JP5043741B2 - 半導体パターンの検査方法及び検査装置 - Google Patents
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Description
オートフォーカス用パターン及びオートスティグマ用パターンは、周囲に同一の形状のパターンが繰り返し存在していることが望ましい。従って、輝度分布のプロファイルも、周囲のブロックで得られるものと類似していることが好ましい。
Claims (12)
- 記憶装置、画像処理装置及びコンピュータを備えた走査電子顕微鏡を用いた半導体パターンの検査方法において、
前記記憶装置に登録された撮像条件に従って、半導体パターン上に設定された測定点を含む領域について走査電子顕微鏡による低倍率のSEM画像を取得するステップと、
前記記憶装置に登録されたアドレッシング用パターンが所定の推奨条件を満たすか否かを判定するアドレッシング用パターン判定ステップと、
前記アドレッシング用パターン判定ステップにて、所定の推奨条件を満たさないと判定されたとき、前記SEM画像上より、最適なアドレッシング用パターンを選択するアドレッシング用パターン選択ステップと、
前記アドレッシング用パターン選択ステップにて選択したアドレッシング用パターンを含む領域を、前記SEM画像から切り出して、アドレッシング用パターンのテンプレート画像を作成するテンプレート画像作成ステップと、
前記記憶装置に登録されたテンプレート画像を、前記テンプレート画像作成ステップにて作成されたテンプレート画像に置き換えるテンプレート画像更新ステップと、
を有し、
前記アドレッシング用パターン判定ステップでは、前記SEM画像にて、前記測定点を中心とする所定の領域を切り出し、該切り出した画像を更に切り出して複数のブロック画像を生成し、該ブロック画像の各々について、輝度のヒストグラムと輝度のプロファイルを作成し、前記輝度のヒストグラムと前記輝度のプロファイルから、前記アドレッシング用パターンが所定の推奨条件を満たすか否かを判定し、
前記アドレッシング用パターン選択ステップでは、前記輝度のヒストグラムと前記輝度のプロファイルに基づいて、最適なアドレッシング用パターンを選択することを特徴とする半導体パターンの検査方法。 - 請求項1記載の半導体パターンの検査方法において、
前記アドレッシング用パターン選択ステップにて選択したアドレッシング用パターンから前記測定点までの偏差を演算するアドレッシング用パターン偏差演算ステップと、
前記記憶装置に登録されたアドレッシング用パターンから測定点までの偏差を、前記アドレッシング用パターン偏差演算ステップにて演算されたアドレッシング用パターンの偏差に置き換えるアドレッシング用パターン偏差更新ステップと、
を有することを特徴とする半導体パターンの検査方法。 - 請求項1記載の半導体パターンの検査方法において、
前記アドレッシング用パターン選択ステップにて選択したアドレッシング用パターンを前記記憶装置に登録されたアドレッシング用パターンに置き換えるアドレッシング用パター更新ステップと、
を有することを特徴とする半導体パターンの検査方法。 - 請求項1記載の半導体パターンの検査方法において、
前記アドレッシング用パターン判定ステップでは、前記アドレッシング用パターンの座標、位置、S/N、倍率の少なくとも1つが所定の推奨条件を満たさない場合には、前記アドレッシング用パターン選択ステップを実行することを特徴とする半導体パターンの検査方法。 - 請求項1記載の半導体パターンの検査方法において、
前記記憶装置に登録されたオートフォーカス用パターンが所定の推奨条件を満たすか否かを判定するオートフォーカス用パターン判定ステップと、
前記オートフォーカス用パターン判定ステップにて、所定の推奨条件を満たさないと判定されたとき、前記SEM画像上より、最適なオートフォーカス用パターンを選択するオートフォーカス用パターン選択ステップと、
前記オートフォーカス用パターン選択ステップにて選択したオートフォーカス用パターンから前記測定点までの偏差を演算するオートフォーカス用パターン偏差演算ステップと、
前記記憶装置に登録されたオートフォーカス用パターンから測定点までの偏差を、前記オートフォーカス用パターン偏差演算ステップにて演算されたオートフォーカス用パターンの偏差に置き換えるオートフォーカス用パターン偏差更新ステップと、
を有し、
前記オートフォーカス用パターン判定ステップは、前記SEM画像にて、前記測定点を中心とする所定の領域を切り出し、該切り出した画像を更に切り出して複数のブロック画像を生成し、該ブロック画像の各々について、輝度のヒストグラムと輝度のプロファイルを作成し、前記輝度のヒストグラムと前記輝度のプロファイルから、前記オートフォーカス用パターンが所定の推奨条件を満たすか否かを判定し、
