JP5033690B2 - Method for manufacturing bulk acoustic wave device - Google Patents
Method for manufacturing bulk acoustic wave device Download PDFInfo
- Publication number
- JP5033690B2 JP5033690B2 JP2008075453A JP2008075453A JP5033690B2 JP 5033690 B2 JP5033690 B2 JP 5033690B2 JP 2008075453 A JP2008075453 A JP 2008075453A JP 2008075453 A JP2008075453 A JP 2008075453A JP 5033690 B2 JP5033690 B2 JP 5033690B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- acoustic wave
- bulk acoustic
- manufacturing
- piezoelectric substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
本発明は、圧電体薄膜を挟んで電極膜が対向する共振器をキャビティによって支持基板から離隔させたバルク弾性波装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a bulk acoustic wave device in which a resonator having electrode films facing each other across a piezoelectric thin film is separated from a support substrate by a cavity.
圧電体薄膜を挟んで電極膜が対向する共振器を備えるバルク弾性波装置は、特許文献1に示すように、支持基板の上に下部電極膜、圧電体薄膜及び上部電極膜をスパッタ蒸着、化学気相蒸着等の付加加工により順次形成することにより製造されるのが一般的である。 As shown in Patent Document 1, a bulk acoustic wave device including a resonator with electrode films facing each other with a piezoelectric thin film sandwiched thereon is sputter-deposited with a lower electrode film, a piezoelectric thin film, and an upper electrode film on a support substrate. In general, it is manufactured by sequentially forming by additional processing such as vapor deposition.
しかし、特許文献1に示すバルク弾性波装置の製造方法では、圧電体薄膜を構成する圧電材料や圧電体薄膜における結晶方位は、下地となる下部電極膜の上に形成可能なものに限られる。すなわち、特許文献1に示すバルク弾性波装置の製造方法では、圧電体薄膜を構成する圧電材料や圧電体薄膜における結晶方位の選択の自由度が低く、所望の特性を有するバルク弾性波装置を製造することが困難な場合がある。 However, in the method for manufacturing the bulk acoustic wave device disclosed in Patent Document 1, the piezoelectric material constituting the piezoelectric thin film and the crystal orientation of the piezoelectric thin film are limited to those that can be formed on the underlying lower electrode film. In other words, the bulk acoustic wave device manufacturing method disclosed in Patent Document 1 manufactures a bulk acoustic wave device having a desired characteristic with a low degree of freedom in selection of the crystal orientation of the piezoelectric material and piezoelectric thin film constituting the piezoelectric thin film. It may be difficult to do.
この問題を解決するため、特許文献2は、圧電体基板を含む第1の板状構造体と支持基板を含む第2の板状構造体とを接合してから圧電体基板を研磨することによりバルク弾性波装置を構成する圧電体薄膜を形成することを提案している。特許文献2に示すバルク弾性波装置の製造方法では、圧電体薄膜を構成する圧電材料や圧電体薄膜における結晶方位の選択の自由度が高く、所望の特性を有するバルク弾性波装置を製造することが容易である。 In order to solve this problem, Patent Document 2 discloses a method in which a first plate-like structure including a piezoelectric substrate is bonded to a second plate-like structure including a support substrate, and then the piezoelectric substrate is polished. It has been proposed to form a piezoelectric thin film that constitutes a bulk acoustic wave device. According to the method for manufacturing a bulk acoustic wave device shown in Patent Document 2, a bulk acoustic wave device having a desired characteristic with a high degree of freedom in selecting a crystal orientation in a piezoelectric material or a piezoelectric thin film constituting the piezoelectric thin film. Is easy.
しかし、圧電体基板を研磨で均一に加工することは極めて困難である。このため、特許文献2が提案しているバルク弾性波装置の製造方法では、形成された圧電体薄膜の膜厚の均一性を確保することが困難であるという問題がある。 However, it is extremely difficult to uniformly process the piezoelectric substrate by polishing. For this reason, the bulk acoustic wave device manufacturing method proposed in Patent Document 2 has a problem that it is difficult to ensure the uniformity of the thickness of the formed piezoelectric thin film.
加えて、特許文献2が提案しているバルク弾性波装置の製造方法では、研磨のときにキャビティの上方にある圧電体薄膜が湾曲し、圧電体薄膜の膜厚の均一性をさらに損なうという問題がある。研磨のときの圧電体薄膜の湾曲は、電極膜の膜厚が圧電体薄膜の膜厚と比較して無視できないため圧電体薄膜に大きな応力が生じること、研磨により圧電体薄膜の膜厚が変化すると圧電体薄膜の膜厚と電極膜の膜厚との比が変化し当該応力の大きさが変化すること等の原因により生じる。 In addition, in the method for manufacturing a bulk acoustic wave device proposed in Patent Document 2, the piezoelectric thin film above the cavity is curved during polishing, and the film thickness uniformity of the piezoelectric thin film is further impaired. There is. The bending of the piezoelectric thin film during polishing causes a large stress on the piezoelectric thin film because the electrode film thickness cannot be ignored compared to the piezoelectric thin film thickness, and the piezoelectric thin film thickness changes due to polishing. As a result, the ratio between the film thickness of the piezoelectric thin film and the film thickness of the electrode film changes to cause the stress to change.
本発明は、この問題を解決するためになされたもので、圧電体薄膜の膜厚の均一性を向上することができるバルク弾性波装置の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve this problem, and an object thereof is to provide a method for manufacturing a bulk acoustic wave device capable of improving the uniformity of the film thickness of a piezoelectric thin film.
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、圧電体薄膜を挟んで電極膜が対向する共振器をキャビティによって支持基板から離隔させたバルク弾性波装置の製造方法であって、(a) エッチングレートが相対的に速い第1の主面とエッチングレートが相対的に遅い第2の主面とを有する圧電体基板の前記第2の主面に露出し前記第1の主面に露出しない部分の分極方向を反転する工程と、(b) 前記工程(a)の後に前記圧電体基板を含む第1の板状構造体と前記支持基板を含む第2の板状構造体とを前記第2の板状構造体の側に前記第2の主面を向けた状態で接合する工程と、(c) 前記第1の板状構造体と前記第2の板状構造体とを接合した状態を維持したまま前記第1の主面の側から前記圧電体基板をエッチングすることにより前記工程(a)において分極方向が反転された部分以外を除去する工程と、を備える。 In order to solve the above-mentioned problems, the invention of claim 1 is a method for manufacturing a bulk acoustic wave device in which a resonator having electrode films facing each other with a piezoelectric thin film interposed therebetween is separated from a support substrate by a cavity. Exposed on the second main surface of the piezoelectric substrate having the first main surface having a relatively high etching rate and the second main surface having a relatively low etching rate, and not exposed on the first main surface. Reversing the polarization direction of the portion; and (b) after the step (a), a first plate-like structure including the piezoelectric substrate and a second plate-like structure including the support substrate. A step of joining the second main surface to the side of the plate-like structure of 2 and (c) a state of joining the first plate-like structure and the second plate-like structure In the step (a), the piezoelectric substrate is etched from the first main surface side while maintaining And a step of removing the non-polar direction is inverted portion.
