部５よりも所定温度高い状態となされる。
前記のように基板搬入前においてチャンバ８内の雰囲気温度が調整された後、コロ駆動装置１０ａ〜１０ｄによりコロ２０の駆動がなされ、被処理基板である基板Ｇは所定速度（例えば５０ｍｍ／ｓｅｃ）で、基板搬入部３の基板搬送路２を搬送される。
そして、図７（ａ）に示すように基板検出センサ４５によって基板Ｇが検出されると（図６のステップＳｔ１）、制御部４０にその基板検出信号が供給される。
制御部４０は、前記基板検出信号と基板搬送速度とに基づいて、基板Ｇの搬送位置を取得（検出）開始する。
そして、制御部４０は、基板Ｇがチャンバ８の搬入口５１からプレヒータ部４に搬入されるタイミングにおいて（図６のステップＳｔ２）、図７（ｂ）に示すように、搬入口５１側の２枚の下部面状ヒータ１７が下方に移動するよう昇降駆動部４４を制御する（図６のステップＳｔ３）。即ち、搬入口５１付近において、基板Ｇの前部領域から下部面状ヒータ１７が遠ざけられ、前部領域が受ける熱量が低い状態となされる。
また、制御部４０は、基板Ｇの中央部がプレヒータ部４に搬入されるタイミングにおいて（図６のステップＳｔ４）、図７（ｃ）に示すように、搬入口５１側の２枚の下部面状ヒータ１７が上方に移動するよう昇降駆動部４４を制御する（図６のステップＳｔ５）。即ち、搬入口５１付近において、基板Ｇの中央部領域に下部面状ヒータ１７が近づけられ、中央部領域が受ける熱量がより高い状態となされる。
更に、制御部４０は、基板Ｇの後部領域がプレヒータ部４に搬入されるタイミングにおいて（図６のステップＳｔ６）、図７（ｄ）に示すように、搬入口５１側の２枚の下部面状ヒータ１７が下方に移動するよう昇降駆動部４４を制御する（図６のステップＳｔ７）。即ち、搬入口５１付近において、基板Ｇの後部領域から下部面状ヒータ１７が遠ざけられ、後部領域が受ける熱量が低い状態となされる。
尚、前記ステップＳｔ３，５，７において、基板Ｇに対して昇降移動させる下部面状ヒータ１７の高さ（即ち、昇降可能な下部面状ヒータ１７が基板Ｇに対して与える熱量）は、メインヒータ部５において基板温度検出センサ４６により検出した基板Ｇの中央部領域、前部領域及び後部領域の温度に基づき決定するのが好ましい。
このようにプレヒータ部４を搬送される基板Ｇにあっては、基板搬入口５１付近において基板Ｇの中央部領域が受ける熱量が、前部領域及び後部領域が受ける熱量より高くなされる。即ち、プレヒータ部４での加熱開始時において、中央部領域の基板温度が、前部領域及び後部領域の温度よりも高い状態となされた後に、予備加熱が施され、基板全体が所定温度（１００℃）まで加熱される。
そして、プレヒータ部４において所定温度（１００℃）まで加熱された基板Ｇは、さらにメインヒータ部５に搬送されて所定の加熱処理が施される。
以上のように、本発明に係る第二の実施形態によれば、プレヒータ部４における加熱処理の開始時において、基板Ｇの中央部領域は、その基板温度が、前部領域及び後部領域の温度よりも高い状態となされる。これにより、プレヒータ部４での加熱処理後における基板温度の目標値（１００℃）に対する必要昇温幅は、基板Ｇの前部領域及び後部領域において、中央部領域よりも大きくなる。
しかしながら、プレヒータ部４において、所定温度（１６０℃）の高温雰囲気中を搬送される基板Ｇにあっては、その前部領域及び後部領域の受ける熱量は、中央部領域の受ける熱量よりも大きい。そのため、メインヒータ部５に搬送された際の基板Ｇの温度は、結果的に略面内均一となり、基板面内における温度ばらつきが抑制され、配線パターンの線幅をより均一化することができる。
尚、前記第二の実施形態においては、基板搬入口５１側の２枚の下部面状ヒータ１７を昇降移動させる構成としたが、昇降移動可能な下部面状ヒータ１７の枚数は限定されるものではない。即ち、プレヒータ部４における加熱処理が終了する前に、基板Ｇの中央部領域に対し前部領域及び後部領域よりも熱量を与え、その領域の基板温度を所定温度上昇させる構成であればよい。
このため、前記昇降移動可能な下部面状ヒータ１７は、例えば、１枚、或いは３枚であってもよい。
或いは、図８に示すように、プレヒータ部４の全ての下部面状ヒータ１７を昇降移動可能な構成としてもよい。この場合、基板Ｇがプレヒータ部４を搬送される間、基板Ｇの前部領域及び後部領域に対しては下部面状ヒータ１７を遠ざけ、中央部領域に対しては下部面状ヒータ１７を近づけるよう制御することで、基板温度の調整をより細かく行うことが出来る。
また、前記第二の実施形態においては、下部面状ヒータ１７により基板Ｇの中央部領域に与える熱量が、前部領域及び後部領域よりも多くなるよう下部面状ヒータ１７を昇降移動させる構成としたが、その他の構成により基板Ｇの中央部領域に対し、更に加熱を行う構成としてもよい。