前記オートフォーカス用パターン選択ステップでは、前記輝度のヒストグラムと前記輝度のプロファイルに基づいて、最適なオートフォーカス用パターンを選択することを特徴とする半導体パターンの検査方法。 - 請求項5記載の半導体パターンの検査方法において、
前記オートフォーカス用パターン判定ステップにて、前記オートフォーカス用パターンの座標と位置の少なくとも1つが所定の推奨条件を満たさない場合には、前記オートフォーカス用パターン選択ステップを実行することを特徴とする半導体パターンの検査方法。 - 請求項5記載の半導体パターンの検査方法において、
前記オートフォーカス用パターン判定ステップにて、前記オートフォーカス用パターンのS/Nと倍率の少なくとも1つが所定の推奨条件を満たさない場合には、前記記憶装置に登録されたオートフォーカス用パターンの光学条件を変更し、それでも、所定の推奨条件を満たさない場合には、前記オートフォーカス用パターン選択ステップを実行することを特徴とする半導体パターンの検査方法。 - 請求項1記載の半導体パターンの検査方法において、
前記記憶装置に登録されたオートスティグマ用パターンが所定の推奨条件を満たすか否かを判定するオートスティグマ用パターン判定ステップと、
前記オートスティグマ用パターン判定ステップにて、所定の推奨条件を満たさないと判定されたとき、前記SEM画像上より、最適なオートスティグマ用パターンを選択するオートスティグマ用パターン選択ステップと、
前記オートスティグマ用パターン選択ステップにて選択したオートスティグマ用パターンから前記測定点までの偏差を演算するオートスティグマ用パターン偏差演算ステップと、
前記記憶装置に登録されたオートスティグマ用パターンから測定点までの偏差を、前記オートスティグマ用パターン偏差演算ステップにて演算されたオートスティグマ用パターンの偏差に置き換えるオートスティグマ用パターン偏差更新ステップと、
を有し、
前記オートスティグマ用パターン判定ステップは、前記SEM画像にて、前記測定点を中心とする所定の領域を切り出し、該切り出した画像を更に切り出して複数のブロック画像を生成し、該ブロック画像の各々について、輝度のヒストグラムと輝度のプロファイルを作成し、前記輝度のヒストグラムと前記輝度のプロファイルから、前記オートスティグマ用パターンが所定の推奨条件を満たすか否かを判定し、
前記オートスティグマ用パターン選択ステップでは、前記輝度のヒストグラムと前記輝度のプロファイルに基づいて、最適なオートスティグマ用パターンを選択することを特徴とする半導体パターンの検査方法。 - 請求項8記載の半導体パターンの検査方法において、
前記オートスティグマ用パターン判定ステップにて、前記オートスティグマ用パターンの座標と位置の少なくとも1つが所定の推奨条件を満たさない場合には、前記オートスティグマ用パターン選択ステップを実行することを特徴とする半導体パターンの検査方法。 - 請求項8記載の半導体パターンの検査方法において、
前記オートスティグマ用パターン判定ステップにて、前記オートスティグマ用パターンのS/Nと倍率の少なくとも1つが所定の推奨条件を満たさない場合には、前記記憶装置に登録されたオートスティグマ用パターンの光学条件を変更し、それでも、所定の推奨条件を満たさない場合には、前記オートスティグマ用パターン選択ステップを実行することを特徴とする半導体パターンの検査方法。 - 請求項1から10のいずれか1項記載の半導体パターンの検査方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータに読み取り可能なプログラム。
- 記憶装置、画像処理装置及びコンピュータを備えた走査電子顕微鏡を有する半導体パターンの検査装置において、
前記記憶装置に登録された撮像条件に従って、半導体パターン上に設定された測定点を含む領域について低倍率のSEM画像を取得し、前記SEM画像にて、前記測定点を中心とする所定の領域を切り出し、該切り出した画像を更に切り出して複数のブロック画像を生成し、該ブロック画像の各々について、輝度のヒストグラムと輝度のプロファイルを作成し、前記輝度のヒストグラムと前記輝度のプロファイルに基づいて、前記記憶装置に登録されたアドレッシング用パターン、オートフォーカス用パターン、および、オートスティグマ用パターンを所定の推奨条件を満たすか否かを判定し、所定の推奨条件を満たさないと判定されたとき、前記SEM画像上より、最適なアドレッシング用パターン、オートフォーカス用パターン、又は、オートスティグマ用パターンを選択するように構成された半導体パターンの検査装置。
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