請求項2の発明は、請求項1に記載のバルク弾性波装置の製造方法において、(d) 前記工程(c)の後に残存している前記工程(a)において分極方向が反転された部分の表面をイオンミリングで平坦化する工程、をさらに備える。 According to a second aspect of the present invention, in the method for manufacturing a bulk acoustic wave device according to the first aspect of the present invention, (d) the portion of the polarization direction reversed in the step (a) remaining after the step (c). A step of planarizing the surface by ion milling.
請求項3の発明は、請求項1又は請求項2に記載のバルク弾性波装置の製造方法において、(e) 前記圧電体基板をエッチングする前に最終的に前記キャビティとなることが予定されている3次元領域である予定領域を犠牲体で埋める工程と、(f) 前記圧電体基板をエッチングした後に前記犠牲体を除去する工程と、をさらに備える。 According to a third aspect of the present invention, in the method for manufacturing a bulk acoustic wave device according to the first or second aspect, (e) the cavity is planned to finally become the cavity before the piezoelectric substrate is etched. And (f) a step of removing the sacrificial body after etching the piezoelectric substrate.
請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のバルク弾性波装置の製造方法において、前記圧電体基板がタンタル酸リチウムのZ板である。 According to a fourth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a bulk acoustic wave device according to any one of the first to third aspects, the piezoelectric substrate is a Z-plate of lithium tantalate.
請求項1の発明によれば、分極方向が反転された部分の深さを制御することにより圧電体薄膜の膜厚を制御することができるので、圧電体薄膜の膜厚の制御が容易になり、圧電体薄膜の膜厚の均一性を向上することができる。 According to the first aspect of the present invention, since the film thickness of the piezoelectric thin film can be controlled by controlling the depth of the portion where the polarization direction is reversed, the film thickness of the piezoelectric thin film can be easily controlled. The uniformity of the film thickness of the piezoelectric thin film can be improved.
請求項2の発明によれば、圧電体薄膜の膜厚の均一性をさらに向上することができる。 According to the invention of claim 2, the uniformity of the film thickness of the piezoelectric thin film can be further improved.
請求項3の発明によれば、犠牲体が圧電体薄膜の上方及び下方への湾曲を抑制するので、圧電体薄膜の膜厚が不均一となることを抑制することができる。 According to the invention of claim 3, since the sacrificial body suppresses the upward and downward bending of the piezoelectric thin film, it can be suppressed that the film thickness of the piezoelectric thin film is not uniform.
請求項4の発明によれば、分極方向の反転が容易になる。 According to the invention of claim 4, the reversal of the polarization direction is facilitated.
<1 はじめに>
図1〜図3は、以下で説明する圧電体基板の加工の原理を説明する模式図である。図1〜図3は、加工の途上の圧電体基板の断面図となっている。
<1 Introduction>
1 to 3 are schematic views for explaining the principle of processing of a piezoelectric substrate described below. 1 to 3 are cross-sectional views of the piezoelectric substrate being processed.
図1に示すように、平行な第1の主面804及び第2の主面806を有する圧電体基板802では、第1の主面804の極性と第2の主面806の極性とが異なっており、第1の主面804のエッチングレートと第2の主面806のエッチングレートとが異なっている。例えば、圧電体基板802がニオブ酸リチウム(LiNbO3)のZ板であって分極方向が第1の主面804から第2の主面806に向いている場合、−Z面となる第1の主面804のエッチングレートが相対的に速くなり、+Z面となる第2の主面806のエッチングレートが相対的に遅くなる。
As shown in FIG. 1, in the
そこで、以下で説明する圧電体基板の加工では、図2に示すように、圧電体基板802のうち、第2の主面806に露出し第1の主面804に露出しない第1の部分808の分極方向を反転し、第1の主面804の側から圧電体基板802をエッチングする。すると、第1の部分808と第1の部分808以外の第2の部分810との界面812がエッチストップ面となり、図3に示すように、第2の部分810が除去され第1の部分808が残存する。すなわち、圧電体基板802のうち圧電体薄膜として残存させたい部分の分極方向を反転しておけば、エッチングで圧電体基板802を加工して圧電体薄膜を作製することができる。分極方向の反転の手法には、圧電体基板に電界を印加する電界印加法、圧電体基板にイオン交換を施した後に圧電体基板を熱処理するイオン交換法、圧電体基板に電子ビームを照射する電子ビーム法等が知られている。
Therefore, in the processing of the piezoelectric substrate described below, as shown in FIG. 2, the
なお、「−Z面」、「+Z面」等の主面の極性をあらわす呼称は、圧電体基板802を構成する圧電材料の種類によって異なる。
Note that names representing the polarities of the main surfaces such as the “−Z plane” and the “+ Z plane” differ depending on the type of piezoelectric material constituting the
図4は、上述した圧電体基板の加工の原理を使用する場合の圧電体基板の加工の手順を説明するフローチャートである。 FIG. 4 is a flowchart for explaining the processing procedure of the piezoelectric substrate when the above-described principle of processing the piezoelectric substrate is used.
上述した圧電体基板の加工の原理を使用する場合、作製される圧電体薄膜は自重に耐えることができないので、圧電体基板を含む第1の板状構造体と支持基板を含む第2の板状構造体とをあらかじめ接合し(ステップS801)、第1の板状構造体と第2の板状構造体とを接合した状態を維持したまま圧電体基板をエッチングする(ステップS802)ことを経て圧電体薄膜を作製する。 When the above-described principle of processing a piezoelectric substrate is used, the produced piezoelectric thin film cannot withstand its own weight. Therefore, the first plate-like structure including the piezoelectric substrate and the second plate including the support substrate are used. The substrate is bonded in advance (step S801), and the piezoelectric substrate is etched (step S802) while maintaining the bonded state of the first plate structure and the second plate structure. A piezoelectric thin film is produced.