例えば、図９に示すように下部面状ヒータ１７の高さ位置は固定の構成において、基板搬入口５１側に、基板幅方向に延びるカーボンヒータ４７（熱源）等の赤外線ランプヒータを設けた構成でもよい。具体的には、上方に（基板Ｇの下面に対して）輻射熱を放射可能なカーボンヒータ４７を昇降軸４８（第二の手段）により支持し、この昇降軸４８を介して昇降装置４９（第二の手段）により昇降移動させる構成が考えられる。
この場合、基板Ｇが搬入口５１から搬入されると、その中央部領域がカーボンヒータ４７の上方を通過する間のみ、カーボンヒータ４７を上昇移動させて基板Ｇの下面に近づけ、中央部領域のみを更に加熱する制御を行えばよい。
このような構成によっても、プレヒータ部４における加熱処理の開始時において、基板Ｇの中央部領域の受ける熱量が前部領域及び後部領域の受ける熱量よりも多くなり、基板Ｇがメインヒータ部５に搬入された際に、結果的に基板面内の温度を均一とすることができる。
尚、カーボンヒータ４７は、前記のように昇降軸を用いなくてもよく、また、加熱のタイミングに応じて、その点灯をオン／オフさせる構成であってもよい。
或いは、図１０、図１１（一部拡大平面図）に示すように、基板搬入口５１側の熱源である下部面状ヒータ１７（図では２枚の下部面状ヒータ１７）の上面に、基板搬送方向（Ｘ方向）とは反対方向に流れる高温（例えば１６０℃）の対流を強制的に形成してもよい。具体的には、例えば、図示するように、下部面状ヒータ１７の前方に、複数本のエア噴出ノズル５３（第二の手段）がノズル口を上方に向けて配置され、下部面状ヒータ１７の後方に、複数本のエア吸引ノズル５４（第二の手段）がノズル口を上方に向けて配置される。
また、エア噴出ノズル５３は、送風ポンプ等からなるエア供給部５５（第二の手段）に接続され、エア吸引ノズル５４は、吸引ポンプ等からなるエア回収部５６（第二の手段）に接続され、エア供給部５５及びエア回収部５６は、制御部４０によって駆動制御される。
このような構成において、基板Ｇが搬入口５１から搬入されると、その中央部領域が搬入口５１側の下部面状ヒータ１７の上方を通過する間のみ、エア供給部５５及びエア回収部５６が駆動され、下部面状ヒータ１７の上面に高温（１６０℃）の強制対流が形成される。
これにより、基板Ｇの中央部領域においては、熱交換量が増加し、効率的に基板中央部の昇温がなされる。
即ち、このような構成によっても、プレヒータ部４での加熱処理の開始時において、基板Ｇの中央部領域の受ける熱量が、前部領域及び後部領域の受ける熱量よりも高くなり、基板Ｇがメインヒータ部５に搬入された際に、結果的に基板面内の温度を均一とすることができる。
尚、図１０、図１１に示す構成においては、下部面状ヒータ１７とは別体のエア噴出ノズル５３及びエア吸引ノズル５４を設けるものとしたが、それに限定されず、下部面状ヒータ１７上に強制対流を形成可能な構成であればよい。
例えば、エア噴出、吸引のためのノズル口を下部面状ヒータ１７の上面に設け、エアの流路をヒータ１７内に形成したものであってもよい。
また、前記第一、第二の実施形態においては、本発明に係る熱処理装置を、被処理基板Ｇに対し加熱処理を施す加熱処理ユニット１に適用するものとしたが、それに限定されず、基板Ｇに対し冷却処理を施す基板冷却装置に適用してもよい。
その場合、冷却手段として、例えばペルチェ素子により冷却されたプレートを用いることができる。
また、その場合、従来の課題として、基板Ｇの前部領域及び後部領域の温度が、中央部領域の温度よりも低くなることが考えられる。
そのため、前記第一の実施形態にあっては、基板Ｇの中央部領域のみを予め冷却し、基板Ｇの前部領域及び後部領域よりも低温としておくことにより、基板面内における熱処理（冷却）温度のばらつきを抑制することができる。
また、前記第二の実施形態（図１０，図１１の強制対流を形成する構成を除く）にあっては、基板Ｇの前部領域及び後部領域のみを予め加熱し、基板Ｇの中央部領域よりも高温としておくことにより、基板面内における熱処理（冷却）温度のばらつきを抑制することができる。
尚、図１０，図１１に示した、熱源上に強制対流を形成する構成にあっては、例えば冷却源の上方に強制対流を形成するものであるため、基板Ｇに対し局所的に更に冷却する構成となる。したがって、冷却源上に強制対流を形成して基板Ｇの中央部領域のみを予め冷却し、基板Ｇの前部領域及び後部領域よりも低温とすることにより、基板面内における熱処理（冷却）温度のばらつきを抑制することができる。
１ 加熱処理ユニット（熱処理装置）
