JP5028722B2

JP5028722B2 - レーザ加工方法及びレーザ加工機

Info

Publication number: JP5028722B2
Application number: JP2001230841A
Authority: JP
Inventors: 伸典小西; 修山路
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2001-07-31
Filing date: 2001-07-31
Publication date: 2012-09-19
Anticipated expiration: 2021-07-31
Also published as: JP2003048088A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザビームを照射して、プリント配線板に必要なビアホールやスルーホールを形成するためのレーザ加工機及び加工方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
プリント配線板とは、図１６に示す如く絶縁層１０１の両面に導体層１０２を有する基板や、図１７に示す絶縁層１０１及び導体層１０２が多層に積層された配線板を示す。
【０００３】
これらプリント配線板における、絶縁層１０１の両面にある導体層１０２間を電気的に接続するための貫通穴（スルーホール）、及びプリント配線板の外層部の導体層１０２と基板内層部の導体層１０２を電気的に接続するための止まり穴（ビアホール）を、炭酸ガスレーザなどのレーザビームを用いて形成する加工が従来より行われている。レーザビームによる加工の場合、レーザビームは絶縁層１０１によく吸収されるが、導体層１０２にはほとんど反射される為、ビーム入射側の導体層１０２に黒化処理等のケミカル処理を施し、導体層１０２へのビーム吸収率を上げることにより、スルーホール加工或いはビア加工を実施している。
【０００４】
上述したビーム入射側の導体層２に黒化処理等のケミカル処理を施す場合、ケミカル処理による黒化処理工程が増える分、製造コストが高くなる。そこで、導体層１０２に対して吸収率の高い、例えば、基本波長１．０６μｍに対し波長変換をなし、紫外線領域の波長を有したＵＶ−ＹＡＧレーザビームで加工を行なうことにより、導体層１０２と絶縁層１０１をレーザビームのみで加工を行うことが開発された。
【０００５】
レーザビームにより導体層１０２と絶縁層１０１を同時に加工を行なう場合、レーザエネルギー密度を大きくする必要があり、この際レーザビーム径は小さく絞られる。ここで、レーザビーム径よりも形成したい穴径が大きい場合、図１８に示すようにレーザビーム１０３を所望の軌跡に走査させて基板１０４に対してビアホール加工を行なう、いわゆるビームスキャンニング加工が実施されている。
【０００６】
図１９にスルーホール１０５の形状を示す。ａは加工穴上面からの図、ｂは加工穴断面図である。ビームスキャンニング加工によるスルーホール加工方法として図２０のビームスキャンニング軌跡図に示す加工軌跡中心部１０６よりガルバノスキャンミラーによりレーザビームをら旋状に任意の増分量で照射させ、また、導体層の厚さ、絶縁層の材質及び厚さの違いによってスキャン速度、レーザビーム出力などの設定を行ないスルーホール加工を行なっている。なお、レーザビームは、図２０に示す加工穴形状中心部１０６よりガルバノスキャンミラーの動作開始と同時に、ビームＯＮとなり、ガルバノスキャンミラー動作終了点１０７で動作終了と同時にビームＯＦＦとなる。
【０００７】
次に、図２１にビアホールの形状を示す。ビアホールを加工する際には二段階の加工を行っており、まず第一段階の加工ａ(導体層２部の加工)では、導体層１０２の加工をスルーホール加工と同様にビームスキャニング加工で実施する。この際、第一段階の加工が終わった時に同図ａに示すように内層導体層部１０２が溶融したり貫通したりしないようスキャン速度、レーザビーム１０３の出力などの設定をして絶縁層１０１の途中まで加工を行う。