ここで、「第1の板状構造体」は、圧電体基板のみから構成される場合もあるし、圧電体基板以外の構成要素を含んで構成される場合もある。「第2の板状構造体」も、支持基板のみから構成される場合もあるし、支持基板以外の構成要素を含んで構成される場合もある。 Here, the “first plate-like structure” may be composed of only a piezoelectric substrate, or may be composed of components other than the piezoelectric substrate. The “second plate-like structure” may be composed of only the support substrate or may be composed of components other than the support substrate.
<2 第1実施形態>
<2−1 バルク弾性波装置1の構成>
図5は、本発明の第1実施形態に係るバルク弾性波装置1の構成を示す模式図である。図5は、バルク弾性波装置1の断面図となっている。図5に示すバルク弾性波装置1は、圧電体薄膜124を挟んで下部励振電極114及び上部励振電極130が対向する共振器138と、圧電体薄膜126を挟んで下部励振電極120及び上部励振電極132が対向する共振器140とをラダー型に接続したラダー型フィルタである。なお、以下で説明するバルク弾性波装置1の構成及びバルク弾性波装置1の製造方法を、他の種類のバルク弾性波装置、例えば、ラダー型フィルタ以外のフィルタ、発振子、トラップ、デュプレクサ、トリプレクサ等において採用してもよい。ここでいう「バルク弾性波装置」とは、圧電体薄膜を挟んで電極膜が対向する単数又は複数の共振器を備え、当該共振器において励振されたバルク弾性波が引き起こす共振現象に由来する電気的な応答を利用した装置全般を意味する。
<2 First Embodiment>
<2-1 Configuration of Bulk Acoustic Wave Device 1>
FIG. 5 is a schematic diagram showing the configuration of the bulk acoustic wave device 1 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 5 is a cross-sectional view of the bulk acoustic wave device 1. The bulk acoustic wave device 1 shown in FIG. 5 includes a
図5に示すように、バルク弾性波装置1は、下部電極膜112,118、圧電体薄膜124,126、上部電極膜128及びパッシベーション膜136を支持基板102で支持した構造を有している。バルク弾性波装置1では、下部電極膜112の一部である下部励振電極114と上部電極膜128の一部である上部励振電極130とが圧電体薄膜124を挟んで対向する共振器138をキャビティ106によって支持基板102から離隔させ、下部電極膜118の一部である下部励振電極120と上部電極膜128の一部である上部励振電極132とが圧電体薄膜126を挟んで対向する共振器140をキャビティ110によって支持基板102から離隔させている。
As shown in FIG. 5, the bulk acoustic wave device 1 has a structure in which the
{圧電体薄膜124,126}
圧電体薄膜124,126を構成する圧電材料は、特に制限されないが、水晶(SiO2)・ニオブ酸リチウム(LiNbO3)・タンタル酸リチウム(LiTaO3)・四ホウ酸リチウム(Li2B4O7)・酸化亜鉛(ZnO)・ニオブ酸カリウム(KNbO3)・ランガサイト(La3Ga3SiO14)・窒化ガリウム(GaN)・窒化アルミニウム(AlN)等の粒界を含まない単結晶材料を選択することが望ましい。単結晶材料を選択すれば、圧電体薄膜124,126の電気機械結合係数や機械的品質係数を向上することができるからである。
{Piezoelectric
The piezoelectric material that constitutes the piezoelectric
圧電体薄膜124,126における結晶方位も、特に制限されないが、電気機械結合係数、共振器138,140の共振周波数や***振周波数の温度特性等を考慮して決められる。このような結晶方位を選択すれば、バルク弾性波装置1の濾波特性の温度変化を抑制したり、共振周波数と***振周波数との間隔を適切に選択することができるからである。
The crystal orientation in the piezoelectric
圧電体薄膜124は、概ね、キャビティ106が形成された2次元領域(以下では、「第1のキャビティ領域」という)に形成され、その下面は下部励振電極114の上面と接し、その上面は上部励振電極130の下面と接している。圧電体薄膜126は、概ね、キャビティ110が形成された2次元領域(以下では、「第2のキャビティ領域」という)に形成され、その下面は下部励振電極120の上面と接し、その上面は上部励振電極132の下面と接している。「2次元領域」とは、圧電体薄膜124,126と平行な2次元的な広がりの中に占める領域のことを意味している。
The piezoelectric
{下部電極膜112,118及び上部電極膜128}
下部電極膜112,118及び上部電極膜128を構成する導電材料は、特に制限されないが、機械的損失を減らす観点からは、タングステン(W)・ルテニウム(Ru)・イリジウム(Ir)・モリブデン(Mo)等の音響インピーダンスが高い金属を選択することが望ましく、電気的損失を減らす観点からは、金(Au)等の電気抵抗が低い金属を選択することが望ましい。このため、下部励振電極114,120及び上部励振電極130,132の全部又は一部を前者のみで構成し、下部励振電極114,120及び上部励振電極130,132への給電経路となる下部配線電極116,122及び上部配線電極134の全部又は一部を前者と後者とを重ね合わせて構成することが望ましい。これにより、機械的損失及び電気的損失の両方を減らすことができるので、共振器138,140の「Q」を向上することができ、バルク弾性波装置1の帯域内損失を減らし帯域外減衰を増加させスカート特性を向上することができる。なお、下部電極膜112,118及び上部電極膜128を異なる種類の導電材料で構成してもよい。
{
The conductive material constituting the
下部励振電極114は、概ね、第1のキャビティ領域に形成され、その下面はキャビティ106によって支持基板102から離隔され、その上面は圧電体薄膜124の下面に接している。下部配線電極116は、概ね、第1のキャビティ領域に隣接する2次元領域(以下では、「第1の配線領域」という)に形成され、その下面は支持基板102の上面と接し、その上面の少なくとも一部は露出している。下部励振電極120は、概ね、第2のキャビティ領域に形成され、その下面はキャビティ110によって支持基板102から離隔され、その上面は圧電体薄膜126の下面に接している。下部配線電極122は、概ね、第2のキャビティ領域に隣接する2次元領域(以下では、「第2の配線領域」という)に形成され、その下面は支持基板102の上面と接し、その上面の少なくとも一部は露出している。上部励振電極130は、概ね、第1のキャビティ領域に形成され、その下面は圧電体薄膜124の上面に接している。上部励振電極132は、概ね、第2のキャビティ領域に形成され、その下面は圧電体薄膜126の上面に接している。上部配線電極134は、概ね、第1のキャビティ領域及び第2のキャビティ領域の間の2次元領域(以下では、「第3の配線領域」という)に形成され、その下面はパッシベーション膜136の上面に接している。図5では、上部配線電極134の上面は露出しているが、上部配線電極134の上面にさらにパッシベーション膜を形成してもよい。もちろん、第1の配線領域、第2の配線領域及び第3の配線領域は異なる2次元領域である。
