JP5036426B2

JP5036426B2 - Grinding equipment

Info

Publication number: JP5036426B2
Application number: JP2007177511A
Authority: JP
Inventors: 英和中山
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2007-07-05
Filing date: 2007-07-05
Publication date: 2012-09-26
Anticipated expiration: 2027-07-05
Also published as: JP2009012134A

Description

本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物を研削する研削装置に関する。 The present invention relates to a grinding apparatus for grinding a workpiece such as a semiconductor wafer.

当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが複数個形成された半導体ウエーハは、個々のチップに分割される前にその裏面を研削装置によって研削して所定の厚さに形成されている。半導体ウエーハの裏面を研削する研削装置は、ウエーハを保持する保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブル上に保持されたウエーハを研削する研削ホイールを備えた研削ユニットと、該研削ユニットをチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に研削送りする研削送り機構を具備している。例えば、特許文献１参照）
特開２００４−３２２２４７号公報 As is well known to those skilled in the art, in a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor wafer on which a plurality of devices such as ICs and LSIs are formed is ground by a grinding device on a back surface before being divided into individual chips. It is formed in the thickness. A grinding apparatus for grinding a back surface of a semiconductor wafer includes a chuck table having a holding surface for holding the wafer, a grinding unit having a grinding wheel for grinding the wafer held on the chuck table, and the chuck for the grinding unit. A grinding feed mechanism is provided for grinding and feeding in a direction perpendicular to the holding surface of the table. For example, see Patent Document 1)
JP 2004-322247 A

このような研削装置においては、チャックテーブルに保持されたウエーハの厚みが所定の厚みに達するまでは研削送り機構を作動して研削ユニットを例えば１μm／秒の移動速度で研削送りし、ウエーハの厚みが所定の厚みに達したら研削送り機構の作動を停止した状態で所定時間研削作業を行う所謂スパークアウト研削を実施する。そして、スパークアウト研削を所定時間実施したならば、研削送り機構を作動して研削ユニットを例えば０．３μm／秒のエスケープ速度で後退させる（チャックテーブルに保持された被加工物から離反させる）所謂エスケープ作動を所定時間実施した後、研削ユニットを例えば１０mm／秒の退避速度で後退させる。 In such a grinding apparatus, until the thickness of the wafer held on the chuck table reaches a predetermined thickness, the grinding feed mechanism is operated to feed the grinding unit at a moving speed of, for example, 1 μm / second. When a predetermined thickness is reached, so-called spark-out grinding is performed in which the grinding operation is stopped for a predetermined time while the operation of the grinding feed mechanism is stopped. When the spark-out grinding is performed for a predetermined time, the grinding feed mechanism is operated to retract the grinding unit at an escape speed of, for example, 0.3 μm / second (so as to be separated from the workpiece held on the chuck table). After performing the escape operation for a predetermined time, the grinding unit is retracted at a retracting speed of 10 mm / second, for example.

ここで、上記エスケープ作動時間について、図４を参照して説明する。
図４は、スパークアウト研削を実施した後のエスケープ作動において研削負荷が零（０）の状態になるまでに要する時間を計測した実験結果であり、横軸はスパークアウト研削が終了してからの時間(秒)、縦軸は研削ユニットの研削ホイールを回転駆動するための電動モータに印加する電力の負荷電流値(A)を示す。なお、研削負荷が零（０）の状態における電動モータに印加する電力の負荷電流値(A)は、８Aであった。 Here, the escape operation time will be described with reference to FIG.
Fig. 4 shows the experimental results of measuring the time required for the grinding load to reach zero (0) in the escape operation after spark-out grinding. The horizontal axis indicates the time after the spark-out grinding is completed. The time (second) and the vertical axis indicate the load current value (A) of the power applied to the electric motor for rotationally driving the grinding wheel of the grinding unit. The load current value (A) of the electric power applied to the electric motor when the grinding load was zero (0) was 8A.

図４においてW1およびW2に示すように、スパークアウト研削を実施した後に研削ユニットを０．３μm／秒のエスケープ速度で後退させるエスケープ作動を実施することにより、研削負荷が減少するために電動モータに印加する電力の負荷電流値(A)は漸次減少する。被加工物がシリコンウエーハの場合、図４においてW1で示すように３０秒程度で研削付加が零（０）に達するものが９０％以上あり、図４においてW２で示すように研削付加が零（０）に達するまでに６０秒程度要するものは１０％以下である。しかるに、研削加工において仕上がり精度を確保するためには研削付加が零（０）になるまで実施する必要があり、このため研削付加が零（０）に達するまでに要する最も長い時間を基準としてエスケープ作動時間を設定している。 As shown by W1 and W2 in FIG. 4, by performing an escape operation to retract the grinding unit at an escape speed of 0.3 μm / sec after performing the spark-out grinding, the grinding load is reduced. The load current value (A) of the applied power gradually decreases. When the workpiece is a silicon wafer, 90% or more of the grinding load reaches zero (0) in about 30 seconds as indicated by W1 in FIG. 4, and the grinding load is zero (as indicated by W2 in FIG. 4). What takes about 60 seconds to reach 0) is 10% or less. However, in order to ensure finishing accuracy in grinding, it is necessary to carry out until grinding addition becomes zero (0). For this reason, the escape is performed based on the longest time required for grinding addition to reach zero (0). The operating time is set.

而して、エスケープ作動時間を研削付加が零（０）に達するまでに要する最も長い時間を基準として設定すると、９０％以上のウエーハは３０秒程度で研削付加が零（０）に達しているにもかかわらず、所謂エスケープ作動を実施することができないため、生産性が悪いという問題がある。 Thus, if the escape operation time is set based on the longest time required for grinding addition to reach zero (0), 90% or more of the wafers reach zero (0) in about 30 seconds. Nevertheless, since the so-called escape operation cannot be performed, there is a problem that productivity is poor.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、仕上がり精度を確保しつつ生産性を向上することができる研削装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and a main technical problem thereof is to provide a grinding apparatus capable of improving productivity while ensuring finishing accuracy.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を研削する研削ユニットと、該研削ユニットをチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に研削送りする研削送り機構と、該研削送り機構を制御する制御手段と、を具備する研削装置において、
該チャックテーブルに保持された被加工物の厚みを検出し検出信号を該制御手段に送る厚み検出手段と、該研削ユニットによる研削付加を検出し検出信号を該制御手段に送る研削負荷検出手段を具備し、
該制御手段は、厚み検出手段からの検出信号に基いて被加工物の厚みが所定の厚みに達したら該研削送り機構による研削送りを停止して所定時間スパークアウト研削を実行し、該所定時間が経過したら該研削ユニットをエスケープ速度で該チャックテーブルに保持された被加工物から後退させるように該研削送り機構を制御し、該研削負荷検出手段からの検出信号に基いて研削負荷が零（０）に達したら該研削ユニットを該エスケープ速度より速い退避速度で該チャックテーブルに保持された被加工物から後退させるように該研削送り機構を制御する、
ことを特徴とする研削装置が提供される。 In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a chuck table having a holding surface for holding a workpiece, a grinding unit for grinding the workpiece held on the chuck table, and the grinding unit In a grinding apparatus comprising a grinding feed mechanism for grinding and feeding in a direction perpendicular to the holding surface of the chuck table, and a control means for controlling the grinding feed mechanism,
Thickness detecting means for detecting the thickness of the workpiece held on the chuck table and sending a detection signal to the control means; and a grinding load detecting means for detecting addition of grinding by the grinding unit and sending the detection signal to the control means Equipped,
When the thickness of the workpiece reaches a predetermined thickness based on a detection signal from the thickness detection means, the control means stops the grinding feed by the grinding feed mechanism and executes spark-out grinding for a predetermined time. Is passed, the grinding feed mechanism is controlled so that the grinding unit is retracted from the workpiece held on the chuck table at an escape speed, and the grinding load is zero based on the detection signal from the grinding load detection means ( 0), the grinding feed mechanism is controlled so that the grinding unit is retracted from the workpiece held on the chuck table at a retreat speed faster than the escape speed.
A grinding device is provided.