第二段階の加工ｂ（絶縁層１０１部の加工)では同図ｂに示すように内層導体部分へのダメージが軽減するまで出力を下げたレーザビーム１０３ａによって、第一段階の加工同様にビームスキャンニング加工で絶縁層部の加工を行ないビアホールを形成している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ビームスキャンニング加工によるスルーホール或いはビアホール加工の場合、中心部よりビームがスキャンされるので、例えばポリイミド系、エポキシ系等の樹脂で構成されるばあい、図２２に示すように絶縁層部１０１にビームによる熱が蓄積され、膨れが生じる。特に、ガラスクロス１０８とエポキシ系樹脂の絶縁層１０１が混在した図２３のような複合材料の場合、高出力で加工を実施するため、樹脂部１とガラスクロス１０８部の融点、蒸発点の違いにより、この傾向が顕著になる。また、ビームスキャンニング加工によるビアホール加工において、絶縁層部が非常に薄い場合、表面導体層を加工する第一段階の加工において絶縁層の途中で止まらず、ビームが内層銅箔まで達してしまい、図２４に示す内層導体層(ビアホール底面)の中心部１０６及び外周部のラップ部分１０７が溶融したり、最悪貫通してしまうケースがある。これらは、スルーホール或いはビアホール加工後の、メッキ工程でメッキ厚のバラツキが発生し、断線等の不良の原因となり加工品質上問題であり改善することが課題である。
【０００９】
本発明は、ビームスキャンニング加工によるビアホール及びスルーホール加工での絶縁層部、内層導体部へのダメージを無くし、高品質なレーザ穴明け加工を実現することを目的としたものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかるレーザ加工方法は、導体層と絶縁層を積層した積層材料にレーザビームを所望の軌跡で照射し、導体層と絶縁層を除去する加工方法において、上記レーザ照射を上記軌跡の移動開始時より所定時間遅延させて開始するものである。
【００１１】
また、上記レーザ照射に関し、レーザビームを所望の軌跡に照射するためのスキャンミラーが一定速度に達した後に開始するものである。
【００１２】
また、上記レーザ照射に関し、スキャンミラーが予め設定された回転数に達した時点で、開始するものである。
【００１３】
また、レーザビームＯＦＦの際、照射されるレーザビームのエネルギーを徐々に低下させるものである。
【００１４】
また、レーザビーム照射開始の際、照射されるレーザビームのエネルギーを徐々に上昇させるものである。
【００１５】
また、所望の軌跡で照射する際に、外周部のみ所定のレーザエネルギーで加工を行うものである。
【００１６】
また、絶縁層部のみを加工する目的で、エネルギー密度が低く、拡大したレーザビームを第二段階加工として照射するものである。
【００１７】
また、本発明にかかるビームスキャニング加工を行うレーザドリル加工機は、レーザ発振器と、このレーザ発振器より出射されたレーザ光をスキャンし、被加工物に照射するための光学部と、上記レーザ発振器に対し、レーザ発振のタイミングを制御するタイミング制御部と、を備え、タイミング制御部は、上記光学部によるスキャン速度が一定になった際にレーザ発振を行わせるものである。
【００１８】
また、レーザ発振器より出射されるレーザビームのエネルギーを徐々に調整する調整回路を備えたものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１は、本実施の形態に係るＵＶ−ＹＡＧレーザドリル加工装置の構造を示す構造概念図である。図において、１はレーザ発振器、２はレーザ発振器１より出射されたレーザ光、３はＸ方向スキャンニングを行うガルバノスキャンミラーＸ、４はＹ方向スキャンニングを行うガルバノスキャンミラーＹ、５はｆθレンズ、６は加工対象物である。
【００２０】
ガルバノスキャンニング加工の原理は、以下のとおりである。発振器１から出射されたレーザビーム２はガルバノスキャンミラー３，４により走査され、ｆθレンズ５により微小スポット径に集光され、その集光されたレーザビームが加工対象物６上の任意の位置に照射される。このときガルバノスキャンミラーは、加工対象物にレーザビームが所望の軌跡で照射され、連続的に動作する。
【００２１】
