JP5041004B2 - 弾性境界波装置 - Google Patents

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本発明は、携帯電話等に用いられる弾性境界波装置に関する。
図4は特許文献1に記載されている従来の弾性境界波装置501の断面図である。LiNbOからなる媒質層1と、第1の媒質層1上に積層されてSiOからなる媒質層2と、媒質層1、2との界面501Aに設けられてAuからなるインターディジタルトランスデューサ(IDT)電極3とを備える。弾性境界波装置501では、メインモードとしてSH型の弾性境界波が媒質層1、2の界面501Aに沿って伝播する。
弾性境界波の伝播に伴って媒質層1、2が変位する。弾性境界波装置501では、SiOよりなる媒質層2の変位する範囲はLiNbOよりなる媒質層1の変位する範囲より著しく広くなる。このように、弾性境界波は界面501Aに集中せずに、媒質層1のLiNbOが有する優れた圧電特性を十分発揮させることができず、電気機械結合係数を十分大きくできない。
国際公開第2004/095699号パンフレット
弾性境界波装置は、圧電材料よりなる第1の媒質層と、第1の媒質層上に設けられた第2の媒質層と、第2の媒質層上に設けられた第3の媒質層と、第2の媒質と第3の媒質層との間の界面に設けられた電極とを備える。電極は第3の媒質層を駆動して横波を発生させる。第3の媒質層における横波の伝播速度は第1の媒質層における横波の伝播速度より小さい。第2の媒質層における横波の伝播速度が第1の媒質層における横波の伝播速度よりも小さく、第2の媒質層の主成分は第1の媒質層の主成分である圧電材料と同じである。
この弾性境界波装置は、大きな電気機械結合係数が得られる。
本発明の実施の形態における弾性境界波装置の断面図 実施の形態1における弾性境界波装置の特性を示す図 実施の形態1における弾性境界波装置を用いた電子機器の概略図 従来の弾性境界波装置の断面図
図1は本発明の実施の形態における弾性境界波装置1001の断面図である。弾性境界波装置1001は、圧電材料よりなる媒質層11と、媒質層11上に設けられた媒質層13と、媒質層13上に設けられた電極14と、媒質層13上でかつ電極14上に設けられた媒質層12とを備えている。媒質層11はLiNbO等の圧電材料よりなる。媒質層12はSiO等の絶縁材料よりなる。電極14は、媒質層12、13間の界面1001Aに設けられている。媒質層11の上面11Aは媒質層13の下面13Bに当接している。媒質層13の上面13Aは媒質層12の下面12Bと電極14の下面14Bに当接する。電極14の上面14Aと媒質層13の上面13Aは媒質層12の下面12Bに当接する。媒質層13は、媒質層11となる圧電材料の基材の表面にNb等の元素をドープして形成する。実施の形態では、電極14はインターディジタルトランスデューサ(IDT)電極であり、媒質層11〜13を駆動して弾性波を発生させる。この弾性波のメインモードは横波である。すなわち、電極14は媒質層11〜13を駆動して横波を発生させ、この横波は媒質層11〜13を伝播する。
弾性境界波装置1001では、媒質層12でのこの弾性波(横波)の伝播速度が媒質層11でのこの弾性波(横波)の伝播速度より小さく、かつ媒質層13でのこの弾性波(横波)の伝播速度が媒質層11でのこの弾性波(横波)の伝播速度より小さい。これにより、電極14の上面14Aの上方に設けられた媒質層12における横波の伝播速度と、電極14の下面14Bの下方に設けられた媒質層11、13における横波の伝播速度との差を小さくすることができる。これにより、弾性波のメインモードである横波による媒質層11〜13の変位を媒質層12、13間の界面に集中させることができ、電気機械結合係数を大きくさせることができる。
媒質層13は、媒質層11となる圧電材料の基材の表面にNb等の元素をドープして形成されるので、媒質層13の主成分は媒質層11の主成分と同じLiNbOである。これにより、媒質層11、13が同等の圧電特性を有するので、より大きな電気機械結合係数が得られる。
なお、媒質層13は媒質層11となる圧電材料の基材の表面にNbをドープすることで形成することができるが、媒質層11となる圧電材料の基材の表面にW、Ti、Zn、Mo、Mn、Co、Ni、In、Sn、希土類元素の中から選ばれる元素をドープすることで形成することができる。
また、プロトン交換により媒質層11からLi原子を離脱させて、Nbの割合を増加させることで媒質層13を形成してもよい。
電極14は、Au、W、Ta、Cu、Al、Agなどを主に含有する導電材料で形成することができる。電極14がAuを主成分として含有することで、大きな密度と小さい電気抵抗を有することができ望ましい。また、耐電力性を必要とするデュプレクサ等の装置には、電極14はCuを主に含有することが望ましい。
なお、媒質層12における横波の伝播速度が、媒質層11における横波の伝播速度よりも大きい場合には、媒質層13における横波の伝播速度が媒質層11における横波の伝播速度よりも大きくする。これにより、電極14の上面14Aの上方に設けられた媒質層12における横波の伝播速度と、電極14の下面14Bの下方に設けられた媒質層11、13における横波の伝播速度との差を小さくすることができる。すなわち、媒質層13における横波の伝播速度は、媒質層11における横波の伝播速度と媒質層12における横波の伝播速度との間の速度である。これにより、弾性波のメインモードである横波による媒質層11〜13の変位を媒質層12、13間の界面に集中させることができ、電気機械結合係数を大きくさせることができる。
この場合では、媒質層11はLiNbOよりなり、媒質層12は酸化アルミニウムと酸化ケイ素を主に含有する混合酸化物よりなる。これにより、媒質層12における横波の伝播速度を媒質層11における横波の伝播速度よりも大きくすることができる。媒質層13は、媒質層11となる圧電材料の基材の表面にLiをドープして形成する。これにより、媒質層13における横波の伝播速度を媒質層11における横波の伝播速度よりも大きくすることができる。
媒質層13は、媒質層11となる圧電材料の基材の表面に上記の元素をドープして形成されるので、媒質層13の主成分は媒質層11の主成分と同じLiNbOである。これにより、媒質層11、13が同等の圧電特性を有するので、より大きな電気機械結合係数が得られる。
なお、媒質層11はLiNbOに限るわけでなく、ドープする元素や離脱させる元素を適宜選ぶことによって、LiTaO、Li、水晶など他の圧電材料で形成することができる。
図2は実施の形態における弾性境界波装置1001の試料1〜3の特性を示し、電気機械結合係数と媒質層13の厚みとの関係を示す。媒質層11、13はカット角15度の回転Y板のLiNbOよりなる。媒質層11〜13を伝播する弾性境界波のメインモードの横波は波長λを有する。媒質層12はSiOよりなり、0.3λの膜厚を有する。電極14はCuよりなり、0.05λの膜厚を有する。上記の材料と方法で弾性境界波装置1001の試料1〜3を作製した。試料1〜3について、媒質層11における横波の伝播速度に対して媒質層13における横波の伝播速度の低下率を測定し、試料1、2、3の低下率はそれぞれ1.5%、1.0%、0.5%である。LiNbOよりなる媒質層11となる基材の表面にMgを5mol%ドープして媒質層13を形成した場合、媒質層11における横波の伝播速度に対して媒質層13における横波の伝播速度をおよそ1%低下させることができる。
図2に示すように、試料1〜3のいずれでも、媒質層13の膜厚が0.2λ以上0.8λ以下であるときに、弾性境界波装置1001の電気機械結合係数を大きくすることができ、特に、媒質層13の膜厚が0.5λであるときに弾性境界波装置1001の電気機械結合係数を最大にすることができる。
LiTaOを主に含有する媒質層11、13を備えた実施の形態における他の弾性境界波装置は、LiNbOを主に含有する媒質層11、13を備えた弾性境界波装置1001とほぼ同じ特性を有する。この弾性境界波装置では、媒質層11の組成比LiO:Taは48.5:51.5であり、媒質層13の組成比LiO:Taは47.5:52.5である場合に、媒質層11における横波の伝播速度に対して媒質層13における横波の伝播速度をおよそ1%低下させることができる。
図3は、実施の形態における弾性境界波装置1001を備えた電子機器2001の概略図である。電子機器2001は携帯電話であり、弾性境界波装置1001と、弾性境界波装置1001に結合する高周波回路51とを備える。弾性境界波装置1001により電子機器2001の消費電流が抑えられ、受信感度を向上させることができる。
なお、実施の形態において、「上面」、「下面」、「上方」、「下方」等の方向を示す用語は、媒質層11〜13や電極14の相対的な位置関係に依存する相対的な方向を示しているに過ぎず、上下方向等の絶対的な方向を示すものではない。
本発明の弾性境界波装置は電気機械結合係数を大きくすることができ、携帯電話等の各種機器に有用である。
11 媒質層(第1の媒質層)
12 媒質層(第3の媒質層)
13 媒質層(第2の媒質層)
14 電極
51 高周波回路
1001 弾性境界波装置
1001A 界面
2001 電子機器