上記研削ユニットは該チャックテーブルに保持された被加工物を研削する研削ホイールと該研削ホイールを回転駆動する電動モータを具備しており、上記研削負荷検出手段は該電動モータに印加する電力の負荷電流を検出する電流計からなっている。 The grinding unit includes a grinding wheel that grinds a workpiece held on the chuck table, and an electric motor that rotationally drives the grinding wheel, and the grinding load detection means is a load of electric power applied to the electric motor. It consists of an ammeter that detects current.

本発明による研削装置においては、厚み検出手段からの検出信号に基いて被加工物の厚みが所定の厚みに達したら該研削送り機構による研削送りを停止して所定時間スパークアウト研削を実行し、該所定時間が経過したら該研削ユニットをエスケープ速度で該研削ユニットを該チャックテーブルに保持された被加工物から後退させるように該研削送り機構を制御し、該研削負荷検出手段からの検出信号に基いて研削負荷が零（０）に達したら該研削ユニットを該エスケープ速度より速い退避速度で該研削ユニットを該チャックテーブルに保持された被加工物から後退させるように該研削送り機構を制御するので、被加工物の個性に対応してエスケープ作動時間が決まる。従って、品質にバラツキが生ずることなく生産性を向上することができる。 In the grinding apparatus according to the present invention, when the thickness of the workpiece reaches a predetermined thickness based on a detection signal from the thickness detection means, the grinding feed by the grinding feed mechanism is stopped and spark-out grinding is performed for a predetermined time, When the predetermined time has elapsed, the grinding feed mechanism is controlled so that the grinding unit is retracted from the workpiece held on the chuck table at an escape speed, and a detection signal from the grinding load detecting means is used. When the grinding load reaches zero (0), the grinding feed mechanism is controlled to retract the grinding unit from the workpiece held on the chuck table at a retreat speed faster than the escape speed. Therefore, the escape operation time is determined according to the individuality of the workpiece. Accordingly, productivity can be improved without causing variations in quality.

以下、本発明に従って構成された研削装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。 Preferred embodiments of a grinding apparatus constructed according to the present invention will be described below in more detail with reference to the accompanying drawings.

図１には、本発明に従って構成された研削装置の斜視図が示されている。
図示の実施形態における研削装置は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。装置ハウジング２の図１において右上端には、静止支持板２１が立設されている。この静止支持板２１の内側面には、上下方向に延びる２対の案内レール２２、２２および２３、２３が設けられている。一方の案内レール２２、２２には荒研削手段としての荒研削ユニット３が上下方向に移動可能に装着されており、他方の案内レール２３、２３には仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット４が上下方向に移動可能に装着されている。 FIG. 1 shows a perspective view of a grinding apparatus constructed in accordance with the present invention.
The grinding device in the illustrated embodiment includes a device housing 2 having a substantially rectangular parallelepiped shape. A stationary support plate 21 is erected on the upper right end of the device housing 2 in FIG. Two pairs of guide rails 22, 22 and 23, 23 extending in the vertical direction are provided on the inner surface of the stationary support plate 21. A rough grinding unit 3 as rough grinding means is mounted on one guide rail 22, 22 so as to be movable in the vertical direction, and a finish grinding unit 4 as finish grinding means is vertically installed on the other guide rail 23, 23. It is mounted to move in the direction.

荒研削ユニット３は、ユニットハウジング３１と、該ユニットハウジング３１の下端に回転自在に装着されたホイールマウント３２に装着された荒研削ホイール３３と、該ユニットハウジング３１の上端に装着されホイールマウント３２を矢印３２aで示す方向に回転せしめる電動モータ３４（M1）と、ユニットハウジング３１を装着した移動基台３５とを具備している。荒研削ホイール３３は、周知のように環状の砥石基台と、該砥石基台の下面に装着された複数の砥石セグメントとによって構成されており、砥石基台が上記ホイールマウント３２に締結ボルトネジ３３１によって取付けられる。移動基台３５には被案内レール３５１、３５１が設けられており、この被案内レール３５１、３５１を上記静止支持板２１に設けられた案内レール２２、２２に移動可能に嵌合することにより、荒研削ユニット３が上下方向に移動可能に支持される。図示の実施形態における研削装置は、荒研削ユニット３の移動基台３５を案内レール２２、２２に沿って移動する研削送りする研削送り機構３６を具備している。研削送り機構３６は、上記静止支持板２１に案内レール２２、２２と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド３６１と、該雄ねじロッド３６１を回転駆動するためのパルスモータ３６２(PM1)と、上記移動基台３５に装着され雄ねじロッド３６１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ３６２(PM1)によって雄ねじロッド３６１を正転および逆転駆動することにより、荒研削ユニット３を上下方向（後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向）に移動せしめる。 The rough grinding unit 3 includes a unit housing 31, a rough grinding wheel 33 attached to a wheel mount 32 rotatably attached to the lower end of the unit housing 31, and a wheel mount 32 attached to the upper end of the unit housing 31. An electric motor 34 (M1) that rotates in a direction indicated by an arrow 32a and a moving base 35 on which the unit housing 31 is mounted are provided. As is well known, the rough grinding wheel 33 includes an annular grindstone base and a plurality of grindstone segments mounted on the lower surface of the grindstone base, and the grindstone base is fastened to the wheel mount 32 with a fastening bolt screw 331. Installed by. Guided rails 351 and 351 are provided on the moving base 35, and the guided rails 351 and 351 are movably fitted to the guide rails 22 and 22 provided on the stationary support plate 21. The rough grinding unit 3 is supported so as to be movable in the vertical direction. The grinding apparatus in the illustrated embodiment includes a grinding feed mechanism 36 that feeds the moving base 35 of the rough grinding unit 3 along the guide rails 22 and 22. The grinding feed mechanism 36 includes a male screw rod 361 that is disposed on the stationary support plate 21 in a vertical direction parallel to the guide rails 22 and 22 and is rotatably supported, and a pulse motor 362 for rotationally driving the male screw rod 361. (PM1) and a female screw block (not shown) that is mounted on the moving base 35 and screwed with the male screw rod 361, and by driving the male screw rod 361 forward and backward by a pulse motor 362 (PM1), The rough grinding unit 3 is moved in the vertical direction (a direction perpendicular to the holding surface of the chuck table described later).

