JP5023103B2 - 永久磁石材料 - Google Patents
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モデルから予測でき、また実際に観測されているRKKY相互作用では、原子に局在した電子の電場により周囲の伝導電子がスピン偏極を受け、それにより隣の原子の局在電子と相互作用をする。RKKY相互作用も原子間距離に応じ交換相互作用が振動する。
特に、永久磁石材料として有望な組成は、Rに対するTの原子量が5以上である。そのため、上記ではTのバンド分極の影響を強く受けるため、ハバードモデルに立脚したベーテ・スレータ曲線を考えの基準に用いた。ただし、本発明の本質は、遍歴電子磁性の相互作用を熱膨張率(熱膨張係数ともいう)の差異により、特に、磁気体積効果により制御することにあり、希土類元素と遷移金属元素の比で限定されるものではない。
圧縮応力が適正に印加されるためには、主相の熱膨張率が第二相の熱膨張率よりも小さいことが必要である。特に、主相の熱膨張率が負の場合その効果は大きい。このような主相の材料系として、磁気体積効果(インバー効果)を示す物質群が考えられる。
ただし、磁気体積効果の発生機構は個々の物質で区々であり、その詳細に関してもわからないことが多い。
iton、XRD),超伝導量子干渉計(Superconducting quantum interference device、SQUID)により評価した。第二相の磁気秩序温度(キュリー温度またはネール温度)
は、主相の磁気秩序温度よりも高温であるため、計測された相転移温度及び相転移磁場は、第二相のものにほぼ等しい。表1からわかるように相転移温度と相転移磁場はXRD及びSQUIDで測定したものでほぼ同じ値を有しており、磁性と結晶格子がカップリングした現象であることがわかる。ただし、Nd2Ni17とFeの組合せでは明瞭な相転移磁場は計測されなかった。
各々のターゲットは、購入品を使用し、純度はいずれも99.9%である。超高真空チャンバー内(<1×10-7Pa)に基板とスパッタリングターゲットを対向させ、電圧をかけることにより、導入したアルゴンガス(99.999%)をプラズマ化した。その際生成したイオンが電界で加速されてターゲットをたたき、ターゲット成分が飛び出し、対向した基板表面に付着させた。アルゴンガス圧は適宜調整した。使用した装置は、3つの部屋,メタル成膜室,反応性スパッタ室,プラズマ窒化室を有している。基板には利便性からSiを使用したが、これによって限定されるわけではない。メタル成膜室において、Si基板の上にSm2Ni17を膜圧は70nm程度になるよう堆積させた。これをプラズマ窒化室に移し、外周部20nm程度を窒化させた。構造評価はX線回折、及び走査透過型電子顕微鏡エネルギー分散型X線解析(STEM−EDS)により行い、主相,第二相ともに所定の結晶相が形成されているのを確認した。このようにして作製した微細結晶粒の磁気特性を評価した。結果、キュリー温度は主相のSm2Ni17の480℃と比較し、約30℃高い510℃を示した。また、第2相のキュリー温度である120℃付近では、段階的な磁化増加を観測した。
。
mから10μm程度の磁気信号を検出するため、計測前に磁石表面を清浄にしなければならない。そのため、磁石表面をラッピングフィルムで5μm程度研磨した後に、4×10-5Pa以下の高真空中でArイオンにより磁石表面をミリングした。表面の酸化を防ぐた
めに、ダイアモンドライクカーボン(Diamond Like Carbon、DLC)膜で表面を被覆した。このような試料を3個準備し、4Tで着磁後、XMCD評価を実施した。XMCD実験では永久磁石型の磁場印加機構を用い、最大0.7程度の磁場を印加した。入射X線のエネルギーはFeのK端(7.113keV),NdのLII端(6.720keV)とし、Feの蛍光X線(Kα線)強度,Ndの蛍光X線(Lα線,Lβ線)強度をそれぞれ測定した。
別が困難なため調整を行っておらず、(b)70℃の場合は正磁場方向の飽和磁場(0Tから0.7T)と負磁場方向に飽和の傾向が見られる磁場(−0.6Tから−0.7T)のそれぞれの平均磁化をとり、その中心値がゼロとなるようにバックグラウンドの調整を行
った。XMCD強度及び磁化の値を規格化するに当たり、飽和磁化はどちらも同じと考えられるため磁場0Tから0.7T間の平均値が1となるように規格化した。測定温度に依存しない特徴として、磁石全体の磁化とXMCD強度の磁場依存性が明らかに異なる点が挙げられる。XMCDは磁石表面から4μmから10μm程度の磁化情報を取得するため、磁石全体と磁石表面とで保磁力が異なることがわかった。磁石表面から4μmから5μm程度内部に入った領域、つまり結晶粒一個分程度内部に入った領域でも、表面の酸化の影響を受け保磁力が低下していると考えられる。
は減磁曲線の形状に顕著に現れる。磁石厚さの薄いバルク磁石表面の保磁力低下を回復することは、動作点改善の上でもきわめて重要である。本技術は、磁石表面からのDyFx溶液の粒界拡散であるため、バルク磁石表面近傍の保磁力回復に適した技術である。
Claims (8)
- 微細結晶粒が主として2種類の相から構成されたコアシェル構造を形成し、
主相は希土類遷移金属合金で構成し、第二相は前記主相を硼化、窒化、酸化、またはフッ化して構成し、
前記主相は前記コアシェル構造のシェル側に存在し、
前記主相の熱膨張率が前記第二相の熱膨張率よりも大きく、かつ、前記主相の自発体積磁歪の磁場変化が正であることを特徴とする永久磁石材料。 - 微細結晶粒が主として2種類の相から構成されたコアシェル構造を形成し、
主相は希土類遷移金属合金で構成し、第二相は前記主相を硼化、窒化、酸化、またはフッ化して構成し、
前記主相は前記コアシェル構造のコア側に存在し、
前記主相の熱膨張率が前記第二相の熱膨張率よりも小さく、かつ、前記主相の自発体積磁歪の磁場変化が負であることを特徴とする永久磁石材料。 - 請求項1に記載の永久磁石材料であって、
前記主相がFe基合金またはFe基化合物であることを特徴とする永久磁石材料。 - 請求項2に記載の永久磁石材料であって、
前記主相がNi基合金、Co基合金、Ni基化合物、またはCo基化合物のいずれかであることを特徴とする永久磁石材料。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載の永久磁石材料であって、
前記微細結晶粒が、超常磁性の臨界粒径以上であって、かつ、100nm以下であることを特徴とする永久磁石材料。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の永久磁石材料であって、
前記主相または前記第二相のうち熱膨張率の小さい方の相において、磁気秩序と結晶格子歪の相転移が同一の温度、または同一の磁場で生じることを特徴とする永久磁石材料。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の永久磁石材料であって、
前記主相または前記第二相のうち少なくとも1つが、負の熱膨張率を有することを特徴とする永久磁石材料。 - 請求項1乃至7のいずれかに記載の永久磁石材料であって、
前記主相と前記第二相との境界領域において、B、C、N、O、またはF元素のうち少なくとも1つが濃度勾配を有していることを特徴とする永久磁石材料。
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