２ 基板搬送路
８ チャンバ
８Ａ 第一のチャンバ
８Ｂ 第二のチャンバ
１７ 下部面状ヒータ（第一の手段、熱源）
１８ 上部面状ヒータ（第一の手段）
２０ コロ（基板搬送手段）
４０ 制御部（制御手段）
４１ エアブローノズル（第二の手段）
４３ 昇降軸（第二の手段）
４４ 昇降駆動部（第二の手段）
４５ 基板検出センサ（基板検出手段）
４７ カーボンヒータ（熱源）
４８ 昇降軸（第二の手段）
４９ 昇降装置（第二の手段）
５３ エア噴出ノズル（第二の手段）
５４ エア吸引ノズル（第二の手段）
５５ エア供給部（第二の手段）
５６ エア回収部（第二の手段）
Ｇ 基板（被処理基板）

Claims (8)

  1. 平流し搬送される被処理基板に対し熱処理を施す熱処理装置であって、
    基板搬送路を形成し、前記被処理基板を前記基板搬送路に沿って平流し搬送する基板搬送手段と、前記基板搬送路の所定区間を覆うと共に、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対する熱処理空間を形成する第一のチャンバと、前記第一のチャンバ内を加熱可能な第一の手段と、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し所定温度に冷却されたエアを吹き付け、局所的に冷却可能な第二の手段と、前記第一のチャンバの前段に設けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板を検出する基板検出手段と、前記基板検出手段の検出信号が供給されると共に、前記第二の手段による冷却動作のオン／オフ切換を行う制御手段とを備え、
    前記制御手段は、前記基板検出手段の検出信号により被処理基板の搬送位置を取得し、基板搬送方向に沿って複数に分けられた被処理基板の領域ごとに、前記第二の手段による冷却動作のオン／オフ切換を行い、
    前記被処理基板は、前記第二の手段の冷却動作により、その前部領域及び後部領域の温度が、中央部領域の温度よりも低い状態となされ、更に前記第一の手段による加熱処理が施されることを特徴とする熱処理装置。
  2. 平流し搬送される被処理基板に対し熱処理を施す熱処理装置であって、
    基板搬送路を形成し、前記被処理基板を前記基板搬送路に沿って平流し搬送する基板搬送手段と、前記基板搬送路の所定区間を覆うと共に、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対する熱処理空間を形成する第一のチャンバと、前記第一のチャンバ内を加熱可能な第一の手段と、前記基板搬送路を搬送される被処理基板の下方に昇降移動可能な熱源を有し、前記熱源を被処理基板に近づけることにより前記被処理基板を局所的に加熱可能な第二の手段と、前記第一のチャンバの前段に設けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板を検出する基板検出手段と、前記基板検出手段の検出信号が供給されると共に、前記第二の手段が有する熱源の昇降移動を制御する制御手段とを備え、
    前記制御手段は、前記基板検出手段の検出信号により被処理基板の搬送位置を取得し、基板搬送方向に沿って複数に分けられた被処理基板の領域ごとに、前記第二の手段が有する熱源の昇降移動を制御し、
    前記被処理基板は、前記第二の手段の加熱動作により、その中央部領域の温度が、前部領域及び後部領域の温度よりも高い状態となされ、更に前記第一の手段による加熱処理が施されることを特徴とする熱処理装置。
  3. 平流し搬送される被処理基板に対し熱処理を施す熱処理装置であって、
    基板搬送路を形成し、前記被処理基板を前記基板搬送路に沿って平流し搬送する基板搬送手段と、前記基板搬送路の所定区間を覆うと共に、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対する熱処理空間を形成する第一のチャンバと、前記第一のチャンバ内を加熱可能な第一の手段と、前記基板搬送路を搬送される被処理基板の下方に設けられた熱源の上方に強制対流を形成することにより前記被処理基板を局所的に加熱可能な第二の手段と、前記第一のチャンバの前段に設けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板を検出する基板検出手段と、前記基板検出手段の検出信号が供給されると共に、前記第二の手段による強制対流形成動作のオン／オフ切換を行う制御手段とを備え、