上記仕上げ研削ユニット４も上記荒研削ユニット３と同様に構成されており、ユニットハウジング４１と、該ユニットハウジング４１の下端に回転自在に装着されたホイールマウント４２に装着された仕上げ研削ホイール４３と、該ユニットハウジング４１の上端に装着されホイールマウント４２を矢印４２aで示す方向に回転せしめる電動モータ４４（M2）と、ユニットハウジング４１を装着した移動基台４５とを具備している。仕上げ研削ホイール４３は、周知のように環状の砥石基台と、該砥石基台の下面に装着された複数の砥石セグメントとによって構成されており、砥石基台が上記ホイールマウント４２に締結ボルトネジ４３１によって取付けられる。移動基台４５には被案内レール４５１、４５１が設けられており、この被案内レール４５１、４５１を上記静止支持板２１に設けられた案内レール２３、２３に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削ユニット４が上下方向に移動可能に支持される。図示の実施形態における研削装置は、仕上げ研削ユニット４の移動基台４５を案内レール２３、２３に沿って移動する研削送り機構４６を具備している。研削送り機構４６は、上記静止支持板２１に案内レール２３、２３と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド４６１と、該雄ねじロッド４６１を回転駆動するためのパルスモータ４６２(PM2)と、上記移動基台４５に装着され雄ねじロッド４６１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ４６２(PM2)によって雄ねじロッド４６１を正転および逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニット４を上下方向（後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向）に移動せしめる。 The finish grinding unit 4 is also configured in the same manner as the rough grinding unit 3, and includes a unit housing 41 and a finish grinding wheel 43 attached to a wheel mount 42 rotatably attached to the lower end of the unit housing 41. An electric motor 44 (M2) mounted on the upper end of the unit housing 41 and rotating the wheel mount 42 in the direction indicated by the arrow 42a, and a moving base 45 mounted with the unit housing 41 are provided. As is well known, the finish grinding wheel 43 includes an annular grindstone base and a plurality of grindstone segments mounted on the lower surface of the grindstone base, and the grindstone base is fastened to the wheel mount 42 with a fastening bolt screw 431. Installed by. Guided rails 451 and 451 are provided on the moving base 45, and the guided rails 451 and 451 are movably fitted to the guide rails 23 and 23 provided on the stationary support plate 21. The finish grinding unit 4 is supported so as to be movable in the vertical direction. The grinding apparatus in the illustrated embodiment includes a grinding feed mechanism 46 that moves the moving base 45 of the finish grinding unit 4 along the guide rails 23 and 23. The grinding feed mechanism 46 includes a male screw rod 461 that is disposed on the stationary support plate 21 in a vertical direction parallel to the guide rails 23 and 23 and is rotatably supported, and a pulse motor 462 for rotationally driving the male screw rod 461. (PM2) and a female screw block (not shown) that is mounted on the moving base 45 and screwed with the male screw rod 461, and the male screw rod 461 is driven forward and reverse by a pulse motor 462 (PM2), The finish grinding unit 4 is moved in the vertical direction (perpendicular to the holding surface of the chuck table described later).

図示の実施形態における研削装置は、上記静止支持板２１の前側において装置ハウジング２の上面と略面一となるように配設されたターンテーブル５を具備している。このターンテーブル５は、比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印５ａで示す方向に適宜回転せしめられる。ターンテーブル５には、図示の実施形態の場合それぞれ１２０度の位相角をもって３個のチャックテーブル６が水平面内で回転可能に配置されている。このチャックテーブル６は、円盤状の基台６１とポーラスセラミック材によって円盤状に形成され吸着保持チャック６２とからなっており、吸着保持チャック６２の上面（保持面）に載置された被加工物を図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持する。このように構成されたチャックテーブル６は、図１に示すように図示しない回転駆動機構によって矢印６aで示す方向に回転せしめられる。ターンテーブル５に配設された３個のチャックテーブル６は、ターンテーブル５が適宜回転することにより被加工物搬入・搬出域Ａ、荒研削加工域Ｂ、および仕上げ研削加工域Ｃおよび被加工物搬入・搬出域Ａに順次移動せしめられる。 The grinding apparatus in the illustrated embodiment includes a turntable 5 disposed so as to be substantially flush with the upper surface of the apparatus housing 2 on the front side of the stationary support plate 21. The turntable 5 is formed in a relatively large-diameter disk shape, and is appropriately rotated in a direction indicated by an arrow 5a by a rotation driving mechanism (not shown). In the illustrated embodiment, three chuck tables 6 are arranged on the turntable 5 so as to be rotatable in a horizontal plane with a phase angle of 120 degrees. The chuck table 6 includes a disk-shaped base 61 and a suction holding chuck 62 formed in a disk shape by a porous ceramic material, and a work piece placed on the upper surface (holding surface) of the suction holding chuck 62. Is sucked and held by operating a suction means (not shown). The chuck table 6 configured as described above is rotated in a direction indicated by an arrow 6a by a rotation driving mechanism (not shown) as shown in FIG. The three chuck tables 6 arranged on the turntable 5 have a workpiece loading / unloading zone A, a rough grinding zone B, a finish grinding zone C, and a workpiece by appropriately rotating the turntable 5. It is sequentially moved to the loading / unloading area A.