The
{パッシベーション膜136}
パッシベーション膜136を構成する絶縁材料は、特に制限されないが、窒化シリコン(Si3N4)、酸化シリコン(SiO2)等を選択することが望ましい。
{Passivation film 136}
The insulating material constituting the
パッシベーション膜136は、概ね、第1のキャビティ領域、第2のキャビティ領域及び下部電極膜112,118が露出している2次元領域(以下では、「露出領域」という)以外の2次元領域に形成されている。パッシベーション膜136は、バルク弾性波装置1を雰囲気中の水分等から保護する役割を果たしている。
The
{支持基板102}
支持基板102を構成する絶縁材料は、特に制限されないが、シリコン(Si)・ゲルマニウム(Ge)等のIV元素の単体、サファイア(Al2O3)・酸化マグネシウム(MgO)・酸化亜鉛(ZnO)等の単純酸化物、ホウ化ジルコニウム(ZrB2)等のホウ化物、タンタル酸リチウム(LiTaO3)・ニオブ酸リチウム(LiNbO3)・アルミン酸リチウム(LiAlO2)、ガリウム酸リチウム(LiGaO2)・スピネル(MgAl2O4)・アルミン酸タンタル酸ランタンストロンチウムリチウム((LaSr)(AlTa)O3)・ガリウム酸ネオジウム(NdGaO3)等の複合酸化物、シリコンゲルマニウム(SiGe)等のIV-IV族化合物、ガリウム砒素(GaAs)・窒化アルミニウム(AlN)・窒化ガリウム(GaN)・窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)等のIII-IV族化合物等を選択することが望ましい。ただし、バルク弾性波装置1では、支持基板102と下部電極膜112,118とが直接接触するので、支持基板102を構成する材料としてシリコンを選択する場合は、絶縁性が高い高抵抗シリコンを採用するか、絶縁膜となる酸化膜を表面に形成することが望ましい。
{Supporting substrate 102}
The insulating material constituting the
支持基板102の上面には、内部がキャビティ106,110として利用される非貫通孔104,108が露出している。なお、非貫通孔104,108に代えて支持基板102の上面と下面とを貫通する貫通孔の内部をキャビティとして利用してもよい。貫通孔を形成するためには深堀反応性イオンエッチング(Deep RIE;Deep Reactive Ion Etching)等の深堀が可能な穿孔技術が必要となるが、貫通孔の穿孔は支持基板102の下面からも可能である。
On the upper surface of the
{バイアホール142,144}
バルク弾性波装置1には、外部からキャビティ106,110へ至るバイアホール142,144が形成されている。バイアホール142,144は、上面の側から穿孔したものであってもよいし、下面の側から穿孔したものであってもよい。もちろん、上面の側からバイアホール142,144を穿孔する場合は、励振される弾性波への影響が小さい第1のキャビティ領域及び第2のキャビティ領域の端部の近傍にバイアホール142,144を穿孔することが望ましい。一方、下面の側からバイアホールを穿孔する場合は、深堀が必要であるものの、第1のキャビティ領域及び第2のキャビティ領域の中央部にバイアホールを穿孔することもできる。
{Via
In the bulk acoustic wave device 1, via
{バルク弾性波の励振}
バルク弾性波装置1では、下部配線電極116及び上部配線電極134の間に励振信号が印加されると、当該励振信号に応じた電界が共振器138の圧電体薄膜124に印加され、共振器138の圧電体薄膜124にバルク弾性波が励振される。同様に、下部配線電極122及び上部配線電極134の間に励振信号が印加されると、当該励振信号に応じた電界が共振器140の圧電体薄膜126に印加され、共振器140の圧電体薄膜126にバルク弾性波が励振される。共振器138,140において使用する振動モードは、特に制限されず、厚み縦振動モード及び厚みすべり振動モードのいずれであってもよい。
{Excitation of bulk elastic waves}
In the bulk acoustic wave device 1, when an excitation signal is applied between the
<2−2 バルク弾性波装置1の製造方法>
図6〜図18は、本発明の第1実施形態に係るバルク弾性波装置1の製造方法を説明する図である。図6〜図18は、製造の途上のバルク弾性波装置1の断面図となっている。以下で説明するバルク弾性波装置1の製造方法においては、圧電体薄膜124,126以外の膜は、スパッタ蒸着、抵抗加熱蒸着等の周知の膜形成技術により形成することができる。
<2-2 Manufacturing Method of Bulk Acoustic Wave Device 1>
6-18 is a figure explaining the manufacturing method of the bulk acoustic wave apparatus 1 which concerns on 1st Embodiment of this invention. 6-18 is sectional drawing of the bulk acoustic wave apparatus 1 in the middle of manufacture. In the method for manufacturing the bulk acoustic wave device 1 described below, films other than the piezoelectric
{分極反転部160が形成された圧電体基板158の作製}
バルク弾性波装置1の製造にあたっては、分極反転部160が形成された圧電体基板158を作製する。分極反転部160が形成された圧電体基板158の作製にあたっては、まず、図6に示すように、エッチングレートが相対的に速い上面152とエッチングレートが相対的に遅い下面154とを有する圧電体基板150の下面154に保護膜156を形成する。
{Preparation of
In manufacturing the bulk acoustic wave device 1, the
保護膜156が形成される2次元領域は、下述する分極反転部160が形成されない2次元領域である。保護膜156は、下述するプロトン交換を阻害する膜であればどのようなものであってもよい。例えば、タンタルの膜を保護膜156として好適に選択することができる。
The two-dimensional region where the
圧電体基板150を構成する圧電材料や圧電体基板150の結晶方位は、もちろん、圧電体薄膜124,126を構成する圧電材料及び圧電体薄膜124,126における結晶方位に合わせて選択する。ただし、上述した圧電体基板の加工の原理を利用することを考慮すると、分極方向の反転が容易な圧電体基板、すなわち、キュリー温度が比較的低く、厚さ方向が分極方向となっている圧電体基板又は厚さ方向に近い方向が分極方向となっている圧電体基板を選択することが望ましい。例えば、タンタル酸リチウムのZ板を圧電体基板150として好適に選択することができる。
Of course, the piezoelectric material constituting the
続いて、図7に示すように、圧電体基板150の下面154の一部を占める保護膜156が形成されていない2次元領域に露出し上面152に露出しない部分の分極方向を反転し、分極方向が反転された分極反転部160及び分極方向が反転されない非分極反転部162が形成された圧電体基板158を得る。
Subsequently, as shown in FIG. 7, the polarization direction of the portion exposed to the two-dimensional region where the