    前記制御手段は、前記基板検出手段の検出信号により被処理基板の搬送位置を取得し、基板搬送方向に沿って複数に分けられた被処理基板の領域ごとに、前記第二の手段による強制対流形成動作のオン／オフ切換を行い、
    前記被処理基板は、前記第二の手段の加熱動作により、その中央部領域の温度が、前部領域及び後部領域の温度よりも高い状態となされ、更に前記第一の手段による加熱処理が施されることを特徴とする熱処理装置。
  4. 前記基板搬送路に沿って前記第一のチャンバの後段に設けられ、前記基板搬送路の所定区間を覆うと共に、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対する熱処理空間を形成する第二のチャンバと、
    前記第二のチャンバ内を加熱可能な第三の手段と、
    前記第二のチャンバ内を搬送される前記被処理基板の前部領域と中央部領域と後部領域の温度をそれぞれ検出し、検出信号を前記制御手段に供給する基板温度検出手段とを更に備え、
    前記制御部は、前記基板温度検出手段から取得した前記被処理基板における前部領域の温度と中央部領域の温度と後部領域の温度とを比較し、その比較結果に基づいて、前記第二の手段により前記被処理基板の領域ごとに与える熱量を決定することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された熱処理装置。
  5. 被処理基板を基板搬送路に沿って平流し搬送し、所定温度に加熱された第一のチャンバ内に前記被処理基板を搬入すると共に、前記第一のチャンバ内に搬入された被処理基板に対し所定の熱処理を施す熱処理方法であって、
    前記基板搬送路を搬送される被処理基板を前記第一のチャンバへの搬入前に検出するステップと、
    前記被処理基板の検出により被処理基板の搬送位置を取得し、基板搬送方向に沿って分けられた被処理基板の前部領域と後部領域とに対し、所定温度に冷却されたエアを吹き付け、前記前部領域及び後部領域の温度が中央部領域の温度よりも低い状態とするステップと、
    前記所定温度に加熱された前記第一のチャンバ内において前記被処理基板に対し所定の加熱処理を施すステップとを含むことを特徴とする熱処理方法。
  6. 被処理基板を基板搬送路に沿って平流し搬送し、所定温度に加熱された第一のチャンバ内に前記被処理基板を搬入すると共に、前記第一のチャンバ内に搬入された被処理基板に対し所定の熱処理を施す熱処理方法であって、
    前記基板搬送路を搬送される被処理基板を前記第一のチャンバへの搬入前に検出するステップと、
    前記被処理基板の検出により被処理基板の搬送位置を取得し、基板搬送方向に沿って分けられた被処理基板の中央部領域に対し、昇降移動可能に設けられた熱源を上昇移動させて近づけ、前記中央部領域の温度が前部領域及び後部領域の温度よりも高い状態とするステップと、
    前記所定温度に加熱された前記第一のチャンバ内において前記被処理基板に対し所定の加熱処理を施すステップとを含むことを特徴とする熱処理方法。
  7. 被処理基板を基板搬送路に沿って平流し搬送し、所定温度に加熱された第一のチャンバ内に前記被処理基板を搬入すると共に、前記第一のチャンバ内に搬入された被処理基板に対し所定の熱処理を施す熱処理方法であって、
    前記基板搬送路を搬送される被処理基板を前記第一のチャンバへの搬入前に検出するステップと、
    前記被処理基板の検出により被処理基板の搬送位置を取得し、基板搬送方向に沿って分けられた被処理基板の中央部領域に対し、基板下方に設けられた熱源の上方に強制対流を形成することにより更に加熱し、前記中央部領域の温度が前部領域及び後部領域の温度よりも高い状態とするステップと、
    前記所定温度に加熱された前記第一のチャンバ内において前記被処理基板に対し所定の加熱処理を施すステップとを含むことを特徴とする熱処理方法。
  8. 更に、前記基板搬送路に沿って前記第一のチャンバの後段に設けられた第二のチャンバにおいて、前記被処理基板に所定の熱処理を施しながら前記被処理基板を搬送するステップと、
    前記第二のチャンバ内を搬送される前記被処理基板の前部領域と中央部領域と後部領域の温度をそれぞれ検出するステップと、
    取得した前記被処理基板における前部領域の温度と中央部領域の温度と後部領域の温度とを比較し、その比較結果に基づいて、前記被処理基板の領域ごとに与える熱量を決定することを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれかに記載された熱処理方法。
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