図２は、ガルバノスキャンニング加工の制御形態を示すブロック図である。ガルバノスキャンニングミラーの動作及び発振器１からのレーザビームのパルス出力のＯＮ、ＯＦＦはＮＣ装置７からＤＳＰボード８を介した指令によって行われる。ガルバノミラーのスキャンニング方法、例えば何回転動作をおこなうか、１回転あたりの開始点である中心部からの増分量、スキャンニング速度など、あらかじめＮＣ装置７に設定されたデータをもとに、演算処理された値がＤＳＰボード８を介してガルバノドライバー装置９に転送される。
【００２２】
図３は、ＮＣ装置７からガルバノドライバー装置９及び発振器１へのガルバノ速度指令とビームＯＮ、ＯＦＦ指令のタイミングチャートである。ガルバノスキャンミラーはＮＣ装置７からのスキャンニング開始の指令値Ｓ１をもとに図４に示す加工穴形状の中心部Ｐ１よりスキャンニングを開始する。中心部よりら旋状に任意の増分量で動作を開始したガルバノスキャンミラーが一定速度に達した後、或いは、予めＮＣ装置７に設定されていた回転数に達した時点、即ち図４におけるＰ２で、ＮＣ装置７からＤＳＰボード８を介して発振器１側へビームＯＮの指令Ｓ２がされ、発振器１よりレーザビームがパルス出力され加工が開始される。その後、設定回転数分ガルバノスキャンミラーが動作し、動作停止指令Ｓ３を受けたと同時に、ビームＯＦＦの指令がＮＣ装置７からＤＳＰボード８を介して発振器１側へ送られ、ビア加工終了となる。
【００２３】
本実施の形態では、ＮＣ装置７からＤＳＰボード８を介して発振器１側へビームＯＮを開始（Ｓ２の出力）する回転数を任意に設定する機能を有し、ビームＯＮのタイミングを任意に設定することができる。そのため、ビア内部に蓄積する熱量を制御でき、スルーホール及びビアホール加工時の絶縁層部への膨れを抑制することができる。なお、ビア加工において、あらかじめスキャニングするら旋状の増分が定まっていることから、ら旋状の総回転数のうちビームＯＮする回転数を設定すればよい。また、ビアホール加工においては、ガルバノが一定速度になった時点でビームを照射するようレーザビーム出力ＯＮのタイミングを遅らせることができるため、単一面積あたりのビーム照射量の割合が一定（ビア内部の熱の蓄積量をコントロールすることができる）になり加工穴内層導体部の中心部へのダメージを抑制できる。また、中心部よりガルバノのスキャンニングが始動すると同時にビームＯＮを行う従来の加工方法においては、発振器からレーザビームが一定の周波数でパルス出力されているため、ガルバノのスキャン速度が一定速度に達する速度立上がり部分で、単一面積あたりのビーム照射量の割合が大きくなり、中心部が溶融及び貫通するといった問題があったが、ガルバノが一定速度になった時点でビームを照射するようレーザビーム出力ＯＮのタイミングを遅らせることができるため、単一面積あたりのビーム照射量の割合が一定（ビア内部の熱の蓄積量をコントロールすることができる）になり、中心部へのダメージを抑制できる。
【００２４】
実施の形態２．
ビアホール加工の場合、絶縁層が薄くなると、タイミングチャート図３に示す加工方法のようにビームＯＮの開始タイミングを制御しガルバノスキャン動作が一定速度になった時点でビームを照射すれば、図４に示す加工穴内層導体部の中心部Ｐ１へのダメージは防げるが、加工穴内層導体部の外周部のビームラップ部分Ｐ３においては表面導体層の加工を一度行った部分を再度同じエネルギー出力のビームを通過させて加工を行うため、外周部のビームラップ部分Ｐ３が溶融もしくは貫通する。そこで、本実施の形態では、図５に示すようにＤＳＰボード８の信号を一旦、出力調整装置１０に取り込み、図４に示したビームラップ部分Ｐ３の直前のＰ４よりレーザビーム出力を徐々に低下させながらＯＦＦを行ない、再びスキャニングされるビームラップ部分Ｐ３への溶融、貫通等のダメージを抑制するものである。
【００２５】
ビームＯＦＦの指令が出力調整装置１０に入力されると、出力調整装置１０内のタイマー回路１１及びスロープ回路１２で処理が行わる。タイマー回路１１では、ＤＳＰボード８からのビームＯＦＦ指令後の図６に示すビームＯＮ延長時間Ｔ１が決定され、スロープ回路１２では、ビームＯＮ延長時間Ｔ１内でどれ位出力を低下させるかの割合（傾き）が決定され発振器１へ指令される。
【００２６】