図示の研削装置は、被加工物搬入・搬出域Ａに対して一方側に配設され研削加工前の被加工物である半導体ウエーハをストックする第１のカセット７と、被加工物搬入・搬出域Ａに対して他方側に配設され研削加工後の被加工物である半導体ウエーハをストックする第２のカセット８と、第１のカセット７と被加工物搬入・搬出域Ａとの間に配設され被加工物の中心合わせを行う中心合わせ手段９と、被加工物搬入・搬出域Ａと第２のカセット８との間に配設されたスピンナー洗浄手段１１と、第１のカセット７内に収納された被加工物である半導体ウエーハを中心合わせ手段９に搬出するとともにスピンナー洗浄手段１１で洗浄された半導体ウエーハを第２のカセット８に搬送する被加工物搬送手段１２と、中心合わせ手段９上に載置され中心合わせされた半導体ウエーハを被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上に搬送する被加工物搬入手段１３と、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上に載置されている研削加工後の半導体ウエーハを洗浄手段１１に搬送する被加工物搬出手段１４を具備している。なお、上記第１のカセット７には、半導体ウエーハ１５が表面に保護テープ１６が貼着された状態で複数枚収容される。このとき、半導体ウエーハ１５は、裏面１５bを上側にして収容される。 The illustrated grinding apparatus includes a first cassette 7 that is disposed on one side with respect to a workpiece loading / unloading area A and stocks a semiconductor wafer that is a workpiece before grinding, and a workpiece loading / unloading. Between the second cassette 8 which is disposed on the other side with respect to the area A and stocks the semiconductor wafer which is the workpiece after grinding, and between the first cassette 7 and the workpiece loading / unloading area A Centering means 9 for centering the workpiece to be disposed, a spinner cleaning means 11 disposed between the workpiece loading / unloading area A and the second cassette 8, and a first cassette 7 Workpiece transporting means 12 for transporting the semiconductor wafer, which is a work piece contained in the semiconductor wafer, to the centering means 9 and transporting the semiconductor wafer cleaned by the spinner cleaning means 11 to the second cassette 8, and centering Placed on means 9 Workpiece loading means 13 for transporting the aligned semiconductor wafer onto the chuck table 6 positioned in the workpiece loading / unloading area A, and on the chuck table 6 positioned in the workpiece loading / unloading area A A workpiece unloading means 14 for conveying the ground semiconductor wafer placed on the cleaning means 11 to the cleaning means 11 is provided. Note that a plurality of semiconductor wafers 15 are accommodated in the first cassette 7 with the protective tape 16 attached to the surface. At this time, the semiconductor wafer 15 is accommodated with the back surface 15b facing upward.

図示の研削装置は、荒研削加工域Ｂおよび仕上げ研削加工域Ｃにそれぞれ隣接して配設された被加工物の厚み検出手段としての第１のハイトゲージ１７aおよび第２のハイトゲージ１７bを備えている。この第１のハイトゲージ１７aおよび第２のハイトゲージ１７bは、それぞれ荒研削加工域Ｂおよび仕上げ研削加工域Ｃに位置付けられたチャックテーブル６に保持された被加工物の上面の高さ位置を検出し、その検出データを後述する制御手段に送る。また、図示の研削装置は、上記荒研削ユニット３の電動モータ３４に印加される電力の負荷電流を検出するための第１の電流計１８aと、上記仕上げ研削ユニット４の電動モータ４４に印加される電力の負荷電流を検出するための第２の電流計１８bを備えている。これら第１の電流計１８aと第２の電流計１８bは研削負荷を検出するための研削負荷検出手段として機能し、検出電流値を後述する制御手段に送る。 The illustrated grinding apparatus includes a first height gauge 17a and a second height gauge 17b as workpiece thickness detecting means disposed adjacent to the rough grinding area B and the finish grinding area C, respectively. . The first height gauge 17a and the second height gauge 17b detect the height position of the upper surface of the workpiece held on the chuck table 6 positioned in the rough grinding area B and the finish grinding area C, respectively. The detected data is sent to the control means described later. The illustrated grinding apparatus is applied to the first ammeter 18a for detecting the load current of the power applied to the electric motor 34 of the rough grinding unit 3 and the electric motor 44 of the finish grinding unit 4. A second ammeter 18b for detecting the load current of the power to be detected. The first ammeter 18a and the second ammeter 18b function as grinding load detection means for detecting the grinding load, and send the detected current value to the control means described later.

図示の研削装置は、図２に示す制御手段１０を具備している。制御手段１０は、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）１０１と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）１０２と、演算結果等を記憶する記憶手段としての読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３と、タイマー(T)１０４と、入力インターフェース１０５および出力インターフェース１０６を備えている。このように構成された制御手段１０の入力インターフェース１０５には上記第１のハイトゲージ１７aおよび第２のハイトゲージ１７bや第１の電流計１８aおよび第２の電流計１８b等からの検出信号が入力され、出力インターフェース１０６から上記荒研削ユニット３の電動モータ３４（M1）および仕上げ研削ユニット４の電動モータ４４（M2）や上記研削送り機構３６のパルスモータ３６２(PM1)および研削送り機構４６のパルスモータ４６２(PM2)等に制御信号を出力する。 The illustrated grinding apparatus includes the control means 10 shown in FIG. The control means 10 includes a central processing unit (CPU) 101 that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) 102 that stores a control program and the like, and read / write random access as a storage means that stores arithmetic results and the like. A memory (RAM) 103, a timer (T) 104, an input interface 105, and an output interface 106 are provided. Detection signals from the first height gauge 17a and the second height gauge 17b, the first ammeter 18a, the second ammeter 18b, and the like are input to the input interface 105 of the control means 10 configured as described above. From the output interface 106, the electric motor 34 (M1) of the rough grinding unit 3 and the electric motor 44 (M2) of the finish grinding unit 4, the pulse motor 362 (PM1) of the grinding feed mechanism 36, and the pulse motor 462 of the grinding feed mechanism 46 are provided. Output control signal to (PM2) etc.

図示の実施形態における研削装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
第１のカセット７に収容された研削加工前の被加工物である半導体ウエーハ１５は被加工物搬送手段１２の上下動作および進退動作により搬送され、中心合わせ手段９に載置され６本のピン９１の中心に向かう径方向運動により中心合わせされる。中心合わせ手段９に載置され中心合わせされた半導体ウエーハ１５は、被加工物搬入手段１４の旋回動作によって被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６の吸着保持チャック６２上に載置される。そして、図示しない吸引手段を作動して、半導体ウエーハ１５を吸着保持チャック６２上に吸引保持する。次に、ターンテーブル５を図示しない回転駆動機構によって矢印５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、半導体ウエーハを載置したチャックテーブル６を荒研削加工域Ｂに位置付ける。 The grinding apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
A semiconductor wafer 15 which is a workpiece before grinding, which is accommodated in the first cassette 7, is conveyed by the vertical movement and advancing / retreating operation of the workpiece conveyance means 12, placed on the centering means 9 and six pins. Centered by radial movement toward the center of 91. The semiconductor wafer 15 placed and centered on the centering means 9 is placed on the suction holding chuck 62 of the chuck table 6 positioned in the workpiece loading / unloading area A by the turning operation of the workpiece loading means 14. Placed. Then, a suction means (not shown) is operated to suck and hold the semiconductor wafer 15 on the suction holding chuck 62. Next, the turntable 5 is rotated 120 degrees in the direction indicated by the arrow 5a by a rotation drive mechanism (not shown), and the chuck table 6 on which the semiconductor wafer is placed is positioned in the rough grinding area B.