第1実施形態では、プロトン交換法(より一般的には「イオン交換法」)により分極方向を反転する。プロトン交換法による分極方向の反転は、タンタル酸リチウムのZ板を圧電体基板150として選択した場合、例えば、分極反転部160となる部分に約260℃のピロ燐酸を作用させて分極反転部160となる部分にプロトン交換を施し、しかる後に、タンタル酸リチウムのキュリー温度である約620℃で熱処理する、ことにより行うことができる。このようにして分極方向を反転する場合、分極反転部160の深さは、プロトン交換にかける時間やプロトン交換後の熱処理の温度によって制御することができる。もちろん、上述の処理条件は、圧電体基板150の種類によって異なる。
In the first embodiment, the polarization direction is reversed by a proton exchange method (more generally, an “ion exchange method”). The reversal of the polarization direction by the proton exchange method is performed when, for example, a lithium tantalate Z-plate is selected as the
さらに続いて、図8に示すように、保護膜156をエッチング等で除去する。これにより、分極反転部160が形成された圧電体基板158が完成する。
Subsequently, as shown in FIG. 8, the
{支持基板102を含む板状構造体170の作製}
分極反転部160が形成された圧電体基板158の作製とは別に支持基板102を含む板状構造体170を作製する。支持基板102を含む板状構造体170の作製にあたっては、まず、図9に示すように、平坦な上面及び下面を有する素材基板の上面をエッチングして非貫通孔104,108が形成された支持基板102を作製する。非貫通孔104,108の内部は、最終的にキャビティ106,110になることが予定されている3次元領域である予定領域である。
{Production of plate-
A plate-
続いて、図10に示すように、犠牲体166を構成する材料で構成される犠牲体材料膜164を非貫通孔104,108が露出している支持基板102の上面の全面に形成する。
Subsequently, as shown in FIG. 10, a
犠牲体166を構成する材料は、特に制限されないが、液体又は気体の除去剤を作用させると除去される材料を選択する。例えば、フッ酸等のエッチング液やフッ素プラズマ等を含むエッチングガスを作用させると除去されるシリコン等の無機材料や水酸化テトラメチルアンモニウム等の現像液を作用させると除去されるジアゾナフトキノン/ノボラックレジスト等の有機材料を選択する。もちろん、犠牲体166を除去するときに犠牲体166以外の要素、すなわち、支持基板102、下部電極膜112,118、圧電体薄膜124,126、上部電極膜128、パッシベーション膜136等を除去したり損傷したりしてはならないので、除去剤、犠牲体166を構成する材料及び犠牲体166以外の要素を構成する材料の組み合わせには制約がある。すなわち、犠牲体166の除去剤に対する溶解性が、犠牲体166以外の要素、特に、バルク弾性波の励振に直接的に影響する下部電極膜112,118、圧電体薄膜124,126及び上部電極膜128の除去剤に対する溶解性よりも高くなるように除去剤及び材料を組み合わせる。また、材料の除去剤に対する溶解性に異方性がある場合は、方位や極性についても、犠牲体166の除去剤に対する溶解性が、犠牲体166以外の要素の除去剤に対する溶解性よりも高くなるように選択する。例えば、除去剤としてフッ酸、犠牲体166を構成する材料としてフッ酸に溶解する酸化シリコンを選択した場合は、下部電極膜112,118及び上部電極膜128を構成する材料としてフッ酸にほとんど溶解しないタングステン・ルテニウム等、圧電体薄膜124,126を構成する材料としてフッ酸にほとんど溶解しないタンタル酸リチウム等、パッシベーション膜126を構成する材料としてフッ酸にほとんど溶解しない窒化シリコン等を選択する。圧電体薄膜124,126を構成する材料としてエッチングレートに異方性があるタンタル酸リチウムを選択する場合、例えば、主面のエッチングレートが遅い36°や47°回転Y板を薄膜化したものを使用する。「溶解する」材料と「ほとんど溶解しない」材料との間には、エッチングレートで10倍以上の差があることが望ましい。
The material constituting the
さらに続いて、図11に示すように、非貫通孔104,108の外部に形成された犠牲体材料膜164が除去されて支持基板102の上面が露出するまで犠牲体材料膜164を研磨する。これにより、予定領域が犠牲体166で埋められた支持基板102が作製される。
Subsequently, as shown in FIG. 11, the
犠牲体材料膜164を形成するときには、非貫通孔104の内部が犠牲体材料膜164で隙間なく埋まるようにすることが望ましい。これにより、犠牲体材料膜164を研磨した後に犠牲体166の上面と支持基板102の上面とが略同一平面となるので、内部が犠牲体166で埋められた非貫通孔104が露出している支持基板102の上面を平坦にすることができる。このことは、後に形成する導電材料膜168と犠牲体166との間の間隙をなくし、板状構造体170の接合面を平坦にすることに寄与する。
When the
なお、貫通孔の内部をキャビティとして利用する場合、支持基板102の下面の側から犠牲体を注入することもできるし、圧電体基板158と板状構造体170との接合の後であっても犠牲体を注入することができる。
When the inside of the through hole is used as a cavity, the sacrificial body can be injected from the lower surface side of the
次に、図12に示すように、下部電極膜112,118を構成する材料で構成される導電材料膜168を支持基板102の上面の全面に形成する。これにより、支持基板102、犠牲体166及び導電材料膜168を含む板状構造体170が完成する。
Next, as shown in FIG. 12, a
ここで、素材基板として圧電体の基板を選択すれば、上述した圧電体基板の加工方法と類似の加工方法により素材基板を加工することができる。図19〜図20は、そのような素材基板の加工方法を採用した場合の支持基板102の作製方法を説明する図である。当該支持基板102の作製方法では、まず、図19に示すように、エッチングレートが相対的に遅い上面174とエッチングレートが相対的に速い下面176とを有する素材基板172の上面174に保護膜178を形成する。続いて、図20に示すように、素材基板172の上面174の一部を占める保護膜178が形成されていない2次元領域に露出している部分の分極方向を反転し、分極方向が反転された分極反転部182及び分極方向が反転されない非分極反転部184が形成された基板180を得る。さらに続いて、保護膜178及び分極反転部182をエッチングで除去することにより、図9に示すような非貫通孔104,108が形成された支持基板102が完成する。このような支持基板102の作製方法によれば、支持基板102の作製に使用する設備と圧電体基板158の作製に使用する設備とを共通化することができる。
Here, if a piezoelectric substrate is selected as the material substrate, the material substrate can be processed by a processing method similar to the above-described piezoelectric substrate processing method. 19-20 is a figure explaining the production method of the
{圧電体基板158と板状構造体170との接合}