Claims (8)

  1. 圧電材料よりなる第1の媒質層と、
    前記第1の媒質層上に設けられた第2の媒質層と、
    前記第2の媒質層上に設けられた第3の媒質層と、
    前記第2の媒質と前記第3の媒質層との間の界面に設けられ、前記第3の媒質層を駆動して横波を発生させる電極と、
    を備え、
    前記第3の媒質層における横波の伝播速度は前記第1の媒質層における横波の伝播速度より小さく、
    前記第2の媒質層における横波の伝播速度が前記第1の媒質層における横波の伝播速度よりも小さく、
    前記第2の媒質層の主成分は前記第1の媒質層の主成分である前記圧電材料と同じである請求項1に記載の弾性境界波装置。
  2. 前記第1の媒質層はLiNbO3を主に含有する、請求項1に記載の弾性境界波装置。
  3. 前記第3の媒質層はSiO2を主に含有する、請求項2に記載の弾性境界波装置。
  4. 圧電材料よりなる第1の媒質層と、
    前記第1の媒質層上に設けられた第2の媒質層と、
    前記第2の媒質層上に設けられた第3の媒質層と、
    前記第2の媒質と前記第3の媒質層との間の界面に設けられ、前記第3の媒質層を駆動して横波を発生させる電極と、
    を備え、
    前記第3の媒質層における横波の伝播速度は前記第1の媒質層における横波の伝播速度より大きく、
    前記第2の媒質層における横波の伝播速度が前記第1の媒質層における横波の伝播速度よりも大きい、
    弾性境界波装置。
  5. 前記第1の媒質層はLiNbO3を主に含有する、請求項4に記載の弾性境界波装置。
  6. 前記第3の媒質層が酸化アルミニウムと酸化ケイ素とを主に含有する混合酸化物よりなる、請求項5に記載の弾性境界波装置。
  7. 前記第2の媒質層の主成分は前記第1の媒質層の主成分と同じである、請求項4に記載の弾性境界波装置。
  8. 請求項1からのいずれか1つに記載の弾性境界波装置と、
    前記弾性境界波装置が結合する高周波回路と、
    を備えた電子機器。
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