半導体ウエーハ１５を保持したチャックテーブル６は、荒研削加工域Ｂに位置付けられると図示しない回転駆動機構によって図１において矢印６aで示す方向に例えば３００rpmの回転速度で回転せしめられる。一方、上記制御手段１０は、荒研削ユニット３の電動モータ３４（M1）を駆動し荒研削ホイール３３を図１において矢印３２aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍの回転速度で回転せしめるとともに、研削送り機構３６のパルスモータ３６２(PM1)を正転駆動して荒研削ユニット３を例えば３μm／秒の荒研削送り速度で下降（前進）せしめる。この結果、チャックテーブル６３の保持面に保持されている半導体ウエーハ１５の裏面１５b(上面)に研削ホイール３３が押圧され荒研削加工が施される。 When the chuck table 6 holding the semiconductor wafer 15 is positioned in the rough grinding region B, the chuck table 6 is rotated at a rotational speed of, for example, 300 rpm in a direction indicated by an arrow 6a in FIG. On the other hand, the control means 10 drives the electric motor 34 (M1) of the rough grinding unit 3 to rotate the rough grinding wheel 33 in the direction indicated by the arrow 32a in FIG. The pulse motor 362 (PM1) is normally driven to lower (advance) the rough grinding unit 3 at a rough grinding feed rate of, for example, 3 μm / second. As a result, the grinding wheel 33 is pressed against the back surface 15b (upper surface) of the semiconductor wafer 15 held on the holding surface of the chuck table 63, and rough grinding is performed.

上記荒研削加工においては、第１のハイトゲージ１７aによって予め検出されたチャックテーブル６の保持面の高さ位置信号(Ha1)が制御手段１０に入力されているとともに、第１のハイトゲージ１７aに検出されたチャックテーブル６の保持面上に保持されている半導体ウエーハ１５の高さ位置信号(Ha2)が制御手段８に入力される。そして、制御手段１０は、半導体ウエーハ１５の高さ位置信号(Ha2)とチャックテーブル６の保持面の高さ位置信号(Ha1)に基づいて半導体ウエーハ１５の厚さ（t）を演算する。この半導体ウエーハ１５の厚さ（t）は、t＝Ha２−Ha1によって求めることができる。そして、制御手段１０は、半導体ウエーハ１５の所定厚さ（t）が第１の所定厚さ(t1：例えば半導体ウエーハの仕上がり厚さプラス５０μm)に達したら、研削送り機構３６のパルスモータ３６２(PM1)の駆動を停止して所定時間（例えば１５秒）スパークアウト研削を実行した後、研削送り機構３６のパルスモータ３６２(PM1)を逆転駆動して荒研削ユニット３を例えば１０mm／秒の退避速度で上昇（後退）せしめる。 In the rough grinding process, the height position signal (Ha1) of the holding surface of the chuck table 6 detected in advance by the first height gauge 17a is input to the control means 10 and detected by the first height gauge 17a. The height position signal (Ha2) of the semiconductor wafer 15 held on the holding surface of the chuck table 6 is input to the control means 8. Then, the control means 10 calculates the thickness (t) of the semiconductor wafer 15 based on the height position signal (Ha2) of the semiconductor wafer 15 and the height position signal (Ha1) of the holding surface of the chuck table 6. The thickness (t) of the semiconductor wafer 15 can be obtained by t = Ha2−Ha1. Then, when the predetermined thickness (t) of the semiconductor wafer 15 reaches the first predetermined thickness (t1: for example, the finished thickness of the semiconductor wafer plus 50 μm), the control means 10 controls the pulse motor 362 ( After stopping the driving of PM1) and executing spark-out grinding for a predetermined time (for example, 15 seconds), the pulse motor 362 (PM1) of the grinding feed mechanism 36 is driven in reverse to retract the rough grinding unit 3 by, for example, 10 mm / second. Ascend (retreat) at speed.

なお、上記荒研削加工を実施している間に被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられた次のチャックテーブル６上には、上述したように研削加工前の半導体ウエーハ１５が載置される。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ１５をチャックテーブル６上に吸引保持する。次に、ターンテーブル５を矢印５aで示す方向に１２０度回動せしめて、荒研削加工された半導体ウエーハ１５を保持しているチャックテーブル６を仕上げ研削加工域Ｃに位置付け、研削加工前の半導体ウエーハ１５を保持したチャックテーブル６を荒研削加工域Ｂに位置付ける。 Note that, as described above, the semiconductor wafer 15 before grinding is placed on the next chuck table 6 positioned in the workpiece loading / unloading area A during the rough grinding. . Then, the semiconductor wafer 15 is sucked and held on the chuck table 6 by operating a suction means (not shown). Next, the turntable 5 is rotated 120 degrees in the direction indicated by the arrow 5a, the chuck table 6 holding the semiconductor wafer 15 subjected to rough grinding is positioned in the finish grinding region C, and the semiconductor before grinding is processed. The chuck table 6 holding the wafer 15 is positioned in the rough grinding area B.

このようにして、荒研削加工域Ｂに位置付けられたチャックテーブル６上に保持された荒研削加工前の半導体ウエーハ１５の裏面１５bには荒研削ユニット３によって上記荒研削加工が実行される。一方、仕上げ研削加工域Ｃに位置付けられたチャックテーブル６上に載置され荒研削加工された半導体ウエーハ１５の裏面１５bには仕上げ研削ユニット４によって仕上げ研削加工が施される。即ち、チャックテーブル６が矢印６aで示す方向に例えば３００rpmの回転速度で回転せしめられる。一方、制御手段１０は、仕上げ研削ユニット４の電動モータ４４（M2）を駆動し仕上げ研削ホイール４３を図１において矢印４２aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍの回転速度で回転せしめるとともに、研削送り機構４６のパルスモータ４６２(PM2)を正転駆動して仕上げ研削ユニット４を例えば１μm／秒の仕上げ研削送り速度で下降（前進）せしめる。この結果、チャックテーブル６３の保持面に保持されている半導体ウエーハ１５の裏面１５b(上面)に仕上げ研削ホイール４３が押圧され仕上げ研削加工が施される。 In this way, the rough grinding unit 3 executes the rough grinding on the back surface 15b of the semiconductor wafer 15 before the rough grinding held on the chuck table 6 positioned in the rough grinding region B. On the other hand, the finish grinding unit 4 performs finish grinding on the back surface 15b of the semiconductor wafer 15 placed on the chuck table 6 positioned in the finish grinding region C and subjected to rough grinding. That is, the chuck table 6 is rotated in the direction indicated by the arrow 6a at a rotational speed of, for example, 300 rpm. On the other hand, the control means 10 drives the electric motor 44 (M2) of the finish grinding unit 4 to rotate the finish grinding wheel 43 in the direction indicated by the arrow 42a in FIG. The pulse motor 462 (PM2) is driven forward to lower (advance) the finish grinding unit 4 at a finish grinding feed rate of, for example, 1 μm / second. As a result, the finish grinding wheel 43 is pressed against the back surface 15b (upper surface) of the semiconductor wafer 15 held on the holding surface of the chuck table 63, and finish grinding is performed.