圧電体基板158及び板状構造体170を作製した後に、図13に示すように、圧電体基板158の下面と板状構造体170の上面とを接合し、接合体172を作製する。圧電体基板158及び板状構造体170の接合面はいずれも平坦であるので、接合は容易である。圧電体基板158と板状構造体170との接合は、特に制限されないが、表面活性化接合、接着剤接合、熱圧着接合、陽極接合、共晶結合等により行うことができる。
{Junction of
After producing the
{圧電体基板158のエッチング}
圧電体基板158と板状構造体150とを接合した後に、図14に示すように、圧電体基板158と板状構造体170とを接合した状態を維持したまま圧電体基板158を上面159の側からエッチングし、非分極反転部162を除去する。タンタル酸リチウムのZ板を圧電体基板150として選択した場合は、エッチング液として、フッ酸と硝酸との混合液を使用することができる。これにより、単独で自重に耐えることができる板厚(例えば、50μm以上)を有する圧電体基板158のうち、単独で自重に耐えることができない膜厚(例えば、10μm以下)を有する薄膜である分極反転部160のみが残存する。
{Etching of piezoelectric substrate 158}
After joining the
続いて、図15に示すように、分極反転部160の上面をイオンミリングで平坦化し、圧電体薄膜124,126とする。このイオンミリングの工程は、省略することもできる。
Subsequently, as shown in FIG. 15, the upper surface of the
このような圧電体薄膜124,126の形成方法によれば、分極反転部160の深さを制御することにより圧電体薄膜124,126の膜厚を制御することができるので、圧電体薄膜124,126の膜厚の制御が容易になり、圧電体薄膜124,126の膜厚の均一性を向上することができる。加えて、イオンミリングによる平坦化を行えば、圧電体薄膜124,126の膜厚の均一性をさらに向上することができる。
According to such a method of forming the piezoelectric
また、予定空間を犠牲体166で埋めた後に圧電体基板158をエッチングすれば、犠牲体166が圧電材料膜154の上方及び下方への湾曲を抑制するので、圧電体薄膜124,126の膜厚が不均一となることを抑制することができる。ただし、このことは、予定空間を犠牲体166で埋める工程を省略することを妨げるものではない。
Further, if the
{下部電極膜112,上部電極膜128及びパッシベーション膜136の形成}
圧電体基板158を除去加工した後に、図16に示すように、導電材料膜168の不要部分をエッチングで除去して導電材料膜168をパターニングし、下部電極膜112,118を形成する。
{Formation of
After removing the
続いて、図17に示すように、パッシベーション膜136を形成する。パッシベーション膜136は、パッシベーション膜136を形成しない領域をレジスト膜で保護し、当該レジスト膜の上に重ねて支持基板102の上面の全面に絶縁材料膜を形成し、レジスト膜及びその上に重ねて形成した絶縁材料膜を除去することにより形成する。
Subsequently, as shown in FIG. 17, a
さらに続いて、図18に示すように、上部電極膜128を形成する。上部電極膜128は、支持基板102の上面全面を覆う導電材料膜を形成し、当該導電材料膜の不要部分をエッチングで除去して当該導電材料膜をパターニングすることにより形成する。
Subsequently, as shown in FIG. 18, an
{犠牲体166の除去}
最後に、非貫通孔104,108の内部の犠牲体166を除去する。犠牲体166は、バイアホール144,142を穿孔し、犠牲体166の除去剤をバイアホール144,142から非貫通孔104,108の内部に導入して除去剤を犠牲体166に作用させることにより除去する。これにより、図5に示すバルク弾性波装置1が完成する。
{Removal of sacrificial body 166}
Finally, the
<3 第2実施形態>
第2実施形態は、第1実施形態に係る上面に圧電体薄膜124,126が形成された板状構造体170(図15)に代えて採用することができる上面に圧電体薄膜224,226が形成された板状構造体270に関する。図21〜図26は、第2実施形態に係る上面に圧電体薄膜224,226が形成された板状構造体270の作製方法を説明する模式図である。図21〜図26は、製造の途上のバルク弾性波装置の断面図となっている。
<3 Second Embodiment>
In the second embodiment, the piezoelectric
{分極反転部260が形成された圧電体基板258の作製}
上面に圧電体薄膜224,226が形成された板状構造体270の作製にあたっては、分極反転部260が形成された圧電体基板258を作製する。分極反転部260が形成された圧電体基板258にあたっては、まず、図21に示すように、エッチングレートが相対的に速い上面252とエッチングレートが相対的に遅い下面254とを有する圧電体基板250の下面254の全面に露出し上面252に露出しない部分の分極方向を反転し、図22に示すように、分極方向が反転された分極反転部260及び分極方向が反転されない非分極反転部262が形成された圧電体基板258を得る。
{Preparation of
In manufacturing the plate-
圧電体基板250を構成する圧電材料や圧電体基板250の結晶方位は、第1実施形態の場合と同様に選択することができる。また、分極方向の反転も、保護膜を形成しない点を除いては、第1実施形態の場合と同様に行うことができる。
The piezoelectric material constituting the
{圧電体基板258と板状構造体270との接合}
圧電体基板258及び支持基板202、犠牲体266及び導電材料膜268を含む板状構造体270を作製した後に、図23に示すように、圧電体基板258の下面と板状構造体270の上面とを接合し、接合体272を作製する。圧電体基板258と板状構造体270との接合は、第1実施形態の場合と同様に行うことができる。
{Junction of
After producing the plate-
{圧電体基板258のエッチング}
圧電体基板258と板状構造体270とを接合した後に、図24に示すように、圧電体基板258と板状構造体270とを接合した状態を維持したまま圧電体基板258を上面252の側からエッチングし、非分極反転部262を除去する。圧電体基板258のエッチングは、第1実施形態の場合と同様に行うことができる。これにより、単独で自重に耐えることができる板厚(例えば、50μm以上)を有する圧電体基板258のうち、単独で自重に耐えることができない膜厚(例えば、10μm以下)を有する薄膜である分極反転部260のみが残存する。
{Etching of piezoelectric substrate 258}
After joining the
続いて、図25に示すように、分極反転部260の上面をイオンミリングで平坦化し、圧電材料膜261とする。
Subsequently, as illustrated in FIG. 25, the upper surface of the
{圧電体薄膜224,226の形成}
圧電体基板258をエッチングした後に、図26に示すように、圧電材料膜261の不要部分をドライエッチングで除去して圧電材料膜261をパターニングし、圧電体薄膜224,226を形成する。このようにして得られた上面に圧電体薄膜224,226が形成された板状構造体270は、第1実施形態に係る上面に圧電体薄膜124,126が形成された板状構造体170と同様にバルク弾性波装置の製造に使用することができる。
{Formation of piezoelectric
After the