図６は、ガルバノ速度指令とＤＳＰボード８からの指令及びビームＯＮ、ＯＦＦ指令のタイミングチャートである。ＤＳＰボード８から出力調整装置１０にビームＯＦＦの指令が送られると、出力調整装置１０からのビームＯＮ延長時間Ｔ１、出力低下の傾きの出力調整装置１０にあらかじめ設定された条件に従い、レーザビーム出力が徐々に低下しＯＦＦとなる。なお、レーザ出力低下の際には1パルス波形のピーク値のみが低下しパルス幅は一定の状態で1パルスエネルギーが徐々に低下しいく。
【００２７】
本実施の形態によれば、Ｐ４の位置よりレーザ出力低下を行い、再び通過するＰ３の位置にてレーザ出力を停止するので、実施の形態１の効果に加え、加工穴内層導体部の外周部のビームラップ部分Ｐ３への溶融、貫通等のダメージを抑えることができる。また、従来のスキャンニング加工の場合、表面導体層の加工を一度行った部分を再度同じエネルギー出力のビームを通過させるため、内層導体層の外周部のラップ部分に溶融、貫通等のダメージが入り、その結果、メッキ工程でメッキ不良が発生していたが、本実施の形態によれば、一度加工された部分を通過するときに、絶縁層のみ加工できるレーザビーム出力まで低下させているので、内層導体層へのダメージを抑制し、高品質なビアホールを形成することができるので、メッキ不良問題も改善することができる。
【００２８】
実施の形態３．
絶縁層部が非常に薄い基板におけるビアホール加工の場合、一度のスキャンニング加工で内層導体部表面付近まで加工されてしまうことがある為、ガルバノ停止直前の出力制御だけでは、図４に示す加工穴内層導体部の外周部のビームラップ部分Ｐ３への溶融、貫通等のダメージを抑えることは困難となってくる。そのため、本実施の形態では、図４に示すガルバノスキャン動作が外周部に到達した位置つまりビームラップ部分Ｐ３より所定の強度でビームＯＮを行うべく、図７に示す出力調整装置１３によりレーザビーム出力を加工出力まで徐々に上げていき、ビームラップ部Ｐ３より所定の強度で外周部を加工し、Ｐ４に到達した時点より出力調整装置１０によりレーザビーム出力を徐々に低下させながらＯＦＦ制御を行ない、ビームラップ部分Ｐ３への溶融、貫通等のダメージを抑制するものである。
【００２９】
図８は、ガルバノ速度指令とＤＳＰボード８からの指令及びビームＯＮ、ＯＦＦ指令のタイミングチャートである。ガルバノスキャンミラーはＮＣ装置７からのスキャンニング開始の指令値Ｓ１をもとに図４に示す加工穴形状の中心部Ｐ１よりスキャンニングを開始する。中心部よりら旋状に任意の増分量で動作を開始したガルバノスキャンミラーが一定速度に達した後、或いは、予めＮＣ装置７に設定されていた回転数に達した時点、即ち図４におけるＰ２で、ＤＳＰボード８から出力調整装置１３にビームＯＮの指令Ｓ４が送られると、出力調整装置１３にあらかじめ設定された加工出力までの到達時間Ｔ２、出力上昇の傾きの条件に従い、レーザビーム出力が徐々に上昇し加工を行う。なお、タイマー回路１４では、ＤＳＰボード８からのビームＯＮ指令後の図８に示す到達時間Ｔ２が決定され、スロープ回路１５では、到達時間Ｔ２内でどれ位出力を上昇させるかの割合（傾き）が決定され発振器１へ指令される。ここで、レーザ出力上昇の際には１パルス波形のピーク値のみが上昇しパルス幅は一定の状態で１パルスエネルギーが徐々に上がっていく。
【００３０】
その後、ガルバノスキャン動作が図４のラップ直前部Ｐ４に到達した時点よりＤＳＰボード８から出力調整装置１０にビームＯＦＦの指令が送られると、出力調整装置１０にあらかじめ設定されたビームＯＮ延長時間Ｔ１、出力低下の傾きの条件に従い、レーザビーム出力が徐々に低下しＯＦＦとなる。なお、レーザ出力低下の際には1パルス波形のピーク値のみが低下しパルス幅は一定の状態で1パルスエネルギーが徐々に低下し、ビアホール加工終了となる。
【００３１】
本実施の形態によれば、絶縁層が極めて薄い基板に関しては、ガルバノスキャン動作が軌跡の外周部に到達した時点で所定の出力となるように、ビームＯＮ時には加工出力を徐々に上昇させ、ビームＯＮ初期の絶縁層部の加工を抑制しておくことにより、実施の形態２の効果に加え、より加工穴内層導体部の外周部のビームラップ部分Ｐ３への溶融、貫通等のダメージを抑えることができる。
【００３２】
実施の形態４．