上記仕上げ研削加工においては、第２のハイトゲージ１７bによって予め検出されたチャックテーブル６の保持面の高さ位置信号(Hb1)が制御手段１０に入力されているとともに、第２のハイトゲージ１７bに検出されたチャックテーブル６の保持面上に保持されている半導体ウエーハ１５の高さ位置信号(Hb2)が制御手段８に入力される。そして、制御手段１０は、半導体ウエーハ１５の高さ位置信号(Hb2)とチャックテーブル６の保持面の高さ位置信号(Hb1)に基づいて半導体ウエーハ１５の厚さ（t）を演算する。この半導体ウエーハ１５の厚さ（t）は、t＝Hb２−Hb1によって求めることができる。そして、制御手段１０は、半導体ウエーハ１５の厚さ（t）が第２の所定厚さ(t2)（半導体ウエーハの仕上がり厚さ）に達したら、研削送り機構４６のパルスモータ４６２(PM2)の駆動を停止して、所定時間（例えば１５秒）スパークアウト研削を実行した後、研削送り機構４６のパルスモータ４６２(PM2)を逆転駆動して仕上げ研削ユニット４を例えば０．３μm／秒のエスケープ速度で後退させる（チャックテーブルに保持された被加工物から離反させる）エスケープ作動を実施する。 In the finish grinding, the height position signal (Hb1) of the holding surface of the chuck table 6 detected in advance by the second height gauge 17b is input to the control means 10 and detected by the second height gauge 17b. The height position signal (Hb2) of the semiconductor wafer 15 held on the holding surface of the chuck table 6 is input to the control means 8. Then, the control means 10 calculates the thickness (t) of the semiconductor wafer 15 based on the height position signal (Hb2) of the semiconductor wafer 15 and the height position signal (Hb1) of the holding surface of the chuck table 6. The thickness (t) of the semiconductor wafer 15 can be obtained by t = Hb2−Hb1. Then, when the thickness (t) of the semiconductor wafer 15 reaches the second predetermined thickness (t2) (finished thickness of the semiconductor wafer), the control means 10 controls the pulse motor 462 (PM2) of the grinding feed mechanism 46. After stopping the drive and executing spark-out grinding for a predetermined time (for example, 15 seconds), the pulse motor 462 (PM2) of the grinding feed mechanism 46 is driven in reverse to make the finish grinding unit 4 escape by 0.3 μm / second, for example. Escape operation is performed to retract at a speed (separate from the workpiece held on the chuck table).

ここで、上記仕上げ研削加工における制御手段１０の制御手順について、図３に示すフローチャートを参照して説明する。
仕上げ研削加工においては、上述したようにチャックテーブル６を図１において矢印６aで示す方向に回転するとともに、制御手段１０はステップS1において仕上げ研削ユニット４の電動モータ４４（M2）を駆動(ON)して仕上げ研削ホイール４３を図１において矢印４２aで示す方向に回転せしめ、研削送り機構４６のパルスモータ４６２(PM2)を正転駆動して仕上げ研削ユニット４を仕上げ研削送り速度（V1：例えば１μm／秒）の移動速度で下降（前進）せしめる。 Here, the control procedure of the control means 10 in the finish grinding will be described with reference to the flowchart shown in FIG.
In finish grinding, as described above, the chuck table 6 is rotated in the direction indicated by the arrow 6a in FIG. 1, and the control means 10 drives (ON) the electric motor 44 (M2) of the finish grinding unit 4 in step S1. Then, the finish grinding wheel 43 is rotated in the direction indicated by the arrow 42a in FIG. 1, and the pulse motor 462 (PM2) of the grinding feed mechanism 46 is driven in the normal direction to drive the finish grinding unit 4 to the finish grinding feed speed (V1: 1 μm, for example 1 μm) Descent (advance) at a moving speed of / sec.

次に、制御手段１０はステップS2に進み、第２のハイトゲージ１７bからの高さ位置信号(Hb2)に基いて上述したように半導体ウエーハ１５の厚さ（t）を演算する（t＝Hb２−Hb1）。そして、制御手段１０はステップS3に進んで、半導体ウエーハ１５の厚さ（t）が第２の所定厚さ（t2：半導体ウエーハの仕上がり厚さ）に達したか否かをチェックする。ステップS3において半導体ウエーハ１５の厚さ（t）が第２の所定厚さ(t2)に達していない場合は、制御手段１０は上記ステップS1に戻ってステップS1乃至ステップS3を繰り返し実行する。一方、ステップS3において半導体ウエーハ１５の厚さ（t）が第２の所定厚さ(t2)に達したならば、制御手段１０はステップS4に進んで研削送り機構４６のパルスモータ４６２(PM2)の駆動を停止(OFF)して所謂スパークアウト研削を開始するとともに、タイマー(T)１０４を所定時間(T1：例えば１５秒）にセットする。そして、制御手段１０はステップS5に進んで、タイマー(T)１０４をセットしてからの経過時間(T0)が所定時間(T1)に達したか否かをチェックする。ステップS5においてタイマー(T)１０４をセットしてからの経過時間(T0)が所定時間(T1)に達していない場合は、制御手段１０は上記ステップS4に戻ってステップS4およびステップS5を繰り返し実行する。一方、ステップS5においてタイマー(T)１０４をセットしてからの経過時間(T0)が所定時間(T1)に達したならば、制御手段１０はステップS6に進んで研削送り機構４６のパルスモータ４６２(PM2)を逆転駆動して仕上げ研削ユニット４をエスケープ速度（V2：例えば０．３μm／秒）で上昇（後退）せしめる。 Next, the control means 10 proceeds to step S2, and calculates the thickness (t) of the semiconductor wafer 15 as described above based on the height position signal (Hb2) from the second height gauge 17b (t = Hb2−). Hb1). Then, the control means 10 proceeds to step S3 and checks whether or not the thickness (t) of the semiconductor wafer 15 has reached a second predetermined thickness (t2: the finished thickness of the semiconductor wafer). If the thickness (t) of the semiconductor wafer 15 does not reach the second predetermined thickness (t2) in step S3, the control means 10 returns to step S1 and repeatedly executes steps S1 to S3. On the other hand, if the thickness (t) of the semiconductor wafer 15 reaches the second predetermined thickness (t2) in step S3, the control means 10 proceeds to step S4 and the pulse motor 462 (PM2) of the grinding feed mechanism 46 is reached. Is stopped (OFF), so-called spark-out grinding is started, and the timer (T) 104 is set to a predetermined time (T1: 15 seconds, for example). Then, the control means 10 proceeds to step S5 and checks whether or not the elapsed time (T0) after setting the timer (T) 104 has reached a predetermined time (T1). If the elapsed time (T0) after setting the timer (T) 104 in step S5 has not reached the predetermined time (T1), the control means 10 returns to step S4 and repeats steps S4 and S5. To do. On the other hand, if the elapsed time (T0) after setting the timer (T) 104 in step S5 reaches a predetermined time (T1), the control means 10 proceeds to step S6 and the pulse motor 462 of the grinding feed mechanism 46 is reached. (PM2) is driven in reverse to raise (retreat) the finish grinding unit 4 at an escape speed (V2: eg 0.3 μm / sec).