第1実施形態に係る上面に圧電体薄膜124,126が形成された板状構造体170の作製方法と第2実施形態に係る上面に圧電体薄膜224,226が形成された板状構造体270の作製方法との違いは、第1実施形態では、圧電体薄膜124,126の平面形状のパターニングが分極反転部160を形成するときに行われるのに対して、第2実施形態では、圧電体薄膜224,226の平面形状のパターニングが圧電材料膜261を形成した後に行われる点にある。すなわち、圧電体薄膜の平面形状のパターニングは薄膜を形成する前及び形成した後のいずれに行うこともできる。加えて、圧電体薄膜の平面形状のパターニングを省略し、全面にわたって形成された圧電体薄膜を用いてバルク弾性波装置を構成することもできる。
A manufacturing method of the plate-
<4 第3実施形態>
第3実施形態は、第1実施形態に係る接合体172(図13)に代えて採用することができる接合体372に関する。図27〜図28は、第3実施形態に係る接合体372の作製方法を説明する模式図である。図27〜図28は、作製の途上の圧電薄膜共振子の断面図となっている。
<4 Third Embodiment>
The third embodiment relates to a joined body 372 that can be employed instead of the joined body 172 (FIG. 13) according to the first embodiment. FIG. 27 to FIG. 28 are schematic views for explaining a manufacturing method of the joined body 372 according to the third embodiment. 27 to 28 are cross-sectional views of the piezoelectric thin film resonator that is being manufactured.
接合体372の作製にあたっては、まず、図27に示すように、下部電極膜を構成する材料で構成される導電材料膜368を分極反転部360及び非分極反転部362が形成された圧電体基板358の下面の全面に形成する。
In manufacturing the bonded body 372, first, as shown in FIG. 27, a piezoelectric material substrate in which a
続いて、図28に示すように、圧電体基板358及び導電材料膜368を含む板状構造体369の下面と支持基板302及び犠牲体360を含む板状構造体370の上面とを接合し、接合体372を作製する。
Subsequently, as shown in FIG. 28, the lower surface of the plate-
第3実施形態に係る接合体372は、第1実施形態に係る接合体172と同様にバルク弾性波装置の製造に使用することができる。
The joined body 372 according to the third embodiment can be used for manufacturing a bulk acoustic wave device, similarly to the joined
第3実施形態は、バルク弾性波装置の構成要素又はその前駆体(ここでは導電材料膜368)が、圧電体薄膜及び支持基板のいずれの側に付加されていてもよいことを意味している。 The third embodiment means that a component of the bulk acoustic wave device or a precursor thereof (here, the conductive material film 368) may be added to either side of the piezoelectric thin film and the support substrate. .
<5 第4実施形態>
第4実施形態は、第1実施形態に係る分極反転部160が形成された圧電体基板158に代えて採用することができる分極反転部460が形成された圧電体基板458に関する。図29〜図30は、第4実施形態に係る分極反転部460が形成された圧電体基板458の作製方法を説明する模式図である。図29〜図30は、製造の途上のバルク弾性波装置の断面図となっている。
<5 Fourth Embodiment>
The fourth embodiment relates to a piezoelectric substrate 458 having a
分極反転部460が形成された圧電体基板458の作製にあたっては、まず、図29に示すように、エッチングレートが相対的に速い上面452とエッチングレートが相対的に遅い下面454とを有する圧電体基板450の上面452の略全面に電極膜486を形成し、下面454の一部に電極膜488を形成する。
In producing the piezoelectric substrate 458 on which the domain-inverted
電極膜488が形成される2次元領域は、下述する分極反転部460が形成される2次元領域である。
The two-dimensional region in which the
圧電体基板450を構成する圧電材料や圧電体基板450の結晶方位は、第1実施形態の場合と同様に選択することができる。
The piezoelectric material constituting the
続いて、図30に示すように、圧電体基板450の下面454の一部を占める電極膜488が形成されている2次元領域に露出し上面452に露出しない部分の分極方向を反転し、分極方向が反転された分極反転部460及び分極方向が反転されない非分極反転部462が形成された圧電体基板458を得る。
Subsequently, as shown in FIG. 30, the polarization direction of the portion exposed to the two-dimensional region where the
第3実施形態では、電界印加法により分極方向を反転する。したがって、分極反転部460の形成にあたっては、電極膜486と電極膜488との間に電圧を印加し、圧電体基板462に電界を印加する。これにより、分極反転部460が形成された圧電体基板458が完成する。
In the third embodiment, the polarization direction is reversed by an electric field application method. Therefore, when forming the
第4実施形態に係る分極反転部460が形成された圧電体基板458は、第1実施形態に係る分極反転部160が形成された圧電体基板158と同様にバルク弾性波装置の製造に使用することができる。
The piezoelectric substrate 458 on which the
この発明は詳細に説明されたが、上述した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。特に、第1実施形態〜第4実施形態において説明したことを組み合わせて使用することは当然に予定されている。 Although the present invention has been described in detail, the above description is illustrative in all aspects, and the present invention is not limited thereto. It is understood that countless variations that are not illustrated can be envisaged without departing from the scope of the present invention. In particular, it is naturally planned to use a combination of what has been described in the first to fourth embodiments.