実施の形態１〜３により、図９で示される第一段階加工が終了した後、ビアホール加工で絶縁層部を加工する第二段階加工では、図１０に示すように第一段階加工で形成されたビアホール寸法以上に拡大され且つ内層導体部へダメージが入らないようなエネルギー密度を有したレーザビーム１６を照射し絶縁層部分の加工を実施する。第一段階加工時に残った導体部の一部１７は図１１に示すように絶縁部がレーザビームを吸収し蒸発する際、除去されてしまうため、内層導体部へのダメージが無く高品質なビアホールの加工ができる。
【００３３】
実施例
図１２は、導体層９μｍ、絶縁層が５０、１００、１５０、２００μｍの種類のサンプルに対して、ガルバノスキャンニングによるスルーホール加工を行った際の絶縁層部膨れ具合を評価した実験結果である。狙いビアホール径をφ７５μｍ、ガルバノスキャンミラーがら旋状に回転する回転数を４回転とし、ビームＯＮのタイミングを中心部（スキャンニング動作開始と同時にビームＯＮ実施）、１回転目、２回転目、３回転目になったところから開始した場合、メッキ工程でメッキを実施し、導通試験で良好なものは○不良がでたものには×をつけている。実験結果よりビームＯＮタイミングを遅くしビア内部に蓄積する総エネルギーを減らした方が良好な結果が得られているのが確認できた。
【００３４】
図１３は、導体層９μｍ、絶縁層が２５、５０、７５μｍの３種類のサンプルに対して、ビアホール加工を行った際の内層導体部へのダメージを評価した実験結果である。狙いビアホール径をφ７５μｍ、ガルバノスキャンミラーがら旋状に回転する回転数を４回転とし、出力制御有無の場合においてビームＯＮのタイミングを中心部（スキャンニング動作開始と同時にビームＯＮ実施）、１回転目、２回転目、３回転目になったところから開始した場合、内層導体部が溶融もしくは貫通したものには×、ダメージが無く良好なものには○をつけている。実験結果よりビームＯＮタイミングを遅くしレーザビーム出力を徐々に低下させながらＯＦＦを行った場合、絶縁層部が２５μｍと非常に薄い基板に対しても外周部ラップ部分の溶融、貫通を防ぐことができ、加工可能になったことが確認できた。
【００３５】
図１４は、導体層厚９μｍ、絶縁層厚１８μｍのサンプルを使用し、ガルバノスキャンニングを中心部より動作させ、外周部に到達したＰ５でビームをＯＮし、Ｐ５とラップする直前Ｐ６で加工を終了した状態を示す状態図である。その際、出力制御をビームＯＮ、ＯＦＦ時有効（実施の形態３）と、ビームＯＦＦ時のみ有効（実施の形態２）にしたときの絶縁層深さ方向における加工比較を図１５に示す。ビームＯＮ時に出力制御を有効にして加工を行った場合、ビームＯＮ時に出力制御無しの場合に比べ、絶縁層部の浅い位置で絶縁層の除去を止めることができるのでビアホール加工で外周部でビームをラップさせる際、溶融、貫通を抑制することができる。
【００３６】
【発明の効果】
本発明によれば、高エネルギーかつビーム径を絞ったレーザビームを用いたスキャンニングによる軌跡加工において、スキャン動作時のレーザビームＯＮタイミングを制御することによって、ビアホール内部の熱の蓄積量をコントロールすることができるようになり高品質のレーザビーム加工を実現することができる。
【００３７】
また、ビームＯＦＦ時にレーザビーム出力を徐々に低下させてラップさせることにより、内層導体層が溶融、貫通しない高品質のレーザビーム加工を実現することができる。
【００３８】
さらに、絶縁層部の非常に薄い基板に関しても、ビームＯＮ時にレーザビーム出力を徐々に上昇させ、ビームＯＦＦ時にレーザビーム出力を徐々に低下させてラップさせる制御を行なうことにより、内層導体層が溶融、貫通しない高品質のレーザビーム加工を実現することができるようになり、メッキ不良問題も改善できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＵＶ−ＹＡＧレーザドリル加工装置の構造を示す構造概念図である。
【図２】ガルバノスキャンニング加工の制御形態を示すブロック図である。
【図３】ＮＣ装置からガルバノドライバー装置及び発振器１へのガルバノ速度指令とビームＯＮ、ＯＦＦ指令のタイミングチャートである。
【図４】スキャンニング動作説明図である。
【図５】ガルバノスキャンニング加工の制御形態を示すブロック図である。
【図６】ガルバノ速度指令とＤＳＰボードからの指令及びビームＯＮ、ＯＦＦ指令のタイミングチャートである。
【図７】ガルバノスキャンニング加工の制御形態を示すブロック図である。