上記ステップS６において研削送り機構４６のパルスモータ４６２(PM2)を逆転駆動して仕上げ研削ユニット４をエスケープ速度（V2）で上昇（後退）せしめたならば、制御手段１０はステップS7に進んで第２の電流計１８bからの検出信号に基いて仕上げ研削ユニット４の電動モータ４４（M2）に印加される電力の負荷電流(A)が研削負荷が零（０）の状態における電流値（A1）に達したか否かをチェックする。ステップS8において電動モータ４４（M2）に印加される電力の負荷電流(A)が研削負荷が零（０）の状態における電流値（A1）に達していなければ、制御手段１０は未だ研削ホイール３３が半導体ウエーハ１５に接触しているものと判断し、上記ステップS6に戻ってステップS6およびステップS7を繰り返し実行する。一方、ステップS7において電動モータ４４（M2）に印加される電力の負荷電流(A)が研削負荷が零（０）の状態における電流値（A1）に達したならば、制御手段１０は研削ホイール３３が半導体ウエーハ１５から離れたと判断し、ステップS8に進んで研削送り機構４６のパルスモータ４６２(PM2)を逆転駆動してエスケープ速度（V2）より速い退避速度(V3：例えば１０mm／秒）で上昇（後退）せしめる。 If in step S6 the pulse motor 462 (PM2) of the grinding feed mechanism 46 is driven in reverse to raise (retract) the finish grinding unit 4 at the escape speed (V2), the control means 10 proceeds to step S7 and proceeds to step S7. The current value (A1) when the load current (A) of power applied to the electric motor 44 (M2) of the finish grinding unit 4 is zero (0) based on the detection signal from the ammeter 18b of No. 2 Check whether or not If the load current (A) of the electric power applied to the electric motor 44 (M2) in step S8 has not reached the current value (A1) when the grinding load is zero (0), the control means 10 still has the grinding wheel 33. Is in contact with the semiconductor wafer 15, the process returns to step S6, and steps S6 and S7 are repeatedly executed. On the other hand, if the load current (A) of the electric power applied to the electric motor 44 (M2) reaches the current value (A1) in the state where the grinding load is zero (0) in step S7, the control means 10 determines the grinding wheel. 33 is determined to have moved away from the semiconductor wafer 15, and the process proceeds to step S8, where the pulse motor 462 (PM2) of the grinding feed mechanism 46 is driven in reverse rotation at a retreat speed (V3: 10 mm / second) faster than the escape speed (V2). Raise (retreat).

以上のように、図示の実施形態における研削装置は、半導体ウエーハ１５を第２の所定厚さ(t2)（半導体ウエーハの仕上がり厚さ）まで研削したら、研削送り機構４６のパルスモータ４６２(PM2)の駆動を停止(OFF)して所謂スパークアウト研削を所定時間(T1)実施した後、研削送り機構４６のパルスモータ４６２(PM2)を逆転駆動して仕上げ研削ユニット４をエスケープ速度（V2：例えば０．３μm／秒）で上昇（後退）せしめ、仕上げ研削ユニット４の電動モータ４４（M2）に印加される電力の負荷電流(A)が研削負荷が零（０）の状態における電流値（A1）に達したならば、研削送り機構４６のパルスモータ４６２(PM2)を逆転駆動して仕上げ研削ユニット４をエスケープ速度（V2）より速い退避速度(V3：例えば１０mm／秒）で上昇（後退）せしめるので、被加工物である半導体ウエーハ１５の個性に対応してエスケープ作動時間が決まる。従って、品質にバラツキが生ずることなく生産性を向上することができる。 As described above, when the semiconductor wafer 15 is ground to the second predetermined thickness (t2) (finished thickness of the semiconductor wafer), the grinding apparatus in the illustrated embodiment has the pulse motor 462 (PM2) of the grinding feed mechanism 46. Is stopped (OFF) and so-called spark-out grinding is performed for a predetermined time (T1), and then the pulse motor 462 (PM2) of the grinding feed mechanism 46 is driven in reverse to drive the finish grinding unit 4 to escape speed (V2: for example, The load current (A) of the electric power applied to the electric motor 44 (M2) of the finish grinding unit 4 is the current value (A1) when the grinding load is zero (0). ), The pulse motor 462 (PM2) of the grinding feed mechanism 46 is driven in reverse to raise (retreat) the finish grinding unit 4 at a retreat speed (V3: 10 mm / second, for example) faster than the escape speed (V2). So Escape operating time is determined in response to the personality of the semiconductor wafer 15 is processed. Accordingly, productivity can be improved without causing variations in quality.

上述したように荒研削加工域Ｂに位置付けられたチャックテーブル６上に保持された荒研削加工前の半導体ウエーハ１５に荒研削加工が実行され、仕上げ研削加工域Ｃに位置付けられたチャックテーブル６上に保持された半導体ウエーハ１５に仕上げ研削加工が実施されたならば、ターンテーブル５を矢印５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、仕上げ研削加工した半導体ウエーハ１５を保持したチャックテーブル６を被加工物搬入・搬出域Ａに位置付ける。なお、荒研削加工域Ｂにおいて荒研削加工された半導体ウエーハ１５を保持したチャックテーブル６は仕上げ研削加工域Ｃに、被加工物搬入・搬出域Ａにおいて研削加工前の半導体ウエーハ１５を保持したチャックテーブル６は荒研削加工域Ｂにそれぞれ移動せしめられる。 As described above, the rough grinding process is performed on the semiconductor wafer 15 before the rough grinding process held on the chuck table 6 positioned in the rough grinding process area B, and the chuck table 6 positioned in the finish grinding process area C is performed. When the finish grinding is performed on the semiconductor wafer 15 held on the wafer, the turntable 5 is rotated by 120 degrees in the direction indicated by the arrow 5a, and the chuck table 6 holding the finish-ground semiconductor wafer 15 is covered. Position in work-in / out area A. The chuck table 6 holding the semiconductor wafer 15 subjected to rough grinding in the rough grinding region B is held in the finish grinding region C, and the chuck holding the semiconductor wafer 15 before grinding in the workpiece loading / unloading region A. The table 6 is moved to the rough grinding area B, respectively.