1 バルク弾性波装置
102 支持基板
106,110 キャビティ
112,118 下部電極膜
124,126 圧電体薄膜
128 上部電極膜
150,158,172,180,250,258,450,462 圧電体基板
166 犠牲体
170,270,370,390 板状構造体
808,160,260,460 分極反転部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Bulk
Claims (4)
(a) エッチングレートが相対的に速い第1の主面とエッチングレートが相対的に遅い第2の主面とを有する圧電体基板の前記第2の主面に露出し前記第1の主面に露出しない部分の分極方向を反転する工程と、
(b) 前記工程(a)の後に前記圧電体基板を含む第1の板状構造体と前記支持基板を含む第2の板状構造体とを前記第2の板状構造体の側に前記第2の主面を向けた状態で接合する工程と、
(c) 前記第1の板状構造体と前記第2の板状構造体とを接合した状態を維持したまま前記第1の主面の側から前記圧電体基板をエッチングすることにより前記工程(a)において分極方向が反転された部分以外を除去する工程と、
を備えるバルク弾性波装置の製造方法。 A method of manufacturing a bulk acoustic wave device in which a resonator having electrode films facing each other across a piezoelectric thin film is separated from a support substrate by a cavity,
(a) The first main surface exposed to the second main surface of the piezoelectric substrate having a first main surface with a relatively high etching rate and a second main surface with a relatively low etching rate. Reversing the polarization direction of the portion not exposed to
(b) After the step (a), the first plate-like structure including the piezoelectric substrate and the second plate-like structure including the support substrate are placed on the second plate-like structure side. Bonding with the second main surface facing;
(c) etching the piezoelectric substrate from the first main surface side while maintaining the state where the first plate-like structure and the second plate-like structure are joined to each other. removing a part other than the part in which the polarization direction is reversed in a);
A method for manufacturing a bulk acoustic wave device.
(d) 前記工程(c)の後に残存している前記工程(a)において分極方向が反転された部分の表面をイオンミリングで平坦化する工程、
をさらに備えるバルク弾性波装置の製造方法。 In the manufacturing method of the bulk acoustic wave device according to claim 1,
(d) a step of planarizing the surface of the portion whose polarization direction is reversed in the step (a) remaining after the step (c) by ion milling,
A method for manufacturing a bulk acoustic wave device.
(e) 前記圧電体基板をエッチングする前に最終的に前記キャビティとなることが予定されている3次元領域である予定領域を犠牲体で埋める工程と、
(f) 前記圧電体基板をエッチングした後に前記犠牲体を除去する工程と、
をさらに備えるバルク弾性波装置の製造方法。 In the manufacturing method of the bulk acoustic wave device according to claim 1 or 2,
(e) filling a planned region, which is a three-dimensional region finally planned to become the cavity, with a sacrificial body before etching the piezoelectric substrate;
(f) removing the sacrificial body after etching the piezoelectric substrate;
A method for manufacturing a bulk acoustic wave device.
前記圧電体基板がタンタル酸リチウムのZ板である、
バルク弾性波装置の製造方法。 In the manufacturing method of the bulk acoustic wave device according to any one of claims 1 to 3,
The piezoelectric substrate is a Z-plate of lithium tantalate;
Manufacturing method of bulk acoustic wave device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008075453A JP5033690B2 (en) | 2008-03-24 | 2008-03-24 | Method for manufacturing bulk acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008075453A JP5033690B2 (en) | 2008-03-24 | 2008-03-24 | Method for manufacturing bulk acoustic wave device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009232189A JP2009232189A (en) | 2009-10-08 |
JP5033690B2 true JP5033690B2 (en) | 2012-09-26 |
Family
ID=41247081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008075453A Active JP5033690B2 (en) | 2008-03-24 | 2008-03-24 | Method for manufacturing bulk acoustic wave device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5033690B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015012005A1 (en) * | 2013-07-25 | 2015-01-29 | 日本碍子株式会社 | Composite board and method for making same |
WO2022059759A1 (en) * | 2020-09-16 | 2022-03-24 | 株式会社村田製作所 | Elastic wave device |
KR20230048545A (en) * | 2020-09-16 | 2023-04-11 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | elastic wave device |
-
2008
- 2008-03-24 JP JP2008075453A patent/JP5033690B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009232189A (en) | 2009-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5270412B2 (en) | Method for manufacturing bulk acoustic wave device | |
US7965015B2 (en) | Lamb wave device | |
EP1898525B1 (en) | Acoustic resonator and filter | |
JP5110092B2 (en) | Manufacturing method of composite piezoelectric substrate | |
US8872409B2 (en) | Method for manufacturing composite piezoelectric substrate and piezoelectric device | |
WO2021012923A1 (en) | Thin film bulk acoustic resonator and fabrication method therefor | |
JP7517840B2 (en) | Process for fabricating microelectromechanical systems from transferred piezoelectric or ferroelectric layers - Patents.com | |
JP7130841B2 (en) | Thin-film bulk acoustic wave resonator and manufacturing method thereof | |
JP7081041B2 (en) | Thin-film bulk acoustic wave resonators and their manufacturing methods, filters, and radio frequency communication systems | |
JP2018506930A (en) | Plate wave device having wave confinement structure and fabrication method | |
JP5353897B2 (en) | Method for manufacturing piezoelectric composite substrate and method for manufacturing piezoelectric element | |
US20130111719A1 (en) | Method for implanting a piezoelectric material | |
JP7269719B2 (en) | Piezoelectric film and its manufacturing method, piezoelectric device, resonator, filter and multiplexer | |
CN111245393A (en) | Bulk acoustic wave resonator, method of manufacturing the same, filter, and electronic apparatus | |
CN103765769A (en) | Piezoelectric bulk wave device and production method therefor | |
JP2010147875A (en) | Baw resonance device and method of manufacturing the same | |
JP5060356B2 (en) | Manufacturing method of BAW resonance device | |
CN103765771A (en) | Piezoelectric bulk wave device and production method therefor | |
JP5033690B2 (en) | Method for manufacturing bulk acoustic wave device | |
WO2021077713A1 (en) | Bulk acoustic wave resonator and manufacturing method therefor, filter, and electronic device | |
JP2020014088A (en) | Acoustic wave resonator, filter, and multiplexer | |
JP2010141570A (en) | Piezoelectric thin film acoustic resonator, and manufacturing method of the same | |
JP2005303573A (en) | Thin film piezoelectric resonator and its manufacturing method | |
JP2010147874A (en) | Baw resonance device and method of manufacturing the same | |
JP2011077810A (en) | Filter |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120626 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120702 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5033690 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150706 Year of fee payment: 3 |