【図８】ガルバノ速度指令とＤＳＰボード８からの指令及びビームＯＮ、ＯＦＦ指令のタイミングチャートである。
【図９】スキャンニング加工ビアホール形状を示す図である。
【図１０】ビアホール第二段階の加工法を示す図である。
【図１１】ビアホール第二段階の加工状態図である。
【図１２】スルーホール加工実験結果を示す図である。
【図１３】ビアホール加工実験結果を示す図である。
【図１４】スキャンニング加工形状を示す図である。
【図１５】ビームON時出力制御有無比較を示す図である。
【図１６】絶縁層の両面に導体層を有する配線板を示す図である。
【図１７】絶縁層及び導体層が多層に積層された配線板を示す図である。
【図１８】ビームスキャンニング加工を示す図である。
【図１９】スルーホールの形状を示す図である。
【図２０】ビームスキャンニング軌跡図を示す図である。
【図２１】ビアホールの形状を示す図である。
【図２２】加工不良状態のスルーホール形状断面図である。
【図２３】加工不良状態のスルーホール形状断面図である。
【図２４】内層導体部溶融位置を示す図である。
【符号の説明】
１レーザ発振器、２レーザ光、３ガルバノスキャンミラーＸ、４ガルバノスキャンミラーＹ、５ｆθレンズ、６加工対象物、７ＮＣ装置、８ＤＳＰボード、９ガルバノドライバー装置、１０出力調整装置（出力ＤＯＷＮ）、１１タイマー回路、１２スロープ回路、１３出力調整装置（出力ＵＰ）、１４タイマー回路、１５スロープ回路。

Claims

導体層と絶縁層を積層した積層材料に貫通穴または内層導体部までの止まり穴を形成するに当たり、レーザビームを形成する穴の中心部より外周部へら旋状にガルバノスキャンミラーで走査し、導体層と絶縁層を除去するレーザ加工方法において、
形成する穴の中心部よりガルバノスキャンミラーにてレーザビームの走査を開始し、このガルバノスキャンミラーによるスキャン速度が一定になった後、レーザビームを照射開始することを特徴とするレーザ加工方法。
ガルバノスキャンミラーによりら旋状に走査されるレーザビームの走査の回転数が、ガルバノスキャンミラーのスキャン速度が一定になる回転数に達した後、レーザビームを照射開始することを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工方法。
ら旋状に走査されるレーザビームの走査軌跡の外周部において、一度加工を行った部分に再度レーザビームを走査する際、照射されるレーザビームのエネルギーを徐々に低下させることを特徴とする請求項１または２何れかに記載のレーザ加工方法。
レーザビーム照射開始の際、照射されるレーザビームのエネルギーを徐々に上昇させることを特徴とする請求項１乃至３何れかに記載のレーザ加工方法。
所望の軌跡で照射する際に、レーザビームのら旋状の走査軌跡の外周部のみ所定のレーザエネルギーで加工を行うことを特徴とする請求項４に記載のレーザ加工方法。
上記ら旋状にレーザビームを走査して加工を行った後、この加工におけるレーザビームよりもエネルギー密度が低く、この加工における加工範囲よりも拡大したビーム径を有するレーザビームを、この加工における加工範囲に照射することを特徴とする請求項１乃至５何れかに記載のレーザ加工方法。
レーザ発振器と、
このレーザ発振器より出射されたレーザ光をスキャンし、被加工物に照射するためのガルバノスキャンミラーと、
上記ガルバノスキャンミラーの動作を制御する制御装置と、
上記レーザ発振器に対し、レーザ発振のタイミングを制御するタイミング制御部と、を備え、
前記制御装置は、導体層と絶縁層を積層した積層材料に貫通穴または内層導体部までの止まり穴を形成するに当たり、レーザビームを形成する穴の中心部より外周部へら旋状にレーザビームを走査するようにガルバノスキャンミラーを制御し、
前記タイミング制御部は、前記制御装置により制御されたガルバノスキャンミラーのスキャン速度が一定になった後にレーザ発振器にレーザ発振を行わせることを特徴とするレーザ加工機。
請求項７に記載のレーザ加工機において、前記タイミング制御部は、前記制御装置により制御されたガルバノスキャンミラーによりら旋状に走査されるレーザビームの走査の回転数が、ガルバノスキャンミラーのスキャン速度が一定になる回転数に達した際にレーザ発振器にレーザ発振を行わせることを特徴とするレーザ加工機。