なお、荒研削加工域Ｂおよび仕上げ研削加工域Ｃを経由して被加工物搬入・搬出域Ａに戻ったチャックテーブル６は、ここで仕上げ研削加工された半導体ウエーハ１５の吸着保持を解除する。そして、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上の仕上げ研削加工された半導体ウエーハ１５は、被加工物搬出手段１４によってスピンナー洗浄手段１１に搬出される。スピンナー洗浄手段１１に搬送された半導体ウエーハ１５は、ここで裏面１５a（研削面）および側面に付着している研削屑が洗浄除去されるとともに、スピン乾燥される。このようにして洗浄およびスピン乾燥された半導体ウエーハ１５は、被加工物搬送手段１２によって第２のカセット８に搬送され収納される。 The chuck table 6 that has returned to the workpiece loading / unloading zone A via the rough grinding zone B and the finish grinding zone C releases the suction holding of the semiconductor wafer 15 that has been ground here. Then, the finish-ground semiconductor wafer 15 on the chuck table 6 positioned in the workpiece carry-in / carry-out area A is carried out to the spinner cleaning means 11 by the workpiece carry-out means 14. The semiconductor wafer 15 transported to the spinner cleaning means 11 is spin-dried while the grinding debris adhering to the back surface 15a (grinding surface) and the side surface is cleaned and removed. The semiconductor wafer 15 thus cleaned and spin-dried is transported and stored in the second cassette 8 by the workpiece transport means 12.

以上、本発明を図示の実施形態に基いて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、図示の実施形態においては、荒研削ユニットと仕上げ研削ユニットを備えた研削装置において、荒研削に比して研削時間を要する仕上げ研削を実施する仕上げ研削ユニットの制御に本発明を適用した例を示したが、荒研削ユニットの制御に本発明を適用してもよい。また、図示の実施形態においては、研削ユニットによる研削付加を検出する研削負荷検出手段として研削ユニットの電動モータに印加される電力の負荷電流を検出する電流計を用いた例を示したが、研削負荷検出手段としてはチャックテーブルに作用する荷重を検出する荷重検出器を用いてもよい。 As mentioned above, although this invention was demonstrated based on embodiment of illustration, this invention is not limited only to embodiment, A various deformation | transformation is possible in the range of the meaning of this invention. For example, in the illustrated embodiment, an example in which the present invention is applied to control of a finish grinding unit that performs finish grinding that requires a grinding time compared to rough grinding in a grinding apparatus including a rough grinding unit and a finish grinding unit. However, the present invention may be applied to control of the rough grinding unit. In the illustrated embodiment, an example is shown in which an ammeter that detects a load current of power applied to the electric motor of the grinding unit is used as a grinding load detection unit that detects grinding addition by the grinding unit. As the load detection means, a load detector that detects a load acting on the chuck table may be used.

本発明に従って構成された研削装置の斜視図。1 is a perspective view of a grinding apparatus constructed according to the present invention. 図１に示す研削装置に装備される制御手段の構成ブロック図。FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of control means provided in the grinding apparatus shown in FIG. 図２に示す制御手段が実行する仕上げ研削加工の制御手順を示すフローチャート。The flowchart which shows the control procedure of the finish grinding process which the control means shown in FIG. 2 performs. スパークアウト研削を実施した後に研削負荷が零（０）の状態になるまでに要する時間を計測した実験データ。Experimental data measuring the time required for the grinding load to reach zero (0) after spark-out grinding.

符号の説明Explanation of symbols

２：装置ハウジング
３：荒研削ユニット
３３：研削ホイール
３６：研削送り手段
３６２：パルスモータ
４：仕上げ研削ユニット
４３：研削ホイール
４６：研削送り手段
４６２：パルスモータ
５：ターンテーブル
６：チャックテーブル
７：第１のカセット
８：第２のカセット
９：仮置きテーブル
１０：制御手段
１１：スピンナー洗浄手段
１２：被加工物搬送手段
１３：被加工物搬入手段
１４：被加工物搬出手段
１５：半導体ウエーハ
１６：保護テープ
１７a：第１のハイトゲージ
１７b：第2のハイトゲージ
１８a：第１の電流計
１８b：第２の電流計 2: equipment housing 3: rough grinding unit 33: grinding wheel 36: grinding feed means 362: pulse motor 4: finish grinding unit 43: grinding wheel 46: grinding feed means 462: pulse motor 5: turntable 6: chuck table 7: First cassette 8: Second cassette 9: Temporary placement table 10: Control means 11: Spinner cleaning means 12: Workpiece transport means 13: Workpiece carry-in means 14: Workpiece carry-out means 15: Semiconductor wafer 16 : Protective tape 17a: first height gauge 17b: second height gauge 18a: first ammeter 18b: second ammeter

Claims

被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を研削する研削ユニットと、該研削ユニットをチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に研削送りする研削送り機構と、該研削送り機構を制御する制御手段と、を具備する研削装置において、
該チャックテーブルに保持された被加工物の厚みを検出し検出信号を該制御手段に送る厚み検出手段と、該研削ユニットによる研削付加を検出し検出信号を該制御手段に送る研削負荷検出手段を具備し、
該制御手段は、厚み検出手段からの検出信号に基いて被加工物の厚みが所定の厚みに達したら該研削送り機構による研削送りを停止して所定時間スパークアウト研削を実行し、該所定時間が経過したら該研削ユニットをエスケープ速度で該チャックテーブルに保持された被加工物から後退させるように該研削送り機構を制御し、該研削負荷検出手段からの検出信号に基いて研削負荷が零（０）に達したら該研削ユニットを該エスケープ速度より速い退避速度で該チャックテーブルに保持された被加工物から後退させるように該研削送り機構を制御する、
ことを特徴とする研削装置。 A chuck table having a holding surface for holding a workpiece, a grinding unit for grinding the workpiece held on the chuck table, and grinding feed the grinding unit in a direction perpendicular to the holding surface of the chuck table. In a grinding apparatus comprising a grinding feed mechanism that performs control and a control means that controls the grinding feed mechanism,
Thickness detecting means for detecting the thickness of the workpiece held on the chuck table and sending a detection signal to the control means; and a grinding load detecting means for detecting addition of grinding by the grinding unit and sending the detection signal to the control means Equipped,
When the thickness of the workpiece reaches a predetermined thickness based on a detection signal from the thickness detection means, the control means stops the grinding feed by the grinding feed mechanism and executes spark-out grinding for a predetermined time. Is passed, the grinding feed mechanism is controlled so that the grinding unit is retracted from the workpiece held on the chuck table at an escape speed, and the grinding load is zero based on the detection signal from the grinding load detection means ( 0), the grinding feed mechanism is controlled so that the grinding unit is retracted from the workpiece held on the chuck table at a retreat speed faster than the escape speed.
A grinding apparatus characterized by that.

該研削ユニットは該チャックテーブルに保持された被加工物を研削する研削ホイールと該研削ホイールを回転駆動する電動モータを具備しており、該研削負荷検出手段は該電動モータに印加する電力の負荷電流を検出する電流計からなっている、請求項１記載の研削装置。 The grinding unit includes a grinding wheel that grinds a workpiece held on the chuck table, and an electric motor that rotationally drives the grinding wheel, and the grinding load detection means is a load of electric power applied to the electric motor. The grinding apparatus according to claim 1, comprising an ammeter that detects current.